H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 150885

Опубликовано: 01.01.1962

Автор: Корсуновский

МПК: F24J 2/42, H01L 31/00

Метки: превращения, солнечной, электрическую, энергии

...8 и 4 из проводящего стекла, заливаю раствор 5 окислителя и помещают слон полпроводника б, выполняющего роль фотокатализатора.В качестве окислителя применяют тиазиновый или оксазиновьшкраситель в водном растворе, являющийся восстановителем, а в качестве фотокатализатора - окись цинка и двуокись титана в порошкообразном виде. Раствор и пространство над ним освобождаются от кислорода посредством откачки через трубопровод 7 насосом (на чертеже непоказан) или продуванием азота,Под одним из сосудов установлено зеркало 8.При освещении сосудов солнечным светом посредством зеркарез проводящие стекла (днища) происходит фотовосстановление кЛо 150885 теля до лейкосоединения с одновременным фотоокислением воды до гидроксила.За счет разницы в...

Номер патента: 150937

Опубликовано: 01.01.1962

Автор: Кокошкин

МПК: G01M 19/00, H01L 21/66

Метки: гальванои, исследований, образцов, полупроводниковых, проведения, термомагнитных

...соединен с150937вакуумной системой, не изображенной на чертеже, дающей возможность с помощью форвакуумного насоса (не показан на чертеже) ссздавать в рабочем объеме давление до 1,5 10 - -мл рт,ст, или наполнять криостат инертным газом. Трубка 2, в которой помещен концентратор 1, опущена в стандартный сосуд Дюара 1 б и на нее надет нагреватель 16. Для выравнивания температурного поля на шайбы б надевают медный экран 17, оклеенный изнутри стеклотканью. Изменение температуры от комнатной до 90 К и ее поддержание на заданном уровне осуществляют путем изменения положения сосуда Дюара 15, уровня жидкого азота в нем, а также степени разрежения в рабочем объеме, При нагревании криостата сосуд 15 служит дополнительным тепловым экраном,...

Номер патента: 150938

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Сахаров, Тихонов

МПК: H01L 29/06

Метки: диод, полупроводниковый

...изображена схема конструктивного .выполнения описываемого диода.На гладкую поверхность монокристаллической пластины из полупроводникового материала, выполненной в виде диска или квадрата, наносят концентрические риски 1 или продольные риски 2, расположенные параллельно сторонам квадратной пластины. Для сохранения одинаковой толщины пластины по всему сечению с нижней ее стороны также наносят риски, сдвинутые относительно верхних рисок.При нанесении рисок увеличивается общая площадь пластины полупроводника, а следовательно, и мощность, снимаемая с электроннодырочного перехода, причем периметр пластины при этом остается неизменным, Наибольший эффект дает нанесение на пластины канавок, имеющих прямоугольный профиль,Описанная...

Номер патента: 150940

Опубликовано: 01.01.1962

МПК: H01L 21/40

Метки: 150940

...из пластины 1 кремция р-типа и пластины 2 и-типа с а,1 юмициевой фольгой 3 между ними помещают в вакуумную печь. Там происходит сплавлецис в условиях осевого градиента температуры.Установка для сплавлеция с осевым градиентом температуры представляет собой два подвцжцых прямоцакальцых графитовых нагревателя 4 и 5, температуру которы можцо регулировать от 0 до 1500 С.Под влиянием осевого градиента температуры в процессе сплавлецця происходит двцкецие расплавленной зоны 6 в виде жидкой фазы А 13 в сторону пластины 1 кремния р-типа. Ьеличица градиента температуры регулируется в зависимости от требуемой скорости движения зоць 1 б. По истечении некоторого времеци (в зависимости от величины градиента) расплавленная зоца 6 выходит ца...

