H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 171886

Опубликовано: 01.01.1965

МПК: G01R 31/00, H01L 35/00

Метки: i••, иоика, техническая

...10 .яя с двумя отверстиями, в которые вставляются электрические ццлнцдрические печи. Печь намотана цз платиновой проволоки диаметром 0,2 зьи в два слоя с изоляцией между ними в 0,3 лая. Печь цмсст четыре вьшода: два токовых цз цлатццы диаметром 0,3 лслю ц два для снятия цаприксцця из платины диаметром 0,2 ,к. Снаружи печи находится электроцзоляция цз алуцдовой трубки.Охраццый колпак б и экрац 7, црцжимас. мые к флаццу штокамц 8 ц грузом 9, цредуп. реждают боковые утечки тепла ц обеспечивают прохождение теплового потока от нагревателя в осцовцом чс рез тсрмоэлемецт. Прц помощи электрической печки УО температура охраццого колпака поддерживается равной температуре нагревателя 3. По высоте экрана 7 устацавливастся такой ке перепад...

Номер патента: 171923

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Есесша, Логунов

МПК: H01L 29/88

Метки: диод, туннельный

...туннельный диод.На кольцевой гластине 1 германия с одной стороны создан кольцевой омический контакт 2, а с другой стороны через стеклянную кольцевую прокладку 3 припаяна металлическая, например коваровая, пластина 4, Сплав 5, образующий р - гг-переход прибора, расположен внутри германиевой пластины 1 и имеет контакт с металлической пластиной 4.Изготовить структуру можно следующим образом; на большой пластине германия по всей поверхности создают спай с коваром через тонкую (10 - 60 мк) стеклянную прослойку при температуре около 800 в 9 С. Напаивают с другой стороны германиевой пластины золоченую или серебряную коваровую пластину для создания омического контакта с германием, Позолотив полученный сандвич с обеих сторон, нарезают его на...

Номер патента: 171924

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Могилевский, Усманов

МПК: H01L 49/00

Метки: выпрямитель, высокотемпературный, полупроводниковый

...электроды - с одной стороны серебряный, а с другой - платиновый, отличающийся тем, что, с целью расширения интервала рабочих температур выпрямителя, стержень прибора выполнен из твердого ионного полупроводника типа йодистого серебра,10 одаисная группа97 Известны полупроводниковые приборы, выполненные на основе электронных или дырочных полупроводников, ь качестве электродного материала в которых используют, например, платину, Рабочая температура известных полупроводниковых выпрямителей ограничивается рядом факторов и недостаточнавысока.Предложенный высокотемпературный полупроводниковый выпрямитель отличается от известных тем, что в качестве материала, на основе которого выполнен прибор, использован твердый ионный проводник типа йодистого...

Номер патента: 172404

Опубликовано: 01.01.1965

Автор: Константинов

МПК: H01L 29/88

Метки: диод, туннельный

...сечения, при этом электродный матсриал, образуя р - п-переход ца боковой грани кристалла, имеет одповреко:такт с язычом верхнего выводаприбора.Такое выполнение диода позволяет увеличить частотпь:й предел прибора, снизить индуктивность корпуса и упростить технологию его изготовления, что позволит автоматизировать технологический процесс.На чертежецельного диодаКристалл 1 с р - и-переходох 2 заклОчец в керамисекуо оболочку 3, к которой прцплавлены верхний и нижний контактные выводы 1 ц 5 прибора с напаянной ца верхц 1 ш вывод 1 крышкой 6, 5 Верхний вывод 4 прибора выполнен в видекольца с язычком 7, загнутым под углом, например, 90.Кристалл 1 полупроводникового материала, установленный в корпусе прибора и прц О плавленный к нижнему...

