H01L 21/02 — изготовление или обработка полупроводниковых приборов или их частей

Номер патента: 10891

Опубликовано: 31.07.1929

Автор: Гаврилов

МПК: H01L 21/02

Метки: детекторов

...ванпя металла чд я пос у 1 есися та е 21 сные ч.аблетк,и наСпособ изготсктеризую щийся ОтХ:гсЫ Гадспнт рез месгкое опто Вуда., затем пре олеток. а потом гревают ло 200 ленин ем. ч с,пе 1;2 лЯссуютполуч 2 о 0 Е й. Тип 1 Соппптерн Центрпздатп Народов СССР. Ленинград, 11 раснпя, 2. 11 ре;сдагаео 1 ое изобретение касается опособаизготовления детекторов и но 1 еет целью испо,11,зоваине отходов галеннта. по лу 1 а 1 ощихол при его раофасовке.Сносоо изготовлеч 11 гя 1 етекторов из отхояов га,телята заксиочается в сле 11 ующем. Отхо;сы га 1 еннта. получающиеся прп его раофаоозке в виде небольш 1 ьх кусочков. размельчаютоя в ступке в порошок. ща чем СОССЗргнащпйСЛ В П 111 Х МЕтадд Вуда. бдаГО 11 арл своей ковкоспи, ве рааельчаетоя. Получсяный...

Номер патента: 148154

Опубликовано: 01.01.1962

Автор: Седов

МПК: G03G 13/00, H01L 21/02

Метки: изображения, переходов

...проходят объектив 8 микроскопа, оптическое устройство 4, проекционную линзу 5 и фокусируются на флуоресцирующий,экран б, на котором через окно 7 ведут наблюдение за состоянием р-и перехода.Под экраном б размещена фотокассета 8 с набором фотопластинок, которые могут последовательно подаваться под экспозицию, в результате чего осуществляется фотографирование изображения с экрана б. Вакуум внутри микроскопа обеспечивается диффузионным 9 и форвакуумным 10 насосами. Питание к электродам микроскопа н ионной пушке 2 подводится с высоковольтного выпрямителя 11,При смене объекта исследования или фотокассеты внутрь микроскопа впускается воздух, который во время наблюдения откачивается насосами 9 и 10.М 148154 Объект исследования...

Номер патента: 208134

Опубликовано: 01.01.1968

МПК: B21D 39/00, C25D 5/00, C25D 7/12 ...

Метки: выводов, полупроводниковым, приборам, присоединения

...присоединения вывода, безприменения нагрева,г) возможность присоединения вывода кр-тг-переходам сравнительно малой площ5 д) возможность нагрева места соединдо сравнительно высоких температур без ухудшения прочностных характеристик, благодарятому, что проводят гальванические осажденияслоя металла из электролита, содержащего10 соль этого металла, одновременно на металлизированную поверхность электрода полупроводникового прибора и на вывод, приведенный в электрический контакт (соприкосновение) с ним путем подачи на вывод отрицатель 15 ного потенциала относительно электролита.Способ, осуществляемый согласно данномуизобретению, состоит в следующем:На пленке 510 в над р-п-переходом, получают отверстие (площадью примерно 500 лкз),20 через...

Номер патента: 237268

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Данилин, Кондратьев, Красилов, Филатов, Черн

МПК: H01L 21/02, H01L 21/04

Метки: о—п-переходов

...область 5 р-типа 3 имеет толщину менее 0,1 ттк,По предложенной технологии могут цзготовляться силовые и туннельные диоды, ВЧ- ц СВЧ-транзисторы. мет изобретения Способ цзг дом введения птпйгя тем чт 15 малой площа шоц глубине,температуре в ратуры эвтек иый материалполучен термокомИзобретение относится к области технологии полупроводниковых приборов,Известные способы создания р - и-переходов (сплавление, диффузия) ц выводов к ним(пайка, сварка, терхтокохтпрессия) не позволяют получать структуры малой площади смалой глубиной залегания перехода.По предложенному способу примеси одного типа проводимости вводят в поверхностный слой полупроводника противоположноготипа провсхдихтости давлением без образования жидкой фазы при температуре...

