H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 1507138

Опубликовано: 30.04.1991

Авторы: Байрамов, Веденеев, Ждан

МПК: H01L 21/66

Метки: ганице, диэлектрик, каналов, проводящих, раздела, характеристик, электрофизических, —полупроводник

...Б- падение напряжения между потенциальными 45контактами к каналу и ЭДС Холла Н.По измеренным величинам рассчитываюткоэФфициент Холла К и электропроводИность проводящего канала МДП-транэистора .1 С- 6= - , - (1)н 1 Вф = Н Ьгде 4 - электролроводность каналаьВ - величина магнитной индукциис 55- отношение расстояния с межЬду потенциальными контактами к ширине Ь проводящегоканала.электрическая емкость единичной площади диэлектрика;заряд электрона. где С,Используемая при измерениях экспериментальная установка обеспечивает воэможности автоматического измерения Ки программного изменения 0 , что необходимо для реализации условия КсопзС. Неравновесное заполнение ЭС создают следующим образом,На затвор подают напряжение +30 В,отвечающее...

Номер патента: 1515969

Опубликовано: 30.04.1991

Авторы: Василевская, Кива, Фролов, Хатунцев

МПК: G01R 31/26, H01L 27/14

Метки: заряда, переносом, структура, фоточувствительная

...промьшленно И 3, с, 19-22,Василевская Л,М, и д фоточувствительная ., ми зарядовой связью типа К тронная промышленность, с, 10-13,(54) ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНАЯ С ПЕРЕНОСОМ ЗАРЯДА ретения - сокращение рение процесса измеренияпередачи модуляцииредставлена предлагаая структура сдержит секцию 1ьными ячейками 2,истр 3, светоэащнтположенный над фоячейками 2, окнаане 4, которыекую последовате 515969 А 1 крытых фоточувствительных ся закрытых и равкрытых Фоточувстви ерным потоком оития в открытых фотоейках структуры ир е фотогенерируемьх По окончании ир- сформ эаствляет их неронс йству ирнпра, Сфор образом и сэевапакетов ирод тавсигалдктый подаче на фоточувстность структуры иэобвого автомата, уменьшается трудоемкость процесса измерения коэффициента...

Номер патента: 1647311

Опубликовано: 07.05.1991

Авторы: Бутов, Михайлов, Шамраков

МПК: G01L 23/10, H01L 41/22

Метки: давления, датчиков, пьезоэлектрических

...материалом 10. Послесублимации клея между его торцовойповерхностью 4 и герметизирующимматериалом 6 возникает зазор 11,который позволяет деформироватьсяЧЭ 1 под действием измеряемой величины. Далее загерметизированный ЧЭподвергается окончательной. термообработке в камере 1 2 печи. При этом.взависимости от материала герметика 25термообработка может"проводитьсякак на воздухе, так и в контролируемой атмосфере, например в азоте.Температура термообработки выбирается исходя из конкретного материалапьезоэлемента, однако верхняя граница термообработки не должна превышать точки Кюри пьезоэлектрическогоматериала. Термообработка позволяетпровести кристаллизацию и обжиг (вслучае керамики), снятие внутреннихнапряжений (стекло) и...

Номер патента: 1647702

Опубликовано: 07.05.1991

Авторы: Блинов, Грушевский, Плешивцев, Шутов

МПК: H01L 23/28

Метки: бескорпусной, полупроводниковый, прибор

...8 из диэлектрика, на котором расположен упрочняющий слой 9 металла, а на периферийной части 10 сетки 8 размещены концы 11 выводов 6,Бескорпусной полупроводниковый прибор работает следующим образом.На полупроводниковый кристалл 4, в котором сформированы активные элементы по металлическим выводам 6, размещенным на двух соосных рамках 2 и 3 и присоединенным к кристаллу 4, подается входной электрический сигнал и напряжение питания. Для исключения короткого замыкания между выводами и кромками кристалла имеется внутренняя рамка 2, внешняя рамка 3 служит для фиксации внешних концов выводов 6 в одной плоскости с целью устранения их замыкания, В результате электро- физических процессов, протекающих в активных элементах, входной сигнал...

