H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 1040548

Опубликовано: 07.09.1983

Авторы: Бартенев, Дацков, Шишов

МПК: H01L 39/06

Метки: криогенных, токоввод, устройств, электротехнических

...токонесущего.элемента. В результате часть охлаждающего газа протекает по этимзазорам и не участвует в эффективном теплообмене. Использованиепайки снижает стойкость токоввода35к перегреву.,Цель изобретения - улучшениетеплообмена с охлаждающим газом,уменьшение габаритов сечения и упрощение конструкции.Указанная цель достигается тем,что в токовводе для криогенных элек-;тротехнических устройст 6, содержа"щем газонепроницаемый корпус с размещенным в нем токонесущим элементом,45выполненным в виде пакета с параллельно уложенными и соединенными 548между собой фольгами и сплюснутыми оплетками, и изолятор, гаэонепроницаемый корпус образован крайними фольгами пакета и сварными поверхностями, образованными боковыми торцами фольг и...

Номер патента: 1041967

Опубликовано: 15.09.1983

Авторы: Балтянский, Богородицкий, Зверева, Мельников, Михеев, Морозов, Рыжов, Рябинин, Фельдберг, Чернецов

МПК: H01L 21/66

Метки: мдп-структур, параметров, регистрации

...через индикатор синфазности, инвертор и образцовый резистор к своему входу 2 .Недостатком известного устройства являются относительно низкая точность и ограниченные функциональ ные воэможности, обусловленные тем, что выходные сигналы несут информацию лишь о емкости и проводимости всей МДП-структуры в функции прило женного напряжения смещения. Для получения зависимостей емкости и проводимости только полупроводниковой части в функции от падающего на ней напряжения смещения необходимо про вести соответствующие вычислительные операции. При этом происходит также и трансформация погрешностей данного устройства в большую сторону в тех случаях, когда комплексное сопротивление изолятора больше комплексного сопротивления полупровод- никовой части...

Номер патента: 1043464

Опубликовано: 23.09.1983

Автор: Коротков

МПК: F25B 21/02, F28D 15/02, H01L 35/20 ...

Метки: теплообменное

...передающую и управляющуютепловые трубы, паропроводы подключенык трубам тангенциально с образованиемвихревой полости, в которой дополнитель. -но установлены параллельно расположенные кольцевые термоэлектрические батареи, обращенные одна к другой холодными спаями.На фиг.1 изображено предлагаемое,устройство, продольный разрез; нафиг,2 - сечение Л-А на фиг.1.55Теплообменное устройство содержитпередающую тепловую трубу 1 управляющую тепловую трубу 2, соединенные 464 2соответственно паропроводами 3 и 4 и конденсатопроводами 5 и 6. Паропроводы 3 и 4 подключены к трубам 1 и 2 тангенциально;с образованием вихревой полости 7, в которой допопнитепьно установлены параллельно распопоженные кольцевые .термоэлектрические батареи 8 и 9, обращенные...

Номер патента: 1043754

Опубликовано: 23.09.1983

Авторы: Веселов, Ширшов

МПК: H01F 6/00, H01L 39/00

Метки: вольт-амперных, значениях, индукции, магнитного, поля, разных, сверхпроводников, сильноточных, температуры, характеристик

...обеспечить работу СПтрансформатора при температуре до18 К, поэтому первичная обмотка должна быть выполнена из материала наоснове сплавов ИЬЗЯп или 73 Са скритической температурой Тс = 18 К,который более хрупкий по сравнениюсо сплавом ХЬТ 1 с Т= 9 К. Для замены СП образца необходимо произвести разборку устройства, что приводит к дополнительным затратамвремени и потерям жидкого гелия,связанным с охлаждением криостата до Т = 4,2 К.Цель изобретения - расширениефункциональных йозможностей устройства и повышение точности измеренийпутем повышения точности регулирования температурыи увеличения диа-пазонавнешнего магнитного поля.Поставленная цель достигаетсятем, что устройство дополнительносодержит источник внешнего магнитного поля в виде...

