H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 1384129

Опубликовано: 10.05.1997

Авторы: Вето, Хотянов, Шилин

МПК: H01L 27/04

Метки: логический, элемент

Логический элемент НЕ, содержащий полупроводниковую подложку, в которой сформирован n-канальный МДП-транзистор, затвор которого является входом, а сток выходом элемента, и шину питания, подключенную к положительному полюсу источника питания, другим полюсом подключенного к подложке, отличающийся тем, что, с целью повышения плотности компоновки, с обратной стороны подложки создан дополнительный n+-слой, подключенный к шине питания, причем расстояние l1 между дополнительным n+-слоем и областью стока МДП-транзистора удовлетворяет соотношениюгде п-...

Номер патента: 1649974

Опубликовано: 20.05.1997

Авторы: Болотов, Камаев, Эмексузян

МПК: H01L 31/18

Метки: инфракрасной, области, спектра, фоточувствительного, элемента

Способ изготовления фоточувствительного элемента для инфракрасной области спектра, включающий легирование кремния донорной примесью с мелкими уровнями и создание омических контактов, отличающийся тем, что, с целью увеличения обнаружительной способности элемента за счет уменьшения шумов, после создания омических контактов проводят обработку в среде, содержащей свободные ионы водорода, до создания на границе раздела среда кремний концентрации водорода NH 4 1015 см-2 при 320 600 К в течение времени, необходимого для проникновения ионов водорода на всю...

Номер патента: 1649975

Опубликовано: 20.05.1997

Авторы: Болотов, Камаев, Эмексузян

МПК: H01L 31/18

Метки: инфракрасной, области, спектра, фоточувствительного, элемента

1. Способ изготовления фоточувствительного элемента для инфракрасной области спектра, включающий формирование в подложке на основе сильно легированного мелкой примесью кремния слоя с подавленной прыжковой проводимостью и нанесение омических контактов, отличающийся тем, что, с целью повышения обнаружительной способности за счет снижения темнового тока, подложку выдерживают при 320 470 К в течение 0,5 10,0 ч в среде, содержащей свободные ионы водорода в количестве, достаточном для создания на границе раздела среда полупроводник концентрации водорода 3 1016 см-3.

Номер патента: 1482478

Опубликовано: 27.05.1997

Автор: Монахов

МПК: H01L 29/74

Метки: тиристором

Способ управления тиристором, выполненным в виде полого цилиндра с коаксиально расположенными полупроводниковыми слоями и электродами путем создания избыточного заряда в базовых областях, отличающийся тем, что, с целью упрощения схемы управления за счет обеспечения гальванической развязки по цепи управления и уменьшения времени включения, ток управления наводят в электродах и внешних полупроводниковых слоях, выполненных в виде винтообразных полос, с помощью индуктора, обеспечивающего изменение магнитного потока в соответствии с выражениемгде dФ/dt скорость изменения магнитного потока, проходящего внутри полой полупроводниковой структуры;

Номер патента: 1414238

Опубликовано: 10.06.1997

Автор: Монахов

МПК: H01L 29/06

Метки: полупроводниковый, прибор

1. Полупроводниковый прибор, содержащий полупроводниковую структуру в виде полого цилиндра с коаксиально расположенными полупроводниковыми слоями, образующими p-n-переходы, внутренний и внешний электроды, образующие с областями структуры омические контакты, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей и повышения степени интеграции, вдоль образующей цилиндра на внешней и внутренней поверхностях выполнено не менее двух канавок, пересекающих по крайней мере один p-n-переход.2. Прибор по п.1, отличающийся тем, что, с целью уменьшения времени выключения, канавки выполнены с глубиной, меньшей протяженности области пространственного заряда в базе блокирующего p-n-перехода.3. Прибор по п.1, отличающийся тем,...

Номер патента: 1702831

Опубликовано: 27.06.1997

Авторы: Гасанов, Головин, Садыгов, Юсипов

МПК: H01L 31/06

Метки: лавинный, фотоприемник

...полупроводниковой области не имеют возможности непосредственно инжектироваться в объем буферного слоя,На границе раздела полупроводниковая область - подложка достигается локальная отрицательная обратная связь между темпом лавинного процесса и величиной падения напряжения в буферной области. Эффективности отрицательных обратных связей, достигаемые на соседних границах раздела, не зависят друг от друга, за счет этого улучшается стабильность характеристик устройства, Расстояние 1 между полупроводниковыми областями находится в интервале д1(%макс + 1.д), где д - толщина буферного слоя, %макс - максимально возможное значение толщины обедненного1702831 ФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯ слоя в полупроводниковой подложке при лавинном пробое, Ед -...

