H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 416768

Опубликовано: 25.02.1974

МПК: H01L 31/08

Метки: 416768

...изображен функциональный фо-" 25 тор ези стор, общий вид.Функциональный фоторезистор состоит из слоя фотопроводящего материала 1, например Сс 15 или СаЯе, расположенного на диэлектрической подложке 2. На слое фотопроводящего 30 материала 1 расположены низкоомные электроды 3, 4 и 5, причем электрод 5 параллелен электроду 4, Расстояние между электродами 3 4 переменно и определяется в соответствии с заданным законом изменения выходного напряжения. Расстояние между электродами 4 и 5 определяется требуемой величиной тока нагрузки.Управление функциональным фоторезистором осуществляется с помощью светового зонда б, который при движении вдоль прибора перекрывает все три электрода (направление движения светового зонда указано стрелкоц),Ток от...

Номер патента: 416792

Опубликовано: 25.02.1974

МПК: H01L 35/02

Метки: 416792

...устройства.Теплопередающее устройство содержит полупроводниковый кристалл 1, в котором методами полупроводниковой технологии выполнены термочувствительные элементы 2, 3 и элементы управляющей электрической схемы. Над термочувствительными элементами расположены источники тепла 4 и 5, Электрическая изоляция источников и термочувствительных элементов осуществляется слоем изолирующего материала б, Источники тепла 4, 5 и слой б могут быть выполнены разлициыми методами, в том числе и методами тонкопленочной техио- ЛОГИИ. Длина источииа тепла 4 ие превышает двух толщин кристалла 1, что позволяет создп вблизи него (на расстояны двх тол 1 ции крисалла от центра исто ип 1 ка) перепада тсм 1 ературы, зиачителы 10 превыцаю 1 цие по...

Номер патента: 416974

Опубликовано: 25.02.1974

Авторы: Джозеф, Иностранна, Иностранцы, Эдвард

МПК: H01L 25/03, H02K 19/36

Метки: гель, двухполупериодный, ьыпрями

...с анодами трех диодов 5, катоды которых соединены с выводом 6.Конструктивно весь блок собран на опорном осевом элементе, выполненном в виде болта 7 с резьбой на одном конце и головкой 8 с выступом 9 на другом. С помощью головки с выступом весь блок выпрямителя крепится в корпусе генератора автомобиля и одновременно заземляется,На болт 7 насажена шайба 10, а затем изоляционная втулка 11, на которой установлены пластины 12, 13, 14, изолированные друг от друга шайбами 15, 16. На болт насажена также литая изоляционная деталь 17 с вплавленными в нее фазовыми пластинами, причем в ступенчатое отверстие этой детали входит изоляционная втулка 11. Эти элементы закреплены на болте с помощью шайбы 18 и гайки 19.Заземление пластины 12...

Номер патента: 417749

Опубликовано: 28.02.1974

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: 417749

...тактовых импульсов 1, коммутатор 2, генератор режимных напряжений 3, нуль-орган 4, генератор опорных уровней 5, схему задержки 6, генератор строб-импульсов 7, схему И 8, регист ратор 9, испытуемый р - и-переход 10.Импульс длительностью Т 0 (фиг. 2,а) поступает с генератора тактовых импульсов 1 и включает соответствующее реле коммутатора 2, через контакты которого напряжение от 30 генератора 3 подается через испытуемый р - и-переход (фиг. 2,б) на вход нуль-органа 4. Протекающий по переходу ток (фиг, 2,в) создает падение напряжения на входном сопротивлении первого входа нуль-органа 4, Одновременно через другие контакты того же реле на второй вход нуль-органа 4 подается опорное напряжение от генератора 5. Передний фронт импульса...

Номер патента: 418821

Опубликовано: 05.03.1974

Автор: Сиприкова

МПК: H01L 31/14, H01L 31/18

Метки: излучения

...чувствительный элемент, выт 1 олненный в виде пластины 1 монокристалла с размещенными на ее противоположных плоскостях электродами 2 и 3, На стороне расположения электрода 3 имеется плоский выступ 4, на котором закреплен электрод 5. Электрод 3 служит выводом средней точки между нагрузочным резистором и чувствительным элементом.Геометрические размеры преобразователя выбраны из условия согласования сопротивле ний монокристалла (фоторезистора) и нагрузки. Сопротивления монокристалла и нагрузки определяются из выражений;Е, Енф5 н41882 МЯ где р - удельное сопротивление моиокристалла;1 ф - толщина пластины монокристалла; Яф - площадь монокристалла, занимаемая электродом 2;1 - толщина выступа;5, - площадь выступа, занимаемаяэлектродом...

