H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
Способ изготовления диодного или транзисторного р-п перехода на полупроводниковом кристалле п-типа
Номер патента: 621239
Опубликовано: 15.08.1979
МПК: H01L 21/02
Метки: диодного, кристалле, п-типа, перехода, полупроводниковом, р-п, транзисторного
...по делам изобретений и открытий 113035 Иосква ЖРа ская наб. . 4 5филиал ППП Патент, г, Ужгород, ул. Проектная, 4 тем самым более четкую, гранину между р-п"областями, увеличивая эффектвыпрямления и, следовательно, улучшая качество изделий,Примеры выполнения предлагаемого способа.П р и м е р 1. Изготовление полевого транзистора из монокристалла.кремния и-типа с исходным удельнымсопротивлением 100 Ом см, выращенного по методу Чохральского и содержащего ростовые дислокации10 смДеформацию осуществляют пуансонамииз ЯО при 900 С втечение, ЬО мйнс нагрузкой 1 кг/мм 2. Толщина исходной пластины кремния равна 0,1 мм.Для одновременности проведения дефор"мации и легирования перед началомдеформации на острия пуансонов наь 3носят каплю спиртового...
Способ получения светодиодов на арсениде галлия
Номер патента: 680085
Опубликовано: 15.08.1979
Авторы: Коваленко, Марончук, Пухов
МПК: H01L 21/18
Метки: арсениде, галлия, светодиодов
...и сохраняется высокая эффективность,Активная р-область ЯаАЗ ограничиваетсяпотенциальным барьером, подученным при33выращивании гетероперехода р 6 аА р АХОа Аз который ограничивает область рекомбинации неосновных носителей (потенциальный барьер отражает электроны инжектированные в р-области).Толщина активной области лежит в пределах 1,5-5 мкм оптимальное значение2-3 мкм.П р и м е р. Эпитаксиальные структу-, ры на основе арсенида галлия выращивали 43 методом жидкостной эпитаксии из раствора-расплава Са-Аа-Ы, ограниченного подложками 6 аАэ, собранными в пакет с зазором между ними 2 мм. В расплав галлия помещали 6 вес. % Аэ и 0,4 вес. % Зэ Й . Выращивание осуществляли на подложках бай, легированных оловом с и =7 10 см 3. При 900...
Способ определения параметров полупроводника
Номер патента: 646795
Опубликовано: 15.08.1979
МПК: H01L 21/66
Метки: параметров, полупроводника
...и энергия безызлучательного захвата короткожнвущнх носителей, т. е. вся энер" .гня импульса за вычетом М (Е +1,5 Ю) энергии захвата долгоживущих носителей, выделяемой после импульса(4 Я 9-3-1,5 КТ)1:01 Отсюдал ф-,бкт. (2) Связь между Я и дТ определяется соотношением Я садТ где С- тепло- емкость, а ш - масса той части образца, где выделяется тепловая энергия, Для удобства измерений можно взять образец в виде тонкой плоскопараллельной пластинки н измег 0 рять среднееповышение температурыосвещаемой части пластинки дТТогдаЯ= сеьТ, (3)т,.где е - масса освещаемой части пласг 5 , ,,(плотность,д - толщина пластинки,Я - площадь светового пятна.30 дт д ГьТ(х)сйх "оИзмерив дТ с помощью (3) на"ходят Я , а затем в зависимостиот соотношения между ,...
