H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 1129673

Опубликовано: 15.12.1984

Авторы: Буянов, Егорова

МПК: H01L 23/34

Метки: блок, охлаждением, полупроводниковый, принудительным, силовой

...устройство характеризуется также недостаточной эффективностьюохлаждения вследствие перехода прибольших нагрузках от пузырьковогок пленочному режиму кипения.Цель изобретения - повьппениеэффективности охлаждения путеминтенсификации теплообмена.Поставленная цель достигаетсятем, что в силовом полупроводниковомблоке с принудительным охлаждением,содержащем обдуваемый потоком воздуха конденсатор, соединенный с герметичной емкостью, частично заполненной диэлектрической жидкостью, вкоторую погружены мощные таблеточныеполупроводниковые приборы с теплоотводящими элементами, расположенными 50между ними, внутренняя полостькоторых заполнена теплоносителем стемпературой кипения более высокой,чем температура кипения диэлектрической жидкости; каждый...

Номер патента: 1129674

Опубликовано: 15.12.1984

Авторы: Курманов, Тихонов, Яценко

МПК: H01L 23/34

Метки: полупроводниковых, приборов, радиатор, формы, цилиндрической

...цель достигается тем, что в известном радиаторе для полупроводниковых приборов цилиндрической формы, содержащем обжимное кольт цо с радиальными лепестками, по периметру обжимного кольца выполнены цилиндрические посадочные гнезда в которых с возможностью фиксаций установлены радиальные лепестки.На фиг. 1 изображен предлагаемый радиатор в сборе с радиальными лепестками; на фиг. 2 - радиальный лепесток.Обжимное кольцо 1 выполнено иэ металлической ленты иэ медного29674 Ъ 5 10 15 202530354045 сплава с упругими свойствами в виде обжимного кольца с цилиндрическими гнездами 2, в которые вставляется необходимое количество радиальных цельнометаллических лепестков 3 с увеличенной площадью теплорассеивання, пределы упругости...

Номер патента: 625509

Опубликовано: 23.12.1984

Авторы: Симашкевич, Циуляну, Чукова

МПК: H01L 21/20

Метки: осаждения, слоев, теллурида, цинка

...в ампулу подложки и вещества, из расплава которого производят осаждение, откачку и отпайку ампулы, нагрев ее до температуры растворения и выдержку при постоянной температуре, после 35 дующую эпитаксию в процессе понижения температуры с определенной скоростью, слив раствора с подложки и освобождение подложки со слоем от остатков растворителя 2 . Способ позволяет получать слои теллу рида цинка из раствора в расплаве металлов висмута и цинка. мещают в один конец графитовой лодочки, а подложку - в другой ее конец. Лодочку помещают в кварцевую ампулу, которую откачивают и отпаивают, Систему нагревают до температуры 950-1050 С. При такой температуре в течение 1 ч проводят растворение теллурида цинка, Затем лодочку наклоняют и заливают...

Номер патента: 710417

Опубликовано: 23.12.1984

Авторы: Кляус, Ольшанецкая, Черепов

МПК: H01L 29/78

Метки: временной, задержки, сигнала, электрического

...приведена кремниевая подложка п -типа проводимости и диэлектрик 50 . Истоком 4 и стоком 5транзистора могут служить любые устройства, обеспечивающие ввод заряданосителей в потенциальную яму подэлектродом, образующуюся после подачина электрод напряжения, и регистрацию заряда на выходе (например,-п -переход, диод Шоттки, плавающийзатвор и т.д.). Для определенностина фиг.1 в качестве истока и стока.приведены обычные о- п -переходы,выполненные диффузией бора в подложку. Причем - -переход стока обратно смещен, -и -переход истоканаходится под потенциалом земли,В подложке между истоком и стоком созданы туннельно непрозрачныепотенциальные барьеры, которые могутбыть выполнены по-разному. Например,в аиде диффузионной примеси 8 тогоже типа...