Номер патента: 280682

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Вивчар, Сергиенко

МПК: H01L 21/02

Метки: 280682

...микроотверстиями диаметром порядка 5 - 20 лк.Эти способы не ооеспечивают правильной геометрии и идентичности отверстий, а для осуществления их необходимо уникальное оборудование. Кроме того, технологический процесс при этом способе изготовления растроив сложен.Целью изобретения является получение безлинзовых растров,из фольги с идентичными микроотверстиями правильной геометрии .и с ровными краями диаметром 5 - 20 як без применения сложного оборудования,Сущность предлагаемого способа заключается в получении растров путем прошивки отверстий в предварительно натянутой фольге стеклянной иглой конической формы. Способ позваляет значительно упроститьтехнологию изготовления безлинзовых растров, исключить применение уникального...

Номер патента: 320862

Опубликовано: 01.01.1971

Автор: Непокойчицкий

МПК: H01L 21/02, H01L 27/00

Метки: всесоюзная, г-шбтисг, мшш4х

...го токов путем установл окисла металла двух эл приложено напряжение,что, с целью получения такта любой произволь 20 электродов перемещают ла под защитным слоемпрово метал оянно ения ектро отлич элект ной ф по по жидко дящих металлилов в зоне элеК- о и переменнона поверхности дов, к которым аюи 1 ийся те М,рического коцормы, один нзверхности окиссти. Изобретение относится к области электрбтехнической промышленности и может быть применено для нанесения электродов на полупроводники, представляющие собой окислы металлов.Известен, способ нанесения токопроводящих слоев на полупроводники, заключающийся в проведении единичного электрического разряда с целью вжигания материала электрода. Этим способом можно получать только точечные электрические...

Номер патента: 290351

Опубликовано: 01.01.1971

Автор: Белецкий

МПК: H01L 21/02

Метки: зажимное, магнитное, немагнитных

...скрепленных между которых является магнит, что, с целью повышения п труда, один из дисков име точки с размещенными в н риками, перемещающимися ного поля,стройство для нещее из несколькихсобой, одним из отличающееся тем, роизводительности ет наклонные расих стальными шаза счет магнит. Магнитное зажимное устройство можетбыть использовано, например, для перегрузки немагнитных (графитовых) втулок из кассеты в кассету.Известны различного рода устройства дляудержания графитовых втулок. Недостаткомизвестных устройств является малая производительностьь.Отличительной особенностью предлагаемого магнитного зажимного устройства является то, что в нем магнитное поле, образуемоепостоянным магнитом или электромагнитом,воздействует на стальные...

Номер патента: 295289

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Даниэл, Иностранна, Поль, Соединенные, Эмери

МПК: H01L 21/02

Метки: пдтейтно-техшнеска

...методы или конструкции для устранения трудностей, связанных с нестабильностью прибора.Установлено, что нестабильность может быть значительно уменьшена за счет выполнения проводящей стеклообразной массы с нитями небольшого поперечного сечешя так, чтобы происходило полное насыщение при приложении коммутационного напряжения. Это удовлетворяет в определенных пределах, однако трудно изготовить различные приборы с одними и теми же рабочими характеристиками для коммутационных печатных схем и т, п.Другая попытка устранения недостатков прибора предыдущего типа заключается в создании активационной схемь, которая подает импульсную энергию для срабатывания приборов. После приложения актива 1 понного импульса чувствительный прибор обеспечивает...