Охлаждаемый токоввод для криогенных устройств
Номер патента: 645476
Опубликовано: 25.08.1979
Авторы: Дьячков, Комогоров, Сычков, Ходжибагиян
МПК: H01L 39/06
Метки: криогенных, охлаждаемый, токоввод, устройств
...дополнительный теплоприток в охлаждаемую зону криостата, вызванный тепловым потоком по штоку. Цель изобретения - упрощение устр ройства и повышение его надежности при уменьшении теплопритока н охлаждаемую зону.Это достигается .тем, что токоведущий элемент выполнен в виде пучка тонкостенных трубок, расположенных6454 формула изобретения Заказ 4837/13Подписное ЦНИИПИТираж по винтовой линии на поверхности, имеющий например, цилиндрическую форму еНа фиг,1 схематически изображен предлагаемый токоввод; на фиг,2 разрез А-А фиг.1.Токоввод состоит из токонесу щих трубок 1, расположенных по винтовой линии 2 на поверхности 3, имеющей, например, цилиндрическую форму, коллекторов 4 и 5 тока, расположенных на концах трубок 1 и связанных 11 с ними...
Держатель
Номер патента: 682969
Опубликовано: 30.08.1979
МПК: H01L 21/68
Метки: держатель
...рычага 4,682969 Составитель,О. ЦветковРедактор О СтенинаТехред А. Камышннковаорректор Т, Добровольская Типография, пр. Сапунова,3расположенный со стороны оси, соединяющей крышку и корпус.Пружина 6 прижимает рычаг 4 к крышке 3 в ее открытом состоянии и тем самым предотвращает произвольное опускание рычага.Один конец фигурной пружины 5 закреплен на конце рычага 4, расположенного со стороны разъема крышки и корпуса, а второй - на оси 7. С помощью фигурной пру о жины 5 рычаг 4 взаимодействует с корпусом 1, например, посредством штифта 8.Держатель работает следующим обра- зом.В момент загрузки прибора держатель 15 находится в положении 1. При этом крышка 3 удерживается в открытом состоянии спиральной пружиной, установленной на оси 2, а...
Охладитель
Номер патента: 682970
Опубликовано: 30.08.1979
МПК: H01L 23/34
Метки: охладитель
...(1 мм и менее) при достаточно высоком значении эффективности ребра, что, в свою очередь, значительно снижает габариты охладителя и его вес.С точки зрения компактности охладителя, чем меньше зазор между пластинами охлаждения, тем лучше. Однако, существует предел, меньше которого выбирать указанный зазор не имеет смысла.Известно, что, с точки зрения эффективности охлаждения, определяющим фактором при выборе конструктивных параметров охладителя является отношение коэффициента теплоотдачи к коэффициенту аэродинамического сопротивления,Исследования показывают, что при коридорном расположении отверстий для охлаждающего воздуха это отношение растет с уменьшением межпластинчатого зазора, достигая максимума при величине зазора, равной...
Силовой полупроводниковый прибор
Номер патента: 682971
Опубликовано: 30.08.1979
Авторы: Абрамович, Либер, Сакович
МПК: H01L 23/48
Метки: полупроводниковый, прибор, силовой
...фиксирующие бандажи 31 и 32.Изолирующий стакан 26 фиксируется в заданном положении пружинными планками 33 и 34. Токоподводящпе фланцы 29 и 30 скреплены с крепежными фланцами 35 и 36, образующими жесткую конструкцию с изолятором 37, выполненным, например, цз стекла. Электрод управления 22 структуры 1 соединен изолированным проводом 23 с выводом 24,Крепежные и токоподводящце фланцы 35, 36 ц 29, 30 соединяются механически болтами или сваркой с системой токоподвода и охлаждения или, в случае последовательного соединения, с аналогичньтттт деталями других приборов.В качестве теплоотводя щей жидкости здесь используется дистиллированная децонизированная вода. Вода поступает через отверстия токоподводящего фланца 29, направляется конусом 27...
Устройство для охлаждения полупроводниковых элементов
Номер патента: 683648
Опубликовано: 30.08.1979
Автор: Хериберт
МПК: H01L 23/36
Метки: охлаждения, полупроводниковых, элементов
...бифилярно намотанный змеевик; на фиг. 2 - то же, вид сверху.Устройство содержит спиральной формы бифилярно намотанный змеевик 1 с впускным штуцером 2 и выходным штуцером 3. Змеевик 1 вмонтирован в сердечник 4 из геплопроводящего материала, который обозначен штрих-пунктирной линией.На фиг. 1 направление втекающего потока жидкости обозначено стрелкой А, а вытекающего потока - стрелкой В. На фиг. 1 видно, что витки спирали А и В поочередно чередуются. Этим самым рядом расположенные витки спирали попеременно заполняются горячей и холодной охлаждающей жидкостью, поддерживая, по крайней мере приближенно, постоянное среднее значение температуры по всей спирали.На фиг. 2 показан вид сверху спирали змеевика 1 в направлении впускного...
