H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 1797407

Опубликовано: 20.04.1996

Авторы: Василевич, Довнар, Красницкий, Турцевич, Химко

МПК: H01L 21/28

Метки: интегральных, межэлементные, соединения, схем

...0,3 мкм.Содержание фосфора в ФСС, определенное при помощи рентгенофлуоресцентного анализа, составляло 3,5 мас,. Псаждение плазмохимического нитрида кремния осуще ствлялось на установке Ладас горизонтальным трубчатым реактором и горячими стенками при температуре 300+3 С и вводом мощности сзади при частоте 40 кГц, Плотность мощности при осаждении составила 50 мВт/см, суммарный поток газовой смеси не превышал 2500 см /мин. Использовалась следующая парогазовая смесь: 31 Н 4-КНз-й 2. Давление 110-130 Па. Межэлементные соединения согласно прототипу реализовали при помощи литографии и сухого травления двухслойной структуры для формирования областей для присоединения выводов. Предлагаемые межэлементные соединения интегральных схем реализовали...

Номер патента: 1797411

Опубликовано: 20.04.1996

Авторы: Квасов, Сологуб

МПК: H01L 21/316

Метки: диэлектрик, структуры, формирования, —полупроводник

...Р 2 = 0,15 Па, Рз = 0,2 Па для структуры и-типа кремний - 3102. На фиг.2 кривые 7-9 показывают зависимость плотностиповерхностного заряда на границе р-типакремний - Яза при акустическом давленииР = 0,1 Па, Р 2 = 0,15 Па, Рз = 0,2 Па соответственно, кривые 10-12 - зависимость плотности поверхностного заряда на границеи-типа кремний - 31 зй 4 при акустическомдавлении Р = 0,1 Па, Р 2 = 0,15 Па, Рз = 0,2Па соответственно,Перечисленные существенные отличияприводят к переходу системы дефектов вравновесное состояние, вызывает десорбцию загрязняющих ионов с поверхности, чтосопровождается уменьшением величины отрицательного заряда на границе разделакремний - диэлектрик или изменением знака заряда и соответственно приводят кповышению качества...

Номер патента: 1371445

Опубликовано: 27.04.1996

Авторы: Манжа, Патюков, Чистяков

МПК: H01L 21/265

Метки: интегральных, транзисторов

...250-300 нм. Осаждают первый слой поликремния толщиной 300 нм, маскируют его нитридом кремния толщиной 100- 150 нм и под защитой фоторезистора в Я зй 4 вскрывают окна о местах комбинированной изоляции и осуществляют селективное окисление первого слоя голикремния при Т = 1123 К и Р = 10 атм. Удаляют нитрид крем ния, ионным легированием вводят бор с Е = =60 кэВ и О = 3,7510 сгл о первый слой13 -2поликремния и осаждают окисел кремния толщиной 500 нм. Под защитой фоторезистд плазмохимическим травлением удаляют окисел кремния и первый слой поликремния и осаждают окисел кремния иэ паров дихлорсилана и закиси азота при Т = 1123 К прн пониженном давлении, толщиной 500 нм, Далее ионно-реактивным травлением удаляют окисел кремния со дна...

Номер патента: 1805788

Опубликовано: 27.04.1996

Авторы: Базыленко, Гулевич, Цыбулько

МПК: H01L 21/306

Метки: двухкамерных, поверхности, проводящим, слоем, структур, сухого, травления, установках

...между реакционными обьемами приводит к, невоспроизводимости в определении момента окончания травления. Во избежание этого возмОжны два варианта распределения времени между реакционными объемами: а) тй 11+гй 21 и б) тй 12+тй 22 где тй 1 и тй 2 - время обработки соответственно в первом и втором реакционном обьемах. При этом учтено время стабилизации разряда, в течение которого контроль невозможен. В варианте а) момент окончания травления определяют в первом реакционном обьеме, а в варианте б) - во втором, Максимальной производительности соответствует тот из двух названных вариантов, для которого разница времени обработки в обоих реакционных объемах меньше, т.е, для которого меньше (тй 1 - тй 2). исходя из этого. условие реализации варианта...

