H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 865053

Опубликовано: 15.07.1993

Автор: Глущенко

МПК: H01L 21/335

Метки: интегральных, мдп-транзисторов

...с удельным сопротивлением 7,5 Ом см. На подложку осаждают за счет реакции дихлорсилана саммиаком в среде азота нитрид кремния толщиной 700 А при температуре 710 С.фотолитографией формируют фоторезистивную маску и на установке "Плазма 600 Т" вытравливают нитрид кремния и кремний на глубину 0,35 мкм. В открытые участки поверхности подложки проводят ионную имплантацию бора с энергией 80 кэ 8 и дозой 2 мК /см. В результате на этих участках формируются р -области, препятствующие образованию инверсионных каналов между диффузионными шинами. Тем самым увеличивается пороговое напряжение паразитного транзистора.После снятия фоторезиста и отмывки в перекисно-аммиачной смеси (10:1) проводят окисления при температуре 1050 С в течение 120 мин в среде...

Номер патента: 1145838

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Котов, Красножон, Медведков

МПК: H01L 21/265

Метки: вч-транзисторных, структур

...ионной имплантации ннеде 11 ие только взащитный диэлектрический слой надместом выхода р-и-переходз 1 д поверхность примеси, противоположной повоздействию на знак заряда в упомянутом окисле или знаку встроенного зарлда приводит к компенсации встроенного здрлда н окисле и устранениювозможности возникновения поверхностных каналов, что в случае транзисторной структуры уменьшает кривизну выходящего на поверхность слоя объемного зарядд, приолиждет характеристикипроводимости материала подложки вприпонерхностном слое к объемным иуменьшает токи утечки при увеличениипробивных напрлжений н основном коллекторного перехода за счет уменьшения плотности поверхностных токов инжекции и устранении причин термической неустойчивости и вторичного...

Номер патента: 897058

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Булгаков, Красножон

МПК: H01L 21/385

Метки: диэлектрической, изоляцией, кремниевых, структур

...в виде трещин и пор тер- змомеханическими напряжениями в слоеокисла, выращенном на сильно развитой,острорельефной матированной поверхности кремния глубиной рельефа одного по- арядка и выше толщины выращенногоокисла,Поскольку образование рельефа на про- Офтравливаемой поверхности кремния опре-,деляется наличием на нейприповерхностных нарушений стРуктуРы имеханическими напряжениями (после различных обработок), то для увеличения равномерности распределения скрытыхдефектов по поверхности схем, пластиныперед матирующим травлением подвергаютвоздействию потока ионов (например, окнавскрывают ионным, ионно-химическим илиплазмохимическим травлением) или допол- - фнительному воздействию электронов (например, электронно-лучевой...

Номер патента: 867224

Опубликовано: 15.07.1993

Автор: Глущенко

МПК: H01L 21/331

Метки: структур, транзисторных

...в кислороде с аргоном на установке УВПосуществляют плазмохимическое осаждение маскирующего диэлектрического покрытия в двуокиси кремния толщиной 0,5 мкм, Фотогравировкой вскрывают эмиттерное окно 7 и плазмохимическим способом в течение 5 мин во фреоновой плазме хладона 14 (тетрафторид СР 4) под давлением 44 Па, используя маскирующие свойства фоторезиста, вытравливают примесный слой 8 на глубину, большую глубины его залегания на 0,45 мкм. После снятия фотореэиста и отмывки пластин в перекисно-аммиачной смеси производят термическую разгонку базового примесного слоя 9 при температуре 1150 С вначале в сухом кислороде в течение б мин, а затем в нейтральной азотной среде до глубины 4 мкм. После стравливания тонкого слоя двуокиси кремния с...