Номер патента: 172405

Опубликовано: 01.01.1965

Автор: Пред

МПК: H01L 21/00

Метки: многократной, полупроводниковых, фотолитографической

...точности совмещения по периферии оорабатываемой пластины, в координатном столе расположеиы выводные каналы ццевмосистемы, соединенные с пцевмоцасосом. Для создания возможности обработки плоских пластин неравной толщины в устройстве подложка для пластиць. выполнена в вде полусферы, имеющей трц степени свободы относительно координатного стола.На чертеже изображено устройство для многократной фотолитографической обработки полупроводциковых приборов в разрезе.Г 1 ластиР 12 1 кремния установлена на подлоткке 2, которая прР 1 помощи давлецця 1 аза подвешена на воздушной подушке, Это дает возможность примецять це только плоскопараллельць;е, цо и пеплоскопараллельцые плястццы к 1 чемцця и 5 стацавлцвать цх в п:оскостР 1, задаццой шаблоном 3....

Номер патента: 172406

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Евдокимов, Люков, Спивак

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: наблюдения, стробоскопического

...электронной эмиссии бомбардировкой поверхности полупроводников положительными иона ми,Предлагается для получения четкой (пеусредпеппой по времени) картины изображения р - п-перехода в любой момент времени использовать стробоскопический эффект, получа емый путем импульсной ионной бомбардировки образца. Импульсная бомбардировка осуществляется с помощью ионного источника, Подаваемые на этот источник импульсы названы стробирующими. Скважность стробирую щих импульсов, интенсивность излучения источника определяют яркость изображения. Изобракесие получается вследствие электронной эмиссии с образца. Частоту следования импульсов хгогкно плавно задерживать и тем 20 изображение носительноо импульса, ппрающем на об позволяе ессы в полуп самым...

Номер патента: 173341

Опубликовано: 01.01.1965

Автор: Соминский

МПК: H01L 27/16, H01L 35/32

Метки: емент, фототермоэл

...в виде ветви термоэлемента, на торцовой части которой создается р-и- переход с фотоэлектрическими свойствами, причем роль второй ветви термоэлемента выполняет провод, соединяющий фототермоэле. мент с нагрузкой. Это отличие повышает к,п.д. фототермоэлемента за счет ликвидации паразитного перепада температур на изоляции между фотоэлементом и термоэлементом и упрощает конструкцию устройства.На чертеже представлена схема предлагаемого устройства,Из полупроводникового вещества с высокими термоэлектрическими своиствами р- илии-проводимости изготовляется ветвь термоэлемента 1. На торцовой части образца создается р-и-переход 2 с высокими фотоэлектри 5 ческими параметрами. Поверх р-и-переходананосится полупрозрачный металлическийэлектрод 3. На...

Номер патента: 173849

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Сестрорецкий, Синьков, Якубень

МПК: H01L 29/06

Метки: переключательный, полупроводниковый, свч, элемент

...осуществляется диэлектрическим покрытием.Толщина -области в элементе берется чительно больше, чем толщина р -ипереходов. В этом случае р - с и- пходы непосредственно не участвуют в у ленин сигналом СВЧ. Управление осуществляется за счет изменения проводимости области высокоомного полупроводникового криДля уменьшения мощности управления, атакже повышения стабильности параметров 10 рабочими напряжениями на элементе берутнулевое напряжение и положительное напряжение, равное примерно одномувольту. Так как элемент не используется при отрицательных напряжениях, то форма вольт-амперной 15 характеристики при обратных смещениях неимеет существенного значения, в результате внешние факторы (водяные пары) значительно слабее влияют на...

Номер патента: 174276

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Вихрова, Диковский

МПК: H01L 21/40

Метки: ffmmтфб, контактоввсгсц»я11gt, омических, щ1а(а„

...предварительно покрывают слоем висмута в количестве, не превышающем 10/, от веса вывода, или слоем сплава золота с висмутом с содержанием висмута не нижеЮОд/О.Предлагаемый способ позволяет за счет улучшения смачивания поверхности кремния повысить надежность и механическую прочность омического контакта, а также осуществить контакт к кремнию и- и р-типа проводимости,Способ осуществляется следующим образом.На вывод из золотой заготовщики, например, в виде проволоки наносят любым известным способом слой висмута или сплава висмута с золотом. Количество висмута должно быть не более 1% от веса золотого вывода, а в сплаве золота с висмутом содержание висмута должно быть не ниже 20 О/,. Вывод с нанесенным металлом предварительно оплавляют при...

