H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 1335047

Опубликовано: 30.06.1993

Авторы: Егудин, Лихтман, Полянов, Смирнов

МПК: H01L 21/338

Метки: барьера, виде, затвором, полевого, транзистора, шоттки

...соответственно 0,05 мкм и 0,4 мкм, Затем методом Фотолитографии с применением ионно-химического и химического способов травления формируютэлектроды истока.и стока которые за 9отем вжигают при температуре 480 С втечение 30 с с целью получения омических контактов, имеющих низкое переходное сопротивление. После этогона всю поверхность подложки последовательно напыляют слои Т 1, Ч соответствующей толйины и слой Ац толщиной0,5 мкм. Затем методом Фотолитографиина поверхности слоя Ац Формировали 47 2Фоторезистивную маску, через которую производили ионное травление Ац. Затем последовательно удаляли не защищенную Ац часть слоев Ч и Т 1, Травление слоя Ч осуществляли в плазме СР+ 0 в течение 3,5 мин, что обеспечивало боковое подтравлнвание...

Номер патента: 1825431

Опубликовано: 30.06.1993

Авторы: Беляев, Калинкин, Рубец

МПК: H01L 21/203

Метки: кадмия, основе, светочувствительных, структур, теллуридов, цинка

...напыления линейно возрастала, Линейный нагрев испарителя обеспечивался с помощью модифицированного терморегулятора, До достижения испа1825431 Формула изобретения Составитель А,БеляевТехред М,Моргентал рректор В,Петраш ор при ГКНТ СС Тираж Подписное дарственного комитета по изобретениям и открыти 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5Заказ 2235 ВНИИПИ Го роиэводственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 1 рителем температуры 450 С поток к напыляемым структурам перекрывался специальной задвижкой. В испаритель закладывалась навеска твердого раствора (2 по,7 СОо,зТе)ол (1 п 20 з)о,о 1. Масса навески выбиралась такой, чтобы было все вещество израсходовано в процессе напыления. Заранее определенная масса навески...

Номер патента: 1825432

Опубликовано: 30.06.1993

Авторы: Альтман, Горлова, Кандов, Каплан, Лившиц, Шмиткин

МПК: H01L 21/22

Метки: кремний, перехода

...площади в процентах от величины отношенияЯп 02А - М -для различных содержаний А 2(МОз)з, мас.7, в диффуэанте состава: "х" - А 2(МОз)з, 2-4 г С, "у" - Яп 02 и 30 г этилового спирта ("х" и "у" - варьируются)- отсчет осуществляется по левой оси ординат.Одновременно график отражает собой процент значений Вэ - поверхностного со+противления с р -стороны, превосходящихОмуровень в 1 . принятый в технологии за критерий годностиот величины отношения Яп 02/А 2(мОз)з - отсчет по правой оси ординат.На фиг. 2 представлены гистограммы распределения кристаллов диаметром б мм по напряжению пробоя. Кристаллы вырезались из пластин, р-п-переход в которых получен с применением диффуэантов различного состава, Под М 1 представлена гистограмма распределения...

Номер патента: 1825433

Опубликовано: 30.06.1993

Авторы: Баринов, Горбунов, Гусев, Рудовол

МПК: H01L 27/04

Метки: индуктивности, катушка

...монокристаллического кремния с кристаллографической ориентацией (100) можно сделать вывод, что при монтаже пластины 8 в соответствующее отверстие 2 боковые грани последней выполняют функции направляющих, позволяющих значительно автоматизировать процесс монтажа пластин, так как площадь отверстия всегда больше площади нижнего основания пластины 8,На горизонтальных участках слоев 10 и 11 ферромагнитного материала образующих замкнутый сердечник соленоида катушки индуктивности, сформированы слои 12(3) 1 вит.гп о=2 бо.О.ЗМ и О раб диэлектрического материала в качестве материала использованы слои высокомолекулярного органического соединения, например, полиимида толе;иной 2,5 - 5,0 мкм. Таким образом, вертикальные цилиндрические области 3...