Номер патента: 1647703

Опубликовано: 07.05.1991

Авторы: Богачов, Горохов, Гридин, Фалин

МПК: H01L 25/00

Метки: модуль, полупроводниковый

...1 керамическими подложками 10 из окиси бериллия. При помощи болта 9 с конической головкой и плоской пружины 6, имеющей крестообразную Форму, создается контактное давление порядка 1200 кг на одну структуру диаметром 40 мм. При этом зажаты асе четыре полупроводниковых элемента одновременнос усилием 4800 кг на асю площадь элементов.Крестообразная Форма пружины обусловлена равномерным распределением усилий на симметрично расположенные элементы при их тарированном прижиме в процессе сборки, т,е. четкое распределениеприжимной нагрузки на каждый элемент, вто время как в известном устройстве корректировать зто усилие сложно5 Токосъем от катодной и анодной поверхностей диодов осуществляется меднымивинами (токасъемы) 4 и 11 (выводы токосъемов...

Номер патента: 1647704

Опубликовано: 07.05.1991

Авторы: Кузьмин, Непогодьев, Новосельцев, Скобарихин

МПК: H01L 39/16

Метки: коммутации, преобразователя, сверхпроводникового, токов, фазах

...обмотке сверхпроводникового трансформатора 2 Фазыбеэ тока (Фазы 8);Е - амплитудное значение импульса напряжения, действующего в первичных обмотках сверхпроводниковых трансформаторов 1,2 на внекоммутационных интервалах,Од =7 о1 н - разность амплитудныхзначений напряжения на первичных обмотках сверхпроводниковых трансформаторов1 и 2 коммутируемых Фаэ (А и В).1 н - ток нагрузки;уб- коэффициент пропорциональности,определяемый конструкцией сверхпроводникового преобразователя и параметрамиобмоток свврхпроводниковых трансформаторов,Для рассматриваемого сверхпроводникового преобразователя УцЬ Мгде Ь - продолжительность интервала коммутации,1.Р - индуктивность первичной обмотки сверхпроводникового трансформатора;М - взаимная индуктивность...

Номер патента: 1647936

Опубликовано: 07.05.1991

Авторы: Лаужа, Лейманис, Узарс, Феоктистов, Храмцов, Чаусов

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: модуль, полупроводниковый, преимущественно, техники, электропреобразовательной

...цепь и осуществляют преобразование электроэнергии. При этом ток протекает по цепочке полупроводниковых приборов 1 и охладителей 2.Выделяющееся в полупроводниковых приборах 1 тепло передается охладителям 2, а именно, сначала дискам 9, от них - диску 10, Затем тепловой поток распространяется по радиусу. Сквозные прорези 12 не мешают распространению тепла, поскольку они не ослабляют теплопроводящего сечения,От поверхности дискон 10 тепло передается воздушному потоку, который поступает из канала 8. В пространстве между дисками 10 воздух поступает через прорези 12, при этом создается круговое движение воздуха в каждом междисконом пространстве, что обеспечивает хороший обдув дисков 1 Э тангенциальным потоком. При расположении прорезей 12 по...

Номер патента: 1647937

Опубликовано: 07.05.1991

Авторы: Белова, Данилов

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: аппаратуры, радиоэлектронной, стойка

...и установленные на направляющих элементах несущего каркаса в ус" танфвфчных окнах корпуса и электрически соединенные между собой вдвижные блоки радиоэлектронной аппаратуры с задними панелями и с вентиляционными модулями, расположенными с одинаковых сторон блоков и сообщающиеся своими входами с окружающей средой посредством вентиляционных окон, .выполненных в стенках корпуса, обращенных к входам указанных вентиляционных модулей блоков, о т л и - ч а ю щ а я с я тем, чтф, с целью повышения надежности и быстродействия, направлякпцие элементы с блоками размещены на разных уровнях пф ширине и глубине несущего каркаса и корпуса сф смещением одни относительно других с образованием в общем вфэдухфвфде корпуса между блоками общей межблфчнфй...