Номер патента: 418921

Опубликовано: 05.03.1974

МПК: H01L 21/22

Метки: 418921

...может закрываться крышкой, имеющей сквозной рисуноксовпадающий с конфигурацией медных заготовок. Собранная кассета помещается в реакционную камеру с двумя температурными зонами,Зона, в которой находится кассета, нагревается до температуры образования хнмичсского соединения теллурида меди по перитектпческой реакции, а другая зона, 1 в которую вводят навеску теллура, нагревается до температуры его плавления. При,пропускании паров теллура над нагретой кассетой происходит реактивная диффузия меди из медной заготовки через пластину теллурида меди и последующее взаимодействие с парообразным тсллуром.В случае использования крышки, имеющей сквозной рисунок, и проведения реакции в течение времени, мсльшего, чем необходимо для полной диффузии...

Номер патента: 418926

Опубликовано: 05.03.1974

МПК: H01L 35/34

Метки: 418926

...кольцами 3 высотой 5 мм и толщиной стенок 1,5 - 2 мм, затем между полу- элементами размещают коммутационные шипы 2 и изоляционные пластины 4 из слюды.25 Внешняя поверхность большого и внутренняяповерхность меньшего металлических колец имеют резьбу.Электроизоляционпый слой 5 между металлическими кольцами и коммутационными ши нами может быть создан закладкой листов418926 Со с; а интел ь С. Островская т, гл сд 3 1 га;":.и оед крп т ра 1,оррскто 1) Н. Лук 5 Я/12 ЦНИИПИ 1 ираж 700вета Мииистрот кргятийО., д. 4,5 Иад,"а 575осударствеппого комитета С по делам ивобретепий и Москва, К, Раушская и дписпо пограбив, пр. Сапунове д слюды высотой 5 мм и толщиной 100 мкм, нанесением на внутреннюю повср: ность большоГо кольца и В 11 ешпоо...

Номер патента: 419817

Опубликовано: 15.03.1974

Авторы: Медведев, Петров, Сибирский, Уюеренко

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: 113лерения, полупроводниковых, свойств, электрически4

...с помощь 1 о пстли связи 17, а с СВЧ свин-генератором - с помощью петли связи 5 18. Емкость, образованная полупрозрачнымконтактом 15, волноводом 11 н пластинкой слюды, выбирается таким образом, чтобы сопротивлени 1 с этой емкости на СВЧ было низким, а на частоте генератора 8 - высоким. О Электрическое поле резонатора 4 практически сосредоточено в зазоре между полупрозрачным электродом 15 и торцом штыря 12, таким образом исследуемый образец оказывается вкл 1 оченнь 1 м в СВЧ поле резонатора.5 Устройство работает следующим образом.СВЧ мощность от свип-генератора 1 черезаттенюатор 2, вентиль 3 подастся на резонатор 4. Прошедшая через резонатор мощность регистрируется дстектором. ПродстсктировянО 11 ый сигнал подается на усплп тель...

Номер патента: 419988

Опубликовано: 15.03.1974

Авторы: Богомолов, Шульман

МПК: H01F 3/14, H01L 29/82

Метки: магнитоуправляемый, силовой, элемент

...между нимимагнитоуправляемымп элементами 16 и 17 образуют цепь переменного магнитного потока, который создается переменным током, проп.- кающим по четырем надетым па ленточные сердечники и последовательно-согласно включенным обмоткам 18 - 21 возоуждения, Цепь переменного магнитного потока через симметричные точки последовательно включена в цепь постоянного магнитного потока, состоящую из постоянного магнита 22 и двух магнитопроводов 23 и 24. Магнитный поток, создаваемый переменным током в обмотках возбуждения, замыкается по контуру; сердечник 15 - элемент 16 - сердечник 14 - элемент 17 и его направления в воздушных зазорах обоих магнитоуправляемых элементов противоположны друг другу. Направления магнитного поля, создаваемого...