Способ изготовления электролюминесцентного экрана
Номер патента: 655257
Опубликовано: 05.09.1979
Авторы: Золотухин, Лисенкер, Марончук
МПК: H01L 21/20
Метки: экрана, электролюминесцентного
...разныхсторонах табло, этим существенноповышается КПД табло, Таким способом также достигается хорошая контрастность изображения за счет того,что каждый элемент табло окружен металлом, Такая конструкция решает ипроблему теплоотвода, что в свою очередь позволяет экрану работать сбольшой светоотдачей, т,е, одновременно включать большое число элементов,Предлагаемый способ позволяетупростить технологию изготовлениятабло, получить значительную экономиюисходного полупроводникового материала, так как нет необходимости, например, стравливать значительнуючасть полупроводника, кроме того,разрезание р - и-переходов большихплощадей на стержни позволяет существенно увеличить полезную плошадь полупроводникк ов ого матери ал а,П р и м е р. На подложках...
Контактирующее устройство для контроля динамических параметров микросхем
Номер патента: 686107
Опубликовано: 15.09.1979
МПК: H01L 21/66
Метки: динамических, контактирующее, микросхем, параметров
...работает следующим образом.Испытательный сигнал наносекундногодиапазона от генератора через многоканальный высокочастотный коммутатор входов (на чертеже не показаны) один извысокочастотных разъемов 5 и одну изпечатных полосок 4 полосковых линийзонда 2 поступает на наконечник 6 и соответственно на площадки микросхемыпри контактрровании. Через другую печатную поноску 4 полосковых линий и другой.высокочастотный разъем 5 наконечник 6зонда 2 соединен коаксиальным кабелемс согласованным коммутатором нагрузок(кабель и коммутатор на чертеже не показаны).Одновременно этот же испытательныйсигнал подается на один из входов измерителя динамических параметров. Под действием поданного на вход испытательного 45сигнала микросхема вырабатывает выходной...
Устройство накопления и передачи электромагнитной энергии
Номер патента: 686108
Опубликовано: 15.09.1979
МПК: H01L 39/16
Метки: накопления, передачи, электромагнитной, энергии
...образом.Накопительная обмотка 1 запитываетсяот источника тока .3 до величины тока(0,8-0,95 критического значения, Припередаче энергии запускается выключатель 4 и предварительно заряженный кон 45денсатор 5 разряжается на систему встречно включенных по магнитному потоку катушек 1 и 2, Величина разрядного токаопределяется индуктивностью рассеяниясистемы катушек 1-2. Если суммарное59значение тока в накопительной обмотке1 превышает критическое значение токаее проводника, то обмотка переходит изсверхпроводящего состояния с нулевымсопротивлением в нормальное состояниесо значительным сопротивлением. Таккак контур вспомогательной обмотки 2представляет цепь с меньшим сопротивле 08нием, то ток в накопительной обмотке 1 спадает, а во...
Устройство линейного перемещения
Номер патента: 686109
Опубликовано: 15.09.1979
Автор: Рагульскене
МПК: H01L 41/09, H02N 2/04
Метки: линейного, перемещения
...2и 5 возбуждаются колебания, перпендикулярные к основанию, в вибровозбудитель, Э при подключении к генератору можетукорачиватЪся либо удлиняться,Возбудители 2, 3, 5 могут быть выполнены пьезокерамическими, магнитострикционными, электромагнитными и другими.Устройство работает следующим обра- фОзом,При подключении генератора электрических колебаний (на чертеже не показан)к вибровозбудителю 2 он начинает вибрировать, тем самым снижая трение между 5основанием 1 и вибровоэбудителем 2, атакже между вибровозбудителями 2 и 5.Затем подключают генератор к вибровоэбудителю 3, вследствие чего он удлиняется. Поскольку масса перемещаемого Жобьекта 4 намного больше массы вибровоэбудителя 2 последний перемещаетсявправо относительно...
