H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 182778

Опубликовано: 01.01.1966

МПК: H01L 35/32, H01L 43/00

Метки: 182778

...устройствана осноье эффектов Пельтье и Эттинсгаузена,В предложенном устройстве термобатареявыполнена в виде цилиндрического соленоида,внутри которого создается магнитное поле.Это позволило использовать батарею одновременно в качестве генератора холода и какисточник магнитного поля для охладителя Эттннсгаузена.На чертеже изображена схема предлагаемого устройства,На цилиндре 1, выполненном из материала,обладающего высокой теплопроводностью,расположена термобатарея 2, изолированнаяот цилиндра при помощи теплопереходов 3. 15Отвод тепла от горячих спаев термобатареиосуществляется одним из известных способов(водой, воздухом и т. д.). На внутренней поверхности циличдра 1 сделан выступ 4, на ко ором крепится монокристалл 5...

Номер патента: 183292

Опубликовано: 01.01.1966

МПК: B23K 11/10, B23K 11/24, B23K 37/00 ...

Метки: выводов, ножки, полуавтомат, полупроводниковых, приборов, приварки, траверсам

...элемен 183292ты с необходимым для каждого вывода усилием, На электроды подаются импульсы предварительного подогрева и сварки с режимами, необходимыми для каждого вывода.При дальнейшем движении по верхнему ярусу транспортера кассеты вносятся в зону разгрузки. Разгруженные кассеты, двигаясь по верхнему ярусу транспортера, поочередно поступают на платформу опускателя 9, который, опуская разгруженную кассету в нижний ярус транспортера, утапливает поворотный упор 10 толкателя П (см, фиг, 2 - 4), Толкатель 11 совершает движение на длину одной кассеты и жестко закрепленным упором 12 заталкивает кассету в нижний ярус. Затем толка- тель 11 возвращается в исходное положение, а опускатель 9 поднимается в верхний ярус, освобождая упор 10,...

Номер патента: 183844

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Адирович, Литори, Рождеств, Рубинов, Сиприкова, Тошзнля, Юабов

МПК: H01L 31/06

Метки: 183844

...проводимостью и датчиковдля получения многоэлементной информации.В качестве датчиков используются фотосопрвтивления, которые изменяют нод действиемрадид 10 в распределение потенциала, создд; 10)1 емого внешним источником ндпря)кения.В предлагаемом преобразователе датчикимногоэлементной информации выполнены изполупроводниковой плени с аномально больиим фотонанряжснием (афн-пленки), которые непосредственно преобразуют радиационный ноток и электрический нотенцияльн);ирельеф,В отличие от полупроводниковых фотоэлс.ментов, генерирующих фотондпря)кение по- Юрядка ширины запрещенной зоны (осс)ло 1 н)фн.пленки генерируют нрн тех же освсщенностях сотни вольт нд снтнмстр длины пленкиирн кОмнтнОЙ тсмпс 1)31 турс и нор 5 дкд тыс 1)ивольт ш)...

Номер патента: 184302

Опубликовано: 01.01.1966

МПК: G01K 7/22, H01C 7/06, H01L 35/32 ...

Метки: термоэлемент

...термоэлемента могут быть независимыми от теплообмена с внешней средой и будут меняться в зависимости от направления протекающего тока.При подключении данного термоэлемента квнешнему источнику тока элемент может ра ботать как прерыватель, либо при перемененаправления тока - как термистор с той разницей, что его энергетическая чувствительность будет больше, а инерционность меньше из-за безинерционности эффекта Пельтье.15 Для сокращения габаритов устройства иуменьшения влияния тепловых потерь термоэлектрические электроды и термочувствительный слой выполняются в виде коаксиальных цилиндров.20 На чертеже представлена схема термоэлемента.Положительный 1 и отрицательный 2 электроды состоят из полупроводников с р- и и- проводимостью....

Номер патента: 184808

Опубликовано: 01.01.1966

Автор: Клименко

МПК: H01L 21/20

Метки: выращивания, монокристаллических, слоев

...какуумературе,ика,Известен способ получения монокристаллических полупроводниковых пленок, например германия, на нейтральной подложке методом микрозонной плавки с помощью электронного луча, Способ сложен и не применим для получения пленок легколетучих соединений.Предлагаемый способ заключается в том, что кристаллизацию ведут в вакууме, порядка 10 "мм рт. ст. при температуре, близкой к точке плавления полупроводникав зазоре, создаваемом плоскостями ориентированной и нейтральной подложек. При этом происходит перепечатывание эпитаксиального слоя на изолирующую подложку, изготовленную из материала, имеющего коэффициент расширения, близкий к кристаллизующемуся веществу, например сапфира или керамики.На чертеже показано устройство для...