Номер патента: 1189306

Опубликовано: 15.05.1991

Автор: Куроедов

МПК: H01L 39/16

Метки: автоматической, защитой, ключ, сверхпроводящий

...разрядника 9 и обмотки управления .10. Между выводом 11 отключающего элемента 1 и клеммой 4 подсоединения нагрузки 6 дополнительновключена обмотка 12. Криостат 13 обеспечивает достаточ но низкую температуру, меньшую критической температуры отключающего эл мента. Дополнительная обмотка 12 может быть выполнена сверхпровадящей для снижения тепловыделений в криостате при прохождении по ней тока. До полнительная обмотка 12 может быть нолнена в виде нагреватепя, тогда ее воздействие на отключающий элемент будет состоять в разогреве его, в по выпении его температуры и, следова1189306 ройства управления,В случае самопроизвольного перехода части элемента 1 в нормальное состояние его сопротивление возрастает и часть тока ответвится в цепь 6...

Номер патента: 1574118

Опубликовано: 15.05.1991

Авторы: Заргарьянц, Курносов, Мезин, Шарипов

МПК: H01L 21/324

Метки: остаточной, полупроводниковых, примеси, слоев

...силового поля деформации, но неокисла обычно составляет несколько позволяет получить достаточную скосотен ионослоев (200-300). Рость диффузии, позтоиу эффект очист В р и и, е р. способ бцп .опробован кк - минимальный и даже после 24 чв лабораторны условиях. предприятия- вьдержки увеличение интенсивности :.заявителя для очистки от цинка эпи Фотолюминесценции незначительно.тасвальных слоев и-Еп з Сазт,Ав со Увеличение температуры прогрева,стекекь 3 в компенсации цйнка а, следовательно, и скорости диффуэииь ускоряет процесс очистки и приЮ /Я0,5,. . . 450 С достаточно. полная, очистка достигается йрнмерно за 20 иин.. ГдеМ - концентрация акцепториой Подобнце закономерности наблюдапримеси; ются .и в процессе очистки других.мно Н -...

Номер патента: 1581138

Опубликовано: 15.05.1991

Авторы: Балкашин, Кулик, Пилипенко, Янсон

МПК: H01L 21/66

Метки: возбуждений, времени, неравновесных, релаксации

...По частотной зависимости (%) определяют частоту релакса" цИи квазичастиц используя аппрокси" мацию зависимостью ИГ ). Явный вид этого выражения рассчйтывают теоретически для конкретной модели процесса релаксации квазичастиц. Например, на фиг.З и 4 точками пред. ставлены экспериментальные значения 3, отражающие зависимость 1 И), и аппроксимация этой зависимости Функ" ций, 1(Г;Г) при разных значениях .Ю 6Для определения частотной завис- мости (Г) используют способ, обеспечивающий необходимую точность, достаточно простой и доступньй. Поскольку частота релаксации квазичас"тиц может находиться в широком час.тотном диапазоне (10 -10 Гц) в каУ 7честве источника излучения с нерестраиваемой частотой 3 используют набор генераторов сигналов...

Номер патента: 1649616

Опубликовано: 15.05.1991

Авторы: Горбань, Завадовский, Тягушева, Шаповалов, Ясинский

МПК: H01L 21/66

Метки: выращенных, диоксида, кремнии, кремния, пленок, пористости, термически, электрохимический

...не происходит. Для увеличения разрешения способа площадь рамки ограничивающая электролит, составляет 6 см. В замкнутую2цепь включают миллиамперметр. От источника питания подают напряжение из расчета 3 В на 0,01 мкм толщины окисла. Во время исследования напряжение в цепи ПДЭ-системы поддерживают постоянным. Через 40-50 с производят измерение тока, протекающего в замкнутой цепи ПДЭ-системы при нормированной площади структуры Б-БхО, ограниченной рамкой, Легко определить предельно допустимую площадь всех пор на исследуемой поверхности окисла. Так, предельно допустимая пористость БхО принята 15 см , следовательно на площади 6 смколичество пор составляет 90. Предельно допустимая площадь пор 649616 4определяющей предельно...