Номер патента: 1825434

Опубликовано: 30.06.1993

Автор: Бунькин

МПК: H01L 39/16

Метки: генератор, колебаний, электромагнитных

...3), ток течет через индуктивный элемент 2 и нелинейный элемент 3, нарастая дотех пор, пока значение тока не достигнетвеличины 1=к.р (фиг. 2, 4). В этот моментпроисходит фазовый переход в сверхпроводнике, и его сопротивление скачкообразно возрастет до величины В=ВП. Еслисопротивление Вп значительно превышаетсопротивление нагрузки Вн (например Во10-20 Ве), то ток после фазового переходапрактически мгновенно потечет через на рузку и будет поддерживаться за счет энергии, накопленной индуктивным элементом(фиг. 5).Благодаря конечному времени восстановления сверхпроводимости, сопротивление сверхпроводника будет сохранятьвеличину Вп, в течение некоторого интервала гвосст., определяющего длительностьимпульса тока 2 на нагрузке. За этот...

Номер патента: 1825435

Опубликовано: 30.06.1993

Авторы: Головяшин, Петренко

МПК: H01L 41/09, H02N 2/00

Метки: двигатель, пьезоэлектрический

...коэффициента, экспериментально установленная зависимость которого имеет видо о 1=1,2-0,33 - - для - -" (0,6 бвнеш бенешо . 1-1 для - тр 0,6обенешТогда соотношение для радиальных колебаний оболочки преобразуется в если в оболочке сделаны пазы и толкатели устанавливаются на звукоизоляционный компаунд для уменьшения уровня шума, тогда вводится поправка 21, поскольку по контуру на глубину толкателя звуковая волна не распроЬраняется (фиг. 1).При этом соотношение для заданных колебаний оболочки преобразуется вЗаменив в данном соотношении 1 р на 1 р" (режим резонансного согласования), получим требуемое соотношение.На фиг, 2 приведена схема ПД на основе составного осциллятора. Она включает кольцевой пьезоэлемент, заключенный.в оболочку, на...

Номер патента: 1455966

Опубликовано: 30.06.1993

Авторы: Грахов, Грахова, Кусимов, Тлявлин

МПК: H01L 41/12, H02N 2/12

Метки: перемещений, угловых

...и жесткости конструкции увеличивается нагрузочная способность устройства,повышается точность перемещений.хцф 2-сх ва чэрезе.Устройство содержит консольно за" крепленный на основании 1 магнитострикционный элемент, собранный иэ отдельных магнитострикционных пластин 2. Пластины соединены между собой боковыми ребрами и расположены под одинаковыми углами одна н друОбмотка продольного намагничива 3 охватывает элемент по всей е и подключена к источнику то"4. Другой источник тока 5 подклюк торцам магнитострикционногоустойчицым и жестким ПО конструкцииЭта позволяет более точно выполнятьперемещения, увеличить нагрузочнуюспособность устройства.5 зпемсцта. К свободному коггтгу мягнитострикцианного элемента прикреплено кольцо б, суммирующее...

Номер патента: 1407353

Опубликовано: 30.06.1993

Авторы: Ашмонтас, Вакуев, Мармур, Оксман, Ширмулис

МПК: H01L 31/103

Метки: фототранзистор

...барьерперехода эмиттер"база равным энергиикванта регистрируемого излучениячто достигается,приложением настоян"наго напряжения и смещения эмиттеря,удовлетворяющего условию где Ц " контактная разность патеццц- ЯЛОВ эмиттерцого перехода; 1постоянная Планка,Сскорость светязаряд злРктроцяЪ - длина волны регистрируемогоизлучения,Перешедшие в базу носителя попадают в коллекторный р-и"переход,смещенный в обратном направлении.Как ц ц Ооычцом биполярном трЯцзистаре ицжекция цеосновцьх па Отцашецию к базе) носителей обегпечиваетусиление мощности электрических сигналов.Толщина эмиттеря 1 це превышаетдлины Остывация Фотоцосителей " рас.стояния, ця котором фотоносители тряют приобретенную от света энергию,т, ей " 1 ., где д - толщиназьцг:тара...