Номер патента: 184979

Опубликовано: 01.01.1966

МПК: H01L 21/04

Метки: я-переходов

...получить высокую поверхностную концентрацию бора в кремнии (концентрация В (1 - :2) 10 гз см з) и не создает равномерной концентрации бора по площади, при этом глубина диффузии бора невели ка.Предложенный способ отличается от известного тем, что термодиффузия проводится из борокальциевосиликатного стекла состава 1 В,Ози 510 з ЙСаО, в котором СаО, обладая 15 большей упругостью пара, чем В.Оз, создает предпосылки для поддержания достаточно высокого относительного содержания В,О, в стекле в процессе термодиффузий. Способ позволяет получить высокую поверхностную кон центрацию бора, равномерную по площади (концентрация бора 10 зо см - з) при большой глубине диффузии бора.Предложенный способ заключается в том, что на шлифованную поверхность...

Номер патента: 184980

Опубликовано: 01.01.1966

МПК: H01L 21/66

Метки: глубины, дрейфа, излучений, индикатор, кремниевых, лития, п-детекторах, ядерных

...т, е. определение глубины дрейфа лития сводится к определению глубины залегания р п-перехода.Известен способ определения глубины залегания р - г-перехода в кремний с помощью электрофотографических проявителей, например, по электрохимическому отложению меди.Предлагаемый способ определения глубины дрейфа лития в кремний отличается от известного тем, что р - и-переход проявляют сухими электр офотографичсскими проявителями (ПСи БСТ) .Хорошие границы перехода получаются как на травленой поверхности, так на шлифованной и механически полированной.Большое влияние на четкость картины оказывает прикладываемое к детектору напряженйе, с его ростом четкость увеличиваетсй,При напряжении ниже 40 в частицы электрофотографических порошков садятся...

Номер патента: 186032

Опубликовано: 01.01.1966

Автор: Институт

МПК: H01L 21/465

Метки: поверхности, полупроводниковыхприборов

...рабочего объема до 110 - 4 лтм рт. ст,Предлагаемый способ отличается от известных тем, что после воздействия фтористого водорода и последующего вакуумирования рабочего объема до 1 10 - 4 мм рт. ст. обрабатываемую поверхность подвергают воздеиствию кислорода при давлении порядка 1 мм рт, ст, Способ позволяет получить более стабильные и низкие значения обратных токов и увеличить коэффициент усиления по току.Сущность предлагаемого способа заключается в следующем. Полупроводниковые приборы после сборки на ножку, стандартного химического травления и промывки помещают в реактор из нержавеющей стали. В реакторе создают вакуум порядка 110 - 4 мм рт. ст. и подвергают воздействию газообразного фтористого водорода при давлении порядка 100 лм рт....

Номер патента: 186043

Опубликовано: 01.01.1966

Автор: Изоб

МПК: G01J 5/12, H01L 37/02

Метки: излучения, измерительный, оптическогодиапазона, приемник

...оптического диапазона, содержащие пленочное основание, на которое нанесены пленка поглощения, проводящая пленка, включенная в цепь тока замещения, и индикатор нагрева, выполненный в виде микротермистора. Такие приемники обладают погрешностью измерения, вызываемой разогревом микротермистора при включении его в мосто. вую схему измерения.Предлагаемый приемник отличается от известных тем, что индикатор нагрева выполнен в виде пленочной термопары, что упрощает технологию его изготовления.На чертеже показан предлагаемый приемник излучения,На пленочное изолирующее основание 1 нанесены пленки поглощения 2 и проводящая пленка 3, включаемая в цепь тока замещения (не показана) при помощи контактных пленок 4 и выводов,5. С другой стороны...

Номер патента: 186538

Опубликовано: 01.01.1966

Автор: Лискер

МПК: H01L 21/66

Метки: полупроводников, термоэлектрической, эффективности

...Способ определения т эффективности полупрово иийся тем, что, с целью уп измерения, измеряют тепл разца, подвергнутого возд 20 потока при нулевом токе и мыкании образца, причем электрической эффективно ности полученных значени ти, отнесенной к величине 25 измеренной при нулевом тоИзвестные способы определения термоэлектрической эффективности полупроводников раздельным измерением параметров а, Х и о либо по методу Хармана сопряжены с большой затратой времени и требуют строгого соблюдения условий эксперимента.Предлагаемый способ отличается от известных тем, что последовательно измеряют теплопроводность образца, подвергнутого воздействию теплового потока, при нулевом токе и при коротком замыкании образца, причем о величине...