Номер патента: 150941

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Антонов, Борисов, Дохман, Иоселевич, Уклонский, Чичерова

МПК: H01B 3/46, H01L 23/18

Метки: вазелина, защиты, паста, переходов, поверхности, р-п, типа

...жидкости с вязкостью от 300 до б 00 сст. В качестве наполнителя используются мелкодисперсные порошки окисей титана, к емнияи алюминия, которые вводятся в зависимости от требуемой консистенции в количествах от 5 до 100% к весу жидкости, Смесь тщательно пе Ъ 150941ретирается и подвергается прогреву в вакууме для удаления летучих составляющих. Полученная высоковязкая вазелиноподобная паста нассится непосредственно на р - и переход, пастой можно также заполять корпус прибора.Предлагаемые пасты могут применяться для защиты переходов как ерманиевых, так и кремниевых полупроводниковых приборов.В качестве исходных компонентов для изготовления пасты КВприменяются: полиметилсилоксановая жидкость ПМСс вязкостью 432 сст (20), белая сажа У-ЗЗЗ,...

Номер патента: 150950

Опубликовано: 01.01.1962

Автор: Ведерников

МПК: H01L 31/0232

Метки: кадмия, малогабаритное, сернистого, фотосопротивление

...изображено предлагаемое малогабаритное фо сопротивление в двух проекциях.На одну сторону пластинки 1, изготовленной из оптического стекла,наносят светочувствительный слой 2 с тонкими токопроводящими контактными выводами 3. Обратную сторону стеклянной пластинки 1 покрывают зеркальной пленкой 4, после чего пластинку со вссх сторон,кроме одной скошенной торцовой стороны, покрывают светонепроницаемым слоем 5 (лаком), Общая толщина всех слоев вместе со стеклом должна быть не более 0,5 - 1,0 ял,Светочувствительный слой 2 освещаетс центр ированнымпучком света через скошенный торец, не светонепроницгсмым слоем.Фотосопротивление такой конструкции с ограниченной плошадьюосвещенности, включенное в схему реле. позволяет повысить...

Номер патента: 150951

Опубликовано: 01.01.1962

Автор: Альфред

МПК: H01L 21/105, H01L 31/0296, H01L 31/18 ...

Метки: запирающим, инфракрасной, повышенной, селеновый, слоем, фотоэлемент, чувствительности

...мак симум равной энергии, примерно, 30% высоты обыкновенного максимума селенового фотоэлемента в видимой области спектра, Чувствительность фотоэлемента в области максимума в видимой области сгектра при этом равна приблизительно чувствительности обыкновенного селе- нового фотоэлемента. Помещая металлический слой, например, из серебра, между осоны меллом селеном и промежуточным слоем из150951 индия, 10 жно полуИть изменение макси.уъа по Высоте и по положению в определенных пределах.Металлическая барьерная пленка Влияет на процесс диффузии индия В селен. От толцтины и Вида Оарьерной пленкР 1, также От тОлщипы слоя индия зависит соотношение обоих максимумов кривой распределения фототока при равном количестве падающей энергии,Температурные...

Номер патента: 150955

Опубликовано: 01.01.1962

МПК: H01L 31/04, H01L 37/02

Метки: 150955

...которого зависит от температуры для возбуждения переменного тока в результате. периодического изменения емкости конденсатора. Сущность ука. занного способа заключается в том, что, с целью повышения к.п.д, и надежности работы преобразователя энергии, а также снижения его веса, габаритов и инерционности, нелинейный электрический конденсатор включают совместно с линейной индуктивностью в цепь, работаюгцую в условиях параметрического резонанса при частоте, вдвое меньшей частоты нагрева диэлектрика,Предлагаемый способ непосредственного преобразования световой энергии в электрическую основан на использовании изобретения по основному авт. св.140920 и предназначен для непосредственного преобразования световой энергии в электрическую при помощи...

