H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 1450684

Опубликовано: 10.07.2000

Авторы: Байков, Лузе

МПК: H01L 39/22

Метки: многодырочный, объемный, сквид

Многодырочный объемный сквид, содержащий корпус со сквозными отверстиями контура квантования и контакт Джозефсона, соединяющий параллельно сквозные отверстия контура квантования, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности, он дополнительно содержит экраны со сквозными отверстиями, расположенными с двух сторон сквозных отверстий контуров квантования таким образом, что оси экранов со сквозными отверстиями ортогональны осям сквозных отверстий контуров квантования, причем сквозные отверстия в экранах соединены параллельно через контакт Джозефсона.

Номер патента: 1512436

Опубликовано: 10.07.2000

Авторы: Бурков, Гарунов, Кузьминых

МПК: H01L 39/22

Метки: высокочастотный, джозефсона, контакт, точечный

Высокочастотный точечный контакт Джозефсона, содержащий электрод-подпятник, к торцовой поверхности которого прижато острие электрода-иглы, имеющего форму плоского пружинящего изгиба, электрически и механически соединенного с иглодержателем, отличающийся тем, что, с целью повышения степени согласования нормального сопротивления этого контакта с конструктивными параметрами его элементов как составляющих СВЧ - тракта, пружинящий изгиб электрода-иглы, за исключением непосредственно острия, размещен внутри узкого паза, выполненного в торце иглодержателя.

Номер патента: 1331382

Опубликовано: 10.07.2000

Авторы: Байков, Лузе

МПК: H01L 39/22

Метки: джозефсона, контакт, точечный

Точечный контакт Джозефсона, содержащий два сверхпроводящих электрода в виде соосных стержней и слабую связь в области соприкосновения их торцов, отличающийся тем, что, с целью увеличения воспроизводимости критического тока, соприкасающиеся торцы стержней выполнены в виде клиньев, причем ребра клиньев перпендикулярны друг другу.

Номер патента: 1398706

Опубликовано: 10.07.2000

Авторы: Ахтман, Белая, Евсеев, Насекан

МПК: H01L 29/74

Метки: фототиристор

Фототиристор, содержащий по крайней мере четыре слоя чередующегося типа проводимости с катодным и анодным контактами на главных поверхностях, первый и четвертый слои которого являются эмиттерами, а второй и третий - базами, причем первый эмиттерный слой n-типа проводимости разделен на две области - основной и вспомогательный эмиттеры, а вспомогательный эмиттер содержит область зажигания и вспомогательный контакт, расположенный на нем и на периферийной области р-базового слоя, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности фототиристора к световому сигналу управления при сохранении стойкости к эффекту du/dt, вспомогательный контакт выполнен в виде двух контактов, при этом первый...

Номер патента: 1105086

Опубликовано: 10.07.2000

Автор: Старцев

МПК: H01L 39/22

Метки: высокочастотный, сквид

Высокочастотный СКВИД, содержащий корпус с полостью контура квантования, точечный джозефсоновский контакт, катушки индуктивности контура накачки и индуктивности трансформатора потока, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности за счет самоэкранировки и уменьшения индуктивности контура квантования, полость контура квантования образована стенками двух сквозных отверстий, выполненными в корпусе, стенками торцевых пазов и поверхностью заглушек, прижатых к корпусу прижимными винтами, при этом между сквозными отверстиями в корпусе имеется прорезь для установки точечного дзожефсоновского контакта.

Номер патента: 1526530

Опубликовано: 10.07.2000

Авторы: Байков, Минашкин, Федоров

МПК: H01L 39/22

Метки: высокочастотный, сквид

Высокочастотный сквид, содержащий контур квантования в виде полости в объемном сверхпроводнике, замкнутой контактом Джозефсона, и индуктор, установленный в цилиндрический резонатор, отличающийся тем, что, с целью увеличения чувствительности к магнитному потоку, контур квантования отделен от цилиндрического резонатора сверхпроводящим экраном, а внутри контура квантования и цилиндрического резонатора установлены катушки связи сверхпроводящего трансформатора магнитного потока.