Номер патента: 816342

Опубликовано: 23.09.1983

Авторы: Пожела, Сталерайтис, Шилальникас

МПК: H01L 29/82

Метки: индукции, магнитного, полупроводниковый, поля

...также невелик из-занасьццения, а затем и перегиба передаточной характеристики при увеличении индук-ции магнитного поля.Целью изобретения является расширение диапазона линейного преобразованияиндукции. магнитного поля при сохранениивысокой чувствительности преобразователя. 40Цель достигается тем, что в полупроводниковом преобразователе индукции магнитного поля, выполненном в виде прямоугольной полупроводниковой пластины стоковыми контактами на противоположных торцах, содержащем область большой 45скорости рекомбинацииносителей заряда,образованную на одной из боковых граней, сформированы две дополнительныеобласти с большой скоростью рекомбинации на противоположных боковых граняхперпендикулярных грани, на которой образованная область...

Номер патента: 791124

Опубликовано: 23.09.1983

Авторы: Батавин, Гуляев, Жаворонков, Ждан, Сандомирский, Ченский

МПК: H01L 21/66

Метки: концентрации, носителей, подвижности, полупроводниках, примеси

...Сп шийс тели возб лучением по п. м, чт ют эл,отличаюнеосновные носкктромагнитным иэ(54)(57) 1. СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯКОНЦЕНТРАЦИИ ПРИМЕСИ И ПОДВИЖНОСТИНОСИТЕЛЕЙ В ПОЛУПРОВдДНИКАХ, основанный на измерении электропроводности, напряжения Холла и определении концентрации примеси и подвижности носителей расчетным путем,о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, сцелью повышения точности, образец перед 3. Способ по п.ш и й с я тем, чтовозбуждают корпуску4. Способ по п,щ и й с я тем, чтовозбуждают электрич лича юовные носитеизлучением л ича ю вные носител полем. еоснярнымо теосноским и,80791124 где К постоянная Больцман заряд электрона: Ч - высота равновесного ного барьера в иссле образце ф791124 Фректор А. Ференц . ктор О. Юркова Техред ВЯалек раж...

Номер патента: 270118

Опубликовано: 30.09.1983

Авторы: Завадский, Калашников, Карпова, Корнилов

МПК: H01L 31/00

Метки: фоторезистор

...интенсивности регистрируемого потока.Такие фоторезисторы можно попучить, в частности, на основе кремния, пегированного цинком и фосфором, а также на 4 О основе германия, легированного марганцем и сурьмой. Дпя фоторезистора на ;основе кремния ь -типа соотношение концентраций спецующее.фоторезистор включают в цепь, состаящую из источника ЭДС и послецоватепьно соециненного нагруэочного сопротивпения (Йн= 10 - 10 Ом). К5 фоторезистору прикпацывается попе такой величины, что црейфовая апина неос новнык носитепей больше циффуэионной (Е 1 45 В/см).фоторезистор работает в цвух режимак. В первом из ник при отсутствиипацаю щего на образец излучения в цепи прото кает постоянный ток. Напряженность поля на образце близка к пороговой, При освещении...

Номер патента: 890907

Опубликовано: 30.09.1983

Авторы: Колпаков, Контуш, Сердюк, Турецкий, Чемересюк

МПК: H01L 31/18

Метки: кадмия, пленок, сульфида, фоточувствительных

...супьфица кацмия.При нагревании пленки испопьзуютинтервал температур поцпожки 380-500 С,Гленка, нанесенная на подложку, нагретуюцо температуры, меньшей,389 С,мапо прозрачна и имеет низкую фоточувствитепьность. Это объясняется присутствием в обьеме пленки кпористогоаммония, образующегося в процессехимической реакции наряду с образованиемсупьфида кадмия. При температуре поцпожки из указанного выше интервапаН 4 СЕ попностью субпимирован.Испопьзование в данном способе спиртного раствора хпорица кацмия и тиомочевины взамен трациционного водногораствора, применявшегося в процессереактивного распыпения, способствуетбопее стабипьному режиму образованиямонописперсного аэрозопя, что в конечном счете привоцит к образованию напоцпожке более...