Номер патента: 420015

Опубликовано: 15.03.1974

Авторы: Баранова, Зорин, Павлов, Пашков

МПК: H01L 21/265

Метки: ионпого, легирования, полупроводников

...может иметь место заметная ускоренная диффузия импланпируемой примеси, которая трудно, поддается учету и может оказаться нежелательной в технологии производства полупроводниковых приборов, а снижение плотности гока приводит к чрезмерному увеличению времеви формирования примесцых слоев с данной концентрацией, что технологически также це всегда целесообразно.увеличение электрической активности примеси, введенной в полупроводник конной имплантацией, обеспечивается за счет того, что при точечном леппровавии полупроводников, например кремция, при комнатной температуре для увеличения электрической активности внедренной примеси, например бора, логируемый полупроводник предварительно подвергают упругому деформировацию.Упругие деформации...

Номер патента: 420016

Опубликовано: 15.03.1974

Авторы: Иванов, Огнев, Сальников

МПК: H01L 21/48

Метки: микроминиатюрных, ориентации

...деталей, обращенных к опорным плоскостям большей поверхностью, и раз водят вакуумные присосы с однозначно ориентированными деталями на некоторое расстояние.Чертеж иллюстрирует предлагаемый способориентации микроминиатюрных деталей.10 Герметичная камера 1 вакуумного присосаимеет опорную плоскость 2, выполненную в виде крышки из микропористого материала, Камера снабжена штуцером 3, через который она сообщается с вакуумной системой. Ори ентируемые детали 4 помещают на опорнуюплоскость 2, поры которой создают систему микросопел, через которые отсасывается газ из окружающей среды, образуя равномерное пневматическое палс на опорной плоскости.20 При этом величина вакуума выбирается достаточной для удержания деталей на опорной поверхности...

Номер патента: 420056

Опубликовано: 15.03.1974

Авторы: Витченко, Смирнов, Фонд, Шалаев

МПК: H01L 23/367, H02K 19/36

Метки: бесщеточных, вращающееся, выпрямительное, генераторов

...из радиальных промежутков б и интенсивно отводит Спло как с 10 15 20 ВРАЩАЮЩЕЕСЯ ВЫПРЯ ДЛЯ БЕСЩЕТОЧНЬ сится к электрическим мак гснер а тора м с бестцезбуждения, в которых исоводниковые выпрямители, оторе машины и вращаюИзвестны вращающиеся выпрямительные устройства для бесщеточных генераторов, выполнеьиые в виде токосъемного диска с венти. лирующими отверстиями и жестко связанными с ним полупроводниковыми выпрямителями, установленными на радиаторах с ребрами. Радиаторы в таких устройствах охлаждаются потоком газа, создаваемым при вращении машины вентилирующими радиальными отверстиями диска, и расположены относительно отверстий так, что преобладающим потоком, охгакдающим радиаторы, является горизонтальный поток, скорость которого...

Номер патента: 421014

Опубликовано: 25.03.1974

Авторы: Андреев, Васев

МПК: G06G 9/00, H01L 31/08

Метки: фотопотенциометр, функциональный

...коллектор, расположенный в соответствии с заданным функциональным законом непосредственно на фотослое между основными токосъемными коллекторами.Это позволяет расширить область применения фотоцотенциометра.На чертеже приведена схема предлагаемого устройства.Устройство содержит щелевую диафргму 1, источник света 2 фотослой 3, основные 4, 5 и дополнительные 6 токосъемные коллекторы.Устройство работает следующим образом.Засвеченные световым зондом, образованным источником света 2 при помощи щелевой диафрагмы 1, участки фотослоя 3 между токо- съемными коллекторами 4, 6, и 6, 5 образуют проводящие участки - резистивные элементы. Сопротивление их при постоянных ширине и яркости светового зонда зависит от длины проводящего участка. т....

