Канакин

Номер патента: 1009250

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Канакин, Кляус, Ли, Черепов

МПК: H01L 27/04

Метки: ввода, зарядовой, приборах, связью, сигнала

Устройство ввода сигнала на приборах с зарядовой связью, содержащее подложку с входной областью, слой диэлектрика с расположенными на нем входным затвором, затвором накопления, затвором переноса, а также последовательно расположенные и связанные зарядовой связью первую стоковую область, первый затвор, вторую стоковую область, второй затвор, который электрически связан с входным затвором и второй стоковой областью, и шину опорного потенциала, отличающееся тем, что, с целью повышения чувствительности, устройство дополнительно содержит шину управления и МДП-транзистор, сток которого соединен с шиной опорного потенциала, затвор - с шиной управления, а исток - с входной областью, при этом второй...

Номер патента: 795343

Опубликовано: 20.07.1995

Авторы: Канакин, Ли

МПК: H01L 27/148

Метки: ввода, зарядовой, приборах, связью, сигнала

УСТРОЙСТВО ВВОДА СИГНАЛА НА ПРИБОРАХ С ЗАРЯДОВОЙ СВЯЗЬЮ, содержащее полупроводниковую подложку с входной диффузной областью противоположного подложке типа проводимости, слой диэлектрика и расположенные поверх него первый и второй входные затворы и затвор переноса, отличающееся тем, что, с целью повышения чувствительности, устройство дополнительно содержит стоковую и истоковую диффузионные области противоположного подложке типа проводимости и пять затворов, причем первый и второй затворы зарядно связаны между собой, с вторым входным затвором и затвором переноса, третий затвор зарядно связан с вторым затвором и электрически с первым затвором и истоковой диффузионной областью, которая отделена от стоковой диффузионной области четвертым...

Номер патента: 807989

Опубликовано: 30.12.1994

Авторы: Канакин, Портнягин, Скуратов

МПК: H03K 17/693

Метки: коммутатор, многоканальный

МНОГОКАНАЛЬНЫЙ КОММУТАТОР, каждый канал которого содержит первый и второй коммутирующие МДП-транзисторы, сток первого и второго коммутирующих МДП-транзисторов, истоки которых объединены и подключены к выходной шине, соединены с первой и второй входными шинами, соответственно, затворы коммутирующих МДП-транзисторов через резисторы подключены к управляющим шинам устройства, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности функционирования, в каждый канал коммутатора введены первый и второй дополнительные МДП-транзисторы, причем сток первого и сток второго дополнительных МДП-транзисторов, истоки которых объединены и соединены с объединенными истоками первого и второго коммутирующих МДП-транзисторов, соединены соответственно с затвором...

Номер патента: 1612802

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Канакин, Мануйлова, Наймарк, Соломенников

МПК: G11C 19/28

Метки: мдп-транзисторах, памяти, регистра, сдвига, ячейка

...выводе.варактора 5 остается и передаОщцй транзистор 3 остается открытым. Затем напряжение па входе 8 (сток ключевого транзистора 2) умецьшаетсн до нуля, Па второй так- тоный вход 7 подается высокое ца" 1 ряжение, которое поступает ца сток передающего транзистора 3, па затвор цагруэочного транзистора А и ца эатвоР ключевого тРаизцстоуа 2 после дд дующей ячейки памяти, так как отно1 Д шецие - цагруэочного транзистора 41.меньше, чем у передающего транзистора 3, то напряжение на выходе первой ячейки близко к напряжению навтором тактовом входе 7. Это напряжение через открытый ключевой транзистор 2 последующей ячейки регистрапередается ца первый вывод варактораэтой ячейки и открывает передающийтранзистор 3 точно так же, как впредыдущей...

Номер патента: 684741

Опубликовано: 05.09.1979

Авторы: Канакин, Малинин, Портнягин, Хлусов

МПК: H03K 17/60

Метки: аналоговый, ключ

...напряжению коллектора транзистора 3 и отличается от напряжения источника ни.тания 13 на величину, равную падению напряжения на переходе эмиттер-база открытого транзис.тора 4,35Напряжение на коллекторе транзистора 4 рав. но источнику питания 13, Диод 14 прямо смещен, поэтому потенциал на базе транзистора 3будет выше напряжения источника питании навеличину падения нанряжсния на открытом дио Одв 14. Поскольку транзистор 3 открыт, то потенциал на эмиттерах транзисторов 1 и 3 будетвылив потенп;нала базы транзистора 3 на величину падения напряжения на открытом р - и переходе эмиттер-база, Так как переход эмиттер.база фтрмцнстора 1 обратно смещен, транзистор 1 закрыт н ток его коллектора равен нулю. Отсюдаследует, что и транзистор 2 закрьгг,...

Номер патента: 249855

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Вильнер, Канакин, Лосев, Петров, Сусликов

МПК: F16F 15/08

Метки: 249855

...передаваться опорой в продольном направлении и снижаться в поперечных направлениях. 15 Опора, содержащая основания, связанныемежду собой отрезками троса, расположенными параллельно оси опоры, отличающаяся тем, что, с целью увеличения жесткости опоры вдоль ее оси и обеспечения податливости ее 20 в поперечных направлениях, она снабженарасположенным между основаниями в сжатом состоянии эластичным элементом с отверстиями, через которые проходят отпезки троса,Известны опоры, содержащие основания, связанные между собой отрезками троса, расположенными параллельно оси опоры.Предложенная опора отличается тем, что она снабжена расположенным между основаниями в сжатом состоянии эластичным элементом с отверстиями, через которые проходяг...