Номер патента: 313247

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Вавилова, Керпелев

МПК: H01L 21/02, H01P 1/06

Метки: вращающийся, переход

...переход в разрезе.Устройство состоит из неподвижного корпуса 1 и жестко соединенного с ним фланца 2, Внутри корпуса 1 помещено колесо с внутренними зубьями 3, два зубчатых венца которого введены в зацепление с зубчатыми колесами 4, 5 и б.Зубчатое колесо 4 вращается на оси 7, закрепленной на корпусе 1, а зубчатое колесо 5 вращается вместе с осью 8, которая является приводной. Зубчатые колеса б (их может быть одно, два или три) вращаются на осях 9, закрепленных на водиле 10, Зубчатые колеса 4,5 и б введены также в зацепление с одинаковыми зубчатыми венцами полой трибки 11, внутренняя полость которой является одновременно трансформатором. Трибка 11 вращается на шарикоподшипниках 12, укрепленных на колесе с внутренними зубьями 8.На...

Номер патента: 415753

Опубликовано: 15.02.1974

МПК: H01L 21/02

Метки: 415753

...светоотражающее покрытие, а качестве которого может быть использовано диффузно рассеивающая излучение двуокись кремния, спеченная до нулевой порнстости.На фиг. 1 показан предлагаемый газоразрядный источник света с торцовым выходом излучения, продольный разрез; на фиг. 2 ,разрез,по А - А на фиг. 1.Предлагаемый источник света содержит три коаксиальные цилиндрические трубки 1 - 3 из оптически прозрачного кварцевого стекла. На одном конце внутренней трубки 1 размещен торцовый электродный узел 4 с электродом 5 из торированного вольфрама, закрепленным на коваровом держателе 6. Олово-титановый,припой, который залит между титановым цилиндром 7 и трубкой 1, осуществляет вакуумплотную герметизацию электродного узла 4, Отверстие 8 в держателе 6...

Номер патента: 326915

Опубликовано: 15.06.1974

Авторы: Думаневич, Молибог, Сахарова, Толкунов, Челноков, Якивчик

МПК: H01L 21/02

Метки: 326915

...В. Гута)аи Т)Граса 760 Совета Министро открытий паб., д. 4,5Изд.1712сударствсиного комитетпо делам изобретенийМосква, Ж, Рауиска Под)ГсносСССР ип. Хары(. фил. пред. Патент ВяЛЬПОГО 110 роиКд. Г,сК ПОГ(ссЗЫВЯ 10 т ЭКСГСр 1- МСНТс.ЛЬПЫС ПССЛСДОВсП 51,;ЯВЛСИ 1 С с)01 Дифс,ЗДПГс 1 В Зс 30)С СТсц 1 ДВЛИВДСТС 5 0 С.11 быст )о. -)ТИГ 1:рс,ОГврс)щсстся иоявлсппс НС 1)ОБПОСТСЙ ф)0 Ггс ДПС)фУЗИП В ХГССТс)Х НСПО. средстцсицого коцтйкта пластин и ысстах, гдс СОПРПКОСПОВСПП 51 ПСТ.1(,с)пцсптрЯИИ 5 ДИСГ)1)уздГтс ЯЗОТГГОГ(СЛОГ) алюыпшя прп Г;тсутстгиш кГслорода в зоис. Дцфс) , Зии 5 ВЛ 5 СТ(51 ПОСТОЯНПОИ И СОСТс 3,151 СТ 0,01- О,ъ.ПрГГ ко 111 спт)ЯГИГГ дзотеокслого й:Омпнпя большс 0,1% иа полироваццой повсрхио- СТП 1 РС)ГНП 51 П 05 ВЛ 51 ОТС 51...

Номер патента: 499613

Опубликовано: 15.01.1976

Автор: Васильев

МПК: H01L 21/02

Метки: ленты, перфорированной, подачи

...одного отверстия ленты.Формула изобретенияУстройство для подачи перфорированной ленты в автоматах сборки транзисторов, содержащее направляющую, фиксатор, подпружиненный крючок, шарнирно-закрепленный на рычаге привода, отличающееся тем, что, с целью упрощения конструкции, фиксатор и подпружиненный крючок кинематически связаны посредством двуплечего рычага, шарнирно-закрепленного на направляющей, причем один его конец касается фиксатора, а другой соединен тягой с рычагом привода,ля подачи перфори тах сборки транзи вляющую, фиксатор к, шарнирно-закреп 22) Заявлено 24.09,73 (21 та опубликования описани Изобретение относится автоматической подачи лент, применяемых в разл мышленности,Известно устройство д рованной ленты в автом сторов,...