Номер патента: 1805793

Опубликовано: 27.04.1996

Авторы: Боднар, Корольков, Толубаев

МПК: H01L 21/82

Метки: биполярных, интегральных, создания, структур

...поверхности кремния продуктами реакции обеспечивается 20-40-ным содержанием гексафторида серы в травящей смеси.4045 5055 обработку структур при температуре 510 Св среде азота в течение 15 мин.Использование предлагаемого способасоздания интегральных структур позволитувеличить коэффициент усиления по току биполярных транзисторов в 1,5 - 2 раза, снизить величины контактного сопротивления к эмиттерным областям на 30 - 50, контактного сопротивления к базовым областям в 1,3-2 раза (при температуре - 60 С - в 5 - 8 раз), уменьшить ток утечки обратной ветвидиодов Шоттки в 3 - 4 раза при коэффициенте неидеальности 1,03 - 1,04. Улучшение данНых параметров интегральных структур позволяет исключить отказы по статическим и динамическим...

Номер патента: 1093184

Опубликовано: 27.04.1996

Авторы: Манжа, Мирошников, Патюков, Чистяков, Шурчков, Щербинин

МПК: H01L 27/02

Метки: изоляцией, интегральной, комбинированной, структура, схемы, элементов

СТРУКТУРА ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ С КОМБИНИРОВАННОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ ЭЛЕМЕНТОВ, содержащая сформированные в кремниевой подложке области с эпитаксиальным и скрытым слоями, боковая изоляция которых выполнена в виде слоев диэлектрика, пересекающих эпитаксиальный и скрытый слои и часть подложки, а изоляция донных участков скрытого слоя с подложкой в виде p n-перехода, отличающаяся тем, что, с целью повышения плотности компоновки элементов и увеличения быстродействия интегральных схем, слои диэлектрика погружены в подложку на глубину не менее ширины области с объединенным зарядом донной части p - n-перехода между скрытым слоем и подложкой.

Номер патента: 758971

Опубликовано: 27.04.1996

Авторы: Коваленко, Кокин, Манжа, Назарьян, Одиноков, Сулимин

МПК: H01L 21/822

Метки: полупроводниковых, приборов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ с боковой диэлектрической изоляцией, включающий операции термического окисления, нанесение диэлектрического слоя, селективное травление по отношению к окислу кремния, вскрытие окон в диэлектрических слоях, легирование для формирования базовой и эмиттерной областей, металлизацию, отличающийся тем, что, с целью повышения качества изготавливаемых приборов и процента выхода годных, после операции термического окисления и вскрытия окон в окисле формируют базовую область, наносят диэлектрический слой и проводят вскрытие в нем окон под эмиттер так, что окна в термическом окисле и диэлектрическом слое перекрещиваются, после чего осуществляют легирование для формирования эмиттерной области.

Номер патента: 1823712

Опубликовано: 27.04.1996

Авторы: Андреев, Красницкий, Сарычев, Сасновский, Трубинова, Турцевич

МПК: H01L 21/285

Метки: вольфрама, кремний, осаждения, парогазовая, смесь

...закорачивающих перемычек, реализуется воэможность получения шунтирующих слоевтребуемой толщины 0,15 - 0,2 мкм,При содержании гексафторида молибдена в парогазовой смеси менее 0,5 об,0 неудается сформировать шунтирующие слоивольфрама требуемого качества и с необходимыми характеристиками из-за самоограничения реакции восстановления ЮР 6кремнием,При содержании гексафторида молибдена в парогазовой смеси более 20 об. рес.ция становится трудноконтролируемой,снижается качество шунтирующих слоев засчет ухудшения адгезии. Кроме того, увеличивается количество зародышей и, следовательно, ухудшается селективность осаждения.Таким образом, эа счет повышения селективности процесса, исключения самоограничения реакции восстановлениягексафторида...