Номер патента: 1230316

Опубликовано: 10.07.2000

Авторы: Байков, Лузе

МПК: H01L 39/22

Метки: датчик, интерференционный, квантовый, сверхпроводящий

Сверхпроводящий квантовый интерференционный датчик, содержащий параллельно соединенные контуры квантования в виде полостей в массивном сверхпроводнике, зазор между ними и пленочный контакт Джозефсона, отличающийся тем, что, с целью обеспечения помехозащищенности датчика, массивный сверхпроводник состоит из основания с размещенным на нем изолятором-подложкой для пленочного контакта Джозефсона, заглушки, прижимающей изолятор к основанию, крышки и двух цилиндров, стоящих на основании и соединенных сверху планкой с винтом, осуществляющим электрическое соединение пленочного контакта Джозефсона с планкой, при этом полости образованы основанием массивного сверхпроводника, боковой стенкой крышки и...

Номер патента: 1535285

Опубликовано: 10.07.2000

Авторы: Байков, Минашкин, Федоров

МПК: H01L 39/22

Метки: магнитометрический, прибор, сверхпроводниковый

Сверхпроводниковый магнитометрический прибор, содержащий сверхпроводниковый трансформатор магнитного потока, связанный со сквидом, и блок обработки сигнала со сквида, отличающийся тем, что, с целью увеличения мгновенного динамического диапазона, трансформатор магнитного потока связан с дополнительным сквидом, выход блока обработки сигнала которого через преобразователь соединен с катушкой, индуктивно связанной с контуром квантования основного сквида в противофазе с трансформатором потока, причем коэффициент трансформации трансформатора магнитного потока в дополнительный сквид меньше, чем в основной.

Номер патента: 1025301

Опубликовано: 10.07.2000

Авторы: Байков, Лузе

МПК: H01L 39/22

Метки: датчик, интерференционный, квантовый, сверхпроводящий

Сверхпроводящий квантовый интерференционный датчик, состоящий из массивного сверхпроводника, выполненного в виде цилиндра, содержащего две полости, соединенные между собой зазором, и контакт Джозефсона, установленный в зазоре перпендикулярно к оси цилиндра, отличающийся тем, что, с целью повышения помехозащищенности, полости и зазор выполнены тороидальными и расположены концентрично оси цилиндра.

Номер патента: 555780

Опубликовано: 20.07.2000

Авторы: Витушинский, Горохов

МПК: H01L 39/02

Метки: криостат, резонансной, сверхпроводящей, цепи

Криостат для сверхпроводящей резонансной цепи, содержащий сосуд с жидким гелием, внутри которого размещена герметичная камера с расположенной внутри резонансной цепью в экране, соединенная посредством патрубков с системой откачки и газгольдером, отличающийся тем, что, с целью сокращения расхода жидкого гелия на охлаждение системы и уменьшения времени охлаждения, в сосуде размещен пароотделитель, соединенный с герметичной камерой посредством трубопровода с вакуумным вентилем, причем на участке между пароотделителем и вакуумным вентилем выполнено отверстие, а полость герметичной камеры соединена с полостью экрана через отверстия в его днище.

Номер патента: 506244

Опубликовано: 20.07.2000

Авторы: Байков, Герасимов, Лузе

МПК: H01L 39/02

Метки: криостат, резонансной, сверхпроводящей, цепи

Криостат для сверхпроводящей резонансной цепи, содержащий термостатированный сосуд с жидким гелием, в котором закреплена герметичная камера с расположенной внутри резонансной цепью в экране, отличающийся тем, что, с целью повышения долговременной стабильности частоты цепи, герметичная камера снабжена патрубком, соединяющим ее м откачивающей системой и системой заполнения газообразным гелием.

Номер патента: 680564

Опубликовано: 20.07.2000

Авторы: Витушинский, Горохов, Лузе

МПК: H01L 39/02

Метки: криостатирования, радиоаппаратуры

Устройство для криостатирования радиоаппаратуры, содержащее гелиевую емкость и вакуумную камеру с размещенной в ней радиоаппаратурой, отличающееся тем, что, с целью продления времени криостатирования в условиях, исключающих долив гелиевой емкости, в вакуумной камере размещена капсула, заполненная материалом с высокой теплоемкостью при гелиевых температурах, соединенная с жидким хладагентом тепловым ключом, выполненным в виде двух имеющих общий торец концентрических сильфонов, полость между которыми заполнена газообразным гелием под избыточным давлением по отношению к давлению насыщенных паров в гелиевой емкости.