Номер патента: 867233

Опубликовано: 15.07.1993

Автор: Красножон

МПК: H01L 21/3065

Метки: двуокиси, ионно-химического, кремния, нитрида, травления

...в герметичный резервуар 2, термостатируемый с помощью термостата 3. Через устройство для дозирования малых расходов газов 4 пары фтористого водорода поступают в вакуумпровод 5. Туда же, через устройство для дозирования малых расходов газа 6 поступает в вакуумпровод водород 7. Этот суммарный молекулярный поток 8 поступает в формирователь 9 ионного потока 10. В формирователе 9 под воздействием электромагнитного поля от источника питания 11 создают газовую плазму 12 низкого давления, в которой происходят реакции диссоциации, ионизации и т.п. С помощью электрической составляющей электромагнитного поля из плазмы вытягивают поток положительных ионов 10 продуктов диссоциации фтористого водорода и водорода. Для компенсации накапливающегося...

Номер патента: 900759

Опубликовано: 15.07.1993

Автор: Глущенко

МПК: H01L 21/331

Метки: вч-транзисторов, мощных

...базовый слой 4 ( 0,9 мкм) полученный термической диффузией из эпитаксиального слоя, Для более глубокой подразгонки базового диффузионного слоя используют отжиг в окислительной и нейтральной (азотной) средах при температуре 1373 - 1423 К.Далее фотогравировкой в диэлектрическом слое 5 вскрывают окно 6, через которое загонкой бора из борного ангидрида (В 20 з) при температуре 1323 К с последующей термической обработкой в комбинированной среде сухого и увлажненного водяными парами кислорода(Т"1223 К) формируют эмиттерную область 7 с маскирующим ее диэлектрическим покрытием двуокиси кремния 8, При этом область эмиттера 7 входит в диффузионный базовый слой 4, полученный диффузией из высоколегированного эпитаксиального слоя 3. Толщину...

Номер патента: 1050475

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Глущенко, Красножон

МПК: H01L 21/78

Метки: кристаллов, полупроводниковых, структур

...над элементами ной канавкой 13.структуры подложки и в разделительных П р и м е На пол ир и м е р, а полупроводникоои.от 5 до 5 мкм. вые пластины кремния 1 с интегральл и сводникКроме того, травящая среда для по- ными структурами 3 после Форм ру р , овой подложки не должна 15 ния металлизированной разводки 5 изи овавоздействовать на открытое маскирую- алюминия методом плаэмохимическогот бщее диэлектрическое покрытие, Таким осаждения наносят " " 6тре ованиям отвечает указанное в спозащитныи слои особе идвуокиси кремния в режиме: темпера"со е плазмохимическое травление, но тура подложки Т = 200+10 Сне в полной ме ео ожки = + , давлениеой мере, поскольку диэлект О кислорода Р = (2-2,5) Па с добавлеием моносилана до давления 25...

Номер патента: 1272927

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Гальцев, Глущенко, Татьянин

МПК: H01L 29/73

Метки: планарная, структура, транзисторная

...заряда основных носителей ТЬка - электронов), расположенной в высакаомцой полупроводниковой 2 подлояскепленарной базовой аблас" тц 2 второго типа проводимости, эмгсттерцых областей 3 первого типа проводимости, йасснвирующего Обнасти с поверхности структуры, днэлектри" 25 ческога покрытия се толщиной с 1 ц с положительным знаком пастолцйага заряда коцтагстцьхх огсац 5 ц 6 соответственно к базовой и эмиттерцой Облас лм ц метахглпзцрОезаглньпс к ц 1 гм кантк" ЗО тов 7 и 8, 9 в , граница не расппгреннай эа пределами контактов базовой 7 и эмцттерцой 8 металлизацней, а 10 и, 1 - расширенные вне контактов и базовой облстц соответственно безовыс и эмиттерцые металлизированные контакты с постолццой длиной а12 и пснрцной /с 1 13 промежутка...