Номер патента: 421073

Опубликовано: 25.03.1974

Авторы: Артынов, Бичев, Золотаревский

МПК: H01L 21/00

Метки: загрузки, кассету, кристаллов, полупроводниковых, приборов

...ца цих для повторения цикла. вакуумцые присосы каждой из рабочих поверхцостей лотка выполцецы автоцомцыми,На чертежике изображена предлагаемое устройство.5 На столе 1 устройства расположены направляющие решетки 2 с отверстиями и прцемциком для кассет 3. Между решетками ца оси 4 укреплен вибролоток 5, с двух стороц которого имеются канавки с гнездами 6, че рез отверстия в которых происходит вакуумцый присос кристаллов. К корпусу вцбролотка через гибкие штапгц 7 ц трехпозцциоццый распределитель 8 присоедццец форвакуумцый цасос 9. Кристаллы насыпаются ца верхшою 15 сторону вибролотка 5. Вибратор включается,ц детали начинают двигаться по поверхности лотка, заполнял гнезда 6. Как только все гнезда заполнятся деталями, распределителем...

Номер патента: 421548

Опубликовано: 30.03.1974

Авторы: Андреев, Бобров, Валиев, Динабург, Кашаева, Лубашевска, Макаров, Никольский, Фирсов, Хорина

МПК: H01L 21/312

Метки: позитивный, фоторезист

...введение в состав позитив ного фоторезиста сенсибилизатора приводит к изменению его интегральной и спектральной светочувствительности одновременно с улучшением разрешающей способности фотослоя. Иц. тегральная светочувствительцость сенсцбили зированпого фоторезиста втрое выше чувствительности известных позитивных фоторсзистов. Спектральная чувствительность его имеет второй максимум, лежащий в более длинноволновой области спектра (450 - 500 нм). 30 Таким ооразом, повышение интегральной и спектральной фоточувствцтельцости позитивного фоторезцста, це исключая прежней сферы применения, даст возможность использовать его в проекционной фотолитографии в качестве фотослоя прц изготовлешш фотошаблонов с применением обычной оптики и...

Номер патента: 421956

Опубликовано: 30.03.1974

Авторы: Алена, Вильдфангс, Эриньш

МПК: G01R 31/265, H01L 21/66

Метки: измерительный, элемент

...структур с помощью высокочастотного электромагнитного поля.Известные измерительные элементы для измерения толщины металлических покрытий, толщины и удельного сопротивления полупроводниковых материалов дают удовлетворительные результаты при изучении сравнительно низкоомных полупроводников в диапазоне частот от десятков килогерц до нескольких десятков мегагерц, но мало эффективны при изучении высокоомных полупроводниковых материалов из-за низкой чувствительности.Для повышения чувствительности необхо. димо увеличить частоту до 200 - 300 Лги, однако с повышением частогы увеличивается влияние на результаты измерения собственной емкости катушки.Цель изобретения - повышение чувстви;ельности измерительного элемента. Цель достигается тем,...

Номер патента: 421959

Опубликовано: 30.03.1974

Авторы: Борисов, Шамов, Экслер

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: лавинным, механизмом, п-переходов, полупроводниковых, приборов, пробивного, пробоя

...полупроводникового прибора. Цель изобретения - повышение точностиизмерений.Цель достигается тем, что по предлагаемому способу ца импульсы низкочастотного на 5 пряжения. подаваемые на контролируемыйр - и-переход, накладывают высокочастотныйсигнал и в момент прохождения через нульвысокочастотной фазовой характеристикир - и-перехода измеряют текущее значение амО плитуды на р - гг-переходе, равное напряженио пробоя,Блок-схеха устройства, рпредлагаемый способ, представ,теже.15 Пробивное напряжение измеряют следуощим образом.Генератор 1 нарастающего ццзкочдстотцо.го напряжения вырабатывает импульсы, цакоторые цакладыва 10 тся импульсы Высокоча 2 О стотного напряжения от генератора 2, частотукоторого выбирают цз условия...