Номер патента: 186567

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Дроздов, Зотов, Ленин

МПК: H01L 23/02, H01L 23/04

Метки: полупроводниковых, фланец, элементов

...фланец для полупроводниковых элементов имеет меньший вес и позволяет локализовать нагрузки, возникающие при холодной сварке, Нижняя поверхность разгрузочной канавки и нижняя поверхность буртика параллельны одна другой и расположены на расстоянии не более 0,1 толщины буртикаНа чертеже изображен предлагаемый фланец,Монтаж полупроводниковых переходов осуществляется на плоскости 1 фланца. Фланец имеет разгрузочную канавку 2 и сварочный буртик 3. Поверхность 4 разгрузочной кана ки и поверхность 5 сварочного буртика и раллельны одна другой, и расстояние межд ними не превышает 0,1 толщины буртика. Предмет изобретенияФланец для полупроводниковых элементовс плоскостью для монтажа полупроводниковых переходов, содержащий разгрузочную ка навку...

Номер патента: 187160

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Биб, Изобретепи, Мыльников, Рыбалко, Сладков, Теренин, Ухин

МПК: H01L 21/471, H01L 51/00

Метки: фотополупроводниковое

...УС 1 РОЙС 1 ВО ИзвесРР 1 о применение органических полу- прок;:,ников для изготовления электрофотографичес 1(Р 1 х слоев, в частности полиинов общей формулы К; - (С: - С) - К где и=.2, Кт и К - Органические радикалы.Предлох(ено фотополупроводниковое устрОЙство, В котором, с цель 1 О повышени 51 его чувствительности, чувствительный элемент выполня 1 от цз ацетиленидов металлов общей формулы ИСТОМ ВИДЕ Р 1 СО СВ 51 ЗУЮ 1 ЦИЫЦ НЯ 1 ЬС 51 Вствами.Злектр5 пол имернПОЛ ОРИ ЦТ осротограиде суспеых связельные и овлендов ваняю Пред м е водниковое устройство ствительнь 1 м элементом,1, что, с цел 5 по повышенити, чувствительный э ацетцленидов металлов 1 олупро м чувс ся те 1( тельнос тнот из ы орга- отлия его цемент общей- К илиК - С:-С М Ме...

Номер патента: 187858

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Карпов, Лебедев, Тайц, Черн

МПК: G05D 23/30, H01L 35/00

Метки: объектов, термостабилизации

...термоэлектрической батареи объясняется тем, что при прохождении тепло. вого потока через замкнутую батарею в ней возникает электрический ток, и, следовательно, создается дополнительный перенос тепла на основании эффекта Пельтье,На чертеже представлена схема установ. ки, работающей по предложенному способу.В изолированном термостате 1, одной из стенок которого является термобатарея 2, помещены термостатируемый объект 3, выделяющий тепло, и термочувствительный кон. гакт 4. Тепловая энергия, выделяемая объектом, повышает температуру термостата по отноше 1 шю и температуре окружающеи средь и, пройдя через термоэлектрическую бата рею, рассеивается в окружающем простран стве. Если температура в термостате вы данного уровня,...

Номер патента: 187859

Опубликовано: 01.01.1966

МПК: H01L 21/66

Метки: 187859

...8 при включении магнитного поля,Исследование термомагнитных эффектов, наряду с исследованием гальваномагнитных эффектов, электропроводности, коэффициента т-э.д.с., позволяет определить фундаментальные параметры полупроводника: знак и концентрацию носителей, подвижность и прочие.Измерения термомагнитных эффектов приобрели особый интерес в связи с созданием преобразователей тепловой энергии в электрическую, использующих поперечный эффект Нернста-Эттингсгаузена. В известных устройствах для измерения поперечного эффекта Нернста-Эттингсгаузена в величину э.д,с. включается неизотермическая составляющая, искажающая результаты расчетов параметров 15 полупроводника. Предложенное устроиство отличается тем, что термопары-зонды подведены к...