Номер патента: 1286030

Опубликовано: 30.06.1993

Авторы: Афанасьева, Грахов, Кусимов, Лебедев, Любарский, Прохоров, Тагиров, Тлявлин

МПК: H01L 41/12, H02N 2/00

Метки: линейных, магнитострикционное, микроперемещений

...иа внутренних трубках 2 и 4. Обмотки поперечного намагничивания 7 и 8 охватывают попарно элементы и 2 и элементы 3 и 4. Трубки при по" мощи перемычек 9,10,11 соединены последовательно следующим образом: 1 с 3, 3 с 2, 2 с 4. Устройство кре" 35 пится к неподвижному основанию 12 с помощью фланца 13, соединенного с внешней трубкой 1, К свободному концу трубки 14 подсоединяется перемещаемый объект (на чертеже не пока" зан).Действие устройства основано на том, что при продольной магнитострикции одновременно возникает поперечная магнитострикционная деформация другого знака, относительная величина которой составляет около половины продольной.Так, если подать питание в обмотку продольного намагничивания 6 и 5 О 30 2обмотку поперечного...

Номер патента: 1468343

Опубликовано: 30.06.1993

Авторы: Грахов, Грахова, Кусимов, Тлявлин

МПК: H01L 41/12

Метки: магнитострикционное, микроперемещений

...обеспечивается подвижной планкой 5 и юстировочными винтами 6. С помощью этого узла обеспечивается прогиб магнитострикционного элемента 3, в данном случае в сторону, противоположную пружине 4, кото"рыб со.;,лет не только предвврительнмг; .1 иа иия ия элементе 3, но и обее 4 вает иредяарительную юстиров" ку иэгр.ки (например, оптического элемента, который на Фиг. не показан).Ус.тройство работает следующим образом. При подключении обмотки намагничивания 2 к источнику постоянного тока магиитострикциониый элемент 3 из-за магнитострикционггого эффекта изменяет свою длину, Известно, одна ко, что магнитострикционный эффект зависит от предварительной деформации магнитостриктера, например если магнитостриктер деформирован в направлении...

Номер патента: 1237010

Опубликовано: 30.06.1993

Авторы: Грахов, Кусимов, Тлявлин

МПК: H01L 41/12, H02N 2/00

Метки: магнитострикционное, перемещений, угловых

...СВИДЕТЕЛЬСТВУ О Ь 41 12 Н 02 Я 2 0Составитель Б. БаевТехред Г.Гербер Редактор Ю. Юрчикова Корректор А. Обручар 7 иражВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делан изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. М 5 Подписное Заказ 2827 Производственно-полиграфическое предприятие, г, Ужгород, ул. Проектная, 412Изобретение относится к электротехнике, а более конкретно к исполнительным устройствам малых угловых перемещений, и может быть использо" вано в станкостроении, приборостроении, оптико-механических системах и тедаЦелью изобретения является повышение точности эа счет исключения параэитного смещения нагрузки.На чертеже схематично изображено магннтострикционное устройство угловых перемещений согласно...

Номер патента: 1238653

Опубликовано: 30.06.1993

Авторы: Грахов, Кусимов, Лебедев, Тлявлин

МПК: H01L 41/12, H02N 2/00

Метки: магнитострикционное, перемещений, угловых

...следовательно, более жесткой, чемобеспечивается повышение точностиотработки угла, обмотка же намагничивания расположена на внутреннейстороне магиитопровода в наклонныхпазах, чем обеспечивается винтообразная составляющая намагничивающего поля,необходимая для получения увеличенного углового смещения свободногоконца трубки. При этом появляетсявоэможность путем введения дополнительной намагничивающей обмотки, располагаемой в пазах с углом другогознака, получить закручивание в обратную сторону и тем дополнительно увеличить диапазон микроперемещений.На фиг, 1 изображено магнитострикционное устройство угловых перемещений в разрезе, на фиг. 2 - развертка внутренней поверхности магнито"провода.Устройство содержит магнитопровод1, в котором на...

Номер патента: 786742

Опубликовано: 30.06.1993

Авторы: Вето, Кузнецов, Левин, Марков, Пресс, Скрылев

МПК: H01L 27/148

Метки: зарядовой, матрица, основе, приборов, связью

...имеют перекрытие порядка 3" 4 мкм с каналоограничивающими областями 15 секции хранения. Электроды второй фазы ФР 2 сдвигового регистра расположены в середине трансферного канала секции хранения между каналоограницивающими областями 15 и имеют перекрытие 3 - 4 мкм с каналоограницивающими областями 14 секции накопления, Электроды третьей Фазы ФР 3 сдвигового регистра расположены поверх электродов первых двух Фаз и имеют перекрытие порядка 3-4 мкм с каналоограницивающими областями 14 и 15 секций накопления и хранения,На фиг,2 изображена конструкция дополнительного сдвигового регистра. 1020 25ЗО40 1 О, устройства вывода информации 11,12, 13.Дополнительный сдвиговый регистр3 расположен между двумя секциями,накопления 1 и хранения 2,...