Номер патента: 1132267

Опубликовано: 30.12.1984

Авторы: Уродов, Фишер

МПК: G01R 31/265, H01L 21/66

Метки: дефектов, локальных, обнаружения, образцах, объемных, полупроводниковых

...в корпус Отбракованцых приборов без их вскрытия.Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности является способ обнаружения локальных объемных дефектов в полупроводниковых образцах, включающий воздей. ствие на образец сфокусированного рентгенов. ского излучения, направленного в толщу об. разца, и контроль качества образца И.Недостатком этого способа является невоз. можцость осуществлять контроль локальпых объемных дефектов в полупроводниковых структурах и приборах.Целью изобретения является расширение функциональных возможностей преимуществен- . но для контроля качества готовых полупроводн 5 псовь 5 х приборов.Поставленная цель достигается тем, что согласно способу, обнаружения локальных объемных дефектов в...

Номер патента: 1053597

Опубликовано: 30.12.1984

Автор: Лошкарев

МПК: H01L 21/66

Метки: параметров, полупроводниковых, электрофизических

...выполненного в виде двухвстречно включенных источников 1 и2 тока, образца 3 полупроводника,переменного резистора 4, первой схемы 5 деления, схемы 6 извлеченияквадратного корня, второй и третьейсхем 7 и 8 деления соответственно,регистраторов 9 и 10, подвижностии концентрации основных носителейзаряда соответственно и магнита 11.Устройство работает следующим образом.Источники тока 1 и 2 создают падения напряжения на образце 3 и переменном резисторе 4, противоположные по знаку. В отсутствие магнитного поля с помощью переменного резистора 4 в точке Я устанавливаетсянапряжение, равное нулю относительно общей шины. При этом падение напряжения Од на образце 3 и переменном резисторе 4 будет одинаковым повеличине. На регистратор 9...

Номер патента: 1025296

Опубликовано: 30.12.1984

Автор: Прокофьев

МПК: H01L 27/14

Метки: излучения, полупроводниковый, преобразования, прибор, светового, сигнал, электрический

...транзисторов соединены со стоками усилительных транзисторов, стоки адресных транзисторов соединены с горизонтальными адресными шинами, а истоки усилительных транзисторов в нечетных столбцах соединены с первой выходной горизонтальной шиной, в четных - с второй.На фиг.1 приведена электрическая схема полупроводникового прибора, на фиг.2 - временная диаграмма тактовых импульсов управляющего напряжения, поясняющая работу устройст-,Двумерный полупроводниковый прибор для преобразования световогоизлучения в электрический сигнал,эквивалентная электрическая схемакоторого показана на фиг.1, содержитгоризонтальные стоки фоточувствительных ячеек 1, которые соединены повертикали адресными вертикальнымишинами 2. Каждая горизонтальнаястрока содержит...

Номер патента: 1074239

Опубликовано: 30.12.1984

Автор: Саркисян

МПК: G01N 21/88, H01L 21/66

Метки: лазерный, микроскоп, сканирующий

...связана с характерными частотами сканирования так, что за время сканирования разрешаемого элемента на образце зондирующие ,лучи переключаются более чем в 10 раз. Последнее условие аналитически выражается следующим образом: 10 Ь В С Т, где ь 1 - время следования импульсов генератора прямоугольных импульсов, Т - время сканирования разрешаемого элемента на поверхности1образца: Т- - , где- частотапГ рстрок растра, о- число разрешаемых световым пятном элементов на строке.Фотоответный сигнал, индуцированный под действием зондирующего света, усиливается усилителем Фотоответа 10 и логарифмируется логарифмическим усилителем 11. Дифференцирующий каскад фиксирует изменение логарифма фотоответного сигнала, происходящее в результате изменения...

Номер патента: 1133248

Опубликовано: 07.01.1985

Авторы: Богданов, Гавриляченко, Головнин, Гринева, Громов, Данцигер, Девликанова, Клевцов, Кудряшов, Панич, Разумовская, Резниченко, Ривкин, Фесенко, Филипьев

МПК: C04B 35/49, H01L 41/18

Метки: керамический, материал, пьезоэлектрический

...твердых ,растворов, предназначаемые для использования в фильтровой технике 11.Однако эти материалы имеют либо. недостаточно высокую температурную стабильность резонансной частоты, либо низкую механическую добротность, либо недостаточно низкие значения коэффициента электромеханической связи Кр (необходимые для узкополосных ЧСУ).Наиболее близким к изобретению техническим решением является материал 23, представляющий собой четырехкомпонентную систему, включающую РЬТО , РЬ 2 гО , РЬИЬМп О РЪИМп О при следующем соотноше 1 П бг Ьнии компонейтов, мол,7;РЬТгО 20,0 - 80,0РЬ 2 гО 8,40 - 70,4РЬИЬ, Мп 1, О 1,30 - 8,91Однако один из составов., лучший с точки зрения использования его в ЧСУ, имеет при высокой механической добротности Я=2570...