Номер патента: 174277

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Аввакумова, Карп, Финкельштейн

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: дрейфа, обратного, р—п-переходов

...выжидать установление стационарного значения параметра (10 - 60 мин), либо измерять его для всех приборов с некоторой задержкой после включения (20 сек - 4 мин), определяемого техническим указанием, что замедляет массовую проверку р - п-переходов. В настоящее время дрейф обратного токаизмеряют в импульсном режиме.Предложен способ ускоренного сического, не связанного с температуройния дрейфа обратного тока гермр - и-переходов с помощью импульсов, подаваемых на переход непосредственно перед измерением обратного тока.От известного он отличается подачей комаций отрицательного и положительногоульсов на р - п-переход. 3) Установить полный размах дрейфа, проводя измерения в динамическом режиме.При ускоренном измерении обратного тока перехода...

Номер патента: 174679

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Большаков, Буленков, Расторгуев, Тех, Цирлр

МПК: H01L 35/18

Метки: ветви, материал, положительной, термоэлемента

.... Материал длэлемента, отли 20 вышения эффесоких темпера раствора (спллициде магния одписная группа9 вторызобретения К. А, Большаков, Н, А, Бульенк Большинство веществ, применяемых в качестве материалов для термогенераторов, имеет малую ширину запрещенной зоны и низкую температуру плавления. В то же время температура плавления некоторых твердых растворов (например, ВЬТе В 123 е, и ЯЪ 2 Тез - В 12 Те) не позволяет использовать их при температурах, превышающих 100 - 150 С. Технология изготовления подобных материалов сложна из-за необходимости длительного отжига (до нескольких месяцев).Предложенный материал для положительной ветви термоэлемента изготовлен из твердого раствора (сплава) антимонида магния в силициде магния (МрЯЪ - Мд...

Номер патента: 174726

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Маторный, Художников

МПК: H01L 21/00

Метки: комплект, приспособлений, сборкир

...для хранения излишних электродов, а также затвор для пропуска электродов в загружаемую кассету, 30 ую.ую/,г/ооКЛ. 21 Я, 1102держателей (см, фиг. 2) имеет продольные пазы 5, соответствующие установочным размерам кристаллодержателей, и продольные направляющие б для перемещения кристаллодержателей при загрузке кассеты.Сборка переходов полупроводниковых приборов в кассету осуществляется следующим образом. После установления полупроводниковых кристаллов в кассете сплавления в нее загружают при помощи шаблона электроды эмиттера или коллектора (разница между шаблонами для электродов эмиттера и коллектора в диаметрах отверстий 2), для чего в шаблон (см, фиг. 1) насыпают в пространство 1, с излишком электроды эмиттера (коллектора), При...

Номер патента: 174731

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Дроздов, Рвачев

МПК: H01L 21/16, H01L 31/00

Метки: пленочный, фотовольтаический, элемент

...элементов на основе сульфида кадмия, В элементах первого вида используется эффект фотоэ. д, с. в запирающем слое между медным электродом и кристаллом сульфида кадмия, в элементах второго вида - эффект возникновения э.д. с. на р - п-переходе, осуществленном в монокристалле сульфида кадмия при обильном легировании медью некоторой части его объема,Предлагается малоынерционный пленочный фотовольтаический элемент на основе р - п-перехода, возникающего на контакте между сульфидом кадмия и закисью меди,Фотоэлемент выполняется следующим образом. На стеклянную (или слюдяную) подложку путем термического испарения наносят две полоски алюминия, являющиеся токоотводящими контактами, затем наносят непрозрачный слой меди, который частично...