Номер патента: 151260

Опубликовано: 01.01.1962

Автор: Карл

МПК: H01L 21/283, H01L 21/40

Метки: контактов, кристаллах, омических, полупроводниковых, фотосопротивлениях

...не имеющему запорного слоя на кристалле из соединения элемента второй подгруппы и элемента шестой основной группы периодической системы элементов, путем напыления алюминия в вакууме.Перед напылением алюминия кристалл нагревается до температу. ры 150 - 250, После напыления алюминия кристалл отхкигается при151260температуре 200 в 3 С. В качестве контактного материала отдается предпочтение алюминию с высокой степенью чистоты. Особенно вредной для процесса напыления примесью алюминия является бор.Части иоверхности кристалла, не предназначенные для контактирования, умед напылением накрываются термостойким шаблоном.Целесообразно кристалл еще в течение некоторого времени подвергнузь 4 фгЖгпературной выдержке, чтобы обеспечить полную...

Номер патента: 151397

Опубликовано: 01.01.1962

Автор: Савченко

МПК: H01L 21/66

Метки: германия, глубины, залегания, перехода, пластинах, р-п

...держателя 5.Пластина б или кристаллик германия после диффузии в него примесей для образования р - п перехода соединяется с графитовым держателем 5, Держатель помещается в ванне 1, в которую заливается дистиллированная вода первой перегонки. К поверхности пластины подводится острая игла 7 из никеля или вольфрама под напряжением 5 - 8 в. При этом в наушниках 5 будет слышен щелчок, а миллиамперметр 2 покажет прирост тока. Затем игла отводится.Напряжение повышается до 50 - 60 в и игла вручную (поворотом рукоятки) подается вниз до контакта с дном лунки, находящимся в р - и слое германия и выдерживается 25 - 30 сек, п слой электролитически вытравливается и образуется коническая лунка, обнажающая переход. Лунка имеет переходную поверхность...

Номер патента: 151400

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Калинин, Соболев

МПК: H01L 21/66

Метки: бесконтактных, измерений, кристаллов, малогабаритных, низкоомных, полупроводниковых, сопротивления, удельного

...изобретенияУстройство для бесконтактных измерений удельного сопротивления малогабаритных кристаллов низкоомных полупроводниковых материалов, работающее на принципе наведения з образце вихревых токов, содержащее генератор высокочастотных колебаний и индуктор, который размещается вблизи плоской части измеряемого образца, о т л и ч а ющеес я тем, что, с целью снижения влияния размеров образца на результаты измерений удельного сопротивления, между индуктором и образцом помещена проводящая диафрагма, локализующая поле в облас ти пространства, прилегающего к отверстию диафрагмы.Редактор Н. С, КутаФина Техред Т. П. Курилко Корректор Г. Куцривцева Глода. к пеи. 1 О.Х.62 т. Формат бум 70 Х 108,и Объем 0,18 изд. л. Заи. 10496 Тираж 1150 Цена...

Номер патента: 151730

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Гирель, Сандеров, Якубов

МПК: H01L 21/00

Метки: армирования, выводов, полуавтомат, полупроводниковых, приборов

...шарикового привода, осуществляющего обжим трубки б после прохода в нее вывода 12 полупроводникового прибора. Ползун 5 снабжен рычагом 13, на который воздействует шток 14 шарикового привода, чем обеспечивается отжим планки 8 и освобождение армированного вывода 12 при дальнейшем перемещении рейки 2. Движение ползуна до оси Х - Х подачи трубок б осуществляется при помощи штока 15 шарикового привода. Возврат ползуна в исходное положение производится пружинами, не показанными на чертеже, Планка 1 б, соединенная с ползуном 5, служит для компенсации всех неточностей изготовления узла привода и обеспечивает точную фиксацию положения ползуна после достижения им линии Х - Х. Ход ползуна регулируется винтом 17.В корпусе 1 размещено шесть призм 18...

Номер патента: 152031

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Прохоров, Шеховцов

МПК: H01L 29/06

Метки: германиевый, полупроводниковый, прибор

...до первоначального значсния, а изменяется в соответствии с изменением величины заряда неосновых носители, Обусловленым рекомбинацией в объеме и на пздводящих контактах. Только после полной ре комбинации заряда неосновных носителей проводимость первой базы; примет свое первоначальное значение, Поэтому импульс на сопротивлении 4 фиг. 2) (1, включенном последовательно со второй базой 5, станет длиннее входного. Наибольшим будет удлинение импульсоз, длительность которых меньше времени жизни неосновных носителей меньше времени пролета носителей в первой базе 3.В случае изготовлеия удлипителя нз ВысокоомОГО матер 112 ла выходной импульс в результате большого падения входного импульса и накопления заряда неосновных носителей...