Номер патента: 1829773

Опубликовано: 27.04.1996

Авторы: Баранов, Ковалевский

МПК: H01L 21/306

Метки: кремния, травитель, утонения, щелочной

...из компонентов марки ОСЧ с использованием деионизованной воды (20 МОм), Готовили пять составов, количественное соотношение которых приведено в табл. 1,П р и м е р ы 2 - 4. Приведены в табл. 1, соответствуют данному щелочному травителю для утонения кремния.После смешивания компонентов травителя его выдерживают в течение 30 - 40 мин, после чего травитель готов к использованию.Съем кремния при утонении пластин осуществляется в установке ДРМЗ. 249025 на эластичных капралоновых столиках с вакуумной присоской, на которые укладывают кремниевые пластины планарной стороной к поверхности столика. После их укладки и присоски столик погружают в травитель и начинают обрабогку непланарной стороны (процесс утонения) в травителе при...

Номер патента: 1586457

Опубликовано: 27.04.1996

Авторы: Ашуров, Кулагина, Лютович, Хикматиллаев

МПК: H01L 21/265

Метки: гетероэпитаксиальных, кремния, сапфире, структур

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР КРЕМНИЯ НА САПФИРЕ, включающий испарение в вакууме, очистку поверхности подложки ионным травлением и осаждением кремния на разогретую поверхность подложки, отличающийся тем, что, с целью повышения качества гетероэпитаксиальных структур за счет улучшения кристаллической структуры эпитаксиального слоя, полное травление производят с помощью частично ионизированного потока кремния энергией 1-3 кэВ, со степенью ионизации 10-20% при температуре подложки 800-1100oС, а осаждение кремния осуществляют из того же потока с энергией 0,05 0,5 кэВ, степенью ионизации 0,5 10% при температуре подложки 450-700oС со скоростью 0,1-1 мкм/ч.

Номер патента: 1797414

Опубликовано: 27.04.1996

Авторы: Кондратьев, Куликов

МПК: H01L 21/66

Метки: качества, проработки, топологии, элементов

...экране ЭЛТ, что обеспечивает возможность визуального контроляяркости контраста. Поскольку даже тонкийо(до 100 А слой проводящего покрытия убирает эффект вспыхивания при прохожденииэлектронным зондом области вскрытого диэлектрика, то критерий большей яркостипроработанной линии в проводящем покрытии на диэлектрике позволяет говорить об 30отсутствии проводящего слоя в проработанной области,П р и м е р. Проверка возможности метода контроля проработки линий в проводящем покрытии на диэлектрической 35подложке проводилась на фотошаблонахдля фотографии, представляющих из себякварцевую подложку квадратной формы(102 х 102 мм) толщиной 3 мм, на одну изповерхностей которой нанесено хромовое 40маскирующее покрытие толщиной 0,1 мкм,Формула...

Номер патента: 1128730

Опубликовано: 10.05.1996

Авторы: Зингер, Левченко, Шмырева

МПК: H01L 31/04

Метки: фотоэлектрический

ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ с инверсионным слоем, содержащий полупроводниковую подложку, диэлектрический слой с встроенным зарядом и электроды, отличающийся тем, что, с целью повышения КПД и стабильности параметров, диэлектрический слой выполнен из поликристаллического сегнетоэлектрика и поляризован в направлении, перпендикулярном поверхности полупроводниковой подложки.

Номер патента: 1246836

Опубликовано: 10.05.1996

Авторы: Левченко, Нестер, Шмырева

МПК: H01L 31/0216

Метки: солнечный, элемент

СОЛНЕЧНЫЙ ЭЛЕМЕНТ, включающий подложку из полупроводникового материала и металлические контакты, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности преобразования, на поверхность подложки нанесена легированная редкоземельными элементами текстурированная пленка сегнетоэлектрика, ось текстуры которой перпендикулярна поверхности подложки.

Номер патента: 1807811

Опубликовано: 10.05.1996

Авторы: Бродко, Возный

МПК: H01L 21/312

Метки: м-слойной, покрытий, структуры, тонкопленочных

...структуры и распространение в ней излучения в ходе технологического процесса,а также характеризующие этот прсцесс физические параметры: ф - угол падения излучения на структуру; ф О = 1, , М) - углыпреломлени излучения в слоях структуры;по - показатель преломления окружающейсреды; п, О - 1М) - показатели преломления слоев структуры; б) О " 1 М) -толщины слоев структуры,На фиг. 2 а показана зависимость отражения от трехслойной структуры ф П 051 МК(Поликремний) 302/5 в воздух в зависимости от толщины слоя фоторезиста, По осиординат отложен коэффициент отраженияизлучения В (отн.ед,), оси абсцисс - толщинаслоя фоторезиста б(нм), На фиг. 2 б показана зависимость отражения в фоторезист отструктуры Поликремний (302)5 в воздух...