Номер патента: 175094

Опубликовано: 01.01.1965

Автор: Коган

МПК: H01L 31/08

Метки: бесконтактный, включения, фотосопротивления

...слабых излучений и слабменных световых потоков.О сопротив зменение ровать и стовыми, ийит,д. и примеики для ых перередмет из етени Бесконтактный способ противления в электриче 5 иийся тем, что фотосопр в центре катушки высок в качестве сердечника.включения фотосокую цепь, отличаютивление помещают очастотного контура Подписная группаИзвестные способы включения фотосопротивлений требуют выполнения электрических контактов, что вызывает определенные технические трудности; увеличиваются шумы, возникают нежелательные вторичные явления; кроме того, требуется изготовление конденсаторов специальной конструкции.Предлагаемый способ включения фотосопротивлепия использует вихревые токи. По этому способу фотосопротивление помещают в центре...

Номер патента: 175142

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Новиков, Русаков

МПК: C25D 11/32, H01L 21/473

Метки: анодного, многослойных, оксидирования, поверхности, полупроводниковых, структур

...оописная группа97 Известны способы анодного оксидирования поверхности диодных полупроводниковых структур в высокоомной деионизованной воде путем подачи анодного напряжения на р - и- переход таким образом, что последний смещен в прямом направлении относительно катода. Однако при оксидировании многослойных полупроводниковых структур известным способом в прямом направлении оказываются смещенными не все р - и-переходы структуры и поверхность структур оксидируется неравномерно или совсем не оксидируется.Предлагаемый способ анодного оксидирования поверхности многослойных полупроводниковых структур отличается от известного тем, что анодное напряжение подают дополнительно на два (или более) омических контакта структуры таким образом, чтобы...

Номер патента: 175143

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Маркова, Стружинский

МПК: H01L 21/18

Метки: величины, германиевых, коэффициента, току, транзисторов, усиления

...ератур а при куо ллий, ность темп меди,же, кдий, гавозмонрабочи бретения едм икеля высок приприближается к Подписная группа9 Известны способы регулирования величины коэффициента усиления по току германиевых триодов, основанные на введении различных примесей в состав эмиттерного сплава. Предложенный способ отличается от известных тем, что в состав эмиттерного сплава вводят никель, уменьшающий время жизни носителей в базовом слое и величину коэффициента переноса. Способ позволяет уменьшить коэффициент усиления по току и технологическии разброс по коэффициенту усиления, а также увеличить частотный предел германиевых полупроводниковых приборов.Примесь никеля в германии снижает время жизни носителей в базовом слое до единиц и долей...

Номер патента: 175144

Опубликовано: 01.01.1965

МПК: H01L 21/47

Метки: 175144

...для двухстороннего шлифования 10 их отличается от известных тем, что гранулы насыпают в один слой на подложку, смачивают раствором целлулоида в ацетоне, накрывают целлулоидной пленкой и после сушки отделяют полученную пластину с деталями 15 от подложки для последующей шлифовки и полировки.Способ позволяет повысить производительность труда на операции шлифовки гранул.Способ заключается в следующем. Гранулы 20 полупроводникового материала насыпают в один слой на плоскую металлическую (стальную, дюралюминиевую, винипластовую или др.) подложку, смачивают раствором целлулоида в ацетоне, накрывают пленкой целлу лоида и медленно высушивают, например при комнатнои температуре, в течение 3 - 4 час под стеклянным колпаком. Затем пленку с...

Номер патента: 175280

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Машиностроени, Центральный, Цеханский

МПК: G01H 11/08, H01L 41/02

Метки: вибраций

...пластиной и установлен на опорах из упругого материала, например из фгоропласта. При этом повышается чувствительность устройства и устраняется влияние деформации корпуса.На чертеже изображена схема устройства для измерения вибраций.Пьезоэлемент 1 прикрепле ллической пластине 2 и нагружен иными к нему посередине двумя гри и грузами 3.Металлическая пластина изготовля сплава с малым коэффициентом ли расширения, а пьезоэлемент - из кер имеющей высокую температуру точки Пьезоэлемент устанавливается в корпусе 4на четырех опорах, например, из фторопласта, которые благодаря своей упругости устраняют влияние деформации корпуса на пьезоэлемент.Опоры обеспечивают также поворот пьезоэлемента в заделках, что позволяет получать деформацию...