Номер патента: 189097

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Бергман, Веннер, Готман, Михалович, Пггхомов, Петраковский

МПК: H01L 21/00

Метки: полупроводниковыхприборов

...закрепленной на нем заготовкой; на фиг. 2 представлено копировальное приспособление; на фиг. 3 показан эталон с растровой пластиной.Заготовку 1 в виде тонкой, чисто обработанной полупроводниковой пластины, с двух сторон которой па общей оси расположены призматические пазы 2, ставят на технологический спутник 3 и жестко закрепляют с помощью винтов 4 фиксаторами 6, входящими в пазы, В верхней части корпуса 6 копировального приспособления закреплен винтами 7 негатив 8, В рабочем положении заготовка 1 прижата к негативу пружинами 9, передающими давление на заготовку через кольцо 10, шарики 11, гнездо 12 и спутник 3.Точность совмещения заготовки с негативом обеспечивают сферическая головка фик сатора 13, входящая в конусное гнездо 14...

Номер патента: 189462

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Библ, Заикин, Леонов, Находкин, Петухов, Сапожников

МПК: H01L 25/00

Метки: питания, преобразовательная, тяговых, устаповка, цнии-3, электродвигателей

...для выхода воздуха. Канал для охлаждающего воздуха ооразован охлядителямп 12, которые собраны в виде блоков и соединены шпильками И ме 1 с 1 у верхней 14 и нп)кней 15 изоляционными панелями. Блоки устанавливаются на 2 электроизоляционных няпрагляющпх 16 иудерживаются с помощьо неподвижного 17 и съемного 18 упоров. Охладителп 12 образуют панели, расположенные симметрично относительно продольной оси установки, с охлаж дающими ребрами, расположенными горизон189462 1 У тально и повернутыми навстречу друг другу. В охладители вворачиваются выпрямители 19, которые при помощи гибкого вывода 20 соединяются со следующим охладителем 12. Выпрямители 19 двух противоположных панелей соединяются при помощи токопроводя щих стержней 21, расположенных в...

Номер патента: 177557

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Адирович, Дун, Ощепков, Рождественска, Рубинов, Сиприкова, Юабов

МПК: H01L 31/18

Метки: дискретных, системы

Номер патента: 177990

Опубликовано: 01.01.1966

Автор: Фесенко

МПК: H01L 29/00

Метки: реверсивный, составной, транзистор

...малымфициентом использования и не позволяю лучить симметричную схему составного р зистора.В предлагаемом транзисторе повышение коэффициента использовашя достигается шунтированием переходов силового транзистора управляющими транзисторами, эмиттеры кото рых подключены к базовому электроду силового транзистора, а эмиттерные переходы зашунтированы сопротивлениями или диодами. Возможность же получешя симметричной схемы составного транзистора достигается ис пользованием второго (вспомогательного) силового транзистора и обратным включением управляющего транзистора, шунтирующего коллекторный переход силового.На чертеже приведена схема соединения 20 описываемого транзистора.Управляющие транзисторы 1 и 2 включены параллельно эмиттер ному...

Номер патента: 179387

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Калашников, Кузнецов, Перельман

МПК: H01L 21/66

Метки: стенд, ударно-вибрационный

...ударно-вибрационцый стендпозволяет повысить производительность труда при механических испытаниях приборов и качество этих испытаний, что в конечном итоге повышает надежность выпускаемых прибоЗо ров. Испы ганне элементов радиоэлектроннойаппаратуры для обнаружения коротких замыканий и обрывов производится, как правило,ца раздельном оборудовании. Короткие замыкания проверяются на вибростенде, а обрывы - на ударных стендах.Известные ударно-вибрационные стендыдля создания одновременных ударно-вибрационных воздействий работают на принципеполучения ударного импульса на консоли, которая после прекращения действия ударапродолжает колебаться с затухающей амплитудой.Фактически ударно-вибрационный стенд работает раздельно на удар и...

Номер патента: 181093

Опубликовано: 01.01.1966

МПК: G01K 7/22, H01L 29/88

Метки: алкилтиоэтансульфокислоты, ариловых, р-алкоксии, эфиров

...эфиров вин илсульфокислоты со спиртами или меркаптацами в присутствии щелочных катализаторов цо схемеСН.= СНЯОзОАг+РХН-.КХСНз - СНеЯОеОАг, где Х - О или 5;Й - алкил или аралкил.Реакция заканчивается при слабом нагреганни реагентов. В качестве катализатороь используют металлический натрий, алкоголяты ц меркаптиды щелочных металлов, третичные амин 61 и т. и,П р и мер. К раствору эквимолекулярных количеств эфира вицилсульфокислоты и спирта илц меркаптана при перемещивании добавляют катализатор (0,1 - 1 мол. %) и реаонцую массу выдерживают прц 40 - 50 С вчецие 8 - 10 час. Спирты или меркаптаныгут примецяться в избытке. По окончанииакции смесь промывают водой, высушивцад сульфатом магццн и проду 1 ст выделперегонкой илц...