Номер патента: 152032

Опубликовано: 01.01.1962

МПК: H01L 21/66

Метки: 152032

...делениями шкалы прибора для контроля напряжения.Для повышения точности измерений и записи велнапряжения использован стабилизированный источниктический потенциометр с электронным нуль-индикатором. ичины падениятока и автома152032 Перемещение зондов относительно образца производится ступенчато при помощи пружины и делительного механизма, а подвод и отвод зондовой головки осуществлен с помощью пружинно-электромагнитного привода.Контролируемый образец 1 укрепляется на каретке 2. Указатель 8 линейной шкалы потенциометра. соединен с шинным переключателем 4, длины шин которого выбраны в соответствии с геометрическим рядом нормативных делений, Переключатель посредством электромагнитных реле 5 управляет перфораторами б, которые делают отметки на...

Номер патента: 152033

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Зеликман, Лукашова, Цитовский

МПК: H01L 21/24

Метки: переходов, р-п

...особ получения р-и-п тличающийся т фузии примеси до 10 еходов, в исходную п т предварительно на бора,са дифр-и-невжига Известны способы получения р-и-переходов на кремтем диффузии бора, нанесенного на пластину кремния в о раствора борной кислоты, и последующего нагрева пласти р ратуре 1300 в течение 30 - 40 час.Предлагаемый способ отличается от известных тем, что позволяет сократить время процесса диффузии примеси до 10 - 16 час и упростить технологию получения р-п-переходов Это достигается тем, что в исходную пластину кремния перед нанесением бора вжигают предварительно нанесенный слой алюминия.При осуществлении способа в пластину кремния при температуре 700 - 800 вжигают предварительно нанесенный слой алюминия, затем с помощью...

Номер патента: 152258

Опубликовано: 01.01.1962

Автор: Масловский

МПК: H01L 23/50

Метки: матрица, фотодиодная

...в которой с помощью щетки из вольфрамовых игл вытравливаются конические отверстия. Диффузионный и-слой 2 на лицевой стороне пластины разрезан на квадраты (элементы), а тыльной стороной пластина 1 закреплена на молибденовом кристаллодержателе 3, представляющем собой решетку с отверстиями диаметром 1,5 мм.После приплавления пластины 1 на кристаллодержатель 3 к элементам (квадратам диффузионного и-слоя) приплавляются выводы 4. Для этого в отверстия элементов вставляются отожженные в водороде никелевые проволочки (диаметром 0,15 мм) с предварительно надетыми на них навесками б сплава свинец-олово-сурьма в виде колец (диаметром 1 мм и толщиной 0,06 мм) и образец помещается в печь для152258 приплавления, Приплавление ведется в атмосфере...

Номер патента: 153085

Опубликовано: 01.01.1963

МПК: G01F 11/04, H01L 21/00

Метки: 153085

...1, в котором перемещается притертый поршень 2. Для выдавливания малыхдоз высоковязких материалов из рабочего объема - цилиндра 1 служитметаллическая игла 3 с осевым капиллярным каналом. Для выдавливания равных малых доз высоковязких материалов поступательное движение поршня 2 осуществляется штоком тарированного микрометрического винта 4,Процесс дозирования закл сплавленный, например галлий, за выдвинутоме 2. Вращением микромет дится постуедицинскче ейных разометр в сочетани элемента дозатор со шпр высоко ючается в следующем. Ра ливается в цилиндр 1 при рического винта 4 произво металл поршн153085 пательное движение поршня и начинается процесс выдавливания. Отдозированные по делениям микрометрического винта 4 капли металла выдавливаются...