Номер патента: 422059

Опубликовано: 30.03.1974

Авторы: Автоприборов, Научно, Николаев, Пешель, Розенман, Ченко, Экспериментальный

МПК: H01L 35/08, H01L 35/30

Метки: коммутационный, термоэлектрическойбатареи, элемент

...относится к элементам термоэлектрических устройств, используемых в различных отраслях техники.Известны коммутационные элементы, ребра которых припаяны или приварены к основаниям, выполненным из монолитного металла методом литья, фрезерованием или экструзией.Цель изобретения - упрощение технологии изготовления.Это достигается тем, что основание предлагаемого коммутационного элемента выполнено в виде гофрированной ленты с плоскими вершинами, боковые стенки смежных гофр примыкают одна к другой, а также размещены с заданным шагом с образованием воздушных каналов.На фиг. 1 изображен предлагаемый коммутационный элемент с боковыми стенками гофр, примыкающими одна к другой; на фиг.2 - то же с боковыми стенками гофр, размещенными с заданным...

Номер патента: 422060

Опубликовано: 30.03.1974

Авторы: Лавриненко, Якименко

МПК: H01L 41/107, H03H 9/54

Метки: пьезоэлектрический, трансфильтр

...5, кото рые укреплены в корпусе 6 посредством амортизирующих резиновых прокладок 7. Между корпусом и элементом на осях имеются шайбы 8. В корпусе запрессованы металлические выводы 9, к которым с помощью тонких про водников 10 подключены электроды пьезоэлемента. Направление поляризации пьезокерамических секций выбрало таким образом, что два внутренних слоя, прилежащие к металлическим секциям, поляризованы по отно шению друг к другу в одну сторону, и двавнешних слоя поляризованы акже по отношению друг к другу в одну сторону. Электроды элемента соедг;нены следую 2 б щим образом (фиг, 2); два внешних электро да служат входными, средний электрод - вь ходным, промежуточные электроды межд слоями секций - общими. При подаче па вход трап зп...

Номер патента: 325908

Опубликовано: 05.04.1974

Авторы: Алферов, Андреев, Бородулин, Гарбузов, Дураев, Морозов, Пак, Портной, Швейкин

МПК: H01L 21/28

Метки: 325908

...раст пода едмет изобретени Изобретение относится к области полупроводниковой техники, а именно к способам изготовления полупроводниковых приборов ца сснове твердых растворов соединений ЛщВ.Известные омические контакты к полупроводниковым приборам на основе указанных соединений создаются методами вакуумного напыления, химического и электрохимического нанесения металлов. Металлы для омического контакта подбираются таким образом, чтобы контакт был цевыпрямляющим и имел наименьшее сопротивление.Однако при использовании золота, индия, никеля, платины и других металлов не всегда можно получить низкоомцый контакт, например к Йа 1,- Л 1.,Лз, нашедшему широкое применение в изготовлении таких приборов, как полупроводниковые ицжекциоццые...

Номер патента: 295526

Опубликовано: 05.04.1974

Авторы: Анатычук, Димитращук, Лусте

МПК: H01L 37/00

Метки: 295526

...электропроводности и изотропной термо- э.д.с., снабжен закорачивающей монокристаллической пластиной, установленной на боковой грани кристалла,На чертеже показана схема предлагаемого термоэлемента.Он состоит из двух кристаллов 1 и 2, имеющих форму прямоугольных брусков, изготовленных из различных материалов, Материалы кристаллов обладают изотропной термо- э.д.с., но апизотропной электропроводностью. Грани а с, и а с, кристаллов име:от контакт с тепловым источником, а противолежащие грани имеют контакт с тепловым стоком. Кристалл 1 ориентирован так, что его кристаллографические оси Х и У образуют угол ср с ребрами бруска, в то время как кристаллографические оси кристалла 2 совпада ют с ребрами пластины. При этом тепловойпоток в...

Номер патента: 423205

Опубликовано: 05.04.1974

Авторы: Куракова, Курносов, Мозгалев

МПК: H01L 23/06

Метки: корпусов, полупроводниковых, приборов

...заключается в том, что на поверхность кварце вых конструктивных элементов наносят слой смеси из трехокиси молибдена и окиси никеля, например, в соотношении 5: 1, а затем припаивают к нему металлические детали мягким припоем. 25Кварцевые конструктивные элементы предварительно обрабатывают в бо 1 О-ном растворе перекиси водорода в течение 20 - 30 мин и промыва 1 от в проточной деионизованной воде, имеющей уд, сопротивление 10 Мом, После З 0 этого обрабатыва 1 от кварцевые элементы в разбавленной плавиковой кислоте для удаления поверхностного слоя кварца и придания ему шероховатости и промывают в деионизованной воде.На поверхность (торцовую или боковую в зависимости от вида корпуса) кварцевых элементов любым способом наносят слой водной...

