H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 163291

Опубликовано: 01.01.1964

МПК: H01L 21/66

Метки: 163291

...следуют друг за другом. Эти импульсы подаются на вход реле постоянного тока 7. Реле срабатывает с помощью источника питания 8 и фотосопротивления 9 с частотой модуляции света. Фотосопротивление крепится относительно заготовки так, что если она освещается первым световым потоком, то и фотосопротивление освещается этим же световым потоком. Поэтому фотоэлектрический импульс от первого светового потока проходит через первую пару контактов реле, а импульсы от второго свеФормат бум. 6 Тираж 1050 нтета по Делам ква, Центр, пр.Г 1 одп. к печ. 23/И 1 - 64 г.Заказ 1667/12ЦНИИПИ Государственного кМо Х 90/а Объем 0,21 изд.Цена 5 коизобретений и открытий СССР ерова, д. 4. биография, пр. Сапунова, 2 тового потока - через другую пару контактов. Таким...

Номер патента: 163292

Опубликовано: 01.01.1964

МПК: H01L 21/383

Метки: 163292

...термопарой 5.Перед напылением пластину подвергаюг предварительному отжигу с целью удаления с ее поверхности адсорбирсванкых газов и летучих органических соединений, которые могли остаться пссле промывки. Затем по достижении высокого вакуума ка нагретую до температуры дяффузии пластину напыляется примесь, температура испарения которой в вакууме нихке температуры диффузии, В качестве примеси для германия применяются сурьв полупровод- езатранзистовысоком вапластины поотличаюевают до темсе напыления ев примеси в роисходит инПодписная группа Л 82 ОЗДАИИЯ ВАЗОВЫХ С ПРИЬО1КО ВЫ)Г ма, мышьяк, висмут, фосфор, а для кремния -материалы с большей температурой испарения. Нанесенная на пластину примесь частично внедряется в полупроводниковый...

Номер патента: 163508

Опубликовано: 01.01.1964

МПК: H01L 43/06

Метки: 163508

...поляла или под острым углом к ним, напримеребрам плоского датчика, что позволяебежать эффекта закорачивания холловнапряжения,Для использования одного и того женичного гальваномагнитного датчика какчика ЭДС Холла, или как датчика магсопротивления, или как гиратора примеся коммутирующее устройство и регулмый источник питания.На чертеже дана принципиальная свключения единичного универсальногованомагнитного датчика; на ней обозначсам датчик 1, холловские электроды 2,вые электроды 3, регулируемый источнитания 4, фигурные вырезы 5, направленивипотенциальных линий поля Холла б.Для использования универсального гальваномагнитного датчика в качестве датчикаЭДС Холла используется обычное включение,когда через попарно закороченные...

Номер патента: 163656

Опубликовано: 01.01.1964

МПК: H01L 35/34

Метки: термоэлемента

...пх разрезают на отдельные элементы.Еаза фиг. 1 для пояснения способа изображена одна из конструкций разъемных вкладышей для прессования брикетов термоэлементов; на фиг. 2 - вешний вид брикета.При прессовании используется разъемный вкладыш, который состоит из двух частей - собственно вкладыша 1 с тремя круглыми отверстиями в центральной углубленной части и двумя рядами отверстий для установки константановых электродов по краям и средней планки 2 с тремя цилиндрическими выступами, которые при сборке вкладыша входят в его отверстия.Количество отверстий для константановыхэлектродов определяется числом термоэлеменов в блоке.5 Перед прессованием константановые электроды д закладывают расплющенным концом кверху в отверстие вкладыша, который в...

Номер патента: 164068

Опубликовано: 01.01.1964

Авторы: Калинин, Соболев

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: полупроводниковых, сопротивления, удельного

...пара которых через детектор включена в электронную схему сравнения. Это дает возможность повысить точность и расширить диапазон измерения.На чертеже представлена схема, иллюстрирующая предложенное устройство.Сердечник 1 выполнен из феррита и, как видно из чертежа, имеет форму двух неполных колец, сложенных в виде Х. Общая обмотка 2 датчика 8 питается от отдельного высокочастотного генератора 4, напряжение которого модулируется модулятором 5 низкой частоты. Э. д. с., наведенная в измерительных 6 и компенсационных 7 обмотках, подается через детекторы 8 на электронную схему сравнения 9. Индикатор 10, подключенный через усилитель 11 к схеме сравнения, будет фикси ровать ноль. При внесении в один из зазоровдатчика 3 измеряемого образца 12...