Номер патента: 1026609

Опубликовано: 30.06.1993

Авторы: Вето, Скрылев

МПК: H01L 27/148

Метки: зарядовой, микросхема, связью, фоточувствительная

...регистром, элекреноса и соответствующими точками.ментов электродами переноса, причем каждый ряд фоточувствительных элементов, сдвиговый регистр и электрод переноса соединены с соответствующимиим общими точками, дополнительно содержит сопротивления включенные по одному между каждыми рядами фоточувствительных элементов, сдвиговым регистром, электродом переноса и соответствующими им общими точками,Такое расположение ограничительных сопротивлений повышает надежность ФСЗС, так как она продолжает функцио нировать при отказе любого иэ элементов, соединяющихся в общие точки через ограничительные сопротивления.На чертеже изображена принципиальная схема предложенного ФСЗС.Предложенный ФСЗС содержит четыре ряда фоточувствительных...

Номер патента: 1369619

Опубликовано: 07.07.1993

Авторы: Боголюбова, Грахов, Кусимов, Лебедев, Тлявлин

МПК: H01L 41/12

Метки: двигатель, линейных, магнитострикционный, перемещений, шаговый

...другие обратные исполнения зажимов и ребер, приусловии, что контакт их происходит поих боковым поверхностям. Кроме того,знак магнитострикции материалов рабочего органа (его ребер) и зажимондолжен быть одинаков.Устройство работает следующимобразом,В исходном состоянии цамагничиваюшая катушка 2 обесточена, а по об"моткам 6 и 10 течет ток, за счет чегозажимы 7 фиксируит ребра 3 рабочегооргдцд. При обесточивании одного иззажимов, например по фиг.1 верхнего,т.е, при одновременном выключениитока в верхних обмотках 6 ц О ихэлементы под действием упругих силсжимаются, что приводит к резкомууменьшению усилия нажатия Далее по 5 Одается ток в катушку 2, при этом рабочий орган удлиняется ца относительную величину д 1/1 = 9 з - Р/ЕБ, где1 - длина...

Номер патента: 1371481

Опубликовано: 07.07.1993

Авторы: Грахов, Кусимов, Лемеш

МПК: H01L 41/12, H02N 2/00

Метки: магнитострикционное, микроперемещений

...представляет собойпрямоугольный элемент из двух соединенных между собой пластин 1 и 2,выполненных из магнитострикционногоматериала с разными по знаку коэффициентами магнитострцкпии, охваченных обмоткой 3 продольного намагничивания. В продольном направлениидвухслойного элемента выполненысквозные по толшине пазы 4, расположенные равномерно по всей ширине элемента. Па рабочем выходном конце впоперечном направлении закрепленажесткая пластина 5 иэ неферромагнитного материала, Устройство кон"сольно закреплено ца основании 6,Устройство работае следующимобразом.При подключении обмотки 3 продольного намагничивания к источникупостоянного тока в устройстве возникает продольное равцомерное магнитное поле. Вследствие лицейногомагнитострикпионцого...

Номер патента: 1436800

Опубликовано: 07.07.1993

Авторы: Грахов, Грахова, Кусимов, Тлявлин

МПК: H01L 41/12, H02N 2/00

Метки: магнитострикционное, микроперемещений

...расширение функциональных возможностей устройства, 10На чертеже изображена схема устройстна.Магнитострикционное устройство микроперемещений содержит закрепленную на основании 1 биметаллическую 15 пластину, причем активные слои 2 и 3 выполнены из материалон с разнымн коэффициентами магнитострнкцииф например, слой 2 имеет положительный коэффициент магнитострикций, а слой 20 ,3 " отрицательный, Обмотка 4 продольного намагничивания охватывает один нз слоев (на чертеже - слоИ 3), а слой 2 закреплен на любой иэ внешних сторон обмотки. Пустоты между вит ками обмотки заполнены связующим материалом 5. Благодаря этому нсе устройство представпяет собой жесткую конструкцию с замкнутой магнитной це" пью, для чего по торцам пластины за креплены...