Номер патента: 1597055

Опубликовано: 23.05.1991

Авторы: Воронов, Гершензон, Гольцман, Федорец, Федосов

МПК: H01L 39/00

Метки: болометр, сверхпроводниковый, электронный

...УРМ,3.279.017, оснащенной источником магнетройного распыления, твк и катодным распылением в триодной системе (на установке УРМ 3,279.014. Подложками для Фотоприемников гелиевого уровня служили полированный лейкосап" Фир толщиной 0,3-0,5 мм и кварц толщиной 0,1-0,25 мм. Формирование топо- . логического рисунка ЧЭ по фиг.2 осуществлялось как методами фотолитографии с применением фоташаблонов, из" гОтовленных электронной литограФией, твк и прямой электронной литограФией.Ширина полоски, образующей замкнутую четырехзвенную прямоугольную структуру составляла 0,8 мкм, длина большей стороны прямоугольной Фигуры 500 мкм, длина меньшей стороны 3 мкм, размеры соединительных перемычек 30 ф 30 мкм. Один ЧЭ содержит 210 последовательно...

Номер патента: 1651330

Опубликовано: 23.05.1991

Авторы: Баракан, Рузманов, Чернышев

МПК: H01L 23/46

Метки: аппаратуры, охлаждения, радиоэлектронной

...охлаждения объектов сизвестными паспортными данными устройство работает следующим образом.5Вначале по известным данным каждого объекта по расходу жидкости определяют количество одновременно подклю-" чаемых в устройство объектов охцаждения исходя из. того, чтобы суммарный расход жидкости объектов охлаждения не превышал производительности , насоса 1. Ввод в работу объектов охлаждения производится поочередно, Сначала к выходным штуцерам 21, заканчивающимся разъемами 9, подсоединяется рассчитанное количество объектов охлаждения. Ручкой 25 поворота через ось 26 устанавливают клапан 15 н Ьиксированное положение, соответствуюг 1 ее включаемому (например, первому) объекту, При этом в распределителе 6 отверстие 19 выступа 20 клапана 15 соединит...

Номер патента: 1019965

Опубликовано: 30.05.1991

Авторы: Кухта, Ормонт

МПК: H01L 21/263

Метки: адгезии, металлических, пленок, подложкам, тонких, увеличения

...золота толщиной 40 нм напыляют на кремний (материал наиболее широко применяеьвй втвердотельной электронике) маркиКЭФ 0,3, а затем различные ее участ-ки размером 200 х 200 мкмжд облучаотсяпучком электронов с энергией .25 кэВдо различных доз в диапазоне от10 до ОК/см . Диаметр элект 20 ронного пучка равен 2 мкм. Облучениеучастков размером 200 х 200 мкм ведется в режиме строчного сканирования, Ток пучка равен 210 А. Разогрев кремниевой подложки в месте25 падения пучка по расчету не превышает 1 К. Изменение адгезии, связанноес электронным облучением, измеряется широко известным методом царапания иглой. В измерениях применяетсяЗО стальная игла с радиусом острия30 мкм.Результаты измерений показывают,что резкое повышение адгезиив- 800 раз...