Номер патента: 164907

Опубликовано: 01.01.1964

Авторы: Герцик, Долгов, Набиуллин, Сладкое, Шлионска

МПК: H01L 21/302

Метки: 164907

...обработкг полупроводниковых приборов, г товок кремниевых фотоэлектри р азов ателей, путем травлени щ и й с я тем, что, с целью увел водительности труда и упро поверхности от травителя, не травлению поверхность заготов путем прижатия ее, например с куумного присоса, прижимная торого снабжена кольцевым по стичного и кислотостойкого ма одписная гругнга Л 3 82 Для защиты поверхности полупроводниковых приборов при их обработке путем химического травления известны различные способы нанесения защитных покрытий в виде пленок, например парафина, битума и др.Известные способы защиты не подлежащей травлению поверхности полупроводниковых приборов путем нанесения покрытий достаточно трудоемки.В предлагаемом способе защиту поверхности, не...

Номер патента: 165248

Опубликовано: 01.01.1964

Автор: Щенко

МПК: H01C 17/00, H01G 13/00, H01L 21/68 ...

Метки: выводами, осевыми, первичной, радиодеталей, упаковки

...конструкция всего устройства,На плите 1 прорезан канал, в который входит бумажная лента 2 П-образной частью профиля. Лента проходит под толкателем 3 между подыгольцой пластиной 4 и прижимом б и заправляется на валки импульсной подачи(ца чертеже не показаны). Детали б из канаола 7 проходят в приемник 8 узла закрепления деталей в том случае, если толкатсль 3 находится в крайнем левом положении и подвижной упор 9 выведен нз канала приемника.Детали подаются толкателем 3 в приемник 8 так, что пх выводы проходят ца 3 - 4,и,к за ось иглы 10 В таком положении выводы сверху прижимаются к бумажной ленте прижимом Б и прошиьаются одновременно по двум строчкам. При перемещении детали корпус ее наоправляется снизу профцлироваццой лентой, входящей в...

Номер патента: 165804

Опубликовано: 01.01.1964

Автор: Войтон

МПК: H01L 43/08, H01P 1/24

Метки: активное, безынерционно, сопротивление, управляемое

...образова енней токопроводящей жилой 1 и царуяеталлической оболочкой 2. Пространство у жилой и оболочкой заполнено ферри . На конце линии включена согласован ней нагрузка 4. Магнитная система ак го сопротивления содержит магнцтопроб, снабяенный полюсными наконечника чив юи ь еяд томная с тивно г 1 одписная группа142 Управление величиной проницаемости феррита производится посредством катушки возбуждения 8, подключенной к источнику уп равляющего напряжения, не показанного на чертеже. При изменении магнитной проницаемости феррлта изменяется величина волнового сопротивления лцццц, т. е, величина сопротивления между точками 9 и 10, Использование цолюсных наконечников, расположенных вдоль оболочки линии и замкнутых маг нитным шунтом,...

Номер патента: 165835

Опубликовано: 01.01.1964

Авторы: Аникеев, Асанов, Брод, Гордон, Литвинова, Ломако, Межибовский

МПК: H01L 21/60

...выводы диода к контактным пружинам 11, которые включены в цепь питания электромагнита 12, Под валиком 10 установлен флажок 13, соединенный с якорем электромагнита, При опреде ленной полярности диодов относительно пружин 11 через катушку электромагнита 12 проходит электрический ток и электромагнит, перемещая флажок, дает возможность диоду попасть в зигзагообразную щель 14 обоймы о 15. При обратной полярности диодов ток через катушку электромагнига 12 не проходит, рлакок 13 остается неподвижным и диоды направляются в зигзагообразную щель 16 обоймы.Из зигзагообразных щелей обоймы диоды поступают в механизм маркировки (см. фиг, 1). На выходе зигзагсобразных щелей установлен отсекатель 17, снабженный двумя зубьями. Отсекатель непрерывно...