Номер патента: 1133249

Опубликовано: 07.01.1985

Авторы: Богданов, Гавриляченко, Головнин, Гринева, Громов, Данцигер, Девликанова, Клевцов, Кудряшов, Панич, Разумовская, Резниченко, Ривкин, Фесенко, Филипьев

МПК: C04B 35/49, H01L 41/18

Метки: керамический, материал, пьезоэлектрический

...изобретения - повьппение коэффициента электромеханической связи при высокой температурной стабильности резонансной частоты и механической добротности.Указанная цель достигается тем, ччто пьезоэлектрический керамический материалсодержащий РЬТ 1.0 , РЬ 2 гО РЪИЬ Мп О, РЬИ О, дополни 2(3тельно содержит РЬА 1 , при следующем соотношении компонентов, мол.7.;Р:фТО 45 э 00 4 ь 45РЬ 2 гО . 38,20 - 39,96РЬИЬ Мпз Оз 10,77 - 11,53Синтез составов предлагаемого пьезокерамического материала осуществляют по обычной керамической технологии двукратным обжигом: температура Т=800 С, Т =850 С, продолжительность=С =5 ч. Спекание прово 1 2дят в закрытом алундовом тигле в течение 1 ч. Температура спекания 1200 - 1225"С. Поляризацию всех образцов...

Номер патента: 1133628

Опубликовано: 07.01.1985

Авторы: Михалев, Ходосовцев

МПК: H01L 21/00, H03H 3/00

Метки: вибратора, кварцевого, монтажа, резонатора

...содержащем корпус, Фиксаторы кварпедержателя и вибратора, механизм прижима отводов вибратора к выводамкварцедержателя и механизм поворотакварцевого резонатора, Фиксатор кварцедержателя выполнен с гнездом и ограничителем с одной стороны и прижимом с другой стороны, выполненногов виде подвижной планки, причем рабочий конец планки выполнен в видеравностороннего треугольника, вершина которого расположена по центруфиксатора кварцедержателя, а фикса Отор вибратора выполнен в виде рамки с прижимом.Механизм поворота кварцевого резонатора выполнен в виде сектора с упорами.45На фиг. 1 изображено устройстводля монтажа вибратора кварцевогорезонатора, общий вид; на Фиг. 2 "вид А на фиг. 1(фиксаторы для вибратора и кварцедержателя); на фиг....

Номер патента: 1064805

Опубликовано: 15.01.1985

Авторы: Бойко, Рыбин

МПК: H01L 21/66

Метки: неоднородности, сопротивления, удельного

...достигается тем, что в способе измерения неоднородности удельного сопротивления полупроводников,основанном на приложении к образцус помощью контактов электрическогоняпряженияр освещении поверхности,об разца световым зондом в виде полосы,параллельной линиям тока, попереккоторой в произвольном месте распо 05 2лагают затененный участок - теневойзонд, измерении сопротивления присканировании поверхности образца теневым зондом, поверхность образцаосвещают импульсами света, следующи. ми с интервалами, превышающими время релаксации концентрации неравновесных возбужденных светом носите- лей заряда, измерение сопротивленияпроизводят спустя время Д 1 посленачала светового импульса, которое больше времени достижения максимальной...