Номер патента: 1045177

Опубликовано: 30.09.1983

Авторы: Алексеева, Ефимова

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: диэлектрических, защитных, испытания, покрытий, полупроводниковых, приборов

...плоских закругленных металли.ческих электродов, размещенных на поверхности исследуемого диэлектрического покрытия, введена подложкаиз диэлектрического материала, система электродов выполнена в виде ппротяженных центральных электродов,по обе стороны каждого из которыхразмещены щ боковых электродов, приэтом подложка расположена на систеЗ 5 ме электродов со стороны, противоположной исследуемому покрытию,выступы которого размещены в зазорах между соответствующими боковымии центральными электродами, величи на укаэанных зазоров равна ширинеобласти объемного заряда на поверхности р-и перехода полупроводникового прибора, а его протяженностьпериметру р-и перехода, причемудельиоесопротивление подложки определяется из соотношения ельные...

Номер патента: 1045310

Опубликовано: 30.09.1983

Авторы: Ахманаев, Данилов, Детинко, Медведев, Петров

МПК: H01L 21/66

Метки: датчик, параметров, полупроводников, электрофизических

...20свободным торцом штыря и широкойстенкой волнонода. Основным достоинством этих датчиков является высокое пространственное разрешение,которое определяется диаметром свобод, ного торца штыря 1 ),Недостатками известных датчиковявляются необходимость приготовления полулроводниковых пластин определенной толщины, трудоемкая операция размещения исследуемого образца внутри волновода под свободнымторцом штыря и узкий диапазон измерения удельного сопротивления(= 10 - 10 Ом см) .Наиболее близким по техническойсущности и достигаемым результатамк предлагаемому является датчик,содержащий СВЧ-резонатор кваэистатического типа с первым и вторым элементами сняаи и измерительным отверстием связи в торцовой стенке,в котороЕ введен индуктивный...

Номер патента: 1045311

Опубликовано: 30.09.1983

Авторы: Антонов, Давыдов, Проклов

МПК: H01L 41/16

Метки: акустического, контакта, материал

...в качестве материала для акустическогоконтакта получил 2-диФенилэтилен(стильбен), обладающий хорошими(;акустическими параметрами при низкойтехнологической стоимости ).1 ).Однако для его изГотовления необходимо нагревать контактирующиедетали акустического устройства до150 С, что приводит к растрескиванию контактирующих деталей.Цель изобретения - исключение йлгрева контактирующих узлов до высоких температур и упрощение технологии изготовления твердотельных приборов с использованием акустическихволн.Указанная цель достигается применением этилового эФира И -аминобензойной кислоты в качестве материала для акустического контакта,Этиловый эФир И - аминобенэойнойкислоть 1 представляет собой белыйкристаллический порошок без...

Номер патента: 1045312

Опубликовано: 30.09.1983

Авторы: Васичев, Корчков, Мартынова, Почтарев

МПК: H01L 21/312

Метки: литографии

...вакуумного испарения, т.е, в условияхПреимущественной понерхностной миграции. Достичь такой ситуации ранномерным нагревом невозможно, так как всеточки поверхности будут иметь одинаковое значение энергии. Поэтому наличие направленного градиента температуры улучшает условия миграции испаряющихся молекул,Вопрос о направленности преимущественного градиента температуры решается исходя из условий качествапроявляемого изображения, Если градиент температуры будет направленот центра к перифериен подложки, томиграция модекул будет направленак центру, следовательно, будет происходить дополнительное загрязнениепроявленного иэображения за счет эфФектон термической полимеризации либо кластерообраэования в газовой Фазе. В случае градиента...

Номер патента: 1045313

Опубликовано: 30.09.1983

Авторы: Шабанов, Шенгуров

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: полупроводниковых, проводимости, слоев, структур, типа

...цншии компоцецтцв, мсГ.(Г:П.)явиковая к 31 слОтс 2,0-;Вода Остальцое а тип проводимости ццредслякт из соотццшеия линейных размеров образовавшихся ямок, причем меньшие размеры ямок соотвлствуют слоям р-типы, ы большие п-типа.На фиг. 1 приведена диаграммы, цокызыБаюшд 51 ОГряничеци 51 15)смени т")ЯБ 1 ец 3)я. П,101 НОСТИ ТЦКЯ И КЦЦЦ(сЦТРЯЦИИ 1)пасЗИКОВЦИ кислоты цри рса,тизации изобрстеция; цы фи 2 х 3 крсс)цтц рафия ск(кы эпитыксиалыкй л руктуры р-и-п тица Ны фи. 3 м и к р О ф ц т 0 Г 1) я ф и и я м ц к т р а Б, ) с ц и я д Г 1 я п,1 ы стин с рызг)ичный т)Г 1 цм прцвц,ихО(ти рызц удсльцым сспрц)3 Гзг)сиисм.На фиг. 1 осизцачсно: область 1 фцрми- Г)овация коричневой пленки цы ццвсрхцост; скоса, которая це позволяет цаблкдать ях)к 1,...