Номер патента: 165836

Опубликовано: 01.01.1964

Авторы: Плеханов, Слабипеюги, Стаховский, Шаталин, Языков

МПК: H01L 21/00

Метки: взаимного, деталейпри, сборке, сопряжения

...детали б, Над экраном размещены фотоэлектрические датчики б, в качестве которых могут быть использованы фотосопротивления, фотодиоды, и другие светочувствительные элементы, а также электроннолучевые передающие телевизиснные трубки.Сигналы рассогласования с датчиков поступают на блок управления 7, к которому подключены приводные двигатели 8, 9 и 10, перемещающие исполнительный орган 11 в горизонтальной плоскости по двум координатам и поворачивающие его вокруг вергикальной оси, Одновременно с исполнительным органом перемещается оптическая проекционная система и датчики. Величина сигналов рассогласования определяется взаимным расположением изображения детали на экране и датчиков. Если оно совпадает с тем, которое бь 1 ло задано...

Номер патента: 165837

Опубликовано: 01.01.1964

Авторы: Гельтищева, Догадкин, Королев, Марков, Туто

МПК: H01L 21/027

Метки: поверхности, полупроводника, рельефов

...не только в полупроводниковой промышленности, но и в других областях техники (полиграфии точной механике и т. д). е- о- Г Предлагаемый фо риал позволяет пол 0,1 лиг) рельеф на по увствительныи матеть глубокий (более 15 хности полупроводниредмет изобретени Способ получения рел полупроводника путем стоящий в нанесении слоя на поверхность по нировании его через тра сунком и последующем отличающийся тем ния глубокого рельефа ствительного кислотоза псльзуют полимерный х чук. их рельефов пригот циклокаучука в бен па поверхность пол фуге (толщина сл 2 й подсушки в те рхность полупрово локаучука, через к пируют рисунок. оир- г дписная группаСпособ фотогравировки на полупроводниках известен. Он заключается в нанесении фоточувствительного...

Номер патента: 165845

Опубликовано: 01.01.1964

Автор: Зыков

МПК: H01L 33/00, H05B 33/02

Метки: изображения, электролюминесцентный

...светонепрони 1 й слой 4, токоподводяополнительные электророводник 8. Слои 2 и 8 ктролюминофора покрыдиэлектрическими плаПри равномерном освещении фотопроводящего слоя его сопротивление, а следовательнс, и напр 51 жение 111 ежду электродом Б и высокопроводиом 8 буде Одинаков по 5 всей длине преобразователя. Это же напряжение приложено и к слОю эЛектролюминофорк, который светится также равномерно.При помощи дополнительных электродов 7в слое электролюминофора создается пере менное электрическое поле, равное по амплитуде и противоположное по фазе основному полю, создаваемому токоподводящими электродами 5 и б. Суммарное электрическое поле в электролюминофоре равняется нулю, элек тролюминофор не светится.При затемнении какого-лиоо участка...

Номер патента: 166074

Опубликовано: 01.01.1964

Автор: Гай

МПК: H01L 29/94

Метки: конденсатор, полупроводниковый

...сульфида или селенида кадмия с удельным сопротивлением 0,1 - 100 ом. см, легированный кадмием, индием, галлием или галоидами,Для уменьшения омического сопротивления монокристаллического электрода его выполняют в виде пластинки толщиной 20 - 2000 мк На одну из сторон рабочего электрода наносится омический контакт 4 из кадмия, алюминия или индия, на который электролитически наносят слой меди и припаивают проводник 5. В качестве вспомогательного электрода 2 используется тонкая пластинка из платины или другого инертного металла, устанавливаемая на расстоянии около 1 люл от рабочего электрода 2, Оболочку 6 электролитической ячей ки изготовляют из диэлектрика, например изстекла, полиэтилена или тефлона. Г 1 ри подаче отрицательного...