Номер патента: 1102433

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Глущенко, Дмитриев, Колычев

МПК: H01L 21/48, H01L 21/76

Метки: кристаллов, полупроводниковых, приборов

...подложка с пассивирующей пленкой, нанесенной на рельеФную поверхность; на Фиг,5 - завершенная полупроводниковая транзисторная структура со вскрытыми контактными площадками55На фиг.1-5 изображены полупроводниковая подложка 1, базовая область 2, эмиттерная область 3, за 33 4щитное покрытие 4, контактные площадки металлизации 5, слой Фоторезиста 6, канавки 7 диэлектрической изоляции, подтравленные канавки8 диэлектрической изоляции, пассивирующая пленка 9.П р и м е р. В полупроводниковойподложке кремния 1 толщиной 300 мкм,служащей коллектором, Формируют диФФузией бора из трехбромистого бораВВг базовую область 2 глубиной залегания - 10 мкм и противоположногоподложке р-типа проводимости,ДиФФузию проводят в две стадии:загонка примеси при...

Номер патента: 1010994

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Красножон, Сухоруков

МПК: H01L 21/331

Метки: биполярных, транзисторов

...охранногокольца одинакового типа проводимостис базовой областью, удаление легированного окисла и создание нового слоямаскирующего окисла, фотогравировкуобласти. базы, диййузию базы, удаление %легированного окисла и создание нов,го слоя маскирующего окисла, йотогравировку области эмиттера, диййузию эмиттера, зотогравировку контактов к базе и эмиттеру, создание металлизации, после окисления подложкина нее наносят нитрид кремния, проводят зотогравировку по нитриду кремния, оставляя его на области базы,осуществляют локальное окислениеподложки, удаляют слои нитрида кремния и нижележащего окисла, повторноокисляют поверхность открытого кремния до толщины окисла 0,11-0,17 мкм,проводят дийузию для созДания охранного кольца, затем...

Номер патента: 1827691

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Комаров, Корчагин

МПК: H01L 21/312

Метки: нанесения, подложку, покрытия

...вмещается более 1000 мл материала покрытия, что составляет 1000 доз величиной 1 мл.Работа устройства происходит следующим образомЧерез штуцер 16 в дополнительную емкость 5 из технологических емкостей заливается материал покрытия - врассматриваемом примере фоторезист, Затем включается электропривод 15, сообщаащий возвратно-поступательное движение рабочему элементу - сильфону дозатора 1. При движении вниз сильфон растягивается, внутри него создается разрежение, и фоторезист через входной всасывающий) клапан дозатора 1, трубопровод 2, фильтр 3 и заборный патрубок 4 поступает из дополнительной емкости 5 внутрь дозатора 1 до тех пор, пока флажок 13 не дойдет до датчика 12, фиксирующего момент заполнения доза- торэ 1. Датчик 12 формирует...

Номер патента: 1827692

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Клепиков, Комаров

МПК: H01L 21/312

Метки: жидкостной, плоских

...между средством 4 подъема изделия и днищем ванны 1. Устройство снабжено сборником 13 обрабатывающей жидкости со сливным патрубком 14, который одновременно служит корпусом, ограничивающим рабо ций объем.Устройство работает следующим образом.Подложку 2 помещают на выступах 3 вванне 1, В этот момент средство 4 находится в крайнем нижнем положении, подложка 2 перекрывает сливные отверстия 9, 10 в ванне 1, Иэ форсунки 17 подают заданное количество обрабатывающей жидкости до заполнения ванны 1 таким образом, чтобы покрыть подложку 2 полностью. Осуществляют процесс обработки. При этом ванну 1 средством 4 подьема подложки 2 вначалесунки 15 подают деиониэованную, воду на обе стороны подложки 2, По окончании процесса отмывки прекращается...

Номер патента: 1827693

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Бестаев, Мошников, Томаев

МПК: H01L 21/66

Метки: гомогенности, границе, изменения, области, проводимости, соединений, температуры, типа

...о парах лигатуры соста 30 35 40 45 50 55 длиной 150 мм, которую предварительно подвергали травлению, затем термообрабатыоали о вакууме, создавали давление 10мм. рт. ст, и затем отпаивали, Процесс вы-. ращивания занимал 4 - 5 дней, Условия выращивания были следующие: температура роста 860 - 925 С, градиент температуры 3 - 10 С. На плоском своде ампулы, как правило, о конце процесса роста получали 5 -7. кристаллов с формой правильного параллелепипеда и с линейными размерами 3 х 3 х 2 мм.Состав полученных монокристаллов РЬо,дзЗпо,отЯе определяли методом локального рентгеновского анализа. Однородность по электрофизическим свойствам контролировали с помощью нестационарного термозондооого анализа. Для кристаллов была характерна высокая...