Номер патента: 1653192

Опубликовано: 30.05.1991

Авторы: Жилянин, Лившиц, Малявкин

МПК: H01L 21/66, H05K 1/18

Метки: контактирующее, техники, электронной

...рслики 5, ко" , ГОРПо ДЛЯ УМЕНЬКЕНТЯ ГРРЦЯ ИМЕЮТ возможность црлщения цл осях 1 б, То- пята,пи 11 расположены со смещением сдиц относительцо ру Ог с цозмож. 1-Остьн ВзлимолРЙс 1 ти 1 я с к 01)115" сом котг 1)оли 1 уемого изслин 2 ц цлцрлтт.:Ртг;11, перпецдикулярцем цяцрлвцяюнейг 11 ОД 5 глОм к напрг 1 ттл 5 щепе Й 3 тстссгз цг Обе стороны от а ус.лцвнеТы 5 П 1 угте контакты 1 /Г Гтс 5 тт 1 еьс в ро зе тки8 и Гцэцжд т Р к тЯ.) ГПТ) 5 юЛТм прокладкам 19, зклееццьм в боковуос ггс)тэерхетост. Напра влягооей;) цл 11 яиук 1 ЬТХ 60 КОБЬТХ СГ ОРОЦД Х КОг Сзой ЗОПО:1 Е 1 Ц ТР 1 НО ИЫГОЧНРНЫ ГОН Сэ КТ 1О .". оа:и 3, соверюая зоз врятно-нсстуТгельцое Геви;кение песзмещяет из 1 гиа 2 ПО цацрдВЛПОПЕй 9 Прц ГОМОППТ т ".,)1 алей 8. 11 ри...

Номер патента: 1653203

Опубликовано: 30.05.1991

Автор: Константинов

МПК: H01L 21/68, H05K 13/02

Метки: плоских, подачи

...20 влево по направлению перемещеция каретки 11 (Фиг. 6). При перемещении каретки 11 в крайнее правое положение в конце ее хода палец 27 коромысла 26 упирается в упор 32 рычага 9, поворачивая коромысло 26 вокруг пяльца 25 против часовой среки, при этом палец 28 коромысла5 16532026 перемест 1 лет пллстицу 16 за выступ 20по напрдвляюгсим 15 влево, т,е. в стороцу, протиноположцую перемещению каретки 11, сжимая пружицу 23, а упор524 каретки 11 перемешает пластину 17зл выступ 21 вправо па направлениюперемещения каретки1 (фиг, 5), Таким образом, в конце хода каретки 11вправо кли влево расстояние между 10гтыступлми 18 и 19 пластин 16 и 17увепг 1 чивается, образуя равные зазорымежду обрабатываемой пластицой 3 ивыступами 18 и 19, после чего...

Номер патента: 1306402

Опубликовано: 07.06.1991

Авторы: Грибов, Мазин, Родионов

МПК: G03F 1/00, H01L 21/312

Метки: заготовки, регенерации, фотошаблона

...и сушки. Контроль качества фоташаблона проводится с помощью Оптического микроскопа при увеличенич от 200 до 500 крат. П р и и е р 2. Пришедшие в негодность в результате эксплуатации фото".шаблоны (появление недопустимого количества проколов) с маскиру 1 ощим слоем хрома после операции снятия маскирующего слоя и выдержки в окислитель.:ной среде дополнительно выдерживаютв щелочной среде раствор едко:":с иатра ИаОН в воде с РН 11 и 11,5 ед. инебольшой добавкой поверхностно:активного вещества) в течение 4 м:при температуре раствора 50 и о 5"СсОответственно, Затем поДложки ИОДвергают финишной полировке и изготавливают фотошаблоны,П р и м е р 3. Забракованные .поневытравливаемым точкам фотошаблоцы и фатошаблонные заготовки, забракованные па...

Номер патента: 1655953

Опубликовано: 15.06.1991

Авторы: Гриднев, Иванов, Остапенко

МПК: C04B 35/46, H01L 41/18

Метки: керамический, материал, пьезоэлектрический

...изготовлении пьезоэлементов для широкополосных акустических приемников излучения. Для снижения механической добротности при сохранении значений температуры Кюри пьезоэлектрический керамический материал содержит дополнительно РЬО 1/4 ЯЬЗ/40 з при следующем соотношении компонентов, мас,: РЬТ 10 э 88,32 - 91,20; В 2 п 1 п 2 г 1/20 з 3,68 - 3,80 и РЬО 1/4 ЯЬЛ/40 з 5,00 - 8,00. Материал полученный по обычной керамической технологии, температура спекания (1273 - 1413) К, время 1 ч, материал имеет следующие характеристики: Тк 770 780) К, Кр 0,15 0,20 с 3 з 1 (12 - 18) 10 Кл/Н; с 1 эз (38 - 58).10 Кл/Н; О м 8 - 17; е/ео 158 - 192; 19 д 0,016 - 0,019; р(0,68 - 1,55)10 Ом см. 2 табл. иэделия помещают в печь и спекают при 1273 - 1413 К,...