Номер патента: 166389

Опубликовано: 01.01.1964

Авторы: Васильковский, Соколенке

МПК: H01L 43/04

Метки: датчик, многослойный, пленочный, холла

...переменных, так и при постоянных магнитных полях н токах. Это достигнуто включением в цепь токовых электро. дов балластных сопротивлений, изготовлением элементарных датчиков из полупроводникового материала с одним типом проводимостч и последовательным соединением элементарных датчиков в цепи Холла.Конструкция многослойного датчика, состоящего из двух элементарных пленочных датчиков, изображена на чертеже.Каждый элементарный пленочный датчик 1. образованный при напылении на изоляционую пленку полупроводникового материала с проводимостью типа и, снабжен включенным в цепь токовых электродов 2 балластными сопротивлениями 3, выполненными в виде 5 сленки высокоомного сплава, нанесенной накснацы датчика. Прн изготовлении балластных...

Номер патента: 166409

Опубликовано: 01.01.1964

Автор: Шапиро

МПК: H01L 21/00

Метки: держатель, крепления, полупроводниковыхтриодов

...а в центре основания - отверстие длякрепления держателя пустотелой заклепкойна монтажной плате, отличающийся тем,что, с целью повышения надежности крепле 25 ния триода, основание держателя выполненов виде вогнутой сферы,лггсная груггпа М 82 Известны и применяются держатели для крепления полупроводниковых триодов, имеющие плоское основание, бортик с пазом длл вставления триода и отверстие в центре основания для крепления на монтажной плате пустотелои заклепкой. Кромка заклепки стре мится раздать бортик держателя, в резуль тате чего крепление триода на плате недоста точно надежно.Предлагаемый держатель отличается от известного тем, что основание его выполнено в виде вогнутой сферы с отверстием в центре, Е результате повышается...

Номер патента: 166417

Опубликовано: 01.01.1964

Авторы: Воробьев, Потапов, Югов

МПК: H01L 37/02

Метки: диапазона, излучения, измерительный, оптического, приемник

...мо пленки, 5 - пиемника).к дает возмож бретения едмет 15 Измерительныи пр ческого диапазона, с пленку с чернением кающийся тем, что, ности измерений и20 средний слой пленк замещения,дписная группа Л 3 б 2 Известны различные приемники излучения оптического диапазона, в том числе выполненные в виде трехслойной пленки.Предложенный приемник отличается от известных тем, что средний слой пленки включен в цепь тока замещения. В результате повышается точность измерений и упрощается градуировка,На чертеже изображен предлагаемый приемник излучения.Верхний зачерненный слой 1 пленки служит для поглощения излучения, средний слой 2 - проводящий, нижний слой 3 - диэлектрическая подложка.Поглощаемое излучение нагревает все три слоя; повышение...

Номер патента: 166763

Опубликовано: 01.01.1964

Авторы: Аболтиньш, Григулис

МПК: H01L 21/66

Метки: измеритель, свойств, сеч, физических

...Изме на СВ водную часоии кально секции которы подписная групсса142 Для контроля физических свойств полупроводников и диэлектриков чрезвычайно важно измерение этих свойств на небольшой поверхности тела бссконтактным методом при одностороннем доступе к изделгпо. Для измере ния используют резонаторы со щелями, через которые вводят исследуемьш образец, два волновода и мостовые схемы. Форма тела и его размеры должны быть строго определенны. 10Предложенное устройство отличается от известных тем, что в нем применен щелевой излучатель с плавным переходом, обеспечивающцм согласование волновода со щелью. Использование щелевого излучателя позво ропзводпть обмер изделия на малои ности прп одностороннем доступе к струкцпя щелевого излучателя...