Номер патента: 1135691

Опубликовано: 23.01.1985

Авторы: Папаш, Старовойтова

МПК: B65B 5/10, H01L 21/50

Метки: ориентированной, укладки, штучных

...21 отсекающая гребенка 22 с20 зубьями и упором 23. Для перемещениязубьев гребенки в ручьях выполнены щели 24,а перемычки между пазами снизу срезаны.Для подачи щтучных изделий 25 в гнезда 26, выполненные на оси 27, на выходевибролотков имеются приливы 28. Приводотсекающей гребенки 22 осуществляетсятолкателем 29. Полая ось 27 смонтированав подшипниках ползунов 30, перемещаюшихся в направляющих 10, и имеет отверстия в каждом посадочном гнезде, соединяющие эти гнезда с внутренней полостью31 оси. Для соединения внутренней полости 31 с вакуумной системой один из концов оси 27 имеет штуцер. На другом концеполой оси закреплен зубчатый сектор 32,взаимодействующий с зубчатой рейкой 33.35 Вне нарезной части рейка имеет два упора34, а...

Номер патента: 1135736

Опубликовано: 23.01.1985

Авторы: Бурланков, Головнин, Громов, Данцигер, Панич, Разумовская, Резниченко, Ривкин, Сервули, Фесенко, Филипьев

МПК: C04B 35/472, H01L 41/187

Метки: керамический, материал, пьезоэлектрический

...янизотропию коэффициентовэлектромеханической связи К/КР 4,.э.Целью изобретения является йоВышение М 8 ханической дОбротности иотношения коэффициентов электромеханической связи К/Кр при сохранении высокого значения К и чизких значений диэлектрической проницаемости и коэфФициента Пуассона,указанная цель достигается тем,что пьезоэлектрический керамический материал, содержащий РЬТ 1.0и 1 агТеО дополнительно содержитРЬИ 1,ИГ Оэ при следующем соотношений компонентов, мол,7"РЬТ 10 92,0-96,01.а Тт.0,(э2,О-Ь,ОРЬЫ, МпО 2,О-А,ОСинтез составов пьезоэлектрического материала осуществляют попринятой керамической технологии,ДЛЯ ПОВЫШЕНИЯ ГОМОГЕННОСТИ СОСТЯВов синтез проводят в две стадии спромежуточным помолом спеков ицереелещиванием Температура...

Номер патента: 1137402

Опубликовано: 30.01.1985

Авторы: Песляк, Сараев, Чибизова

МПК: H01L 23/08

Метки: микросборка

...между крышкой и теплоотводящим основанием по внешнему периметру рамки 121 .Однако указанное устройство недостаточно технологично в изготовлении и ненадежно в работе из-эа недостаточной герметичности.Целью изобретения яВляется повышение технологичности конструкции и. надежности в работе.Цель достигается тем, что в микро- сборке, содержащей крышку, теплоотводящее основание, между которыми установлена рамка, и расположенную на теплоотводящем основании плату с. радиоэлементами, выводы которой пропущены через стенки рамки, и слой герметика, расположенный между крышкой и теплоотводящим основанием по внешнему периметру рамки, теплоотводящее основание выполнено коробчатой Формы, а свободные концы выводов изогнуты и расположены в...

Номер патента: 1086999

Опубликовано: 30.01.1985

Авторы: Коротков, Маликова, Симашкевич

МПК: H01L 21/66

Метки: варианты, его, запрещенной, зоне, зоны, локальных, положения, полупроводника, уровней, ширины, энергетических

...кривая , . 35 Фотопроводимости полупроводника; на фиг. 2 - кривые спектральной зависимости фотопроводймости: кривая спектральная зависимость продольной фотопроводимости, кривая 2 - зависи мость амплитуды всплеска Д Э при. Л = . = 0,875 мкм от длины волны предварительного освещения, кривая 3 - зависимость В Э на фиксированной длине волны последующего облученич от дли ны волны предварительного возбуждения.Описываемый способ использует явление вспьшечной релаксации фотопроводимости полупроводника электромг- З 0 нитным излучением в области собстч венного и примесного поглощения (фиг. 1). В основе существования вспьппки фотопроводимости независимо от физических механизмов, ее вызывающих, лежит необходимость создания неравновесного состояния...