Номер патента: 862753

Опубликовано: 10.05.1996

Авторы: Клименко, Костенко

МПК: H01L 29/76, H01L 31/10

Метки: фототранзистор

ФОТОТРАНЗИСТОР на основе МДП структуры, содержащий полупроводниковую подложку, одна из поверхностей которой является чувствительной к излучению, с областями стока, истока и канала, на которой сформирован слой диэлектрика и электрод затвора, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей, поверхность подложки, свободная от диэлектрика, является чувствительной к излучению и имеет пазы над областью канала, площадь сечения каждого из которых удовлетворяет следующему соотношению:гдеS1 площадь сечения паза;S площадь канала;n число пазов,а диаметр паза и расстояние между соседними пазами не менее чем на порядок...

Номер патента: 1091783

Опубликовано: 10.05.1996

Авторы: Баранцева, Костенко

МПК: H01L 29/73

Метки: биполярный, транзистор

БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР, содержащий полупроводниковую подложку, на которой расположена планарная транзисторная структура с чередующимся типом проводимости, включающая области эмиттера, базы и коллектора, причем область коллектора содержит приповерхностную высоколегированную зону, отличающийся тем, что, с целью обеспечения регулирования коэффициента усиления и расширения функциональных возможностей, в структуре выполнен паз, дно которого расположено в области коллектора, а области эмиттера и базы ограничены одной из стенок паза, на стенках паза сформированы слой диэлектрика и электрод, причем последний является полевым по отношению к области коллектора.

Номер патента: 1217185

Опубликовано: 10.05.1996

Автор: Чесноков

МПК: H01L 21/268

Метки: пластин, поверхности, полупроводниковых

1. СПОСОБ ОЧИСТКИ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН, включающий их помещение в нейтральную среду или вакуум и последующее испарение загрязняющих частиц путем облучения поверхности лазерным излучением, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности очистки, используют излучение с длиной волны, меньшей среднего размера поперечника удаляемых частиц.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что используют излучение с длительностью импульсов не более 10-10с.3. Способ по пп.1 и 2, отличающийся тем, что лазерный луч направляют на поверхность наклонно к ней.

Номер патента: 1217196

Опубликовано: 10.05.1996

Авторы: Глуздакова, Домахина, Иванцова, Чесноков

МПК: H01L 21/312

Метки: рентгеношаблона

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ РЕНТГЕНОШАБЛОНА, включающий формирование на подложке слоя прозрачного для рентгеновского излучения и получение на нем маскирующего рисунка из материала, поглощающего рентгеновское излучение, формирование мембраны и опорного кольца по периферии подложки путем избирательного травления подложки, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных рентгеношаблонов путем предотвращения разрушения мембраны, перед избирательным травлением подложки на слой мембраны с маскирующим рисунком наносят упрочняющий слой, а после травления упрочняющий слой удаляют.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве материала упрочняющего слоя используют медь.

Номер патента: 1421186

Опубликовано: 10.05.1996

Авторы: Евдокимов, Манжа, Мухин, Патюков

МПК: H01L 21/82

Метки: интегральных, моп-транзисторов, схем

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОП-ТРАНЗИСТОРОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование в кремниевой подложке p-областей, противоканальных областей и диэлектрической изоляции, осаждение первого слоя поликремния, формирование первого слоя оксида кремния и маски из него с окнами для затворных областей, вытравливание первого слоя поликремния через окна маски до подложки, формирование второго слоя оксида кремния на торцах первого слоя поликремния в окнах маски, формирование подзатворного слоя оксида кремния, осаждение второго слоя поликремния, формирование областей истока, стока, затвора и электродов к ним, формирование металлизации, отличающийся тем, что, с целью увеличения плотности компоновки МОП-транзисторов и уменьшения количества...