Номер патента: 970906

Опубликовано: 15.06.1991

Авторы: Афанасьев, Будкевич, Вевиорский, Прокофьева, Соколов, Фролов

МПК: C30B 29/42, H01L 29/20

Метки: материал, полупроводниковый, свч, транзисторов

...хрома и кислорода, которые находяТся в структурно-связанном состоянии и в определенном соотношении . 40Отличие способа состоит в том, что примеси хрома и кислорода в виде глубоких акцептора и донора соответственно находятся в структурно связан ном состоянии при следующем соотно ,шенин компонентов, ат/смз:Арсенид галлия 4,42 10Хром (1-8) 106Кислород (1-10)10850Хром и кислород вводятся совместно в виде окиси хрома при компоновке шихты для получения высокоомного арсенида галлия методом Чохральского.Указанное количество хрома и кислоро да тождественно весовому проценту окиси хрома, вводимой в шнхту, и составляет О,02-0,067, по массе от исходного веса арсенида галлия,Указанное соотношение компонентов обеспечивает получение...

Номер патента: 1400394

Опубликовано: 23.06.1991

Автор: Веденеев

МПК: H01L 21/66

Метки: коэффициента, холла

...- пй В 1 па(е)(111 е тсч кмяк :1 заев ается на"2 Г 10 р(1 дка 5льюености.Иа Фиг.1 представлена геометрия ;,О( ОЕГЛЕ(0 С ТЬ (21(,. П(Р ОУО ТИ."(а П 12 И ОПхолловского образца и ва,)ианть 1 его,О редслении 1( втих условияхвключения в иэиерителыые цепи; нафиГ. 2 " флук 1 уацииВО В емеЯи 1(оэ 1фициеиРа ХоллаСхема измерения коэФФициента Хохласоде,рант подключеннь)е к Образцу 1 ТО( Ф О р и у л а и .: а б р е т е и и яковь 1(е контакты 2 и холловские кон.такты 3, генератор тока ц) прибор 6 ",пособ Опреде)1 еи 1(с(эффнциентадлй нзи ер(ения силь 1 то к а; кле ммь 1 6 и (.О 1 ЛаОС(1 ОВаННЬ 1.:1 Н 1. 12 РОПУС 1(аНИИ ЧЕ") для включения изиерителя напряя(е- яйа между холловскими кантак:амимагнитное попе (и:.ремснно 1 О тска иКривые 8 и 9 соответств 1...

Номер патента: 1419425

Опубликовано: 23.06.1991

Авторы: Веденеев, Ждан, Рыльков

МПК: H01L 21/66

Метки: параметров, полупроводниках, примесей

...мэВ). В продольном электричес- ком поле 1 В/см и поперечном магнитном полл с магнитной индукцией В 400,2 Тл измерены значения Чй/11,25 1 О Ом см и Ч й/1 2,9110 Омсм, где Чн - ЭДС Холла; 1 - сила тока; Й - толщина образца, волнистой чер" той эдесь,и далее отмечены величины, относящиеся к эталонному образцу.Далее образцы экранируют от излучения и при первом значении температуры из области вымораживания основной примеси Т, =20 К измеряют величины Чс 1/1.1,52 10 Ом см и ЧЙ/1=с7.6710 Омсм. Устанавливают новое значение температуры иэ области вымораживания основной примеси Т=22,73 К и измеряют Ч Й/1706 Ом см и ЧЙ/1к 155 щ 2,96 1 ООм,см. Образцы нагревают до комнагной температуры, отвечающей условиюс:пшениц примеси, и измеряю ."д/1 1,5О" Ом см...