Вибродвигатель
Номер патента: 686110
Опубликовано: 15.09.1979
Авторы: Курыло, Рагульскис
МПК: H01L 41/09, H02N 2/12
Метки: вибродвигатель
...315подключены к высокочастотному генератору ( на чертеже не показано) противофазно, и прикрепленного к нему дополнительного пьезокерамического элемента 5,26фрикционно сопряженного с ротором 1Устройство работает следующим обраПри подключении составного пьезокенческого вибратора 2 к высокочастотВибродвигатель, содержащий ротор и составной пьеэокерамический вибратор, прижатый к ротору, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью увеличения момента вращения и скорости вращения, составной пьеэокерамический вибратор выполнен в виде стержни с разделенными на две части электродами, закрепленного в концах, в середине котарого прикреплен дополнительный пьезоэлемент, например треугольный, соприкасающийся с ротором. Источники информации, принятые во...
Способ влагозащиты пьезокерамического преобразователя
Номер патента: 686111
Опубликовано: 15.09.1979
Авторы: Гранат, Койфман, Старобинец
МПК: H01L 41/22
Метки: влагозащиты, преобразователя, пьезокерамического
...О С, возникающее давление воздухадаже у преобразователей с большим объемом замкнутой полости не преаьдпает3 5 2 атм. Давления таких порядков легко и без сложного оборудования создаются с помощью воздуха в автоклавах.Возникающее при заданной температуре термообработки полимерного колщаунда давление может быть рассчитано по известноцу закону ШарляР=Р(3 ф --О25"ка).Подготавливают известными методами(обезжириаание и т. и.) пьезокерамичес- Зпкий элемент и другие входящие в преобразователь конструктивные детали к склейкеф Наносят Зпоксидный клен марки Д 15 щд65 на подготовленные поверхности пьезоэлемента и деталей и соединяют их мел-: 35ду собой. Помещают собранный преобразователь в автоклав, а котором при65 С создают избыточное давление О,5...
Вибрационный электродвигатель
Номер патента: 686132
Опубликовано: 15.09.1979
Автор: Петренко
МПК: H01L 41/09, H01L 41/12, H02N 2/12 ...
Метки: вибрационный, электродвигатель
...расположенных плоскихпружин 5. При этом часть б колебательного элемента изготовлена из магнитофрикционного материала, а обмоткавозбуждения 7 охватывает магнитострикционную часть стержня без механического контакта с ним. Обмотка возбуждения питается током высокой частоты686132 Фиа одпи сное аж 85 ПИ Заказ 5482/54 оектная,Патент,город,Фили от генератора электрических колебаний. Плоские пружины и обмотка возбуждения укреплены на каретке 8, которая при помощи рукоятки 9 может поворачиваться вокруг оси, проход- щей через точку контакта колебательного элемента с ротором, На валу двигателя закреплен рабочий орган 10, например сверло.Бибрационный электродвигатель работает следующим образом.Для запуска двигателя подают электрический ток...