Номер патента: 1827694

Опубликовано: 15.07.1993

Автор: Никулов

МПК: H01L 21/66

Метки: выявления, кремния, слоев, структур, эпитаксиальных

...р,- р- области,приложенный к и+и области положительныйпотенциал относительно катода оказывается более низким по сравнению с потенциалом рр+,г р",;" р - области, Это приводит ктому, что во время проявления шлифа и-область структуры не изменяет окраску, а и+область окраску цвета изменяет вследствиеболее легкой окисляемости.Таким образом после проявления шлифа окрашенными являются и", р, р+ рслои. Неокрашенными остаются и-, р слои. Соседствующие р и р -слои имеютразличную окраску и могут быть измереныраздольно.Время выдержки структуры в растворебез подачи напряжения, равное 1 - 3 с,берется минимальным, поскольку естественный окисел, толщина которого не более50 А стравливается практически мгновенно.Нижний предел электрического напряжения...

Номер патента: 1827695

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Абдинов, Агаев, Алиева, Ахундова, Тагиев

МПК: H01L 21/66

Метки: полупроводников, электропроводности

...друг ат друга с помощью тонкого электраизоляционнога слоя с теплапроводнастью, близкой к теплопрооаднасти полупроводника.Ниже приводятся экспериментальныеданные полученные на образцах и- и р-типа проводимости кристаллов твердых раство 30 35 40 45 другу, Вследствие этого и направления градиента температуры на первой и второй частях образца будут направлены друг против друга, т, е, например, конец первой части образца, в котором выделяется теплота 50 Пельтье, будет располагаться на конце второй части образца, на которой поглощается теплота Пельтье, и наоборот. Поэтому с момента прохождения тока 55 через образец. поглощаемая и выделяемаятеплота Пельтье на первой части образца будут полностью компенсироваться теплотой, выделяемой и...

Номер патента: 1827696

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Байкулов, Беккер, Волкова, Приходько, Шлыков

МПК: H01L 21/78

Метки: кристаллы, пластин, полупроводниковых, разделения

...Здесь создается поле однородных напряжений сжатия, определяющеежелательное направление распространения микротрещин. Величина нагрузки Рподбирается экспериментально для данно 55 го алмаза скрайбера, т, к. зависит от глубины надреза пластин и шириныскрайбирования дорожки,Нагретая до температуры Т 1 нижняяплита находится о непосредственном тепловом контакте со скрайбированной повер 5 10 15 20 25 На фиг. 3 представлено схематическое расположение векторов внешнего механического напряжения о и термомеханического напряжения о), а также показано направление градиента температурного поля, где Т 2Т 1. Как видно из фиг. 3 градиент температурного поля направлен параллельно внешним механическим напряжениял ае, а разделяющие пластину...

Номер патента: 1827697

Опубликовано: 15.07.1993

Автор: Васильев

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: охлаждения, полупроводникового, прибора, радиатор, силового

...недостатком радиатора является значительное увеличение габаритных размеров и массы при увеличении количества пластин в наборе.Целью изобретения является повышение эффективности охлаждения при одновременном уменьшении габаритных размеров и массы.Поставленная цель достигается тем, что в известном радиаторе, содержащем основание в виде соединенных между собой пластин, ребра в виде отогнутых концов пластин и опорную площадку для полупроводникового прибора, пластины основания соединены между собой одними концами внахлестку с минимальным перекрытием, равным диаметру б опорной площадки по-, лупроводникового прибора и максимальным перекрытием; равным толщине Я набора пластин в основании, т.е, БЬ б,Таким образом, отличительным от прототипа...