Номер патента: 1602301

Опубликовано: 20.05.1996

Авторы: Борисенко, Войтенко, Закосаренко, Ильичев, Тулин

МПК: H01L 39/24

Метки: джозефсоновского, контакта, ниобия, основе

Способ изготовления джозефсоновского контакта на основе ниобия, включающий напыление пленки ниобия на кремниевую подложку, формирование фоторезистивной маски, травление слоя ниобия, формирование слоя барьера, напыление второй пленки ниобия, формирование второй фоторезистивной маски, травление второго слоя ниобия, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических характеристик контакта, слой барьера формируют нанесением пленки карбита кремния.

Номер патента: 940601

Опубликовано: 20.05.1996

Авторы: Емельянов, Ильичев, Инкин, Полторацкий, Родионов, Слепнев

МПК: H01L 21/205

Метки: диэлектрических, покрытий

1. Способ получения диэлектрических покрытий на подложках арсенида галлия и твердых растворов типа CaAlAs, включающий размещение подложек в реакторе, их нагрев, формирование пассивирующих и диэлектрических слоев, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических свойств границы раздела диэлектрический слой подложка за счет уменьшения плотности поверхностных состояний, диэлектрический слой формируют методом осаждения из газовой фазы, содержащей триметилалюминий, арсин, кислород при мольных соотношениях алюминия, мышьяка и кислорода 1:(5-10):(10-3 10-5) соответственно и температуре подложек 600 650oС.2. Способ получения диэлектрических покрытий по п. 1, отличающийся тем,...

Номер патента: 1805786

Опубликовано: 20.05.1996

Авторы: Довнар, Дулинец, Калошкин, Красницкий, Родин, Семенов, Турцевич

МПК: H01L 21/28

Метки: контактно-барьерного, материал, межэлементных, подслоя, соединений

...методике по даннымрентгенодифракционного анализа на дифрактометре Дрон - 2 по угловому смещению25 дифракционного пика.Величину нарушенного приповерхностного слоя подложки определяли по методике, представленной в работе (Коб 1 п Ч.6Кочо 1 еЬоМ М.Ч., 1 аагпоч В,М., 1 озапоч 1 сЬ30 Е,Е. ТЬе вейоб о 1 1 п 1 е 9 гасЬагас 1 ег 1 м 1 сз 1 пХ-гау бИгасбоп зтаб 1 ез о 1 зсгцсмге о 1 1 ЬеЯиг 1 асе 1 аяегз о з 1 п 91 е сгузса 1 з. РЬуз, Всат.Яо 1, (а) 1981, ч.64, р,442-465).Содержание кремния измеряли мето 35 дом масс-спектрометрии на масс-спектрометре МНпо методике (Буэанев Е,В идр. Исследования слоев в структурах поликремний -иметодом МСВИ, Вторичнаяионная и ионна-фотонная эмиссия, - Харь 40 кои, 1983, с,205-207). Качество...

Номер патента: 1037809

Опубликовано: 20.05.1996

Авторы: Баранцева, Костенко

МПК: H01L 29/47

Метки: диод, шоттки

Диод Шоттки, содержащий эпитаксиальный слой полупроводника, расположенный на полуизолирующей подложке, сформированные к эпитаксиальному слою контакт с барьером Шоттки и омический контакт, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия и снижения величины, рассеиваемой мощности, он дополнительно содержит управляющий электрод и диэлектрическую пленку, при этом в подложке под контактом Шоттки до эпитаксиального слоя выполнено углубление, в котором расположен управляющий электрод, изолированный от эпитаксиального слоя и подложки диэлектрической пленкой.