Способ изготовления пьезоэлектрических керамических элементов
Номер патента: 687494
Опубликовано: 25.09.1979
Авторы: Ежовский, Мамчиц, Мирошников, Ремова, Сергеева
МПК: H01L 41/18
Метки: керамических, пьезоэлектрических, элементов
...фрезерование) для снятия припуска и придания заготовкам формы готовых иэделий, Прн этом с поверхностей, подлежащих металлнзацнн, снимают весь припуск, а на псверхностях, не подлежащих металлиэациоставляют часть прнпуска величиной0,1 мм, После этого соответствующие6874 94 4татами испытаний пьезоэлементов, данные о которых приведены в таблице. Предлагве Пример 1 . Пример 2 Пример 3 О 0 0 0 мула изоб енн тров;предлагаемого способа элементов по сравнеодтверждвется реэуль Составитель Н, Фельдманорозова Техред . 3, фанта Корректор М. Шароши Редакто Подписноекомитета СССРи открытийаушская нвб., д, 4 Тираж 923Государственноелам изобретенийМосква, Ж 35,./47ЦНИИпо1303 аказ Филиал ППП "Патентф, г. Ужгород, ул, Проектная 3поверхности...
Способ определения глубины залегания микрослоев и микродефектов
Номер патента: 688857
Опубликовано: 30.09.1979
Авторы: Полякова, Прохоров, Тарасевич, Точицкий, Чечера
МПК: G01N 1/36, H01L 21/66
Метки: глубины, залегания, микродефектов, микрослоев
...получают путем скола излома или среза, а также изготовлением перпендикулярного или наклонного шлифа. Далее измеряют профиль поперечного сечения, например излома, на электронном микроскопе или с помощью других специальных устройств. Затем наносят реплику одновременно на поперечное сечение и боковые стороны образца. Укб 118857 Формула изобретения Составитель А. Хачатурян Техред Т. Писакииа Корректор В. Дод Редактор А. Соловьева Заказ 210210 Изд. Ме 550 Тираж 1090 Подписное НПО Поиск Государственного комитета ГССР по делам изооретепий и открытий 113035, Москва, К.35, Расписка; наб., л. 45Типография, пр. Сапунова, 2 репляют реплику, например ультрафиолетовым облучением, и снимают ее с образца с разворотом в одну плоскость. Далее...
Способ изготовления двухкаскадных микроохладителей с параллельным питанием каскадов
Номер патента: 690576
Опубликовано: 05.10.1979
Авторы: Мытиль, Нечипорук, Семенюк
МПК: H01L 35/34
Метки: двухкаскадных, каскадов, микроохладителей, параллельным, питанием
...10 производилось с помощью припоя из олова, висму. 30 та и сурьмы с температурой Ппавлення 150,а припаивание коммутационных нластйй11 и перемычек 12 - с помощью припояиз олова и висмута с температурой плавления 135.35 При токе 27,5 А микроохладитель развили условиях вакуума максимальный перепадтемператур, равный 112,2,Предлагаемый способ позволяет унифициро.вать . производство двухкаскаднь 1 х термоэлект-.40 рических охладителей, т,е. осуществлять ихсборку нз стандартных двухкаекадных элементов. Изобретение может быть с успехом применено при массовом изготовлении высококомпактных двухкаскадных микроохладителей с4 з параллельным питанием каскадов. Формула изобретенияСпособ изготовления двухкаскадных микро. охладителей. с...
Исполнительный механизм
Номер патента: 690592
Опубликовано: 05.10.1979
МПК: H01L 41/09, H02N 2/12
Метки: исполнительный, механизм
...следующим образом,От источника 12 питания поступаетпеременное промодулированное по амплитуде напряжение на пьезоэлемент 1, ачерез дифференциальный усилитель 13 -на биморфный пьезоэлемент 9, возбуждаетих и тем самым приводит во вращение содинаковой и противоположной скоростьюцентральные колеса 4 и 5 ротора, покасигнал синхронизации биморфного пьезоэлемента 9, поступающий на один из вхо дов дифференциального усилителя, равенсигналу синхронизации, поступающему наего другой вход с командного пульта,например, сельсина-датчика. В этом слу 55чае ось ротора находится в покое и уголнаклона пьезоэлемента 9 по отношениюк поверхности центрального колеса оста 92ется неизменным, При изменении амплитуды напряжения, поступающего с пульта...