Номер патента: 166779

Опубликовано: 01.01.1964

Автор: Изобрете

МПК: H01L 39/10

Метки: режимом, сверхпроводящих, цепей, электрических

...оператора. 25 Устройство для управления режимом электрических сверхпроводящих цепей, выполненное в виде сверхпроводящего элемента, переводимого в несверхпроводящее состояние пу тем его подогрева электрическим током, отггойгггсная групгга82 Известны устройства для управления режимом электрических сверхпроводящих цепей, выполненные в виде сверхпроводящего элемента, переводимого в несверхпроводящее состояние путем его подогрева электрическим током, Недостатком известных устройств является трудность их использования для управления обмоткой электромагнита, действие которого основано на протекании тока по сверхпроводнику.Предложенное устройство для управления режимом электрических сверхпроводящих цепей отличается от известных тем, что на...

Номер патента: 166965

Опубликовано: 01.01.1964

Автор: Предпри

МПК: H01L 29/861

Метки: гетерогенный, пленочный, р—л-переход

...веществах путем последовательного термического испарения в вакууме,5Предложенный гетерогенный пленочный р - и-переход выполнен на основе сочетания пленок селенида кадмия - электронного полупроводника и теллура - дырочного полупроводника. 10Предлагаемый пленочный гетерогенный р - и-переход непосредственно или в сочетании с другими элементами пленочной электроники может образовывать пленочную схему.Получают гетерогенный пленочный р - и-пе реход в высоковакуумной установке (вакуум10-6 тор) путем последовательного нанесения на изоляционную подложку через специальные маски без нарушения вакуума слоев нижнего металла, электронного полупровод ника - селепида кадмия, дырочпого полупроводниметаллаКоэффперехода верхнего агаемого теллура и,...

Номер патента: 167255

Опубликовано: 01.01.1965

МПК: H01L 21/00

Метки: выводов, ножки, обрезки, плющения, полупроводниковых, станок, триодов

...тем, что в нем входящие ножи выполнены с канавками и снабжены шайбами. В результате улучшается качество обрезки и повышается производительность станка.На фиг. 1 изображена кинематическая схема станка; на фиг, 2 - конструкция ножей и способ их крепления на станке.Станок имеет стол 1, на котором установлены двухсторонние ножницы, каждые с двумя дисковыми ножами 2 и 8. Ножи вращаются редуктором 4 от электродвигателя 5. Направляющая б служит для подачи нояки на ножницы, а переключатель 7 для отключения одной из сторон.Правый нож 2 посажен на валу 8 со ск зящей посадкой на шпонке, а левый но ди 10 руяиную в обственезаются ящик. зки подаются вр по которои под от в канавку, о длины и надают едмет изобретени Станокножки по 15 ющий...

Номер патента: 167263

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Герцик, Гибадуллин, Набиуллин

МПК: H01L 31/18

Метки: защиты, поверхности, рабочей, солнечныхбатарей

...11 ОВЕРХНОСТИ СОЛНЕЧНЫХБАТАРЕЙ Подписная группа Л 97 Известные способы защиты фотоэлектрических преобразователей от микрометеоритной пыли и частиц высокой энергии путем покрытия их прозрачными материалами или применения решеток сотовой конструкции либо сложны, либо не отвечают предъявляемым к ним требованиям.По предложенному способу фотоэлектрические преобразователи устанавливаотся тыльной поверхностью к световому потоку, вследствпс чего на их рабочую поверхность падает отраженный от концентратов световой поток.Такой способ более прост и обеспечивает защиту фотоэлектрических преобразователей от повреждения мпкрометеорптной пылшо ичастицами высокой энергии. Предмет изобретения5 Способ зашиты рабочей поверхности солнечных батарей,...

Номер патента: 168370

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Галаванов, Златкин

МПК: H01L 21/06, H01L 31/0296, H01L 31/08 ...

Метки: вентильный, фотоэлемент

...подло;кку 1 нанесена основа фотоэлемента 2 - соединение Ад.Те с избытком серебра. Зто соединение легировано сурьмой, входящей в виде твердого раствора как в серебро, так и в гессит, Полупроводниковый слой 3 и-типа состоит из АдЯ с избытком серы и с примесями теллура и сурьмы, т. е,:Ад,Я + 8 + Те+ ЯЬ.Полупроводниковый слой 4 р-типа состоит из пленки сурьмы толщиной 200 - 250 А, Поверх этого слоя нанесено контактное кольцо б. Чистого теллура в сплаве нет. Он входит в сплав в виде соединения АрТе в его низкотемпературнои модификации (гессит, илпД-АдТе). Оставшееся свооодное серебро остается в сплаве в виде второй фазы,Сурьма входит в виде твердого раствора как5 в серебро, так и в гессит, Благодаря этому атомы сурьмы при...

