Подложка для контролируемого создания эпитаксиальных структур

Номер патента: 1820783

Опубликовано: 27.10.1995

Авторы: Захаров, Лымарь, Пашенко, Шубин

МПК: H01L 21/205

Метки: арсенида, галлия, слоев, эпитаксиальных

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ p типа проводимости, включающий наращивание искомых слоев на нагретых подложках методом пиролиза металлоорганических соединений галлия в среде водорода при пониженном давлении в присутствии избытка арсина, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества слоев за счет повышения концентрации носителей и повышения воспроизводимости их параметров, наращивание проводят при температуре подложек 530 690oС, давлении 2 10 торр, при этом расход металлоорганических соединений галлия и арсина задают таким, чтобы соотношение образовавшихся в процессе их термического распада мышьяка и галлия в газовой фазе составляло (5-35) 1.

Номер патента: 1705425

Опубликовано: 15.01.1992

Авторы: Зелимханов, Марасина, Пичугин

МПК: C30B 19/02, C30B 29/40

Метки: галлия, нитрида, слоев, эпитаксиальных

...в заданном градиенте температуры, наложенном нормально к поверхности расплава. Время эпитаксиального осаждения составляет 3 ч и в течение этого времени поддерживают постоянный градиент температуры, равный 2 ОС/см. После эксперимента подложки и раствор-расплав разобщают, подложки со слоем очищают от остатков металлов в горячей царской водке и промывают в дистиллированной воде.Морфологию поверхности слоев исследуют в оптическом и растровом электронном микроскопах при различных увеличениях. Структурные характеристики исследуют электронографическим и рентгендифрактометрическим методами. Толщину слоев и однородность слоев по толщине измеряют интерференционным микроскопом МИИ.Выращенные эпитаксиальные слои нитрида галлия были...

Номер патента: 1710604

Опубликовано: 07.02.1992

Авторы: Баранов, Белов, Дмитриев, Кондратьева, Челноков, Шаталов, Эрлих

МПК: C30B 25/02, C30B 29/36

Метки: выращивания, кубического, монокристаллических, слоев, эпитаксиального

...процесса выращивания - отсутствие буферного слоя, и позволяет использовать стандартное технологическое оборудование для получе ния эпитаксиальных слоев кремния, так как дает возможность выращивать монокристаллические слои ВС той же толщины, что и известный способ на Ю-подложке при более низких температурах. Температура рос та является одним из основных параметров, который оказывает влияние на качество выращенного слоя, Возможность сохранения монокристалличности эпитаксиальных сло-ев РС при снижении температуры роста до10 15 20 25 30 35 40 Ф 45 50 55 ков, Хотя выращивание монокристаллических слоев ЯС на Я 1-подложке известно, однако для выращивания монокристаллического 9 С на Я-подложках трихлорэтилен не использовался. При этом не было...

Номер патента: 1797403

Опубликовано: 27.03.1995

Авторы: Алешин, Енишерлова-Вельяшева, Казакевич, Мордкович, Русак

МПК: H01L 21/265

Метки: внутренним, геттером, кремниевых, структур, эпитаксиальных

...определяющих дефектообразование в материале,Технология эпитаксиального наращивания на кремнии практически всегда включает процесс газового травления, обеспечивающий очистку поверхности перед эпитаксиальным наращиванием. Проведение газового травления необходимо и в предлагаемом варианте в целях очистки, однако в заявляемом варианте накладывается определенное условие, оговаривающее возможную толщину удаляемого в процессе га 1797403зового травления слоя материала. он должен составлять; 0,1-02 Вр где Йр средний проецированный пробег ионов кислорода и углерода, Именно при этом условии, как экспериментально было показано, удастся пол учить чистый бездефектный слоЯ у поверхности подложки и наиболее совершенные эпитаксиальные пленки, При...

Номер патента: 475917

Опубликовано: 07.07.1984

Авторы: Александрова, Вязанкина, Лымарь, Сарнацкий, Скворцов, Уэльский

МПК: H01L 21/02

Метки: арсенида, галлия, полуизолирующих, слоев, эпитаксиальных

...соединение, разлагаетсяца свету и сильно гидролизуется., Кроме того, для получения эффекталегирования требуется введение очень больших количеств хлористого хромила, что приводит к заметному снижению скорости роста и эррозии поверхности.Целью изобретения является создание простого технологичного способа .изготовления полуизолирующих эпитаксиальных слоев арсецида галлия судельным сопротивлением в зависимости от типа легирующей примеси 10о"30-40 л/ч Сущность предлагаемого способа заключается в легировании эпитаксиальных слоев арсенида галлия из карбоцилов соответствующих металлов, Карбонилы Сг, У, Мо, Ге, Со, И 1 известны, получены и очищены, имеют достаточно высокие упругости паров и распадаются с выделением металла 5917 2прц...