Номер патента: 1660229

Опубликовано: 30.06.1991

Авторы: Большаков, Каликанов, Туник

МПК: H01L 23/44, H05K 7/20

Метки: блок, радиоэлектронный

...теплообменник 5 с воздухосборником 7, имеющим эластичные стенки,обеспечивающие изменение обьема воздухосборника 7 от нуля до величины, равнойобъему воздуха в системе охлаждения приатмосферном давлении, Датчик 8 температуры расположен во входном отверстии 9воздухопровода 6, Входное отверстие 9 расположено выше верхнего ряда охлаждающих труб теплообменника 5, а положениевыходного отверстия 10 воздуопровода бне зависит от ориентации в пространстве.Радиоэлектронный блок работает следующим образом,При приведении радиоэлектронногоблока в рабочее состояние силовые полупроводниковые приборы выделяют тепло,Хладагент 3, превращаясь е пар, охлаждаетсиловые полупроводниковые приборы, Пар(за счет разности в давлении) поступает втеплообменник 5 и...

Номер патента: 1661875

Опубликовано: 07.07.1991

Авторы: Кичкина, Черняев

МПК: H01L 21/78

Метки: контактов, кремнию

...150 кэВ и дозой 510 см, Способ позволяет уменьшить величину сопротивления контакта в 2 - 3 раза. 1 табл. алюминием диссоциируют на атомы кремния и фтора.Вследствие относительной близости масс атомов фтора, кремния и алюминия передаваемая при столкновениях энергия упругого рассеяния приближается к своему максимальному значению. Это приводит к увеличению числа и равномерности распределения радиационных дефектов и обусловливает оптимизацию твердофазного перемешивания алюминия и кремния, При термообработке происходит восстановление атомами фтора островковой пленки диоксида кремния на границе Я-Я)О 2, чем подавляется миграция алюминия в кремниевую подложку,В результате совершенствования структуры пленки и подавления миграции алюминия...

Номер патента: 1661876

Опубликовано: 07.07.1991

Авторы: Головнин, Нуридинов, Рифтин, Церфас

МПК: H01L 23/31

Метки: каплевидной, корпусах, пластмассовых, полупроводниковых, приборов, формы

...офсетного нанесения жидкогокомпаунда на арматуру (фиг. 3) имеет дискдиаметром Оо= 5,5 см, вращающийся с частотой 5 - 80 об/мин, С помощью этой машинки наносился слой компаунда типа 5ЭКЛБ, в котором в качестве основы используется эпоксидная смола ЭД.После нанесения компаунда рамки с арматурами помещают в термошкаф с температурой 160.ф 15 С и вращают соосно с 10частотой 30 об/мин в. течение 15 - 20 мин дозагустевания слоя.Выполнение габаритов каплевидногокорпуса приборов КД 209, КД 221 требуеттрехкратного нанесения слоев эпоксидного 15компаунда с последующей полимериэациейего при 160.ф.10 С не менее 12 ч, Затемнесущие части рамки или гребенки отрезают и на отдельных приборах измеряют электрические параметры и проводят...

Номер патента: 1661877

Опубликовано: 07.07.1991

Авторы: Бочек, Зильберберг, Киркун, Мамыкин, Павленко, Рутковский

МПК: C04B 35/10, C22C 29/12, C23C 4/10 ...

Метки: алюминия, материал, напыления, окиси, основе, плазменного, полупроводниковых, порошковый, приборов, теплостоков

...основе окисидля плазменного напыленияполупроводниковых прибороэлектроизолирующих теплослоев на теплопередающих илдящих поверхностях полупроприборов.Целью изобретения являение электрического сопротивлепроводности и снижениематериала,Порошковмас, : окись карид алюминиятальное,В качезуют поро(ГОСТ 6912магния (ТУриллия маралюминиячастиц 30 зованием ипри 120 вчерез ситовают навес е р . Для экспериментальной путем смешения в конусном готовят составы предлагаемоного порошковых материалов ым соотношением компоненУдельное Удельн алектринеское солрстналенне,1 Ом ся онентоа, час.Окись ал миння алю- Окись оери з В 7 Т8 10 льное 1,2 101,1,0 а1,7 10 а1,25 10"-35, Раушская наб 4/5 роизводственно-издательский комбинат "Патент", г. Уж ул Гагарина 10...