Номер патента: 168759

Опубликовано: 01.01.1965

Автор: Фесенко

МПК: H01L 29/68

Метки: выпрямитель, полупроводниковом, триоде, управляемый

...соединенных диодов,На фиг, 1 и 2 изображеныпериодного и двухполупериотеля. Управление тем регулиро изменяется с нением сопро ряда сигналов быть снабжен чертеже не п противления триодом ания уппомощью ивленпя на входе управляказан).О нагруз схемы однополудного выпряминия включе а (фиг, 1) и конденса и управляе а из огранич диого огра довби 7,элементо подключенно яжение той подается на жение фазопериодной схеме ращатель через ие (на чертеже дным ограничисостоит из двух ащих по два олу азо В нереверсивнои дву25 выпрямителя (фиг. 2)ограничивающее сопротне показано) соединентелем, который в этом спараллельных ветвей,30 диода б и 7 (или больш ивлен с ди лучае одерж ) Подписная группаВ цепи управле1 мостового...

Номер патента: 168800

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Всг, Гьх, Невежин, Онуприенко, Поспелов

МПК: H01L 23/02, H01L 23/04, H01L 23/08 ...

Метки: корпус, металло-стеклянный, полупроводниковых, приборов

...с проходным стеклянным изолятором и с тремя электрическими выводами, фланец которой имеет тарельчатую форму, и баллона, герметично соединенного с фланцем ножки, отличающийся тем, что, с целью повышения герметичности корпуса и надежности металло- стеклянного спая, сплошное отверстие для выводов прибора во фланце ножки имеет форму треугольника со скругленными углами. одписная группа М 97 Известны металло-стеклянные корпуса для полупроводниковых приборов, состоящие из ножки с проходным стеклянным изолятором и с тремя электрическими выводами, фланец которой имеет тарельчатую форму, и баллона, герметично соединенного с фланцем ножки.Предложенный металло-стеклянный корпус для полупроводниковых приборов отличается от извесвных тем, что...

Номер патента: 169620

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Адам, Лидоренко, Савельев, Черкасский, Щеголев

МПК: H01L 35/34

Метки: батареи, термоэлектрической, трубчатой

...предлагаемым методом последователь ного прессования предварительно изготавливаются следующие детали: металлические коммутирующие кольцевые электроды трех видов - концевые 1, внутренние 2 и наружные 3; изоляционные двух типоразмеров прокладки 10 4 и 5, предварительно вырубаемые из стеклослюдинита и подпрессованные с усилием, равным усилию прессования, во избежание последующей усадки.Порошок полупроводникового термоэлект рического вещества типа р и порошокполупроводнпкового термоэлектрика типа и засыпают в прессформу,Стержень 6 выполняют пустотелым в видетрубы 7 с изоляцией Ь. 1. Способ изготовления электрической батареи, со воднпковые ветви р- и иныс кольца и изоляционнь нимгг, отличающийся тем, щения технологии, термоэ рею...

Номер патента: 170122

Опубликовано: 01.01.1965

МПК: H01L 21/324

Метки: 170122

...нагревают таким образом, что поверхность одной из ее плоскостей находится при температуре 300 в 4 С, а вдоль оси, перпендикулярной этой плоскости, создают градиент температуры порядка 300 град/слг.Предлагаемый способ позволяет получить широкие р - г-переходы, т. е. позволяет изготовить высоковольтные приборы на невысокоомном кремнии,Предложенный способ заключается в следующем. Исходный кремний р-типа проводимости с удельным сопротивлением 20 - 100 о,ц/сл и с концентрацией атомов кислорода порядка 10181/слг 3 режут на пластины и помещают в устройство для нагрева таким образом, что поверхность одной из плоскостей пластины находится при температуре 300 - 450 С, а вдоль оси, перпендикулярной этой плоскости, создают градиент температуры...