Номер патента: 1827698

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Вето, Костюков, Кузнецов, Пугачев, Шилин

МПК: H01L 27/148

Метки: виртуальной, зарядовой, прибор, связью, фазой

...импульса Оф он+ поступает на и -Обласи 7 и через узкий пол 1827698ностью обедненный р-слой электрическое поле проникает в зоны канала 2, 3 и потенциал там повышается. Максимальный потенциал в глубине области 2 становится выше потенциала пл-области предыдущего элемента ПЗС, потенциальный барьер устрэняется и зарядовый пакет предыдущего элемента ПЗС передается в пг-область 3 данного элемента, имеющую наибольший потенциал, Зарядовый пакет данного элемента в это же время из пл-области 5 перетекает в пг-область следующего элемента, После окончания импульса уровень понижается до 0 и заряд из пг-области 3 перетекает в п 4-область 5.П редлагае алый ПЗ С изготавливается следующим образом.Подложка - кремний КВс концентрацией в ИА 1 = 3,510...

Номер патента: 1827699

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Божков, Семенов, Табакаева

МПК: H01L 29/86

Метки: ограничительный, полупроводниковый, прибор

...прибор, включенный параллельно линии передачи, например волноводно-щелевой, работает следующим образом,При малом уровне СВЧ-сигнала, когда мгновенное значение напряжения на диодах не достигает напряжения открывайия, прибор имеет высокое полное сопротивление, значительно превышающее по абсолготной величине волновое сопротивление линии передачи. Ослабление, вносимое в СВЧ-тракт гголупроводниковым прибором, в этом случае имеет минимальное значение.При большом уровне СВЧ-сигнала в один полупериод колебаний открывается один полупроводниковый диод, в другой полупериод колебаний - другой (арсенид-галлиевые диоды с барьером Шоттки в миллиметровом диапазоне волн и не более длинных волнах глогут считаться "безынерциоиныгги"). Полное...

Номер патента: 1827708

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Вишневский, Гасанов, Курилко, Матвийчук

МПК: H01L 41/09, H02N 2/00

Метки: привод, пьезоэлектрический, реверсивный

...5 напряжения, частот которого совпадает с резонансной частото по высоте(см. фиг,1), в осцилляторе 1 возни кают продольные колебания по высоте й При этом, по высоте цилиндра укладываетс половина длины волны возбуждаемых коле. баний, При подаче этого же напряжения на электроды 8 генератора 7 в осцилляторе 1 возникает четвертая мода продольных коле. баний по длине окоужности осциллятора 1, Для эффективного возбуждения колебаний генератор 7 имеет четыре противофазна включенных секции 8 периферийно расположенных по обе стороны генератора продольных колебаний по высоте и, каждая иэ которых содержит два электрода 9, В этом случае на электроды каждых двух периферийных секций 8 генератора 7, расположенных диаметрально противоположно, подается...

Номер патента: 1828556

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Андреев, Горбоносов, Иванова, Ивашкин, Пузачев, Скулаков, Трелина

МПК: G09F 9/33, H01L 33/00

Метки: индикатор

...потки Г 1, Р 2, г-з, Ел, Г 5, Гб. Световойпоток Р 1 направлен в нормали к окну 2 ин. дикатора. Световые потоки Р 2, Гз отражаясьот светоотрэжающих поверхностей 19, 20усиливают яркость периферийных зон индикатора, э световые потоки Гл, Г 5 отражаясь от светоотражающих граней 23, 232призм, усиливают яркость центральной зоны светового поля индикатора. Световыег 1 отоки Г 2, г-з и Г 4, Г 5 направлены по нормали к окну 2. Это обеспецивается за счет того,цто оси кристаллов 10 совпадают с фокальными осями как параболоидов 17, 18, так ис фокальными осями призм 23. Кроме усиления интенсивности светового потока в центральной световой зоне индикатораобеспечивается выравнивание интенсивности светового потока за счет повышения яркости светового...