Номер патента: 1662361

Опубликовано: 07.07.1991

Автор: Марица

МПК: G03F 7/26, H01L 21/312

Метки: рисунка, формирования

...плазме также позволяет избежать контакта сверхпроводящей пленки с органическими растворителями или другими жидкими реактивами, приводящего к ухудшению сверхпроводящих 45 свойств используемого материала. Реализация способа возможна с использованием как позитивного, так и негативного реэистов.П р и м е р 1, На подложку из ЯгТ 10 с площадью поверхности 5 см2 с помощью триодного распыления наносят слой 1 ВаСи 507 =-толщиной 0,3 мкм и подвергают его обработ-, ке в кислороде при температуре 850 С. Полученный слой является высокотем 55 пературным оксидным сверхпроводящим слоем с критической температурой л 93 К. Затем наносят слой оксида алюминия А 10 з толщиной 0,3 мкм методомвысокочастотного ионного распыпения.После этого методом...

Номер патента: 1384120

Опубликовано: 07.07.1991

Авторы: Ждан, Омельченко, Рыльков, Шафран

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: заряда, инверсии, каналах, мдп, носителей, свободных, транзистор

...нс с амплитудой 11 В и частотой следования455 кГц от генератора на фоне постоян-ного смещения напряжения. Ток между.истоком и стоком регистрируют с по .мощью осциллографа со стробоскопическим блоком. Время нарастания пере-. 50ходной характеристики определяютвизуально по сигналу на экраие ос-,циллографа, которое составляет 40 нс,Максимальную амплитуду У периодических импульсов определяют поформуле2 1. 1 - ЕсЬУ.ии+макс-18%Ь фйа8 биагде- требуемая точность равнаяв примере 0,45,Г - уровень Ферми;Е - энергия края зоны основсных носителей;- элементарный заряд;. - толщина диэлектрика,1 а ; концентрация легирующейпримеси в подложке;.ЕА - диэлектрические проницаемости полупроводника идиэлектрика соответственно, .При этом параметры...

Номер патента: 1665884

Опубликовано: 23.07.1991

Авторы: Абрамян, Гапонов, Курков

МПК: H01L 25/04, H02M 7/10, H05H 5/08 ...

Метки: выпрямитель, высоковольтный, генератор

...квадрате,гО=р - = К2 2Ом Ь.но поскольку р=-СпО, а О: , тоОм" Л Ом СпН 2 Н 2а О. С.ЬОк 2 Н ОкноОНОмоткудаСп Н О2 Ом Окгде С 1 - емкость каскада;Ом - максимальное значение напряжения генератора;Ок - напряжение каскада;Н - общая высота всех каскадов генератора,Качественно такое распределение конденсаторов переводит поперечные конструктивные емкости генератора в продольные, благодаря чему исчезают перенапряжения на элементах генератора при пробоях. При этом количество защитных конденсаторов оказывается минимальным, что повышает надежность генератора, уменьшает его габариты и вес. Известно, что электрическая прочность конденсаторов на большие энергии приблизительно в три раза выше на постоянном напряжении, чем на переменном. Поэтому в каждом...

Номер патента: 1376846

Опубликовано: 30.07.1991

Авторы: Болгов, Глушков, Малютенко, Мороженко, Морозов, Омельяновский

МПК: H01L 21/66

Метки: однородности, полупроводников

...составляет 2"6 мкм.Таким образом, его можно применять для контроля однородности соста-.ва полупроводников со значением Е0,2-0,6 зВ и для контроля однородности распределения примесей в полупроводниках с Е 0,2 эВ. Минимальноразличимая разность. температур тепловизора АСАсоставляет 0,2 Кпри ЗОО К. Переводя по формуле Планкатемпературную разрешающую способностьв энергетическую, устанавливают, чтоминимально различимая разность потоков теплового излучения (Ь , фиксируемая данным прибором, (ь 1) =щ 110 Вт/см.Теоретически или экспериментальноградуируют используемый прибор в единицах Е или х дЛя конкретного полупроводникового соединения, находящегося. при заданной температуре вышефоновой.Теоретически интенсивность 1 теплового излучения...