Номер патента: 776432

Опубликовано: 20.10.1997

Автор: Шпади

МПК: H01L 37/04

Метки: двигатель, радиационно-магнитный, шпади

1. Радиационномагнитный двигатель, содержащий ротор с постоянным магнитом, ферромагнитный ротор, средства отвода тепла и систему изменения магнитных свойств ротора, отличающийся тем, что, с целью повышения скорости вращения двигателя, ротор выполнен стаканообразным из радиационно-чувствительного ферромагнитного материала, например феррита бария, а система изменения магнитных свойств ротора выполнена в виде двух полуцилиндров, размещенных на общей полуоси соосно ротору, один из которых является источником радиоактивного излучения, другой радиационным экраном для радиоактивного излучения.2. Двигатель по п.1, отличающийся тем, что, с целью регулирования вращающего момента и направления вращения ротора, система изменения магнитных...

Номер патента: 1568803

Опубликовано: 10.11.1997

Авторы: Двуреченский, Коляденко

МПК: H01L 21/268

Метки: изоляторе, кремния, монокристаллических, островков

Способ изготовления монокристаллических островков кремния на изоляторе, включающий формирование на монокристаллической подложке разделительного диэлектрика, осаждение слоя поликремния, формирование островков поликремния, осаждение капсулирующего диэлектрического слоя и рекристаллизационный отжиг импульсным нагревом в режиме плавления поликремния, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона используемых разделительных диэлектриков и упрощения технологии, островки поликремния располагают на расстоянии 5 50 мкм друг от друга, а рекристаллизационный отжиг проводят при длительности импульса 1 30 мс и плотности энергии излучения 24 100 Дж/см2.

Номер патента: 1820820

Опубликовано: 20.02.1998

Авторы: Коваль, Лавриненко, Левицкий

МПК: H01L 41/09, H02N 2/00

Метки: двигатель, пьезоэлектрический

...от корпуса 1 и с помощью гайки 5 плотно прижаты друг к другу, На шайбе 2 закреплены упругие пластины-тол кат ели 3, прижатые одним концом к боковой поверхности ротора 10 (фиг, 1) и выполненные, например, из стали 65 Г 2 ПС. Пластины-толкатели 3 закреплены на шайбе с помощью пайки (фиг.4) или обжимом (фиг, 5). Пьезоэлемент выполнен в виде пьезоэлектрического диска с отверстием и с электродами на боковых или цилиндрических поверхностях, которые подключены к источнику переменного напряжения (на фиг. 1-5 не показаны), Направление поляризации (на чертеже не показано) перпендикулярно поверхности электродов. Пьезоэлектрический двигдтель, содержащий коаксиально расположенные ротор и стдтор, по крайней мере один осциллятор рддидльных колебаний в...

Номер патента: 1736304

Опубликовано: 20.03.1998

Авторы: Валеев, Волк, Воротилов, Петровский

МПК: H01L 21/324

Метки: диэлектрического, изолирующего, интегральных, металлизации, многоуровневой, планаризации, слоя, схемах

Способ планаризации изолирующего диэлектрического слоя многоуровневой металлизации в интегральных схемах, включающий нанесение плазмохимическим методом на поверхность интегральной схемы с металлизацией первого слоя диоксида кремния, последующее нанесение пленкообразующего спиртового раствора тетраэтоксисилана, отжиг при 100-150oC при нагревании со стороны подложки с образованием планаризующего слоя диоксида кремния, плазмохимическое травление этого слоя, нанесение второго слоя диоксида кремния, отличающийся тем, что, с целью повышения качества планаризации за счет устранения растрескивания и отслаивания слоев диоксида кремния, нанесение пленкообразующего раствора производят при температуре подложки 40-60oC, а отжиг...

Номер патента: 1686983

Опубликовано: 27.06.1998

Авторы: Заддэ, Кузнецов, Курсакова, Сурьянинова, Токарев

МПК: H01L 31/18

Метки: n+-p-p+, изготовлении, кремниевых, структур, формирования, фотопреобразователей

Способ формирования n+-p-p+-структур при изготовлении кремниевых фотопреобразователей, включающий создание на противоположных сторонах кремниевой пластины источника фосфора и источника бора в виде боросиликатной пленки из пленкообразующего раствора с содержанием оксида бора в нем 20 - 60 мас.%, последующую термодеструкцию, термическую диффузию фосфора и бора в кремниевую пластину, удаление окисной пленки с двух сторон пластины, отличающийся тем, что, с целью повышения коэффициента полезного действия фотопреобразователей за счет управления профилем распределения примесей n-типа и исключения взаимного влияния примесей, диффузию фосфора проводят в две стадии, при этом на первой стадии в качестве источника фосфора...