Номер патента: 1384168

Опубликовано: 07.07.1993

Авторы: Афанасьева, Грахов, Кусимов, Лемеш, Тлявлин

МПК: H01L 41/12, H02N 2/00

Метки: магнитострикционное, перемещений, угловых

...., Москва, ЖЗаказ 28 10 ул, Пр ектная,приятие,Изобретение,относится к электротехнике, а именно к исполнительнымустройствам малых угловых перемеще"ний, и может использоваться в,станкостроении и других областях техники.Цель изобретения - повышение точности отработки угловых микроперемешений,На чертеже схематично изображенопредлагаемое магнитострикционноеустройство,Устройство содержит закрепленныйна основании 1 замыкающий кожух 2 собмоткой намагничивания 3, причемобмотка может располагаться и на активном магнитострикционном элементе,выполненном в виде двух одинаковыхбимагнитострикционных пластин, содержащих слои магнитострикционногоматериала 4, 5 и 6, 7, причем слои4, 7 выполнены из материала с положительным коэффициентом...

Номер патента: 1396876

Опубликовано: 07.07.1993

Авторы: Грахов, Кусимов, Тлявлин, Фатхиев

МПК: H01L 41/12, H02N 2/00

Метки: магнитострикционное

...15 магнитостГнкцнонную пластину, средний слой 1 которого выполнен из не- магнитного токопроводящего материала, а слои 2 и 3, прилегающие к слою 1, изготовлены иэ магнитострикционных. 20 материалов с противоположными по знаку коэффициентами магнитострикции Отдельные слои могут быть электричес-. ки изолированы между собой, Система . консольно прикреплена к основанию 4. 25 К краям токопроводящего слоя 1 припаяны толстые бруски 5, изготовленные из материалов, обладающих высо" кой электрической проводимостью и обеспечивающих поэтому равномерный ЗО по ширине слоя 1 подвод тока.Устройство работает следующим образомеПри пропускании постоянного тока вдоль среднего слоя 1 создается маг- З 5 нитное поле, направленное перпендикулярно.току и...

Номер патента: 1187656

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Глущенко, Колычев

МПК: H01L 29/41

Метки: полупроводниковая, структура

...разводка 5, материалол которой является алюл 1 инийПричем, при малых размерах окон к ЗОобластям полупроводниковых структур,например, для интегральных схем большой интеграции и СВЧ-транзисторныхструктур, толщину металла делают минимальной - 0,6-0,5 ллкм, с тем, цтобывоспроизвести малую ширину дорожектокопроводящей разводки,В конкретном примере толщина металлизированной разводки составляет0,65 мкм, Токопроводящая разводкаимеет контакты 6, вынесенные на пери"Ферийную часть подложки. Слой токопроводящей разводки покрыт пассиви"рующим диэлектрическим покрытием окиси алюминия 7 толщиной 0,1 мкм и сло" 45ем ФосФорно-силикатного стекла толщиной 0,9 мкм, в котором вскрь 1 ты окна9, 1(онтакты 6 металлизированной разводки 5 соединены церез...

Номер патента: 795311

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Глущенко, Дыбовская, Косенко

МПК: H01L 21/02

Метки: структур, транзисторных

...подложку легируют примесью до удельного сопротивления, по крайней мере, в 10 раз меньше сопротивления базовой области, а ограниттера и облаающий эпиющийся хода годйых насыщения дложку леги- сопротивлераз меньше ти, а формизовой облаей стадии труктуры от. и сформированной сильнолегированной областью эмиттера 8 и ограниченной Областью 7, На фиг. 4 изображена сформированная транзисторная структура с изготовленной змиперной 9 и базовой 10 металлизацией и оттравленными канавками 11, ограничивающими базовую область 2.В качестве конкретного примера исполнения приведена технология изготовления мощного кремниевого транзистора типа КТ 805,Исходным материалом является кремний электронного типа проводимости с удельным сопротивлением 0;01...