Номер патента: 423206

Опубликовано: 05.04.1974

Авторы: Лепилин, Матвеев, Самыгина, Черн

МПК: H01L 21/48

Метки: интегральных, маркировки, схем, элементов

...известного способа являются сложность механических устройств для его 15 реализации, а также нанесение метки на полупроводниковом кристалле, из-за чего он целиком бракуется. Однако при изготовлении ряда приборов, например многоканальных коммутаторов на МОП-транзисторах, вы ход из строя одного канала не влияет на работоспособность остальных каналов, поэтому практически можно использовать все кристаллы, имеющие хотя бы один годный канал.25Предложенный способ маркировки элементов ицтегралы 1 ых схем отличается тем, что после измерения их электрических параметров риску наносят острием электроизмерительного зонда ца 11 оцтактцо 1 плонадке, соотВетствующей негодному элементу,Способ реалцзуется слсду 1 ощцм образом. Прп Обцаруже:1...

Номер патента: 423218

Опубликовано: 05.04.1974

Авторы: Голосницка, Горленко, Старое

МПК: H01L 41/09

Метки: стержневой, электроакустический

...содержащий возбуждающий трубчатый пьезокерамический элемент, ца торцах которого расположены излучающая и тыльная металлические накладки, соединенные армирующей шпилькой. Для такого преобразователя характерно соотношение длины волны в воде на резонансной частоте Хо и длины преобразователя 1, равное примерно 1,5. Поэтому при расширении нижней границы диапазона рабочих частот габариты подобных преобразователей резко возрастают. А это в свою очередь влечет за собой недопустимое увеличение размеров, например, рыболокаторов, в которых применяют преобразователи, усложняет технологию их сборки и затрудняет эксплуатацию.Цель изобретения - снижение резонанс частоты преобразователя без увеличения габаритов или уменьшение размеров прео...

Номер патента: 424266

Опубликовано: 15.04.1974

Авторы: Антонова, Степанов, Степанова

МПК: H01L 41/113, H04R 17/00

Метки: базе, постоянного, пьезоэффекта

...в отверстие ползуца 6. Параллельно винту 3 установлен направляющий элемент 7. Ползуц выполнен с проушинами 8, связанными с рычагом 9, на 10 котором имеется шкала 10. Нулевая отметкашкалы расположена в одной плоскости с осью 11. На рычаге 9 установлены противовес 12, сухарь 13 с риской 14, груз 15, подвешенный к сухарю, шайба 16 и упор 17, имеющий воз мож юсть перемещения вверх цли вниз. Сухарь вместе с грузом 15 может перемещаться по пазу 18, располагаясь против любсгго деления шкалы. Шайсба 16 служит для установки сменных грузов 19 (изооражсцо штрцх пунктиром). Перпендикулярно рычдгу 9 установлен двуплсчий рычаг 20, цд коротком плече которого помещена скоод 21, в котороц закреплена сменная пьезокварцевая цлдстццд 22. Рычаг уравцовешсн...

Номер патента: 425140

Опубликовано: 25.04.1974

Авторы: Ордена, Пожела, Толутис

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: бесконтактного, параметров, полуметаллов, полупроводников

...+ (фмин(фмакс) тактная колодка 2 б, штеккерная часть 27, контактный разъем 28, коаксиальные кабели 29 и 30.При работе с устройством включается электромагнит, между полюсами которого возбуждается постоянное магнитное поле В. От генератора 1 электрический сигнал высокой частоты через коаксиальные кабели подается в катушку возбуждения 9, Возникающее внутри катушки 9 переменное магнитное поле В в присутствии постоянного магнитного поля В возбуждает в образце магниточлазменные волны круговой поляризации ,волновой вектор К//В). Магнитные составляющие магнитоплазменных волн возбуждают в индикационной катушке 7 э.д.с. высокой частоты, которая подается через коаксиальные кабели 30 в детектирующий блок 3, Относительная величина э.д.с....