Номер патента: 1814460

Опубликовано: 10.08.1998

Авторы: Заддэ, Старшинов, Толмачева

МПК: H01L 31/18

Метки: фотопреобразователей

...наносились растворные композиции типа КФКи КБК, после чего проводился отжиг образовавшихся пленок, ведущий к образованию фосфорносиликатного стекла на поверхности и -р-р -структур и боросиликатного стекла + ++ +на поверхности р -и-и -структур, Затем методом фотолитографического травления сплошные слои стекол переводились в рисунки, соответствующие контактной металлизации. На подложки с рисунками наносились слои Зп 02, АЬ 02, Се 02, Т 120 З, ХЬ 20 ю, Та 20 з, ЯЗХ 4. При этом использовались следующие стандартные методы:для нанесения Б 102 - пиролиз БпС 14 на горячей (-350 С) подложке;для нанесения А 120 з и Се 02 - метод магнетронного распыления;для нанесения Т 120 з, ИЬ 205, Та 205 нанесение на центрифуге пленки растворной...

Номер патента: 1779208

Опубликовано: 10.08.1998

Авторы: Безмен, Заддэ, Старшинов

МПК: H01L 31/18

Метки: антиотражающим, покрытием, фотопреобразователей

Способ изготовления фотопреобразователей с антиотражающим покрытием, включающий формирование неоднородно залегающего p-n-перехода в полупроводниковой пластине методом двойной диффузии с проведением на одном этапе локальной диффузии в подконтактные области через маску, а на другом - диффузии по всей поверхности пластины, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления, после проведения на первом этапе диффузии по всей поверхности полупроводниковой пластины создают маску для локальной диффузии в подконтактные области на втором этапе нанесением пленки из пятиокиси ниобия или тантала толщиной 0,04 - 0,24 мкм, а локальную диффузию осуществляют при температуре не выше 1100oС, при этом нанесенную пленку из пятиокиси...

Номер патента: 1362370

Опубликовано: 27.10.1998

Авторы: Горин, Есипенко, Степанова

МПК: H01L 39/22

Метки: измерительное, свч-накачкой, сквиде

Измерительное устройство на СКВИДе с СВЧ-накачкой, состоящее из первого генератора накачки, СКВИДа с СВЧ-накачкой и последовательно соединенных усилителя и детектора, отличающееся тем, что, с целью повышения чувствительности и упрощения изготовления и настройки, в него введены второй генератор накачки и промежуточный LC-контур, имеющий резонансную частоту, равную разности частот генераторов накачки, причем выход второго генератора соединен с СВЧ-входом СКВИда, а промежуточный LC-контур подключен непосредственно к СКВИДу в двух точках на расстоянии, равном половине длины волны генератора накачки.

Номер патента: 1783940

Опубликовано: 27.03.1999

Авторы: Булышев, Иванов, Парфенов, Серых, Шнейдер

МПК: H01L 39/24

Метки: высокотемпературных, покрытий, сверхпроводящих

Способ получения высокотемпературных сверхпроводящих покрытий на подложках из поликристаллической окиси алюминия, включающий приготовление суспензии из YBa2Cu3O7, формирование покрытия и термообработку, отличающийся тем, что, с целью повышения критических параметров, перед формированием покрытия формируют промежуточный слой путем нанесения суспензии на подложку и термообработки при 1100 - 1200oС в течение 5 - 20 мин с последующей закалкой при комнатной температуре.

Номер патента: 1644708

Опубликовано: 20.04.1999

Авторы: Головин, Садыгов, Тарасов, Юсипов

МПК: H01L 31/06

Метки: лавинный, фотоприемник

Лавинный фотоприемник, содержащий последовательно расположенные полупроводниковую подложку, буферный слой, полевой электрод, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности устройства, на поверхности полупроводниковой подложки под буферным слоем сформированы области обратного по отношению к подложке типа проводимости, напряжение пробоя поверхности подложки внутри областей меньше, чем вне их, а расстояние между областями не меньше толщины буферного слоя.