Номер патента: 957695

Опубликовано: 30.09.1983

Авторы: Ерохин, Ширшов

МПК: H01L 39/14

Метки: сверхпроводников, способности, токонесущей

...сигналов, другой вход - к указанному шунту, а выход через аналого-цифровой преобразователь соединен с первым входом цифровой схемысравнения, второй вход которой соединен с эадатчиком кода, а выходс источником опорного напряжения.На фиг.1 представлена блок-схемаустройства на Фиг.2 - график зависимости токонесущей способности сверхпроводящего образца от магнитного поля,Устройство содержит сверхпровоцящий образец 1, потенциальные вывоцыкоторого 2 подключены к усилителюпостоянного тока УПТ) 3. Выход усилителя постоянноготока через дифференциальный усилитель 4 соединенс входом электронного умножителя 5аналоговых сигналов. Измерительныйшунт б через дифференциальный усилитель 7 подключен к второму входуэлектронного умножителя,...

Номер патента: 1046802

Опубликовано: 07.10.1983

Авторы: Лаврухин, Новоселова

МПК: H01L 21/00

Метки: пластин, полупроводниковых, тара

...оси ручки, а корпус снабжен кварцевой защитной подложкой, закрепленной в его донной части.На фиг. 1 изображена тара с открытой крышкой общий вид; на фиг.2 то же, с закрытой крышкой; на фиг.3,- разрез А-А на фиг,2 (ручка поднята на фиг,4 - узелна фиг.2 ( ручка в поднятом положении); на фиг.5 - то 55 же(ручка в опущенном положении 2.Тара для полупроводниковых пластинфиг. 1-3) состоит иэ корпуса 1 и 02 2крышки 2, изготовленных из листовой нержавеющей стали толщиной 0,4 мм и соединенных шарниром 3, С боков тары расположены подпружиненные крышки 4, которые удерживаются в закрытом или открытом положении пружинными меха-. низмами 5. Ручка 6 для переноса тары жестко связана с осью 7, имеющей вцентре фиксатор 8. Тара снабжена замком,...

Номер патента: 1046803

Опубликовано: 07.10.1983

Авторы: Былкина, Морозов, Розыев

МПК: H01L 21/312

Метки: пленки, формирования, фоторезиста

...сил, что повышает равномерность толщины пленки фоторезиста и ее .воспроизводимость. первичному слою, приводящее к появлению неравномерности толщин пленки фоторезиста и к снижению воспроизводимости толщины.Цель изобретения - повышение равномерности и воспроизводимости толщины наносимой ллвнки.Поставленная цель достигается тем, что согласно способу формирования пленки фоторезиста, включающему нанесение иэ доэатора дозы фоторезиста на вращающуюся подложку в центр вращениядозу фоторезиста наносят в виде капли при ее истечении из доза- тора под действием силы тяжести при расстоянии дозатор-подложка, равном, высоте капли, причем сечение капли задают сечением дозатора, определяе.мым по формуле5:к,4 к,( )- -ем рр где 5 у, -...

Номер патента: 1046804

Опубликовано: 07.10.1983

Авторы: Гурьянов, Пустовалов, Реформатский, Стемпковский

МПК: H01L 21/66

Метки: микролитографии, совмещения, точности

...слоях,получаются нечеткими. Цель изобретения - повышение точности контроля. На чертеже показан рельеф, получаемый в результате микрогравировки,В результате последовательной пропечатки рисунков топологических слоев на одну и ту же прозрачную пленку 1, расположенную на подложке 2, элемен" ты этих рисунков представляют собой углубления, вписанные друг в друга, и образуют ступенчатый рельеф 3 с четкими очертаниями каждой ступени,Затем подложку наблюдают под микроскопом в отраженном свете. При этом ступенй рельефа оказываются поразному окрашенными за счет интерференции лучей 1 и 5 света, отраженных от нижней и верхней поверхностей прозрачной пленки соответственно, что обеспечивает хорошую контрастность изображения. Далее проводят измерение...