Номер патента: 170123

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Герцик, Долгов, Ичес, Набиуллин, Сладкое, Шлионска

МПК: H01L 21/306

Метки: автомат, травления

...кремниевая пластина по периферии оказывается прижатой к эластичной площадке 1 б. Отверстия 2 б, соединяющие внутреннюю полость корпуса 14 с атмосферой, необходимы для устранения подсоса жидкости из ванн, Приняв пластину, рабочий блок переходит на новую позицию, а его место занимают последующие рабочие блоки. Когда рабочий блок находится над ванной 11, шток б опускается, и нижняя часть корпуса 14 вместе с пластиной оказывается погруженной в травильный раствор.Уровень жидкостей в ваннах поддерживается постоянным. Пройдя ванну 11, блоки 8 попадают в ванну 12 для нейтрализации, после чего они поступают на промывку в ванну 18. После травления, нейтрализации и промывки пластины поступают на позицию съема. Передача прошедшей обработку...

Номер патента: 170581

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Веденский, Дек, Максимюк, Суховский, Чукалин

МПК: H01L 21/00

Метки: загрузки, кассету, кристаллов, полупроводниковых, приборов

...13.Предмет изобретенияПриспособление для загрузки в кассетукристаллов полупроводниковых приборов, включающее электромагнитный вибропривод, форвакуумный насос и впбролоток с канав ками, отличаощееся тем, что, с целью механизации процесса загрузки кристаллов в кассету, установленный над кассетой вибролоток выполнен съемным и в каждой канавке сделаны гнезда с отверстием, через которое осу ществляется вакуумный присос кристаллов,заполняющих гнезда. 15 дписная группа Ло Известны загрузочные устроиства, которые имеют вибролоток с канавками.Предложенное приспособление отличается от известных тем, что установленный над кассетой вибролоток съемный и в каждой канавке имеются гнезда с отверстием, через которое осуществляется вакуумный присос...

Номер патента: 170584

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Прокатор, Равкинд

МПК: H01L 31/18

Метки: слоев, фоточувствительнб1х

...по толщине и площади,Предлагаемый способ отличается тем, чтоосаждение слоя ведут из раствора хлористогокадмия, содержащего селенид кадмия, хлористый кадмий и сернокислую медь.10П р и м е р. Растертую шихту, содержащуюселенид кадмия, хлористый кадмий (8 - 1 С%вес.) и сернокислую медь (от 10- 10-% вес.в пересчете на медь), разбавляют водой израсчета 50 - 100 мл на 1 г шихты, взбалтывают и вносят, например, в кристаллизатор, вкотором на 1 г селенида кадмия содержится100 - 200 мл 8 - 12%-ного раствора хлористого кадмия и размещены стеклянные подложки. Заливку суспензии производят через стеклянную воронку, имеющую на узком концешарик с отверстиями диаметром 0,1 - 0,3 мм,После 10 - 20 мин отстаивания просветленную жидкость...

Номер патента: 171461

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Костромин, Рыбальченко, Садиков

МПК: H01L 35/10

Метки: 3бкблнотр, ветвей, залужива1гр№, качества, термоэлементовtx, уи-2, экспресс-контроля

...том, что пропускание тока чесмые ветви термоэлементов прори одинаковых температурах ток ветвям термоэлементов и при выше температуры плавления 1 О.1 Оцгьо которого производитс 51тсрмоэлементов с токоподводаканне одинаковой температуры на Улгга М 90 Подгггсна Предлагакачества зазаключаетсярез измеряизводится пкоподводовтемпературеПРИП 051, С 1сопряжениеми. Поддер концах гермоэлемента пред ние термоэлектрического э скании постоянного тока, пользовать закон Ома для 5 ротивления. Сочленение тепомощи легкоплавкого пр быстрый и хороший контак Способ позволяет резко со мерения и отказаться от п О рудования. Залуженная припоем ветвь термоэлемента1, покрытая затем легкоплавким припоем например, сплавом Вуда) устанавливается хеж.ду токоподводами 2...