Номер патента: 795369

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Грахов, Гришин, Кусимов, Смоленков, Тлявлин

МПК: H01L 41/12

Метки: магнитострикционное, перемещений, угловых

...матер ку коэффициентом маг магнитострикционного тороидальная обмотка вающей одновременно и кожух, а крепежный стороны выходного ко онного элемента;795369 7 Составитель Б,Баеведактор Г.Берсенева Техред М. Моргентал Корректор М,Андрушенко Заказ 2833 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ С 113035, Москва, Ж, Раушская наб.,4/5 издательский комбинат "Патент". г, Ужгооол. чл.Гдгдоин 10 Производст втулки магнитопровода выполнены из магнитострикционного материала с тем, же по знаку коэффициентом магнитострикции, что и у магнитострикционного элемента, а крепежный узел укреплен у внутренней ци линдрической поверхности втулки;С целью повышения точности, замыкающий кожух и магнитострикционный элемент...

Номер патента: 986229

Опубликовано: 15.07.1993

Автор: Глущенко

МПК: H01L 21/22

Метки: высокоомными, диффузионными, полупроводниковых, слоями, структур

...является предпочтительной рля более воспроизводимого получения дишшузионных слоев. Причем разница в два порядка допускается минимальной, так как в противном случае дополнительные трудности создаются взаимной нейтрализацией примеси или неуправляемой ее компенсацией, Верхний предел - шесть порядков определяет максимальную возможную раз ность легирования необходимого слоя и подложки.На фиг.1-4 представлена последовательность операций применительно к изготовлению полупроворниковых приборов типа диодов, резисторов и биполярных транзисторов, а на шиг.5-8 для МРП-транзисторов со встроенным кана" лом.На шиг, показана структура после шормирования в (на) подложке 1 высоколегированной области 2 через окно в маске 3 преимущественно в...

Номер патента: 1190871

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Красножон, Сухоруков

МПК: H01L 21/68

Метки: кассета, подложек, полупроводниковых, транспортировки

...пазы 9, по шагуи размерам соответствующие пазам втрубках, 0 одной стороны штоки 8 подпружинены пружинами 10, а с другойстороны своими торцевыми поверхностями контактируют с эксцентриками 11,жестко сидящими на поворотной оси 12и имеющими ручку 13. Эксцентрики .11 2 Ои пружины 1 О служат рля фиксации. иосвобождения полупроводниковых подложек 14 и защитных экранов (или другихполупроворниковых подложен) 15.Один из штоков 8 имеет продолжение 25в виде втулки 16, проходящей черезстойку 1, на которой, жестко закреплена планка 17, которая другим своимконцом соединена с нижним подвижнымстержнем 5, илеющил возможность пере мещаться в соосных отверстиях в стой"ках 1.Пазы 6 в неподвижном стержне 4 выполнены так, что при взгляде (наблю"дателя) на...

Номер патента: 1132686

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Красножон, Сухоруков

МПК: G01R 31/28, H01L 21/66

Метки: бис, мдп, многопороговых

...и определение их токов стока,на затворы обоих транзисторов подаютодинаковое напряжение и одновременноизменяют его до момента равенстватоков стока транзисторов, а годность)1 ЛП БИС определяют путем сравненияполученных значений тока стока инапряжения затвора с номинальнымизначениями, при этом параметры транзисторов тестовой ячейки выбираютиз соотношения:"д 11 П ) ) 0(),где 1 11 - пороговое напряжениепервого и второготранзисторов соответственно;- крутизна первого ивторого транзисторовсоответственно.1 Ь чертеже изображены переходныехарактеристики двух МДП-транзисторов с различной крутизной: с индуцированным каналом (поз.1) и встооенным кзналом (поз,2) д-типа в ркремнии, показанные с учетом технологического разброса пороговогонапряжения...

Номер патента: 1373231

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Глущенко, Дудиков, Сосницкий

МПК: H01L 21/331

Метки: структур, транзисторных

...среде с расходами газовых потоков: фосфор н качест73231 3 13ве раэбавителя - 290 л/ч, кислород "50 л/ч, азот и качестие носителя15 л/ч с температурой поддержаниядиффуэанта 18 С,Одновременно с диффузионной загонкой фосфора и эмиттер осуществляютдиффузию фосфора в окисел и образование ФСС как над первичным и базовым окислом, так и над эмиттернойобластью толщиной 0,12-0,18 мкм. Затем наносят маскирующее покрытие,например фоторезист ФП 388 толщинойй 0,6 мкм, и через фотошаблон с использованием проекционной печати осуществляют фотокопию с топологическимрисунком, позволяющим удалить проявителем (0,6 Е КОН) фоторезист с высоколегированных областей эмиттера и сприлегающих к ним участков шириной0,18-1,2 мкм.Удаление высоколегированного...