Номер патента: 432856

Опубликовано: 07.10.1983

Авторы: Завадский, Калашников, Карпова, Корнилов

МПК: H01L 43/10

Метки: полупроводниковое

...тем, что оно изготовпено из полупроводникового материала, в котором возможновозбуждение рекомбинационных волн вппазме полупровоцника, Характерным дляданного устройства является напичие четкого порога по магнитному попю и чувствительность, превышающая на нескопь Око порядков чувствитепьность ранее известных приборов. Прецлагаемое устройствооткрывает новые возможности испопьзо 1вания особенности эпектрических и магни"ных явлений в попупроводппах для созда ния разпичных технических устройств.Устройство может быть выпонено ввице пластины германия, помещенной вмагнитное попе и имеющей контакты, одиниз которых является выпрямпяющим, Ппастина германия легирована марганцем исурьмой в таких концентрациях, при которых возможно возбуждение...

Номер патента: 1003699

Опубликовано: 23.10.1983

Авторы: Горбатюк, Грехов, Коротков, Яковчук

МПК: H01L 29/74

Метки: обратной, переключения, проводимостью, тиристора

...перепочать какобычиый тнрастор, так и тнрвотор с обратной щюводимостью.Цепь изобретения - увеличение коммутируемой мощиостиии скорости коммутации тиристора с обратной проводимостью.Указанная цель достигается темчто вспособе переключения тиристора с обратсной проводимостью, находящегося в прямом блокирующем состоянии, прикладывается дополнительный импульс обратного,анод ного напряжения амплитуда н .длительность которого выбираются так, чтобыамплитуда и дпйтепьность обратного токаудов етворяпи соотношению2,бр М моав, игдеОр - амппитуда обратною тока;.- время начала протекания об.ратного тока;2 - время окончания протеканияобратного тока;- заряд эпектрона;Щ - ширина й -базовой областитиристора;8 - рабочая площадь тиристорайр- средняя...

Номер патента: 1049755

Опубликовано: 23.10.1983

Авторы: Мяннама, Ярвальт

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: перехода, пика, температурного

...сущности и достигаемому результату яв.ляется способ измерения температурного пикар - п перехода, при котором пропускают через переход модулированный ток и измеряютизменение напряжения на прямосмещенном пе-реходе 121,Недостатком указанцого способа, являетсянизкая чувствительность при измерениях в импульсном режиме.Целью изобретения является повыптениечувствительности к измеряемой температуре,Указанная цель достигается тем, что, в способе измерения температурного пика р - и перехода, при котором пропускают через переход модулированный ток и измеряют изменение напряжения на прямосмещенном переходе,ток через переход изменяют скачком, и в течение переходного процесса дополнительно изме.ряют напряжение на переходе,...

Номер патента: 1049837

Опубликовано: 23.10.1983

Автор: Пиняев

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: отбраковки, транзисторов

...сза счет отсутствия явления временногоЗ 5 близкой к нулю Энергией активации,отжига дефектов и более полного учета П р и м е р. Необходимо произвестиобъемных дефектов и утечек на поверх- разбраковку партии изготовленныхности полупроводникового криеталла. транзисторов типа МП 14, годные транЧем больше отличие реального транзис- зисторы по техническим условиям должтора от идеализированной модели, тем 40 ны иметь следующие параметры:больше будет превьааание величины тока коллектора при заданном прямом"кзотах15 В при 1 =+50 Ссмещении эмиттерного перехода.Цкэ,ц 10 В при-+70Для установившегосятехнологичес-О =-10 Вкого процесса изготовления полупро 8водниковых приборов величина 0 у"- оэЦ =-15 Вкэк30 мкА 4 ри =+20-С итанавливается также...