Номер патента: 638200

Опубликовано: 20.07.2000

Авторы: Куликов, Рубинов

МПК: H01L 39/00, H01P 7/06

Метки: криостат, резонансной, сверхпроводящей, цепи

Криостат для сверхпроводящей резонансной цепи, содержащий узкогорлый сосуд с герметичной крышкой, заполненный жидким гелием, и расположенную в нем закрытую снизу герметичную камеру со сверхпроводящей резонансной цепью, снабженную крышкой, узлом вакуумного уплотнения и патрубком, соединяющим ее с откачным устройством, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности сверхпроводящей резонансной цепи, герметичная камера выполнена в виде жесткой тонкостенной трубы, крышка и узел вакуумного уплотнения герметичной камеры размещены вне узкогорлого сосуда, а внутренняя полость герметичной камеры соединена через патрубок с дополнительной системой заполнения газообразным гелием.

Номер патента: 1519468

Опубликовано: 20.07.2000

Автор: Козырев

МПК: H01L 31/052

Метки: солнечный, элемент

Солнечный элемент, содержащий последовательно расположенные на металлической подложке фоточувствительный слой и прозрачный проводящий слой, отличающийся тем, что, с целью увеличения КПД, солнечного элемента большой площади, фоточувствительный слой выполнен из прозрачного диэлектрика с отверстиями диаметром 0,3 - 0,9 мкм, заполненными полупроводником.

Номер патента: 1639344

Опубликовано: 27.07.2000

Авторы: Намм, Олешко, Толмачев, Штанько

МПК: H01L 21/66

Метки: а2в6, возбуждением, кристаллов, отбраковки, приборов, растворов, соединений, твердых, электронным

Способ отбраковки кристаллов соединений группы A2B6 и их твердых растворов для приборов с электронным возбуждением, включающий возбуждение кристалла электронным пучком и измерение люминесценции, отличающийся тем, что, с целью повышения экономичности, ускорения и упрощения способа, возбуждение осуществляют электронным пучком в диапазоне плотностей энергий от 0,01 до 0,3 Дж/см2, регистрируют спектры импульсной катодолюминесценции в направлении под острым углом к нормали к поверхности кристалла при различных плотностях энергии электронного пучка, строят зависимость интенсивности катодолюминесценции при произвольно выбранной фиксированной длине волны из области...

Номер патента: 824841

Опубликовано: 20.08.2000

Авторы: Абрамов, Суворов

МПК: H01L 41/09, H02N 2/00

Метки: вращательного, движения

Устройство для получения вращательного движения, содержащее основание, волновую передачу, состоящую из неподвижного и подвижного звеньев, и электромеханический привод, образованный пьезоэлектрическими преобразователями, соединенными с основанием, отличающееся тем, что, с целью упрощения настройки на резонансный режим и уменьшения габаритов, основание дополнительно содержит гибкий элемент, а преобразователи выполнены в виде секционированных колец, одно из которых надето на неподвижное звено волновой передачи, закрепленное на основании, а другое кольцо сопряжено с подвижным звеном волновой передачи посредством подшипника и соединено с основанием указанным гибким элементом.

Номер патента: 1496557

Опубликовано: 20.09.2000

Авторы: Волков, Коняхин

МПК: H01L 21/208

Метки: автоэпитаксиальных, выращивания, кремния, расплав, слоев

Расплав для выращивания автоэпитаксиальных слоев кремния, содержащий кремний, олово и добавку металла, отличающийся тем, что, с целью повышения удельного сопротивления слоев, в качестве добавки металла расплав содержит титан при следующем соотношении компонентов, мас.%:Кремний - 0,05 - 10Титан - 0,008 - 4Олово - Остальное

Номер патента: 1160907

Опубликовано: 27.01.2001

Авторы: Барейкене, Бондаренко, Волков, Захарова, Ивакин

МПК: H01C 7/10, H01L 45/00

Метки: материал, памяти, токопроводящий, элементов

Токопроводящий материал для элементов памяти на основе оксидного соединения ванадия, отличающийся тем, что, с целью увеличения времени хранения информации, в качестве оксидного соединения ванадия он содержит додекаванадата гидрат, отвечающий общей химической формуле MxV12O31 n H2O, или изополиванадат молибдата (вольфрамата) гидрат, отвечающий общей химической формуле MxV12ЭyO31 n H2O, где M - щелочной или щелочноземельный металл либо водород; Э - молибден или...