Номер патента: 181162

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Бурлакова, Воронин, Нотекл, Рудник

МПК: H01L 35/04

Метки: термоэлемент

...мала (или сплава металлов),запрессоваи металлический т по п. 1, отличаощиися тем, ей выполнена нз металла и ужит электродом с сохране- ветви металлического нера. Известны термоэлементы, в которых одна ветвь состоит целиком из полупроводникового материала с припрессованной второй металлической ветвью.Предложенный термоэлемеит отличается тем, что термоэлектрические ветви выполнены из полупроводникового материала и металла (или сплава металлов), между которыми запрессован металлический электрод.Ветвь, выполненная из металла, может одновременно служить электродом с сохранением во второй ветви металлического нерабочего участка.Такая конструкция термоэлемента позволяет уменьшить тепловые потери на нерабочем участке ветвей за счет...

Номер патента: 181205

Опубликовано: 01.01.1966

МПК: H01L 29/94, H01L 31/00

Метки: 181205

Номер патента: 181699

Опубликовано: 01.01.1966

МПК: H01L 35/12, H01L 35/32

Метки: кольцевой, термоэлемент

...простым смачиванием внутренней поверхности колец. 15На чертеже изображена схема предлагаемого кольцевого термоэлемента.Полупроводниковый материал р- и гг-типаи 2 находится в зазоре между кольцами д, 4 и 5, выполненными, например, из молибдена. 20 По внутреннему кольцу 3 проходит высокотемпературный жидкометаллический теплоноситель. По торцам ставятся шлифовальны но диаметрам керамические нанбы 6, и в разрез между кольцами 4 н 5 вставляется керамическая шайба 7, котооая разделяет положительную и отрицательную ветви. Величина коаксиального зазора между наружнымн н внутренними кольцами составляет 0,5 - 2,5 л.я и выбирается нз условия, чтобы не развивалось конвективное движение жидкого полупроводника. Заполнение зазора...

Номер патента: 181744

Опубликовано: 01.01.1966

МПК: H01L 21/00

Метки: 181744

...ножки, один нз ножейножниц и 1 еет г)ыехку, глУбнна которой меньше высоты треугольника н толщина равна требуемой длине обрезанного вывода, а второй ноя имеет трн режущие кромки, распо локенные нд разньх уровнях так, что меньшя разница между уровнем средней кромки и уровнем одной нз крайних больше высоты упомянутого треугольника. 11 звссп)ы устройст)1 для обрезки выо с д)сковымп и прямыми ножами, нмеющ одну режущую кромку,В предложенном устройстве один нз ножей нхссг Выевку, д другой - трн рсяущнс кромки. Это позволяет производить обрезку выводов постепенно, что исключает изгиб выводов н появление микротрещин стскчянном изоляторе, а следовтельно, улучшает ачество продукции.На фиг. 1 изображена кинемдтнческдя схема устройства; на фиг. 2...

Номер патента: 190448

Опубликовано: 01.01.1967

Автор: Патт

МПК: H01L 35/26, H01L 35/34

Метки: термоэлемента

...заключается в каскадировании в один термоэлемент последовательно тонких слоев полупроводни. ка, обладающих при данной рабочей температуре концентрацией носителей, близкой к оптимальной. Второй метод заключается в программном выращивании полупроводниковых кристаллов с переменной концентрацией электроактивных примесей.Кроме больших технологических трудностей, эти способы характеризует такой существенный недостаток, как изменение термоэлектрических свойств во времени в связи с диффузией легирующих примесей при эксплуатации из-за наличия градиента температур и концентраций, Это приводит к сникению термоэлектрической эффективности. Предлагаемый способ отличается тколичество легирующих примесей итрацию носителей подбирают по...

Номер патента: 190489

Опубликовано: 01.01.1967

МПК: H01L 29/36

Метки: 190489

...слоя кристаллов. 1Предложенный способ отличается от из. вестных тем, что в кристаллы кремния перед отжигом вводят донорную примесь в концентрациях от 0,1 до 0,4 к концентрации атомов алюминия или бора, содержащихся в крем нии. Способ позволяет значительно увеличить сопротивление приповерхностного слоя кристаллов кремния и тем самым повысить электропрочность и к.п.д. диодов.Для изготовления кристаллов в кремний с 2 концентрацией алюминия или бора от 10 т 9 до 10 тт см 3 вводят донорную примесь, например фосфор, мышьяк или сурьму в соотношении от 0,1 до 0,4 к концентрации атомов алюминия или бора, затем слиток режут на пластины и проводят их высокотемпературный отжиг.Предлагаемый способ увеличивает в 5 - 10 раз эффективность...