Номер патента: 936743

Опубликовано: 07.02.1985

Авторы: Колоскова, Локтаев, Нисневич, Пайвель, Чернова, Шицель

МПК: H01L 21/225

Метки: диффузии, источника, поверхностного, раствор

...обеспечивает получение гомогенного .раствора со сроком службы более 10 суток, . - Увеличение концентрации эфира ортоборной кислоты более 47 мас.нецелесообразно, так как при этом не увеличивается уровень легирования, а уменьшение ниже 32,2 мас.% - может привести к нарушению гомогенности раствора из-за образования борной кислотыпри избытке воды по отношению к эфиру ортоборной кислоты,. Концентрациятетраэтоксисиланаобеспечивает получение вязкости раствора не менее 5 сСт и связываниелишней воды, содержащейся в растворе 10и растворимых соединениях алюминияили галлия.Количество этилового спирта и воды должно обеспечить растворение соединений легирующих элементов и продуктов гидролиза тетраэтоксисилана,Уменьшение концентрации воды...

Номер патента: 1138861

Опубликовано: 07.02.1985

Автор: Штейн

МПК: H01L 21/00

Метки: кассетной, сборки

...этом ограничитель хода деталейустановлен со стороны нижних частейтрубок.Кроме того, ограничитель ходадеталей выполнен в виде отдельных длякаждой трубки заслонок, снабженныхиндивидуальным приводом,На чертеже приведена схема конструкции предлагаемого устройства.Устройство содержит магазин 1 сячейками 2 под загружаемые детали 3.Глубина ячеек магазина несколько больше длины деталей, а размеры ячейки недолжны допускать отклонения осейпопавших в нее дателей от вертикали более, чем на 20-25 во избежавние заклинивания,Одновременно каждая ячейка предназначена для размещения в ней нескольких десятков деталей, что позволяет использовать однажды заполнен1138861 зный магазин для загрузки, соответственно, нескольких десятков кассет.В нижней части...

Номер патента: 1138923

Опубликовано: 07.02.1985

Автор: Бронников

МПК: H01L 41/18, H03H 3/02

Метки: заполяризованности, пьезокерамических, степени, элементов

...ивторой гармоник 13.Однако способ может применятьсятолько для измерения свойствпьезоэлементов простой геометрическойформы.Известен способ контроля степенизаполяризованности пьезокерамическихэлементов путем приложения к образцам синусоидального напряжения ирегистрации напряжения гармоник. Поамплитуде второй гармоники налряжение в цепи образца судят о степенизаполяризованности 2;1.Однако известный способ не позволяет контролировать степень заполярнэованности образцов из материалов,не имеющих второй гармоники напряже:ния, а также материалов с временемпереполяризации выше 1 мс. Точностьизмерения степени поляризации зависит от величины приложенного напряжения и снижается при его изменении.Целью изобретения является рас.,ширение области...

Номер патента: 1138961

Опубликовано: 07.02.1985

Авторы: Каликанов, Туник, Фомин

МПК: H01L 23/48, H05K 7/20

Метки: полупроводниковый, прибор, силовой

...испарительного охлаждения Ц . 25Однако д 5 чя сжатия прибора .с охладителем и токосъемными шинами сцелью получения надежного тепловогои электрического контактов, необходимо осевое усилие в пределах 20000- З 050000 Н, что приводит к увеличениюмассотабаритных параметров прижимного устройства и прибора в целом. Наличие в приборе термокомпенсаторов,яедных оснований, большого числа контактов ведет к возрастанию тепловогосопротивления между полупроводниковой структурой и окружающей средой,Кроме того, использование специальных медных или алюминиевых охладителей приводит к резкому увеличению массы и габаритов приборов, расходадефицитных цветных металлов..1Наиболее близким к предлагаемомуявляется СПП, содержащий кремниевуюпластину с р -...

Номер патента: 397121

Опубликовано: 07.02.1985

Авторы: Думаневич, Евсеев

МПК: H01L 29/74

Метки: симметричный, тиристор

...приложении сигнала управления ("+" на электрод 19 и "-" на электрод 17, обычно электрически свя " занный с электродом 16) включение начинается на участках 6 и 7. Это, например, достигается радиальной кон-, струкцией структуры с управляющим электродом, расположенным в центре .круга (фиг,2), или дополнительным шунтированием гг -О-перехода в слоях 4 и 8В направлении пропускания тока принцип действия аналогичен принципу действия тиристора с регенеративным управлением.Для обратного включения, когда 5 к верхнему основному электроду приложено положительное относительнонижнего электрода напряжение, при подаче управляющего сигнала вначале начинает проводить участок, рас- О положенный под металлическим контактом управляющего электрода 19, т.е,...