Номер патента: 615785

Опубликовано: 10.04.2001

Авторы: Бредихин, Волкова, Милешко, Нагучев, Чистяков

МПК: H01L 21/306

Метки: кремния, легирования, оксидной, пленки, фосфором, электролит

Электролит для легирования оксидной пленки кремния фосфором, содержащий ортофосфорную и азотную кислоты и этиленгликоль, отличающийся тем, что, с целью увеличения срока службы, он дополнительно содержит азотнокислый эрбий при следующем соотношении компонентов, мас.%:Ортофосфорная кислота (уд. вес 1,68 г/см3) - 5 10-4 - 5,0Азотная кислота (уд. вес 1,40 г/см3) - 0,1 - 0,4Азотнокислый эрбий (пятиводный) - 0,25 - 1,0Этиленгликоль - Остальное

Номер патента: 616893

Опубликовано: 10.04.2001

Авторы: Бредихин, Волкова, Милешко, Нагучев, Чистяков

МПК: H01L 21/228

Метки: бором, кремния, легирования, оксидной, пленки, электролит

Электролит для легирования оксидной пленки кремния бором, содержащий этиленгликоль, борную и азотную кислоты, отличающийся тем, что, с целью улучшения эксплуатационных свойств электролита, в его состав дополнительно введен гольмий азотнокислый при следующем соотношении компонентов, мас.%:Борная кислота - 5 - 15Азотная кислота (уд. вес 1,40 г/см3) - 0,15 - 0,35Гольмий азотнокислый (пятиводный) - 0,3 - 0,6Этиленгликоль - Остальное

Номер патента: 682055

Опубликовано: 10.04.2001

Авторы: Бредихин, Ломакина, Милешко, Чистяков

МПК: H01L 21/469

Метки: кремния, легирования, мышьяком, оксидной, пленки, электролит

Электролит для легирования окисной пленки кремния мышьяком, содержащий азотную кислоту и этиленгликоль, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости результатов легирования и увеличения срока годности электролита, дополнительно он содержит ортомышьяковую кислоту, а компоненты взяты в следующем соотношении, об.%:Азотная кислота (уд. вес 1,40 г/см3) - 4 - 5Ортомышьяковая кислота (уд. вес 2,26 г/см3) - 0,5 - 10Этиленгликоль - Остальное

Номер патента: 527989

Опубликовано: 10.04.2001

Авторы: Бредихин, Милешко, Селиванова

МПК: H01L 21/306

Метки: кремния, легирования, оксидной, пленки, фосфором, электролит

Электролит для легирования оксидной пленки кремния фосфором, содержащий ортофосфорную и азотную кислоты, отличающийся тем, что, с целью улучшения свойств легированной пленки, в его состав введен этиленгликоль в качестве основного растворителя при следующем соотношении компонентов, об.%:Ортофосфорная кислота (уд. вес 1,68 г/см3) - 1 10-4 - 10Азотная кислота (уд. вес 1,40 г/см3) - 1 10-2 - 5 10-1Этиленгликоль - Остальное

Номер патента: 599667

Опубликовано: 10.04.2001

Авторы: Бредихин, Волкова, Милешко, Палиенко, Чистяков, Шкиров

МПК: H01L 21/306

Метки: кремнии, легированной, оксидной, пленки, электролит

Электролит для получения легированной оксидной пленки на кремнии, содержащий этиленгликоль, борную и азотную кислоты, отличающийся тем, что, с целью улучшения свойств легированной оксидной пленки как источника диффузии для формирования слоев p-типа в кремнии, в его состав дополнительно введена ортомышьяковая кислота при следующем соотношении компонентов, мас.%:Борная кислота - 5 - 15Азотная кислота (уд. вес 1,40 г/см3) - 0,1 - 0,3Ортомышьяковая кислота (уд. вес 2,26 г/см3) - 0,001 - 0,01Этиленгликоль - Остальное

Номер патента: 545210

Опубликовано: 10.04.2001

Авторы: Бредихин, Милешко, Селиванова

МПК: H01L 21/306

Метки: бором, кремния, легирования, окисной, пленки, электролит

Электролит для легирования окисной пленки кремния бором, содержащий этиленгликоль и борную кислоту, отличающийся тем, что, с целью улучшения свойств пленки, в его состав дополнительно введена азотная кислота при следующем соотношении компонентов, мас.%:Борная кислота - 0,10 - 10,00Азотная кислота - 0,05 - 0,50Этиленгликоль - Остальное

Номер патента: 602054

Опубликовано: 10.04.2001

Авторы: Бредихин, Волкова, Милешко, Палиенко, Чистяков, Шкиров

МПК: H01L 21/306

Метки: анодного, кремния, оксидирования, электролит

Электролит для анодного оксидирования кремния, содержащий этиленгликоль и ортофосфорную кислоту, отличающийся тем, что, с целью легирования оксидной пленки кремния второй примесью - компенсатором, он дополнительно содержит ортомышьяковую кислоту при следующем соотношении компонентов, об.%:Ортофосфорная кислота (уд. вес 1,68 г/см3) - 5 - 15Ортомышьяковая кислота (уд. вес 2,26 г/см3) - 0,01 - 0,1Этиленгликоль - Остальное