Номер патента: 153975

Опубликовано: 01.01.1963

МПК: C09D 183/04, H01L 21/027, H01L 21/312 ...

Метки: 153975

...вплавления,Светочувствительное покрытие (вязкость порядка 15 сек) наносят на поверхность пластины кремния с помощью центрифуги(150 - 200 об)мин) и высушивают под инфракрасной лампой, Далее пластина экспонируется в течение 15 лин под ультрафиолетовой лампой, расположенной на расстоянии 12 слт, через стеклянный шаблон с повторяющимся рисунком требуемой конфигурации и проявляется в толуоле 10 иин, После сушки в течение 30 мин под инфракрасной лампой пластину помещают в напы. лительную камеру и нагревают до нужной температуры (400 - 700), после чего производят напыление.После напыления и вплавления пленки металла заданной толщины пластину опускают на 10 мин в плавиковую кислоту для снятия фото- слоя. Оставшиеся участки металла имеют...

Номер патента: 153976

Опубликовано: 01.01.1963

МПК: H01L 21/08

Метки: 153976

...области устойчивого состояния. Условие переключе. ния из одного устойчивого состояния в другое: а 1+ а 1, где аи а. - . коэффициенты усиления триодов б и 7, из которых, как можно условно представить, состоит четырехслойная структура кремниевой пласти153976ны 2. Триод 6 типа и-р-гг и триод 7 типа р-гг-р включены по схеме с общим эмиттером.При пропуске через управляющий электрод 8 тока управления повышается коэффициент аг, тем самым условие переключения достигается при меньшем (приложенном в прямом направлении) напряжении, т. е. током управления эффективно воздействуют на напряжение переключения; при достаточно большом токе управления можно свести напряжение к нулю,Однако коэффициент а в узкой области вблизи выхода эмиттерного перехода 9...

Номер патента: 153977

Опубликовано: 01.01.1963

МПК: H01L 21/479

Метки: 153977

...В начальной стадии импульса по цепи течет ма. лый ток, так как окись кремния является изолятором, и в месте конт акта острия с окисленной поверхностью имеется большое сопротивление. В результате все напряжение импульса прикладывается практически к месту контакта, где и выделяется вся мощность, Вследствие этого полупроводниковая пластина разогревается еще до начала кон такта иглы с ее поверхностью. Под влиянием разогрева и высокого напряжения пленка окиси разрушаегся, в образовавшуюся щель вплав. ляется акцепторная примесь, например алюминий. При этом сопротпв ление контакта игла - кремний резко падает и ббльшая часть мощности импульса падает на сопротивление 2, не приводя к чрезмерному перегреву кристалла и р-п перехода.,Мо 153977...

Номер патента: 154086

Опубликовано: 01.01.1963

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: 154086

...длительности фронта нли отношения токов. рп достаточно больших сопротивлениях цепей для прямого и обратного токов можно пренебречь сопротивлением базы диода. Тогда переходньш процесс будет определяться временем жизни неосновных носителей,длительностью фронта перекгояОщего импульса, сопроИвлениями цепей для прямого и обратного токов и подаваемыми няпряке. Сопротивления и подаваемые напряжения опреде Я 154086ляОт огношенис т) с):1, (,ледовательно, время жиз 111 1 основных носитгй) можт быпгь определено в момент, когда полочка сходится в точ с, ЛПОО ПО ОТНОШЕНГ)О ТОКОВ ПрИ ИЗВЕСТНой дсИТЕЛ) НОСТИ фрОНта ПЕр- е,110 чяю 1 цсго нз 1 ульса, лР)00 ПО длит,ьности фронта при изВстпом 01- )ОН)сП )ОКОН 1 НЕРВОМ СГ)ссЯЕ ДЛИТЕЛЬНОСТЬ фРОНТЯ...