Пленочный диод
Номер патента: 550066
Опубликовано: 05.10.1979
Авторы: Дюков, Кулюпин, Непийко
МПК: H01L 29/12
...подложки отликоличество вещества, а следовательно, островков н расстояния между ними, нно изменяются от одного электрода ому, При другом способе, перемещая в процессе напыления, получают пленку упенчато изменянипейся толщиной. Этузатем прогреванл ло образования остров уктуры. Диснергированные металлически изготовляют из золота, хрома или из66 4мость металлов и диэлектриков при облучении существенно не меняется, Свойства этойсистемы зависят от температуры, но интервалрабочих температур значительно расширяется(для пленок золота на стекле 4,2-600 К, адля пленок тугоплавких металлов, напримерхрома, 4,2 - 800 К),Формупа изобретения тавитель П. Торед З.ФантаКорректор Т. Скворцова дактор Т. Колодцева Покомитета СССи открытийскал наб д,4/...
Кассета для транспортирования плоских деталей
Номер патента: 691947
Опубликовано: 15.10.1979
Авторы: Комаров, Никулин, Поярков
МПК: H01L 21/68
Метки: кассета, плоских, транспортирования
...на фиг, 3 - положение фиксатора в кассете ф на технологической (рабочей) операции.Кассета для транспортирования плоскихдеталей содержит основание 1. с профилиованными пазами 2 на боковых стенках 3для размещения транспортируемых деталей 4. В боковых стенках выполнены отверстия для размещения удерживающих трубок Б, В олной из стенок 3 выполнено продольное отверстие для размещения фиксатора 6, подпружиненного в продольном направлении плоской пружиной 7, Фиксатор выполнен в форме вала с кольцевыми выступами 8 (по ходовой посадке в продольйом отверстии) . Шаг расположения выступов равен шагу между пазами кассетьь Кассета помещена на рабочую позицию 9 со штифтом 10,Устройство работает следующим образом, При нахождении кассеты вне рабочей...
Полупроводниковй холодильник для охлаждения фотокатода
Номер патента: 287705
Опубликовано: 15.10.1979
Авторы: Ключарев, Коленко, Халин
МПК: H01L 23/38
Метки: охлаждения, полупроводниковй, фотокатода, холодильник
...холодных спаеввыполнен из двух пар конусных попукопец, одна из которых закреплена на полуНа чертеже изображен предпвгаемый лупроводниковый холодильник, общий вОн сОстОит из съемника тепла, явпяю ешегося электропроводником 1 и выпопненного из отдельных трубчатых секторов 2, изолированных один от другого изоляторами 3 и 4 со штуцерами 5 для охлаждаюшей жидкости. Нв внутренней поверхности съемника тепла смонтирована двухквскадная термоэлектрическая батарея. Первый каскад ее состоит из полупроводников 6 и 7, изолятора 8 и промежуточного кол лектора 9 холодных спаев, Второй каскад 2 О состоит из полупроводников 10 и 11 имедного коллектора хоподчых спаев, выпо,пненного из двух пвр 12 и 13 конусных полуколец, Одна пара попукопец с...
Устройство для измерения вольтфарадных характеристик р-п переходов
Номер патента: 693273
Опубликовано: 25.10.1979
Авторы: Голосов, Крылова, Митряев
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Метки: вольтфарадных, переходов, р-п, характеристик
...к периоду1.с,ь изобретения - повышение точности пзчсрсния. Поставленная цель лостигается тем, что :выхол генератора соелицец со входом Х осциллографа, д выход второго кочмута"ора сосдицсц со вторыч вхолоч первого кочмутатора.На чертеже прелставлепд схсмд сшисываемого хстроиствд.Устройство солержит лвд кочмута"ора . 1, 2 генератор 3, цослсловдтельно включсццыс двтогсцерятор 4 и частотный летсктс.р 5, .осциллограф б, источник калиброванного цацря)кения 7, эталонную ечкость 8 и измеряемый р-и-перехол 9.Устройство работдсг следуощим образом. Генератор 3 вырабатывает пилообразное напряжение, ачплитула кох)рого может иЗ хецяться. )то напряжение через коммутатор 2 цоластся ца измеряемый р-и-переход. С лругого вхола кочмутдтора 2 ца...