Номер патента: 1051077

Опубликовано: 30.10.1983

Авторы: Гайдялис, Ермакова, Каширский, Кузнецова, Лопырев, Мячина, Сидаравичюс, Синицкий, Усс

МПК: C07D 235/08, H01L 51/00

Метки: 1-винил-нафто-(2, 3)-имидазола, комплексы, полупроводниковых, фотопроводниковых

...(С=:1,08 10г-моль/л). Наблюдают появление темно-зеленой окраски,а в электронных спектрах обнаруживаютновую полосу поглощения с двумя максимумами при 540 и 613 нм. Составкомплекса 1:1,П р и м е р 5, При приливании к10 мл раствора 1-винил-нафто-(2,3) -имидазола в хлороформе (С=1,7 10 г-моль/л),10 мл раствора тетрацианэтилена в хлороформе С=2,19 10г-моль/л) наблюдают окрашивание совместного растворав цвет хаки. В электронных спектрах,появляются три новые полосы поглощения с максимумами 530, 580, 625 нм.Состав комплекса 1:1,П р и м е р 6, К 10 мл раст1-винил-нафто-(2,3)-имидазола вроформе (С 1,7 10 2 г-моль/л) прили6 ВНИМА ветложелты 540 О,80 0,5 613 25 0 Хлоран 0 трациаилен есцвет ый 0 65 Светложелтый 52 ринитро флуорено Хлоранил...

Номер патента: 1051621

Опубликовано: 30.10.1983

Авторы: Елисеев, Панкратов

МПК: H01L 21/306, H01L 21/68

Метки: защитный, экран

...были опробованы защитные свойства приспособлений с углами с 6 от 0 до 120 . Исследования показали, что травитель практически не проникает за пределы области касания приспособления со структурой, при е от 8 до 90 . Это можно объяснить следующим образом, используя фиг,2, на которой показан момент, предшествующий проникновению травителя уа границу 4, На каплю травителя действуют сила поверхностного электрических характеристик полупроводниковых структур.Указанная цель достигается тем,что в защитном экране, преимущественно в устройствах для травлениябоковой поверхности полупроводниковых пластин, выполненном в виде шайбы с фаской по периметру, на рабочейповерхности шайбы выполнен паз, боковые стенки которого расположены 10 под углом 8-900 к...

Номер патента: 1051622

Опубликовано: 30.10.1983

Авторы: Жердиенко, Новиков

МПК: H01L 21/66

Метки: полупроводниковых, приборов

...кассетойдля полупроводниковых приборов. 2блоку, выполненный в виде установленной с возможностью возвратнопоступательного перемещения панели .с,контактными элементами, кассета 5 установлена с возможностью переме.щения параллельно панели механизмадля подключения полупроводниковыхприборов к измерительному блоку, аконтактные элементы панели выполнены 10 в виде втулок с коническими отверстиями.При этом панель механизма дляподключения полупроводниковых прибо-ров к измерительному блоку снабжена упором, выполненным в виде ролика, установленного с возможностьювзаимодействия с кассетой для полупроводниковых приборов.На фиг.1 изображено устройство,общий виду на фиг.2 - вид А на фиг.1на фиг.З - контактный элемент.Устройство содержит кассету 1.с...

Номер патента: 1051623

Опубликовано: 30.10.1983

Авторы: Нестюрина, Роздобудько

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: анодным, ганна, диодах, катодного, контакта, контактом, омическим, типа

...работоспособностипредлагаемого способа.Исследовались диоды Ганна, изготовленные на основе арсенидгаллиевойэпитаксиальной структуры типа и - ис концентрацией доноров .в и -области2-410 см , толщиной и областий8-10 мкм. Технология изготовленияконтактов указанных диодов включаласоздание катодного контакта типабарьера Шоттки, ВАХ которого несимметрична, и заведомо омическогоанодного контакта,В качестве источника света использовался лазер ЛГ-1 с длиной волны 0,63 мкм диаметром луча 400 мкм,и 30 мощностью излучения8 мВт.Диод Ганна облучали со стороныкатодного контакта сфокусированнымлучом Лазера. Фото-ЭДС регистрировали между анодным и катодным контакЗ 5 тами диода Ганна вольтметром постоянного тока. Измеренное значение разности потенциалов...

Номер патента: 1051624

Опубликовано: 30.10.1983

Авторы: Гусев, Малинин, Мочалин, Родионов, Смирнов, Хрычев, Щипунов, Юшкин

МПК: H01L 21/66

Метки: параметров, полупроводниковых, слитков, электрофизических

...пружиной 13В ручке 9 установлен микровыключатель 14 для включения измерительногоблока 3, Для фиксации каретки 7 вцентре направляющей 5 предусмотренфиксатор 15, а для фиксации положения тарели 4 относительно корпуса1 - фиксатор 16,.Механизм фиксации корпуса 1 относительно слитка 17 выполнен в видерычагов 18 и 19, попарно установленЗ 0 ных на поворотных осях 20, размещенных на корпусе 1, Рычаги 18 установлены на осях 20 шарнирно и кинематически связаны с ними пружинами21. На концах рычагов 18 шарнирно 35 закреплены угловые упоры 22, имеющие корпусный выступ 23. Рычаги 19жестко закреплены на осях 20 и снаб.жены упругими прижимами 24, шарнирно закрепленными на концах рычагов 40 19 и выполненных в виде упругихэластичных шайб 25....