Номер патента: 175568

Опубликовано: 01.01.1965

Автор: Эртелис

МПК: G01N 19/00, H01L 21/64

Метки: введения, дислокации, образцы, полупроводников, прибор

...плавное изменение плотности дислокации по длине образца. лощи г еваатино- бходиобъе- уумноввода е про- чибро- полуо вин- ерхней е изображена схема прибора.азца 1 зажимаются в держатефита, молибдена или другого доплавкового и механически прочла. Держатели образца служат 2 для передачи деформирующей качестве токопроводящих элекопираются на призмы 3, соедикрометрическим винтом 4, плат- нагрузок 5 и часовым индикато нимитя дписная группа97 На чертежКонцы обрлях 2 из грастаточно тугного материаодновременнонагрузки и втродов, Опенные сформой дром б,Ток к держателям подводится при п гибких металлических лент 7, не созд заметных дополнительных нагрузок. На ние образца контролируется платино-пл родиевой термопарой 8. В случае нео мости термопару...

Номер патента: 176967

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Ведерников, Коломоец, Яхац

МПК: B64G 1/00, H01L 35/20, H01L 35/32 ...

Метки: 176967

...ирс)чиссть и циброустойчиги)сть. В ирс дложси)ич (051 е 11 Ох терлигсисрдторе тс рмо)лс чситы щяилтисиц из силлиц Мг Р 1, Рс 1,сг, и гр 6 усшцх зд- (и)ых ирисис)6 лсиий ири рГ 0 ц цдкууч,комм(тртготт с ислинц ю рсзь 6 цго (0- Д)13 С 1151.,(,:15 иоцы 1 еии У;И.ь 1 ОЙ м)13 ост 113 Диом коицеитратор рс лст 30 л рдзрзиогс) киу- (1 иослс Д 013 те,11 ио сколмУ 1 Р 0331111,333 1(Р- л)озгел(1 т. С цсльн ущличсии 1101,01 р 0- 1 ц(и (иосОГ)иос ги т си.10 ир 1(11111 1(3 .10 1013(рх- ОСТЬ 1 ОД)иРГС)51 Р 13 ф,1 СИИН).К 3311131351 К 1- струкци ири исиыгдиии ОГ 1,(кт 3 и к(имс иокз 3 113 Ьок( н 11,3(/1110( гь.1 д чсртсжс. 1 идс гдцлсид х м; к(аЧу:;- ции трмозлсмсчт 3 Оииццдсли 0 (01( и терл 0 сггсртор;3.Те 1рсл 111 к 1 и рдл я цлщ т (ОГ 0 дичсдицх...

Номер патента: 176985

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Ваксенбург, Сопов

МПК: H01L 21/22

Метки: сплав, сплавно-диффузионныхтриодов, электродный

...растворимости в твердом германии, а доцор цая примесь введена в таком количестве, что произведение коэффициецта распределения ца ее концентрацию в электродном сплаве це превышает хаксихзлыуО раствормость акцепторцой примеси в твердом германии, В таком ЗО сплаве соотцошеш 1 я акцепторцых и доиорцых примесей и их растворимостей взяты тяк, что в результате вплявлеция этого сплава в гермаций в области эхцттеря ие ооразуется паразитцых р-п-переходов, ухудиоцих характеристики триода.В состав описываемого эмиттерцого сплава доцорцую и акцепторцую примеси вводят с различной величиной максимальной ряствори 10 сти в твердом Герх 13 иии, как было указяцо выше, и в определеицом количествеццом соотношении. Предмет изобретеция1. Электродный...

Номер патента: 176986

Опубликовано: 01.01.1965

Автор: Маркович

МПК: H01L 21/322

Метки: германиевьх, дрейфовых, транзисторов

...порядка 10 т лтл рт. сг. и полном токе 200 лка в течение 3 - 5 сек. При этом скорость рекомбинации на поверхности пассивной базы возрастает до величины ) 2 10 л сл/сек.Г 1 редлагаемая обработка приводит к сокращению времени рассасывания транзисгоров в 5 - 10 раз. Предме зоб р етен и Способ обработ транзисторов пут тлеющим разрядо целью сокр а ще шгя сителей тока тра защитного покрыт незащищенную по одписная группа Лф 9 Относительно большое время рассасывания существующих германиевых транзисторов приводит к существенному усложнению и удорожанию быстродействующих схем вычислительной техники и снижению их надежности.Известные методы сокращения времени рассасывания с помощью введения рекомбинационных примесей не дают в германиевых...