Устройство для измерения зависимости емкости конденсатора со структурой металл-диэлектрик-полупроводник от велечины поверхностного электростатического потенциала
Номер патента: 693276
Опубликовано: 25.10.1979
Автор: Рагаускас
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Метки: велечины, емкости, зависимости, конденсатора, металл-диэлектрик-полупроводник, поверхностного, потенциала, структурой, электростатического
...идеализированные теоретические зависимости.Второе из известных устройств содержитгенератор линейно изменяющегося напряжения, аналоговое дифференцирующее устройством, образованное операционным усилителем и исследуемой МДП-структурой, ко торая включена между выходом генератора и инвертирующим входом операционного уси лителя, и осциллограф 2. Это устройство также не обеспечивает измерения зависи мости емкости МДП-структуры от величиныповерхностного электростатического потенциала.. Брызгаовая Составитель ЮТехред О. ЛугТираж 1073Государственного клам изобретений иква, Ж - 35, РаушсПатент, г. Ужгоро Редактор И, Нестеро Заказ 6066/1 6р Н. Стене митета С открытий кая наб.,ул. Про ЦНИИПИпо д 113035, Мо лиал ППП д. 4(5 ктная, 4 времени,...
Способ очистки поверхности кремниевых пластин
Номер патента: 693491
Опубликовано: 25.10.1979
Авторы: Ковчавцев, Пчеляков, Соколов, Стенин, Французов
МПК: H01L 21/302
Метки: кремниевых, пластин, поверхности
...во время первого прогрева с поверхности кремния удаляются летучие компоненты, которые остались после стандартной химической обработки, в том числе и естественный окисел, Низкие парциальные давления кислорода и паров воды обеспечивают сохранение гладкой исходной поверхности при прогреве, Углеродсодержащие компоненты после испарения естественного окисла связываются в Кристаллы карбида кремния, Время прогрева 4 - 15 мин,Последующее окисление, производимое при 850 - ИООС, в течение 2 - 8 мин после запуска в камеру сухого кислорода до давления 0,1 - 10,0 торр обеспечивает как окис. ление карбида кремния, так и образование сплошной пленки двуокиси кремния толщиной 25 - 40 А. Пленки тоньше 25 А не обеспечивают полного окисления частиц карбида...
Термоэлектрический материал для положительной ветви каскадного термоэлемента
Номер патента: 693492
Опубликовано: 25.10.1979
Авторы: Абрикосов, Авилов, Шелимова
МПК: H01L 35/12
Метки: ветви, каскадного, материал, положительной, термоэлектрический, термоэлемента
...- -19,2РЬТе 1,2 - 4,8Теллурид германия Остальное.Добавки теллурида марганца существенно уменьшают температуру фазового перехода, а добавки теллурида свинца благоприятно влия 1 от ца термоэлектрические свойства сплавов,Температура фазового перехода уменьшается от 320 С при содержании 4,8 мол% МпТе и 1,2 мол.% РЬТе до 122 фС при содержании 19,2 мол,% МпТе и 4,8 мол.% РЬТе в теллуриде германия. Эти температуры существенно ниже точки фазового перехода в известном сплаве. Низкие значения температур фазового перехода исключа 1 от образование юг.-фазы вблизи холодноМаксимальные значения Х имеет сплав 79 мол.% беТе, 16,8 мол.% МпТе, 4,2 мол.% РЬТе. Этот сплав характеризуется такими же значениями 2, что и материал прототипа, но имеет значительно...