Номер патента: 1366005

Опубликовано: 10.05.1999

Автор: Гурин

МПК: H01L 27/10

Метки: нейроскоп

Нейроскоп, включающий нейристорные линии, образованные полупроводниковыми приборами с отрицательным дифференциальным сопротивлением, выполненными в единой полупроводниковой подложке, с одной стороны которой нанесен первый общий для всех приборов сплошной электрод, а с другой стороны выполнены дискретные электроды к каждому прибору, на которые нанесен электролюминесцентный слой, покрытый вторым общим светопроницаемым электродом, отличающийся тем, что, с целью повышения яркости изображения, на части площади дискретных электродов выполнен резистивный слой, покрытый дополнительным общим электродом, а на другой части площади дискретных электродов между ними и электролюминесцентным слоем введен...

Номер патента: 997580

Опубликовано: 10.05.1999

Авторы: Гурин, Гурина

МПК: H01L 27/00, H04N 3/18

Метки: нейроскоп

Нейроскоп, строки которого выполнены в виде нейристорной линии, содержащей полупроводниковые элементы с отрицательным дифференциальным сопротивлением, электролюминесцентный слой со светопроницаемым электродом и фоточувствительный слой, между которыми расположены островковые прослойки, проводящую подложку и общий электрод, отличающийся тем, что, с целью стабилизации скорости сканирования, дополнительно сформированы основные и дополнительные матричные электроды, расположенные между фоточувствительным слоем и емкостным нагрузочным слоем, размещенным на проводящей подложке, при этом общий электрод расположен на электролюминесцентном слое и под ним размещены основные островковые светопроницаемые...

Номер патента: 900765

Опубликовано: 10.05.1999

Авторы: Гурин, Чернятьев

МПК: H01L 31/173

Метки: транспарант, управляемый

Управляемый транспарант, содержащий пластину из электрооптического материала, на одной стороне которой расположен первый светопроницаемый электрод, на другой стороне пластины - последовательно расположенные зеркальный слой, фоторезистивный слой и второй светопроницаемый электрод, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности транспаранта, в него введены последовательно размещенные на втором светопроницаемом электроде модулирующий слой, светопроницаемый резистивный слой, слой светоизлучающего полупроводника с отрицательным дифференциальным сопротивлением, разделенный на дискретные области, промежутки между которыми заполнены светопроницаемым материалом, и проводящий слой.

Номер патента: 1519473

Опубликовано: 10.05.1999

Авторы: Коротков, Федоров, Хайдаров

МПК: H01L 51/00

Метки: фотопреобразователь

Фотопреобразователь, содержащий прозрачную стеклянную подложку, полупрозрачный тонкопленочный металлический электрод, фоточувствительный слой и второй тонкопленочный металлический электрод из А1, отличающийся тем, что, с целью увеличения фоточувствительности на длине волны падающего света = 550 нм, фоточувствительный слой изготовлен из линейного хинакридона -модификации.

Номер патента: 1435106

Опубликовано: 27.05.1999

Авторы: Арзуманян, Матнищян, Мелконян, Федоров, Шорин

МПК: H01L 31/18

Метки: преобразователей, тонкопленочных, фотоэлектрических

Способ изготовления тонкопленочных фотоэлектрических преобразователей, включающий нанесение фоточувствительного слоя на подложку с электродом, легирование его кислородом воздуха и нанесение верхнего электрода, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности переключения фотоэлектрического преобразователя, в качестве фоточувствительного слоя используют полимерный комплекс нафталина с иодом.

Номер патента: 1041010

Опубликовано: 27.05.1999

Автор: Гурин

МПК: H01L 27/10, H04N 3/18

Метки: нейроскоп

Нейроскоп на основе строк, выполненных в виде светоизлучающих нейристорных линий, включающих заключенные между двумя шинами питания слой полупроводника, дискретные области которого имеют отрицательное дифференциальное сопротивление, и матричные электроды, образующие соединенные последовательно приборы по возбуждению с отрицательным дифференциальным сопротивлением, слой диэлектрика и нагрузочный электролюминесцентный слой, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей, матричные электроды смежных приборов с отрицательным дифференциальным сопротивлением соседних нейристорных линий-строк электрически соединены между собой, каждый прибор с отрицательным сопротивлением...

Номер патента: 1614465

Опубликовано: 27.05.1999

Авторы: Майзлиш, Маслеников, Смирнов, Федоров, Шапошников, Шорин

МПК: C09B 47/04, H01L 27/12

Метки: 3-тетрахлор)-фталоцианин, качестве, основы, полупроводникового, преобразователей, фотоэлектрических, хлоралюминий-(3

Хлоралюминий-3,3',3'',3'''-тетрахлор)-фталоцианин формулыв качестве основы полупроводникового материала для фотоэлектрических преобразователей.