Номер патента: 1828560

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Йоханнес, Роланд, Хенрикус

МПК: H01L 21/28

Метки: полупроводниковых, приборов

...остальные легированные паликристаллические кремниевые участки 41, 42 акисляют лишь частично, в результате чего, как показано на фиг, 10, остаются легированные поликриал, в данном примере фоточувствительный реэист, которому затем придают канфигурацио при помощи традиционных методов фотолитографии и травления, в результате чего формируют маскирующий слой 28, оставляющий открытым легированный кремниевый участок 5. Затем вытравливают легирооанный поликристаллический кремниевый участок 5, После удаления маскируащего слоя 28 традиционными средствами получают структуру, изабраженнуо на фиг.2, а затем можно выполнить, например. операции, описанные выше в связи с фиг. 3-5, в результате чего получается транзисторная структура, изображенная на...

Номер патента: 1828564

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Карл, Лотар, Фреди

МПК: H01L 41/12, H02N 2/00

Метки: относительного, перемещения

...в осевом направлении стержня 8 и по всей его длине, Как упоминалось ранее, предварительное напряжение необходимо для того, чтобы стержень, после того как он подвергался влиянию магнитных полей, возвращался к его первоначальным размерам. Однако это предварительное напряжение может достигаться многими различными способами (фиг. 3 иллюстрирует только один пример такого предварительного напряжения).Как явствует из сказанного выше, важный признак, согласно этому изобретению, состоит в том, что стержень 1, 8 состоит из магнитострикционного материала. Предпочтительно, стержень 1, 8 делается из так называемого макромолекулярного магнитострикционного материала, например, сплава между редкоземельными металлами, такими как самарий (Зе), тербий...

Номер патента: 1160895

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Глущенко, Колычев

МПК: H01L 21/78

Метки: кремниевых, полупроводниковых, структур

...воздухом. Следующей после нддрездния чисткой5 11удаляют продукты надрезания и буртикс поверхности подложки, а также удаляют поверхностный дефектный и загрязненный слой маскирующего диэлектрического покрытия двуокиси кремния,Отсутствие специальной операциинанесения защитной маски, а такжеочистки подложки от продуктов скрайбирования маскирующего диэлектрического покрытия и мгталлизированной разводки в одном технологическомцикле упрощает способ и сокращаетвремя его проведенияП р и м е р, Полупроводниковуюподложку кремния толщиной 250 мкми-типа проводимости, служащую коллектором, подвергают термическомуокислению при температуре 1150 С втечение 3 ч, Процесс проводят в ком"Ьинированной среде сухого и увлажненного водяными парами кислорода...

Номер патента: 965266

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Грахов, Кусимов, Смоленков, Тлявлин

МПК: H01L 41/12

Метки: магнитострикционное, перемещений, угловых

...устройство угловых перемещений,содержащее магнитострикционный элемент, выполненный в виде трубки, цилиндрическую обмотку и замыкающиймагнитопровод,Для обеспечения углового перемещения путем создания винтового магнитного поля в теле магнитострикционногоэлемента устройство содержит дополнительную торовую обмотку,Недостатком устройства я сясложность и нетехнологичность кон965266 Редактор Г,Берсенева Техред И,Моргентал Корректор А.КозоризР Заказ 2036 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, й, Раушская наб д. Й/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул. Гагарина, 101 струкции, обусловленная указаннойторовой обмоткой.1 елью изобретения...

Номер патента: 965267

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Грахов, Кусимов, Смоленков, Тлявлин

МПК: H01L 41/12

Метки: магнитострикционный, перемещений, привод, угловых

...также магнитострикционный привод угловых перемещений, со- (Л держащий магнитострикционный элемент, М выполненный в виде диска, и цилиндри- (,Ь ческий сердечник с кольцевой выточкой, в которой размещена намагничивающая катушка.В известном приводе имеется дополнительная катушка возбуждения, охватывающая магнитострикционный элемент, для создания циркулярной составляющей спирального магнитного поля.Наличие этой катушки существенно усложняет конструкцию, приводит к нетехнологичности привода, в частности к затрудненной сборке и разборке.Уб 26 У Целью изобретения является упрощение конструкции и повышение ее технологичности. СоставительРедактор Г,Берсенева Техред М.Моргентал Коррект ла тиражго комитета по и35 Москва, ЖПодписноебретениям и...