Вибродвигатель
Номер патента: 693493
Опубликовано: 25.10.1979
Автор: Бансевичус
МПК: H01L 41/09, H02N 2/04
Метки: вибродвигатель
...например, две25пьезоэлектрические пластины 17 и 3.8,башмаками 19 и 20 прижатых к ротору16.Линейный вибродвигатель работаетсйедующим о бразом.При появлении на выходе генератора3.0 электрических колебаний синусоидального напряжения в пьезоэлектрическойпластине возбуждаются продольные с амтЩитудой А(см. фиг. 5) и изгибныес амплитудой А, (см, фиг. 6) колебанйя. Размеры и параметры пьезоэлектрической пластины 1 подобраны так, что вней устанавливаются продольные (см. фиг,5) колебания с одним узлом колебаний 4 Ои изгибные (см. фиг. 6) колебания в виде стоячей волны с тремя узлами колебаний, Резонансная частота Хреэ Апродольных колебаний близка м резонансной. частоте 1 эвз Аизгибных коле 45баний,93но ползуна в течение первой...
Пьезокерамический материал
Номер патента: 693494
Опубликовано: 25.10.1979
Авторы: Клейне, Пасынков, Ривкин, Сергеева, Серова, Яценко
МПК: H01L 41/16
Метки: материал, пьезокерамический
...в соответствии с предложением пьезоэлементов включает в себя:- синтез пьезокерамического материалаЦТБС из исходных компонентов, вес,%:РЬО 54,332; ВаО 11,945; ЯгО 0,336; Т 10 а 12,1891УгОг 21,198 (по принятому в производствекерамическомуспособу. или химическим 16методом);- синтез вводимой в пьезокерамическийматериал добавки в силитовой печи при1200 - 1250 С и измельчение ее до порошка,проходящего через сито Юо 0056 ( 0000отв/см), при следующем соотношении.компонентов, вес.%,РЬО 68,120 - 81,744су 10 а 16,670 - 18,7541 лг О 0,210 - 0,420ТЮд 5,540 - 6,648 26суЬгОа 1,156 - 9,250- смешивание пьезокерамического материала и добавки (как было установлено впроцессе проверки полученного вещества,при технологическом процессе...
Устройство для охлаждения полупроводниковых элементов
Номер патента: 697062
Опубликовано: 05.11.1979
МПК: H01L 23/36
Метки: охлаждения, полупроводниковых, элементов
...электродом 12, проходит охлаждающую пластину 21 и выходит снова через соединение 22 из распределительной пластины 20. Пас редством шлангового соединения вода подается к распределительной пласти" не тиристора, имеющего одинаковый потенциал, проходит там охлаждающую пластину и до того, как используемая в качестве охлаждающей среды вода выйдет и вернется в сборник, онаеще раз соприкоснется с титановымэлектродом.Подаваемая в распределительнуюпластину 18 у соединения 23 вода со"прикасается точно так же с титановымэлектродом 12 и затем протекает по 5охлаждающей пластине 16. Распределительная пластина 18 сконструированатаким образом, что выходящая из ох"лаждающей пластины 16 вода проходитчерез нее и попадает в охлаждающую 10пластину 17....
Автомат ультразвуковой напайки кристаллов
Номер патента: 698075
Опубликовано: 15.11.1979
Автор: Никулин
МПК: H01L 21/607
Метки: автомат, кристаллов, напайки, ультразвуковой
...установленных нанаправляющих 8 кронштейна 9, размещенного на диске 10 общего привода.Диску 10 со сварочными головками 1 и5 сообщаются перемещения как в вертикальной, так и в горизонтальной плоскостях, Составной частью автомататакже является устройство 11 для поворота круглой кассеты 12 с кристаллами, механизм 13 резки и подачи золотых прокладок 1 4, нагреватель 15,включающий в себя корпус 16 с дугообразным пазом 17, нагревательныйэлемент 18, посредством которого осуществляется предварительный нагревкристаллов с золотой прокладкой и ножек полупроводниковых прибоэв 19,установленных в ленточной кассете 20,неподвижный и подвижный ножи 21 иЗГ)22, окно 23,Устройство работает следующим образом.При включении привода (на чертеже не...