Номер патента: 176988

Опубликовано: 01.01.1965

МПК: H01L 29/88

Метки: полупроводниковый, стабилитрон

...от поверхности структуры со сто роны коллектора, чем весь коллекторный переход.В результате этого значительно повышается мощность полупроводниковых стабилитронов.На чертеже схематически и н предложенный стабилитрон.Он представляет собой мощный полупроводниковый триод типа п - р - и с эмиттерным переходом 1 и диффузионным коллекторным переходом 2. В коллекторном переходе имеется участок 3 одного с базой типа проводимости гет изобретения итрон, выполктуры типа и - о, с целью поколлекторном табилитронный проводимости, ие пробоя меньобоя всего колрасположен на ти структуры соколлекторный зображе 11 одписная группа97 присоединением заявкималой площади со значительно меньшей глубиной перехода и меньшим напряжением пробоя, чем весь...

Номер патента: 176989

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Грехов, Лебедева, Линийчук, Тучкевич, Физико, Челноков, Шуман, Якивчик

МПК: H01L 21/34

Метки: алюминияв, диффузии, источника, кремний, создания

...А 40, с окислами каких-либо переходных металлов (Г, Та, Т),), Со н т,д).Прн высоких температурах присутствие паров окислов указанных металлов облегчает восстановление алюминия и несколько повышает его концентрацию.Предложенный способдифф 1 зни алюмння нзслужить для получения цводниковых приборов. Многослойные структуры, ндпрнмер, тнпд р-)г-р н )г-р-)г-р-и с регулируемой поверхностной концентрацией получают следующим путем.Предварительно проводят ннзкотемператур. ную диффузию бооа нлн фосфора нд воздухе, а затем на обе стороны пластины ндносят азотнокислый алюминий и проводят дальнейшую высокотемпературную диффузию на воз духе для создания р-и переходов требуемой 1 луои 1 ы. Дпффузн 51 оора н ал)омннн 51 прн этом идет сдновременно,...

Номер патента: 182228

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Бровкин, Гашпар, Куликовский

МПК: G01R 17/20, G08C 19/04, H01F 29/10 ...

Метки: бесконтактный, многооборотный, потенциометр, типа, трансформаторного

...собой дальнейшее развитие потенциометра по авт. св.162767, 10 является выполнение измерительной обмоткиввиде последовательно соединенных проводников, нанесенных на гибкую пленку из синтетического материала. Это позволяет значительно повысить надежность потенциометра, 15 исключить - даже для значительных угловповорота ротора - необходимость примененияция специальных перематывающих устройств, и значительно повысить чувствительность потенциометра за счет легкости увеличения чи сла проводников в измерительной обмотке,одновременно навиваемых на ротор, без усложнения конструкции потенциометра.Применением четного числа проводников,выводы которых, проходящие через тело ста тора, сдвинуты один относительно другого наравные углы,...

Номер патента: 182240

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Вавер, Вейденбах, Гринберг, Ковригин, Копт, Кошкин

МПК: H01L 21/00

Метки: монтажа, ножку, перехода, полуавтомат, полупроводниковых, сплавных, триодов

...вующий продольному профилю кассет. Пройдя через этот паз, кассета опускается на приемный столик 23, уровень которого, ниже уровня питающего столика 24. Ведущие выступы 26 рычага 22 совмещаются с выступами 26 20 кассеты. От смещения относительно рычага кассеты предохраняются поверхностями 27 и ограничителем 28. Поворотом рычага 22 на 90 кассета устанавливается направляющими пазами 29 на входную ветвь 20 транспортера, 25 опускаясь при этом ниже ограничителя 28 за счет разности уровней столика 23 и входной ветви транспортера, Затем рычаг 22 возвращается в исходное положение и цикл повторяется, При движении кассет по этой ветви в 30 их гнезда производится укладка эмиттерных выводов,Передача кассет с входной ветви 20 транспортера на его...