Номер патента: 425245

Опубликовано: 25.04.1974

Авторы: Верходанова, Заливина, Котенко, Кутолин, Шурман

МПК: H01L 21/465

Метки: активного, порогового, слоя, состав, элемента

...состояниях"кР =2.10 - 2.102Я нестабильностью порогового напряжения во времени (старение) активного слоя, малым рабочим током элементов в открытом состоянии (0,3 - 1 ма). 20Целью изобретения является увеличение соотношения сопротивлений порогового элемента в закрытом и открытом состояниях, уменьшение общего времени его переключения, увеличение рабочего тока и повышение стабиль ности порогового напряжения во времени.Для этого состав дополнительно содержит бор, а в качестве полупроводникового окисла использована пятиокись ванадия при следующем соотношении компонентов, вес. %: 30 Изобрет ние сопро крытом и уменьшит мента до бильность т. е. до з измерител бильность времени ( ение позволяет увеличить соотношетивлений порогового...

Номер патента: 425255

Опубликовано: 25.04.1974

Авторы: Закс, Лобачев, Ордена, Пополитов, Сыркин

МПК: H01L 41/187

Метки: материал, пьезо-сегнетоэлектрический

...основе сульфойодида сурьмы с примесями 5625 з и 56 е 0 з.Однако введение добавок 56 г 5 з, 5620 з в сульфойодид сурьмы размывает фазовый сегнетоэлектрический переход, понижает пьезомодуль, что затрудняет использование легированных образцов сульфойодида.Целью и 1 зобретения являеМся повышение точки Кюри и четкости фазового перехода.Для этого в сульфойодид сурьмы введен оробат сурьмы (56 У 604) при следующем соании исходных компонентов, в мол. %:5651 50 - 95 5 ЬУЬО 5 - 50 работанный материал имеет точку Кю ка 50 - 51 С, значение пьезомодуля 1,2 - 1,8 10 -СГС, что обеспечивает е ущество по сравнению с известным. и м е р. В реактор высокого давлен ованный двумя кварцевыми трубкам ают исходные монокристаллы 5 Ь 51 04, взятые в мольных...

Номер патента: 426280

Опубликовано: 30.04.1974

Авторы: Козлов, Серебр, Устройство, Эстерле

МПК: H01L 35/02

Метки: 426280

...постоянной температуру электродов независимо от термических свойств исследуемого образца (большей теплопроводности образца соответствует больший ток через термопары). Наиболее подходящим материалом для второго проводника термопары яв.=:= 1И Е 280 ляется висмут (максимальная т.э,д.с. при х роших механических свойствах).При изменении полярности источников питания термопар горячий электрод становится 5 холодным и наоборот, Это дает возможностьлегко избавиться от различного рода систематических ошибок измерения.Поверхности соприкосновения измерительных электродов с образцом посеребрены для 10 лучшего электрического контакта с ним,На чертеже схематически изображено предлагаемое устройство.Устройство содержит измерительные электроды 1 и 2...

Номер патента: 427400

Опубликовано: 05.05.1974

Авторы: Бузмакова, Варвас, Мелликов, Таллинский, Хийе

МПК: C01G 11/00, H01L 31/18

Метки: 427400

...того, онневоспроизводимые результаты вследнеравновесности процесса и неоднорораспределения активатора.Целью настоящего изобретения явулучшение фотоэлектрических парамувеличение выхода порошка и повышениизводительности труда.Эта цель достигается тем, что кристалцию с активацией проводят одним термлом в закрытой системе, кислород вводмолярной концентрацией 0,1 - 0,9 долей олярной концентрации активатора.Способ состоит в следующем. его ения дает ствие диого едмет изобретен ляетсяетров, е произа- цикят с моИзобретентовления фоснове сулькадмия и мтвердотельнизображениф ото резистоИзвестенводимостиных порошсталлизациив открытой е р. К исходному кристаллическому сульфида кадмия добавляют раствоирующих примесей, например хлории кадмия, из...