Номер патента: 397122

Опубликовано: 07.02.1985

Авторы: Думаневич, Евсеев

МПК: H01L 29/74

Метки: симметричный, тиристор

...структура содержит участки в базовых слоях, время жизни неосновных носителей в которых по крайней25иере в 1,5 раза больше, чем в остальной части структуры, расположенныетак, что проекции границ этих участков на поверхность структуры с управляющим электродом охватывают границы ЗОэмиттерных переходов на расстояниине менее толщины узкой базы и иэолировапные от основного токосъема состороны структуры свободегой отуправляющего электрода.На чертеже показана схема структу35ры тиристора, управляемого в прямомнаправлении током положительной, ав обратном направлении - током отрицательной полярности, Схема содержитслой 1 исходного нпзколегированногополупроводника электронного типа,слои 2 и 3 дырочного типа с умеренной степенью легирования,...

Номер патента: 435745

Опубликовано: 07.02.1985

Авторы: Думаневич, Евсеев

МПК: H01L 31/00

Метки: фотосимистор

...световой 15 сигнал подают на периферийные участки в месте выхода р-п-переходов на поверхность.Цель изобретения - упрощение управления прибором с помощью светово го потока.Предложенный фотосимистор отличается тем, что проекции внешних слоев электронного типа проводимости на нижнюю или верхнюю поверхность пластины перекрываются в области освещаемого участка структуры. На фиг, 1 показан предложенный фотосимистор, разрез по области управ ленни; на фиг. 2: а, б - то же, внд сверху и снизу соответственно; в - разрез по А-А.Фотосимистор содержит слой 1 исходного материала электронного типа проводимости с низкой концентрацией примеси, слои 2,3 полупроводника дырочного типа; слои 4,5; сильнолегированного полупроводника электронного типа,...

Номер патента: 986253

Опубликовано: 15.02.1985

Авторы: Дорошенко, Пехотный

МПК: H01L 39/22

Метки: датчик, постоянного, сверхпроводящий

...в условиях криогенного 45 объема, поэтому он размещается в капсуле, укрепленной на штанге. Капсула опускается в криостат,Существенным недостатком таких устройств является низкая помехоустой чивость к внешним электромагнитным помехам, связанная с тем, что провод со стабилкзируемым током образует петлю-контур, чувствительную к внешним магнитным полям. Контур с прово дящими мостиками слабо экранирован от внешних магнитных полей. За счет большой протяженности сигнальных проводов наводки на них соизмеримы с величинами полезных сигналов.Целью изобретения является повышение помехоустойчивости сверхпроводящего датчика постоянного тока.Для достижения этой цели в сверхпроводящем датчике постоянного тока, содержащем сверхпроводящий токоввод, на...

Номер патента: 1140190

Опубликовано: 15.02.1985

Авторы: Вольфганг, Йерг, Кристиан

МПК: H01L 29/06, H01L 45/00

Метки: переключающий, полупроводниковый, элемент

...строение переключающего элемента.Переключающий элемент находится на подложке 1, которая может представлять собой кремниевую, стеклянную или металлическую пластину. В качестве исходного слоя для собственно переключающего элемента на подложку 1 нанесен базовый электрод 2, например, из сплава молибдена и алюминия или никеля и хрома, Базовый электрод 2 и часть подложки 1 покрыты слоем поликристаллического кремния 3, в котором образован легированный проводящий канал 4, расположенный перпендикулярно к рабочей поверхности слоя поликристаллического кремния и обеспечивающий контактирование базового электрода 2 со слоем аморфного полупроводникового материала 5. Между проводящим каналом 4 и аморфным полупроводниковым материалом 5...