Номер патента: 1163763

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Гальцев, Глущенко, Котов

МПК: H01L 21/331

Метки: мощных, свч, транзисторов

...кон11637 60 55 центрацией тока на периферии амит"терногп перехода.В данном способе устойчивость квторичному пробою зависит от велицинц общего сопротивления цели пассив-ной базы транзистора. Поскольку этосопротивление мало, ему соответствует малая максимальная мощность рассеяния, ограниченная шнурованием 10тока. Устойчивость транзистора квторичному пробою из-за отсутствияпадений напряжения на пассивной базеи на эмиттерном переходе также минимально 151 елью изобретения является улучшение электрических параметров транзисторов за счет повышения устойчивости транзистора к вторичному пробоюпри прямом смещении эмиттерного перехода.Поставленная цель достигается тем,цто в способе изготовления мощныхВЦ и СВЧ транзисторных структур,...

Номер патента: 1111651

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Грахов, Кусимов, Тлявлин

МПК: H01L 41/12, H02N 11/00

Метки: магнитострикционное, микроперемещений

...соединять пружинный элемент с биметаллической пластиной вблизи ее свободного конца с целью создания напряжений растяжения и сжатия в слоях пластины на всей ее длине, а следовательно, с целью максимального использоаания активного материала биметаллической пластины для ростикения эййекта увеличения ее прогиба при намагничивании г Редактор Г,Берсенева техред М,Иоргентал (орректор И.шмакова аказ 283 Тираж ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при П(НТ СССР113035, Иосква, Ж, Раушская наб д, /5 Производственно-издательский комбинатПатент", г, Ужгород, ул, Гагарина, 101 микроперемещений, содержащее магнитострикционный элемент - биметаллическую пластину, выполненную из материалов с различными по знаку...

Номер патента: 774478

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Булгаков, Косоплеткин, Красножон

МПК: H01L 21/3065

Метки: двуокиси, ионно-химического, кремния, нитрида, травления

...же режимах процесса селективность травления Я 10 г/Я лучше, чем 12:1. По мере истощения используемого раствора фтористого водорода его концентрация уменьшается до концентрации,соответствующей азеотропному составу,т.е. 38,3 масс. Опри нормальном атмосферном давлении.Использование 38,3-ного растворафтористого водорода в воде, соответствующего азеотропному составу при нормальном атмосферном давлении, при испаренииего в условиях повышенного давления врезервуаре приводит к тому, что, в соответствии со вторым законом Вревского, составнераздельно кипящей смеси при увеличении общего давления изменяется в сторонууменьшения содержания компоненты сменьшей дифференциальной теплотой парообразования, т,е. НГ, и составляет в исходном молекулярном...

Номер патента: 1114242

Опубликовано: 15.07.1993

Автор: Глущенко

МПК: H01L 21/331

Метки: высокочастотных, структур, транзисторных

...нитрида кремния; на Фиг,2 показаны полупроводниковая подложка,высокоомный п-слой, маскирующее поверхность покрытие, образующее выступ между высоколегированными областями противоположного подложке типапроводимости, составляющей 0,2-1,0от максимальной толщины разогнаннойвнешней базы; на Фиг.3 показаны подложка, высокоомный слой, маскирующеепокрытие, разогнанные внешние базовыеобласти с маскирующим диэлектрическим покрытием и активная база, созданная разгонкой примеси из легированных областей до.их смыкания; нафиг. 1 - показаны подложка, высокоом 1ный слой, внешняя база, активная базаи эмиттерная область; на Фиг,5 - показана завершенная высокочастотнаятранзисторная структура, включающаявысоколегированную полупроводниковуюлсподложку и...