Номер патента: 154125

Опубликовано: 01.01.1963

МПК: C09D 5/00, H01L 23/29

Метки: 154125

...1-: - 10 о/, (лучше 5,0 о/о) и раствора смолы БМК- 1 - : 10 о 1(лучше 3,7%) в органических раствортелх тог Ол 10.:-40 о/о (лчшс 29, о/о), этилцеллозоль 5 - : 25% (л шс 13.9 о/1) и бутилацстат 2 - 20 о (лучпЕе 0,4 оо) . ПРиготовлсе 1 е 1 а л таким Об)зазор эмаль имеет хОРошУю адгезию к полированному кремнию, выдсркивает нагрев до 400, надежно изолирует переход от внешней среды, обеспечивает более высокую стабильность параметров полупроводниковых приборов при температуре - 60 и +125 после многократны. тсрмоударов от +150 до - 60 и испытаний на вибро- и ударопрочность, имеет почти нейтральную реакцию среды. Малые внутренние напряжения в пленке позволяют избежать увеличения напряжений з р- п переходе при нанесен;Еи на154125него защитного...

Номер патента: 154611

Опубликовано: 01.01.1963

МПК: H01L 23/522

Метки: 154611

...представляет собой систему, отрабатывающую по заданной программе мощносгь на формуемом полупроводниковом диоде, н содержит источник 1 тока с подключенным к нему накопителем, управляемый блоком программирования. К выходу источника тока подключены формуемые диоды 3 и измерительные сопротивления 4, падение наппяжеиия иа кото 1 зых пропоринональпо форму)ощем 1 ток. Блок программирования содержит умножитель 5, напряжение с выхода которого совместно с напряжением, поступающим с выхода генератора б эталонного импульса, подается на схему 7 сравнения. Последняя вырабатывает управляющее напряжение, которое, пройдя через усилитель 8, пос" упает иа вход управляемого источника тока.54611 Описанное устройство позволяет формовать диоды заданной...

Номер патента: 154612

Опубликовано: 01.01.1963

МПК: H01L 23/00

Метки: 154612

...в разрезе.Прибор состоит из керамического корпуса 1, иглодержателя контактной пружиной о, полупроводникозого кристалла 4 с р-и- ходом и кристаллодержателя 5.Цилиндрическая полость А для иглодержателя 2 выполнена с внутренним центрирующим конусом Б, который заканчивается цилиндром В малого диаметра, сообщающимся с внутренней полостью для кристаллодержателя 5. Керамический корпус 1 прибора изготовлен методом горячего литья под давлением.Торцы корпуса металлизируются молибденом с последующим нанесением гальванического никеля и меди. Контактная пружина 3, скользя по конусу Б, проходит в цилиндр В меньшего диаметра и обеспечивает контакт с кристаллом 4, Корпус полупроводникового прибора описанной конструкции обеспечивает высокую...

Номер патента: 154614

Опубликовано: 01.01.1963

МПК: H01L 21/465

Метки: 154614

...и слабом помешивании с последующей сушкой под вакуумом (0 -.цл рт. ст,) при температуре 130 - -150 С в течение четырех часов.Ниже проводится разработанная в соответствии с предлагаемым способом технология защиты р-гг-переходов полупроводниковых диодов ца примере дцметцлдихлорсцлана (СНз)51 С 1, состоящая из следующих операции:1) Очистка д онки в ректифцкационной колонкЯ, М 1546142) Приготовление 5% -ного раствора диметилдихлорсилана в безводном серном эфире.3) Травление и промывка р-п-переходов по обычной технологии, 4) Удаление с промытых р-и-переходов капель воды фильтрова,шной бумагой.5) Обработка р-гг-переходов свежеприготовленным 5%-ым раствором диметилдихлорсилана в серном эфире в течение 7 мин при слабом помешивании.6) Сушка...