Номер патента: 1508563

Опубликовано: 27.05.1999

Авторы: Альянов, Ананьева, Мелконян, Федоров, Шорин

МПК: C09B 47/04, H01L 31/04

Метки: бис(индийфталоцианин)-фталоцианина, двухслойного, качестве, солнечного, элемента

Бис(индийфталоцианин)-фталоцианина формулы в качестве материала двухслойного солнечного элемента.

Номер патента: 1512105

Опубликовано: 27.05.1999

Авторы: Майзлиш, Смирнов, Сорокина, Федоров, Шапошников, Шорин

МПК: C09B 47/04, H01L 51/30

Метки: 4-тетрахлор)-фталоцианин, качестве, полупроводникового, терморезисторов, хлоргаллий-(4

Хлоргаллий-(4', 4'', 4''', 4''''-тетрахлор)-фталоцианин формулыв качестве полупроводникового материала для изготовления терморезисторов.

Номер патента: 1072684

Опубликовано: 27.05.1999

Автор: Гурин

МПК: H01L 27/144

Метки: нейристор

Нейристор, содержащий два проводящих электрода, по крайней мере один из которых светопроницаемый, между которыми размещены слой светоизлучающего полупроводника с отрицательным дифференциальным сопротивлением, разделенный на дискретные области, промежутки между которыми заполнены светопроницаемым материалом, и нагрузочный слой, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей, нагрузочный слой выполнен из электролюминесцентного материала, преимущественно на основе ZnS, а светоизлучающий полупроводник с отрицательным дифференциальным сопротивлением имеет ширину запрещенной зоны по крайней мере больше 1,6 эВ и выполнен преимущественно на основе твердых растворов...

Номер патента: 1533569

Опубликовано: 10.06.1999

Авторы: Волле, Воронков, Гейфман, Грехов, Гусинский, Козлов, Найденов

МПК: H01L 21/26

Метки: структур, тиристорных

Способ изготовления тиристорных структур, включающий формирование в полупроводнике p+-n-p-n+ слоев, изготовление и пассивацию краевого контура, облучение структуры протонами со стороны управляющего электрода сквозь n+ эмиттерный слой, отличающийся тем, что, с целью уменьшения потерь мощности в проводящем состоянии при заданном уровне времени выключения, облучение проводят после формирования p+-n-p-n+ слоев, облучение ведут при интенсивности потока протонов не более 1010 прот см-2 ...

Номер патента: 795319

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Верходанов, Гаштольд, Герасименко

МПК: H01L 21/265

Метки: памяти, элементов

Способ изготовления элементов памяти, включающий последовательное формирование на полупроводниковой подложке первого туннельно тонкого слоя диэлектрика, второго слоя диэлектрика, обладающего эффектом запоминания, и электрода, отличающийся тем, что, с целью повышения времени хранения записанной в элемент памяти информации, перед формированием электрода производят ионное легирование второго слоя диэлектрика ионами элементов из группы веществ, атомный вес которых превышает атомный вес каждого из составляющих диэлектрик элементов, включающей фосфор, аргон, галлий, мышьяк и криптон, с дозой (5 1014 - 1

Номер патента: 795340

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Болдырев, Курышев, Ли, Половинкин

МПК: H01L 27/148

Метки: зарядовой, прибор, связью

Прибор с зарядовой связью, состоящий из регистра и входного устройства, содержащего управляющий элемент, инжектирующий диод, входной диод, два входных затвора, затвор переноса и шины управления, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности, в него введены два МДП-транзистора, истоки которых электрически соединены с входным диодом, затворы - с шинами управления, а стоки - с входными затворами.

Номер патента: 1190857

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Верходанов, Герасименко, Мясников, Ободников

МПК: H01L 21/268

Метки: кремниевых, пластин, полупроводниковых

Способ очистки полупроводниковых кремниевых пластин путем воздействия на поверхность лазерным излучением, отличающийся тем, что, с целью обеспечения очистки поверхности пластин от механических загрязнений, кремниевые пластины подвергают воздействию лазерного излучения с длиной волны 1,06 0,000365 мкм, удельной мощностью 318 Вт/см2 - 15 кВт/см2 и длительностью воздействия 50 - 200 мс.