Номер патента: 182241

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Вавер, Вейденбах, Гринберг, Касаткин, Копт, Кошкин, Хот

МПК: H01L 21/00

Метки: автомат, переходов, полупроводниковых, сборки, сплавных, триодов

...комплектатора 23 вакуумными присосками. При этом кристаллы захватываются сверху из вертикальных трубок, электроды снимаются с приемных площадок 20 механизма резки 13, а пробки поступают по лотку 2 б (см. фиг. 8) и раздвигаются ножами 2 б на шаг между гнездами комплектатора 23. Собранные комплекты помещаются в гнезда кассеты при ее остановке под механизмом 22 укладки комплектов.При дальнейшем движении кассет шаровые грузы подаются по лотку 27 (см. фиг. 9), Плужок 28 лотка входит в продольный паз кассеты и обеспечивает плавную укладку грузов в гнезда.Скомплектованные кассеты поворачиваются ориентатором 29 (см. фиг, 1) поперек автомата и проталкиваются в печь сплавления механизмом загрузки 30,Предмет изобретения1. Автомат для сборки...

Номер патента: 182252

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Акчурина, Герш, Егоров, Муркина, Набиуллин, Сладкое

МПК: H01L 21/00

Метки: 182252

...высокой точностью сортировки, при этом отсутствует влияние субъективного фактора.На фиг. 1 изображен автомат, общий вид; на фиг. 2 - схема устройства питателя; на фиг, 3 - раоочая головка в различные периодь 1 работы; а - прием фотопреобразователя; б - контроль к. и, д. фотопреобразователя и шифрование.Устройство содержит: питатель 1, поворотный стол 2 с рабочими головками 3, механизм шифрования 4, осветительную лампу 5, дешифратор б, механизм возврата ползуна 7, механизм сортировки 8, приемные кассеты 9, пульт 10, электрическую схему измерительного и исполнительного узлов 11, привод 12 иу 13.Питатель 1 предназначен для поштучной подачи преобразова 1 елей, подлежащих контролю и сортировке, между контактами 14 и 15 (см. фиг. 3) рабочих...

Номер патента: 182336

Опубликовано: 01.01.1966

МПК: H01L 21/36

Метки: карбида, кремния, наращивания, пленок, эпитаксиального

...из двух параллельных графитовых пластин: верхней 1 и нижней 2 площадью порядка 50 Х 16 ллз каждая. Зазор меяду ними составляет 10 ллт. Нижняя 5 пластина имеет более высокую температуру,чем верхняя. Испаряемый материал 3 помещен на пластине 2; здесь же установлен дер.алкатель 4 с подложками б. Сбоку на некотором расстоянии от пластин нагревателя рас обложены графитовые экраны (на чертюкене показаны), не препятствующие свободному газообмену в рабочем объеме. Меняя расстоя.ние между экраном и подложками, можно рс.гулировать температуру подложек.15 Крнсталлодержатель б выполнен в виде линейки с последовательно соединенными отдельными держателями 4.Разогрев устройства до температуры порядка 2500 С длится 30 - 50 сек; на поддер жание в...

Номер патента: 182763

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Соркин, Фаворин

МПК: H01L 33/00, H05B 33/02

Метки: гребенчатой, структуры, экран, электродами, электролюминесцентный

...может быть применена в различного рода устройствах.Растровый электролюминесцентный экран может найти применение: в качестве электролюминесцентного планшета, дающего яркое и контрастное изображение прн записи на нем информации графитовым карандашом; в усилителе яркости изображения; в светозапасаюшем усилителе.5В усилителе света на поверхность стекла,имеющую прозрачные проводящие электроды, выполненные в виде двойной гребенки, наносится слой электролюминофора так, что элек- О тролюминофор лежит только на прозрачныхэлектродах, а промежутки между электродами заполнены смолой, не содержащей в себе электролюминесцентных частиц. Благодаря такому нанесению слоя электролюминофора 5 обеспечивается эффективное использованиефотопроводника для...