Номер патента: 190977

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Богачихин, Меркушкин, Техинчсс

МПК: H01L 41/113, H02N 2/18

Метки: генератор, переменноготока, синхронный, трехфазный

...симметричными электродами, нанесенными на ее внешьною цилиндрическую поверхность, и сплошным электродом, нанесенным на внутреннюю поверхность трубки, один конец которой жестко закреплен, а другой - связан с валом, создающим изгибные колебания трубки, Такое выполнение генератора переменного тока позволяет производить искробезопасный съем напряжения и упростить его конструкцию,На фпг. 1 изображен трубчатый преобразователь; на фиг, 2 - описываемый генератор.Преобразователь представляет собой радиально поляризованную изогнутую трубку 1 с тремя электродами 2, т, 4, нанесенными на ьпешнюю часть трубки, и сплошным внутренним электродом 5, Выводы с электродов 2, 3, 4 образуют трехфазную систему. Один конец Трехфазный синхронный генератор...

Номер патента: 191662

Опубликовано: 01.01.1967

Автор: Израйлев

МПК: H01L 27/12

Метки: схем, твердых, тонкопленочных

...отли. елью упрощения пром, для изготовления сублимирующий мате. и кадмий. овленияоснованложкиющим ваарет элев изготочто, с цства схеьзованпинк ил аявлсно 26.И 11.1965 ( 1023991/26-9 ПриоритетОпубликовано 26.1.1967. Бюллетень4Дата опубликования описания 21,П 1,1967 Изьестные способы изготовления тонкопленочных или твердых схем основаны на нанесении на поверхность подложки трафаретапленочного типа с последующим вакуумнымнапылснием через этот трафарет элементов исоединительных проводников изготавливаемой схемы.Предлагаемый способ изготовления тонкоПЛЕНОЧ(ЫХ ИЛИ ТВЕРДЫХ СХСМ ОТЛИЧЯЕТС 51 ТЕМ,что для изготовления трафарета использовансубл 11 миру 1 опп 1 Й материал, папр 11 мер ци 51 кили кадмий. Зто позволяет упростить процесспроизводства...

Номер патента: 191698

Опубликовано: 01.01.1967

Автор: Морозов

МПК: H01L 21/00

Метки: автоматической, аксиальными, выводами, ориентировки

...щупы 7. Ось поворотной шестерни шарнирно соединена с подпружиненным толкателем 8, несущим упоры-сталкиватели 9 деталей из магазина 10. Против щупов в кольце закреплены контакты 1/ управления фиксатором 12, который закреплен на основании. Снизу к основанию прикреплен копир 13 для отвода щупов после поворо та, С поворотной шестерней зацепляется под пружиненная рейка 14 с приводом от кулачка 15, жестко укрепленного на валу 1 б электро- привода, Кулачок осуществляет реверс кольца.Толкатель 8 перемещает ползун 5 в поперечном пазу 4, перекрывая щупами сквозную про резь кольца. При этом упоры 9 отсекают измагазина 1 О очередной диод, и он падает на щупы, поджимаясь к контактам 11. Шестерня б, перемещаясь с ползуном 5, тянет своим зу - бом...

Номер патента: 191701

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Герцик, Журавлев, Лидоренко, Набиуллин, Сладков, Тверь

МПК: H01L 31/052

Метки: преобразования, солнечной, этгергйи"в

...фотоэлектрические преобразователи, параболоцилиндрическис концентраторы, привод слежения за солнцем и несущую раму. Эти устройства отстают от современных требований ввиду сложности систем слежения за солнцем и изменения годового его склонения, а также из-за их громоздкости.Предложенное устройство отличается от известных тем, что концентраторы снабжены направляющими, в пазах которых перемещаются панели с преобразователями, а соединение концентраторов тягами обеспечивает синхронный поворот их от одного привода слежения за солнцем. Более простое по конструкции, это устройство позволяет получить максимальную мощность независимо от годового склонен 1 я солнца.На чертеже показаны общий вид устройства и сечение А - Л по панели и...