Номер патента: 1266402

Опубликовано: 20.05.1996

Автор: Брюхно

МПК: H01L 21/306

Метки: анизотропного, мезоструктур, травления

Способ анизотропного травления мезоструктур, включающий формирование на поверхности кремниевой пластины с ориентацией рабочей поверхности в плоскости [100] прямоугольных участков маски, стороны которых ориентированы в направлениях [110] формирование в углах прямоугольных участков корректирующих фигур, анизотропное травление кремния в местах пластины, свободных от маски, отличающийся тем, что, с целью повышения разрешающей способности процесса за счет уменьшения размеров разделительных канавок, формирование прямоугольных участков маски и травление кремния проводят вначале вдоль одного из направлений [110] затем осуществляют маскирующее окисление полученной поверхности и проводят формирование прямоугольных участков маски и травление кремния...

Номер патента: 1508886

Опубликовано: 20.05.1996

Автор: Дудников

МПК: H01L 39/12, H01L 39/22

Метки: высокотемпературного, сверхпроводника

Способ изготовления высокотемпературного сверхпроводника на основе соединений редкоземельных, щелочноземельных металлов и меди, включающий их измельчение, прессование и спекание в кислородсодержащей среде, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа и ускорение процесса изготовления, в качестве соединений щелочноземельных металлов используют их перекись.

Номер патента: 766464

Опубликовано: 20.05.1996

Авторы: Баранцева, Костенко

МПК: H01L 29/41

Метки: свч-прибор

СВЧ прибор на основе арсенида галлия, снабженный двумя электродами с омическими контактами и параллельно им расположенными двумя электродами с барьерами Шоттки и двумя управляющими электродами, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей, управляющие электроды расположены над областью распространения бегущей волны симметрично относительно горизонтальной оси прибора.

Номер патента: 714968

Опубликовано: 20.05.1996

Авторы: Баранцева, Костенко

МПК: H01L 29/41

Метки: свч-прибор

СВЧ прибор на основе арсенида галлия, снабженный двумя электродами с омическими контактами и параллельно им расположенными двумя электродами с барьером Шоттки, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия, параллельно электродам с барьером Шоттки вне области распространения бегущей волны выполнены управляющие электроды, расположенные симметрично относительно вертикальной оси прибора.

Номер патента: 858490

Опубликовано: 27.05.1996

Авторы: Костенко, Расторгуев

МПК: H01L 23/52

Метки: диод, полупроводниковый

1. Полупроводниковый диод, содержащий корпус с расположенной на его основании полупроводниковой пластиной с плоскостным p-n переходом и контактной площадкой, к которой прижат S-образный пружинный вывод, соединенный с изолированно укрепленным в корпусе внешним выводом, отличающийся тем, что, с целью повышения срока службы и расширения функциональных возможностей со стороны контактной площадки, S-образный вывод жестко соединен с биметаллической пластиной, закрепленной на торцах.2. Полупроводниковый диод по п.1, отличающийся тем, что, с целью регулирования чувствительности к тепловому воздействию, биметаллическая пластина соединена с регулировочным винтом, вмонтированным в корпус.

Номер патента: 805901

Опубликовано: 27.05.1996

Авторы: Барбашев, Душков, Поддымов

МПК: H01L 39/02, H02K 9/197

Метки: возбуждения, обмоткой, ротор, сверхпроводящей, электрической

Ротор электрической машины со сверхпроводящей обмоткой возбуждения, размещенной в криостате, содержащий полый вал, в котором расположены трубки подвода и отвода криогенного хладагента с каналами, и узел уплотнения, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности при уменьшении габаритов, узел уплотнения выполнен в виде газосборной камеры с дисками, внутри которой расположена снабженная приводом камера с уплотняющей жидкостью, и трубки подвода и отвода снабжены дисками, причем все упомянутые диски расположены в камере с упомянутой жидкостью.

Номер патента: 1003701

Опубликовано: 27.05.1996

Авторы: Климойц, Костенко, Пупцев, Стрельников

МПК: H01L 29/88

Метки: диод, туннельный

Туннельный диод, содержащий области p- и n-типа, образующие p - n-переход, сформированный в эпитаксиальном n-слое, нанесенном на полупроводниковую подложку и омические контакты к p- и n-областям, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей диода, со стороны подложки до базовой области выполнен паз, причем в пазе, а также на эпитаксиальном слое между омическими контактами к p- и n-областям над базой расположены изолированные электроды.