Номер патента: 154615

Опубликовано: 01.01.1963

МПК: H01L 21/334

Метки: 154615

...с поверхностью образца образуются ямки, глубина которых зависит от длительности травления. Затем пластина подвергается диффузионному отжигу при температуре 1200 - 1300-С в течение 6 - 8 час, после чего на ее внешней поверхности образуется р-п-переход, т, е, с обеих сторон пластины и вдоль дислокаций создаются п-области.После диффузионного отжига края пластины сошлифовывают таким образом, чтобы созданные п-области замыкались только через каналы п-типа, число которых равно числу дислокаций, пересекающихпластину.При использовании кремния и-типа диффузией примеси создают каналы р-типа.На чертеже показана схема изготовленного по предлагаемому способу униполярного кремниевого триода.154615Обработанная указанным выше способом пластина...

Номер патента: 154625

Опубликовано: 01.01.1963

МПК: H01L 37/02

Метки: 154625

...между поверхностями пластины и электродами условны). На поверхностях пластины, прилегающих к электродам, показан связанный заряд ообусловленный спонтанной поляризацией ТГС, а на пластинах - свободный заряд о компенсирующий связанный (оо -- . о,). На фиг. 2 а значение о, = - осоответствует комнатной температуре. Вследствие компенсации свободных и связанных зарядов разности потенциалов между обкладками нет.При нагревании пластины с разомкнутыми электродами происходит уменьшение о, (в соответствии с фиг. 1) до значения о,=о,.часть свободного заряда на обкладках раскомпенсируется и создает поле Е (поле пирозарядов), а следовательно, и разность потенциалов (фиг. 2,б). Поле вызывает индуцированную поляризацию Р характеризующуюся...

Номер патента: 154953

Опубликовано: 01.01.1963

МПК: H01L 21/00

Метки: 154953

...сообщающейся с резервуаром для инертного газа, не показанным на чертеже. Из резервуара инертный газ, пройдя изолированную полость коллектора 4 и вращающуюся кольцевую обойму 20, по трубе, через кран выпуска газа 21, поступает в рабочую камеру. Аналогичным путем осуществляется соединение камеры с вакуумной линией и подача охлаждающей воды из магистрали.Цикл обработки полупроводниковых приборов происходит з следующей последовательности.В первой позиции выгружают кассету с герметизированными приборами и загружают новую кассету. При повороте карусели 1, укрепленной а неподвижной станине 22, крышка 11 рабочей камеры 5, шарнирно подвешенная на рычаге 23, откидывается с помощью гидроцилиндра 24, шток которого втягивается при подъеме и...

Номер патента: 154960

Опубликовано: 01.01.1963

МПК: H01L 21/40

Метки: 154960

...в р-и переходе, основанных на термообработке слоистой полупроводниковой структуры, диффузия оказывает существенное влияние на структуру р-и перехода.По предлагаемому способу влияние диффузии на структуру р-и перехода устраняется в результате помещения слоистой структуры в печь с поперечным градиентом температуры и перемещения зоны расплава со скоростью, большей скорости диффузии примесей.По предлагаемому способу слоистую структуру помещают в печь с поперечным градиентом температуры (по отношению к плоскости пластины). При температурах, превышающих температуру расплава метал-полупроводник, расплав перемещается в направлении градиента. Вследствие малых скоростей диффузии при температурах ниже 1000 С можно создать условия, при которых...

Номер патента: 154961

Опубликовано: 01.01.1963

МПК: H01L 21/66

Метки: 154961

...коллектор 11 для приема отраженных и промодулированных электронов.Сканирующий пучок электронов формируется электронной пушкой 2 при напряжении 15 - 20 кв. Две магнитчые линзы 4 и 5 сужают полученный пучок, и на полупроводник 9 попадает уже сфокусированньпл электронный луч 8 диаметром 2 - З.ик. Магнитная отклоняющая си154961стема,состоящая из катушекби 7,заставляетлуч 8 сканировать по ооъакту 9 так, чтобы пересекался р-и переход (по направлению стрелки 12). Если на р-и переход наложено запирающее напряжение, то происходит взаимодействие поля, выходящего в вакуум, со сканирующим лучом 8. Вторичные электроны, рожденные лучом 8, отклоняются в соответствии с локальным значением возмущающего поля.Сигнал можно подать на соответствующий...