Номер патента: 1499602

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Глущенко, Исаев, Кастрюлев, Шамардин

МПК: H01L 21/331

Метки: высокочастотных, структур, транзисторных

...к еще более нежелательномупрофилю легированця, а следовательно, к уменьшению эффективности эмггтера в объеме полупроводника посравнению с поверхностью и снижегзигоусилительных свойств транзисторов.В конкретном примере козгичествопримеси в подложке регулируется дозой и энергией ионов. Так, при использовании барьерного слоя Бз.О толщи 2ной 0,27 мкм для внедрения в подложку 16 примеси используется ионныйпучок с энергией "66,5 кэВ, а длявцедрегня 50 . примеси энергия пучкасоставляет .- 86,3 кэВ.Пример конкретного исполнеггия способа,Па полупроводниковой подложкекремния и-типа проводимости с удельным сопротивлеггем р = 0,3 Ом смц с ориентацией поверхности вдолькрзсталчографгческих осей плоскости(100) Формируют барьерцьд слой двуокиси...

Номер патента: 1040980

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Бутырин, Дикарев, Красножон

МПК: H01L 21/3065

Метки: диэлектрических, ионно-химического, кремниевых, кремнийсодержащих, пленок, подложках, травления

...перехода парагелия из состояния (1 Я - 8 ) в метастабильное состояние 2 Я (Я ) или 19,82 эВ для перехода в состояние 2 Б (3 Я) -для ортогелия, а также для атомов неона - 10,30 эВ при переходе2 р - 8 о -+ 3 р 1/21Для других инертных газов энергия тушения возбужденных атомов значиЬтельно ниже 1 б эВ и недостаточна для ионизации молекул Фтористого водо". рода.Таким образом, введением во входящии газовый поток, содержащий фтористый водород и водород, неона или гелия обеспечивают увеличенное образование ионов НР" в общем ионном потоке.5 104409В дальнейшем положительные ионы переводят преимущественно в молекулярное состояние путем соэрания объемного отрицательного заряда электронов в пространстве реакционной камере между плазменным разрядом.и...

Номер патента: 950113

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Гальцев, Глущенко, Грищук, Красножон

МПК: H01L 21/306

Метки: быстродействующих, структур, транзисторных

...Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 101 при температуре 940 С с последующей термической обработкой в среде сухого и увлажненного водяными парами кислорода ( 1150 С) формируют базовую область глубиной 4 мкм с маскирующим ее диэлектри ческим покрытием двуокиси кремния,Далее фотогравировкой вскрывают в слое 3102 окно, через которое загонкой фосфора из РСз при температуре 1050 С с последующей термической обработкой в 10 среде кислорода (т 1050 С) формируют внутри базовой облас.ги эмиттерную область глубиной3 мкм с диэлектрическим покрытием двуокиси кремния, легированной фосфором, 15После этого закрывают лицевую поверхность подложки со сформированными на ней базовыми эмиттерными...

Номер патента: 1505358

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Глущенко, Еремич, Жариков, Колесников, Сосницкий

МПК: H01L 21/82

Метки: полупроводниковых, структур

...взаимодействия атмосферной влаги с фосфором и образования фосфорной кислоты, При концентрации фосфора менее 25 мас,Е наблюдается растрескивание слоя ФСС от послепуиекго отжигв.Данный способ позволяет повысить эхЬектцнцость зашиты полупроводниконых структур от воздействия повьппен" ной влажности,Ф о р м у л в и э о б р е т е н и я Составитель В.ГришинРедактор Л.Народная Техред Л.Олийнык Корректор Л,Бескид Подписное Тираж.Заказ 2835 ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Иосква, Ж, Раушская наб., д. 4/5Г 1 рсиэнодственио-иэдательскцй комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина,101 3 150535 Увеличение толщины ФСС более 0,7 мкм цецелесообраэно, так как увеличивается вероятность растрескивания иээа...