Номер патента: 745297

Опубликовано: 10.06.2001

Авторы: Кокин, Лукасевич, Любушкин, Манжа, Назаров, Чистяков

МПК: H01L 21/18

Метки: полупроводниковых, структур, транзисторных

Способ изготовления полупроводниковых транзисторных структур, включающий создание коллектора, базы, травление в маскирующем диэлектрике эмиттерных окон, осаждение легированной поликристаллической пленки кремния, формирование из пленки мезы, внахлест маскирующей эмиттерное окно, создание эмиттерного p-n-перехода, формирование внутрисхемной разводки, отличающийся тем, что, с целью улучшения воспроизводимости характеристик транзисторных структур и увеличения процента выхода годных, перед осаждением легированной поликристаллической пленки кремния в эмиттерных окнах проводят предварительное подлегирование примесью того же типа проводимости, что и пленки поликристаллического кремния.

Номер патента: 698454

Опубликовано: 10.06.2001

Авторы: Басов, Гладков, Кокин, Кремлев, Манжа, Чистяков

МПК: H01L 27/12

Метки: инвертор, интегральный

1. Интегральный инвертор инжекционного типа, содержащий переключательный n-p-n-транзистор с эпитаксиальной базой и инжектирующий p-n-p-транзистор с инжектором-подложкой, отличающийся тем, что, с целью повышения коэффициента усиления n-p-n- и p-n-p-транзисторов, эмиттеры n-p-n-транзистора выполнены в виде локальных n+ скрытых слоев, а под пассивной частью базы n-p-n-транзистора расположен высокоомный слой n-типа проводимости, служащий базой p-n-p-транзистора, толщина которого меньше диффузионной длины неосновных носителей заряда, и частично перекрывающий локальный n+ скрытый слой.2. Способ изготовления интегрального инвертора по п.1, включающий операции...

Номер патента: 1176774

Опубликовано: 10.06.2001

Авторы: Венков, Манжа, Патюков, Шурчков

МПК: H01L 21/18

Метки: диффузионных, контактов, ним, областей, формирования

1. Способ формирования диффузионных областей и контактов к ним, включающий нанесение диэлектрической пленки на кремниевую подложку, осаждение первого слоя поликремния, вскрытие окон в поликремнии и диэлектрике, осаждение второго слоя поликремния, термообработку, формирование поликремниевой разводки и металлизации, отличающийся тем, что, с целью увеличения плотности компоновки диффузионных областей и повышения процента выхода годных структур, после осаждения первого слоя поликремния легируют его примесью типа, противоположного типу проводимости подложки, после вскрытия окон в поликремнии и диэлектрике подтравливают диэлектрическую пленку под поликремнием, а термообработку проводят с...

Номер патента: 676109

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Короткова, Коршунов, Миркин, Тихонов

МПК: H01L 21/268

Метки: инверсных, материалах, полупроводниковых, слоев

1. Способ получения инверсных слоев в полупроводниковых материалах путем их плавления воздействием импульсного лазерного излучения с последующей рекристаллизацией оплавленного слоя, отличающийся тем, что, с целью увеличения эффективной подвижности и концентрации носителей заряда в слое и использования его для упрощенного изготовления многоэлементных структур, лазерное воздействие осуществляют в режиме образования выпуклой зеркальной поверхности рекристаллизованного слоя.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью увеличения в антимониде индия эффективной подвижности электронов до (4 - 6) 104...

Номер патента: 677597

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Газуко, Коршунов, Лукашова, Миркин, Постников, Шпирт

МПК: H01L 21/268

Метки: материале, полупроводниковом, структур, электронно-дырочных

1. Способ получения электронно-дырочных структур в полупроводниковом материале путем воздействия импульсного лазерного излучения в режиме свободной генерации, отличающийся тем, что, с целью получения структур с вытянутой в глубину образца, по крайней мере, одной из областей с повышенной по отношению к исходной концентрацией свободных носителей заряда, лазерное воздействие осуществляют с плотностью мощности от величины, вызывающей образование кратера, до величины, меньшей образования сквозного отверстия в обрабатываемом материале.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что, с целью получения n+-p-n+-структур в антимониде индия, лазерное воздействие осуществляют с...