Номер патента: 1098455

Опубликовано: 15.02.1985

Авторы: Локтаев, Лопуленко, Марквичева, Нисневич, Писарева

МПК: H01L 21/225

Метки: многослойных, областей, сильнолегированных, структурах, формирования

...полная. деструкция легированных фосфором и мышьяком пленок происходит при температуре 800 фС, а легированных бором при 1050 С. Поэтому загрузка пластин должна производиться в печь, нагретую на 50-350 С ниже, чем температура диффузии, Если температура загрузки пластин в печь будет ниже более чем на 350 С или менее чем нао50 С по сравнению с температурой диффузии, то в первом случае за счет увеличения длительности нагрева печи до температуры диффузии будет уменьшаться уровень легирования из-за излишнего испарения примесей, а во втором случае сближение температуры деструкции и диффузии ухудшит однородность и воспроизводимость легирования, так как диффузия и деструкция будут происходить одновременно, В зависимости от массы загружаемых...

Номер патента: 904476

Опубликовано: 15.02.1985

Автор: Нисневич

МПК: H01L 21/225

Метки: пленкообразующих, растворов

...можно провести за 1-2 мин. Изменение объемногосоотношения между органическим растворителем и водой от 1:4 до 4:1, я между их смесью и тетраэтоксисиланом от 1:3 до 2:1 может привести к некоторому увеличению времени гицролиэя (.-я 10 мин) и с.окращению срока службыраствора при увеличении содержанияводы и уменьшении содержания органического растворителя. Однако уменьшение содержания воды менее чем 2 моля на 1 моль тетряэтоксисис на также приводит к увеличению времени гидролиза. Поэтому при приготовлс.нии по данному способу целесообразно, чтобы в составе раствора объемное содержание воды было пе больше /2 и не меньше 1/6 от объема тетряэтокспсиляня. Причем соотношения объемен воды и органического растворителя должны учитывать...

Номер патента: 591091

Опубликовано: 23.02.1985

Авторы: Выгловский, Еремин, Стоянов, Ходош, Яншин

МПК: H01L 27/04

Метки: биполярных, логических, мдп, сопряжения, устройств

...цель достигается тем, что переключательный МДП-транзистор имеет встроенный канал, затвор этого транзистора соединен с положительным полюсом источника питания, а к,его истоку подключен сток дополнительного МДП-транзистора со встроенным каналом, исток и затвор которого соединен с положительным полюсом источника питания. Этот дополнительный МДП-транзистор служит нелинейной нагрузкой для выходного каскада биполярного устройства, поэтому его подключение способствует, увеличению управляющего перепада напряжения до величины, близкой к величине напряжения пита-ния биполярной ИС. На чертеже изображена принципиальная электрическая схема предлагае- мого устройства сопряжения,Исток переключательного МДП-транзистора 1 устройства сопряжения соединен...

Номер патента: 865063

Опубликовано: 28.02.1985

Авторы: Вагин, Реутов

МПК: H01L 21/265

Метки: ионной, повреждаемости, профилей, создания

...электролит для последующего однородного утонения этого.сложного сэндвича с целью полученияобразца для ПЭМ. Получение стольтолстых слоев методом вакуумногонапыления исключается из-за оченьмалых скоростей напыления, Крометого, сам по себе описанный процесс. является сложным и трудоемким.Цель изобретения - расширение области применения и упрощение технологии,55Цель достигается тем, что в известном способе создания профилейионной повреждаемости в плоских образцах путем ионной бомбардировки ионную бомбардировку образца осуществляют через поглощающие фильтры цилиндрической формы.На чертеже приведена схема облу-. чения образца.В соответствии со схемой облучения бомбардирующие ионы 1, проходя через переменную вдоль направления...

Номер патента: 1101088

Опубликовано: 28.02.1985

Авторы: Гусев, Лысенко, Турчаников

МПК: H01L 21/66

Метки: глубоких, параметров, поверхностно-барьерных, структурах, уровней

...выполненный на базе дифференциального интегратора и устройства выборки и хранения, устройство дополнительно содержит цифроаналоговый преобразователь, соединенный с двухкоординатным самописцем и стробоскопическим интегратором, который дополнительно содержит блок управления, а блок регулировки температуры и источник импульсного смещения соединены со стробоскопическим интегратором. Блок управления стробоскопического инте. - гратора дополнительно содержит схему И, вычитающий и суммирующий счетчики,жение выбранного пика разностного релаксационного .сигнала на оси времени, определяют энергетическое поло. жение глубоких уровней по наклону прямой зависимости и 1Т от при построении которой необходимо знать координаты как минимум двух...