Номер патента: 1051625

Опубликовано: 30.10.1983

Авторы: Пыж, Староверов, Хомич

МПК: H01L 21/66

Метки: полупроводниковых, приборов, сортировки

...р 40и выполнены с направс нап авляющими 11 инеравномерные промежутки времениствами для перемещения кассет послучайной величины, что ребут еб ет по- . средствамстоянного присутствия оператора иснижает производительность р рсо ти овки я транспор2 иэ механизмазма 1 подачи иолупроводнибо ов ме ани мы 8 рЦель зобр етения - повышение производительности в работе.об 12 установлеНные подель остигается тем,Укаэанная цель дост анаправляющими 3 механизма 1 подачичто устройство для сортировки полуполупроводниковыиковых приборов и выполненпроводниковых приборов, сбдержащеемеханизм подачи полупроводниковыхиными напротивдля кассет, расположеприборов иэ кассет, блок сортиров 11 механизмов 8 загрузки полупроводниковых ир рп ибо ов и меха- направляюших...

Номер патента: 1053188

Опубликовано: 07.11.1983

Автор: Булахов

МПК: H01L 21/00

Метки: подложкой, совмещения, фотошаблона

...во для совмещения Фотошаблона с подложкой, преимущественно в установках для фотолитографии, содержащее шабло"нодержатель с микроманипулятором,стол для крепления подложки, установленный на перпендикулярных к егоплоскости штоках, и механизм подъемаи выравнивания стола, снабженныйпружиной, снабженО пальцами радиально размещенными на столе и шарнирносоединенными со штоками, каждый изкоторых установлен с возможностьюповорота вокруг оси.На чертеже показана кинематичес"кая схема предлагаемого устройства,Устройство состоит из каретки 1,установленной в шариковые направляющие 2. Вертикальный ход каретки 1ограничиваетсявинтами 3 и упором 4.Нижней плоскостью каретка 1 упирается в шток пневмокамеры 5, а силовоезамыкание осуществляется пружиной...

Номер патента: 1053189

Опубликовано: 07.11.1983

Автор: Барбакадзе

МПК: H01L 21/66

Метки: диффузии, коэффициента, полупроводниках

...отжига и значение коэффици" ента диффузии легирующего элемента в полупроводник, тем меньше глубина разлегированной области. В случае когда глубина разлегированной припонерхностной области не превышает 1 линейных размерон столбика полупроводника, отношение его разлегированного объема к неразлегиронанному настолько мало (менее, чем 5), что кинетику удаления легирующего элемента через любую его грайь можно рас". смотреть как диффузию примеси из полуограниченного тела со снязынающей границей. Если прикладывать к торцам такого столбика полупроводника металлические электроды и измерить со стороны боковой грани распределениеэлектрического сопротивления по еедлине (от одного до другого электро"да), на полученной кривой электросопротивления...

Номер патента: 1053190

Опубликовано: 07.11.1983

Авторы: Бараускас, Флейтман

МПК: H01L 41/09, H02N 2/12

Метки: вращательного, движения

...значительных по величине радиальных усилий последовательно каждым кольцевым пьезокерамическим преобразователем расположенным на опорной оси, установленной на основании, образующих волновую деформацию упругого элемента, за счеткоторой одновременно все кольцевые пьезокерамические преобразователи поворачиваются, образуя передачу вращения между ротором и упругим элементом, позволяет повысить момент вращения., Кольцевые пьеэокерамические преобразователи при этом выполняют двойную Функцию, заключающуюся как в образовании периодических усилий, приводящих к образованию бегущей волны, так и обеспечении фрикционной передачи качения от упругого элемента к ротору.На Фиг,1 изображено предлагаемое устройстводля получения. вращательного...