Номер патента: 518823

Опубликовано: 25.06.1976

Авторы: Друнк, Савинков

МПК: H01L 21/02

Метки: манипуляторное

...в процессе перегрузки,В состав привода входит ряд трущихсяузлов и деталей, что снижает надежностьвсего устройства, 1Цель изобретения - упростить устройство и повысить его надежность,Это достигается тем, что держательвакуумных присосок выполнен в виде рычага, жестко закрепленного на штоке, и гибкого элемента с размещенными на нем вакуумными присосками, один конец которогожестко закреплен в свободном конце рычага, а другой жестко эакреплеь в точке, размешенной вне центра вращения рычага.И(088 Я)исаи и я,20,07,76 На держателе 5 с помощью кронштейна 10 и скобы 11 закреплены вакуумные присоски 6,в зависимости от размеров деталей 13 и их расположении в вибробункере 12 и кассете 1,4При повороте р 71 чага 7 против часовой стрелки 1 ибкпй...

Номер патента: 455702

Опубликовано: 05.08.1976

Авторы: Дашевский, Келлер, Коломоец, Сгибнев

МПК: H01L 21/02

Метки: термоэлемент

...коз 1 м 1 тационные шины, распоЛОЖЕННЫЕ ПО ВССй ДЛ 1 НЕ СТЫКОВ ТЕРвМОЗЛЕКТРИЧЕСКИХ ВЕтВЕй, ПОЗВОЛНЮТ до Мн 1 Мув 12 СНИЗИТЬ ЭЛЕКтрические и тепловые потери на кОлмутацию. Ширина ветви те.,мозлсмента Оольше его длины, чтоб позволяет умень 111 ТЬ его Внутреннее сопротивление 2 также повысить надежность В эксплуат 2.ции,На ч:ртеже схзь 12"иесин НЗООзажен предлагаЕМЫй ТЕР, ОЭДСМЕНТ в 1 вн СОДЕРЖт ИЗОЛЯЦИОННУО гибкую 1 ерфооирова:1 1 ю подложку 1 полупро 1Водниковые ветвии - тнпа полупроводниковые ВЕТВИ 3 р - ТИП 2 ПвЕрфорацИ 10 4. 32 ПОЛНЕнну 0 К "- М;таиИОННЬЫ 1 И 2 ТЕРИ="1 Овв ЗЛЕКтРИЧЕСКИЕ КОММУТ 2- ционные шины 5, гокосъемные шины 6.15 Работает тев моэлемент следующим образом.455702 10 Составитель С, ОстровскаяТехред Корректор Т....

Номер патента: 653647

Опубликовано: 25.03.1979

Авторы: Шеркувене, Янушонис

МПК: H01L 21/02

Метки: базы, изготовлении, источника, структур, транзисторных, формирования

...второго регулирующего слоя. На подготовленную таким образом пластину наносят слой фоторезистора 6, формируют защитный рельеф требуемого рисунка, после чего травят второй маскирующий слой 5, например молибден, в травителе, состоящем из 14 об. ч. концентрированной ортофосфорной кислоты, 7 об. ч. ледяной уксусной кислоты и 1 об. ч. деионизованной воды. Маскирующий слой 4 и экранируюший слой 3 травят примерно с одинаковыми скоростями до легируюшего слоя, например в О-травителе, состоящем из 1 об. ч. концентрированной фтористоводородной кислоты, 3 об.ч, ледяной уксусной кислоты и 25 об. ч 1%-ного водного раствора щавелевой кислоты. Получают структуру, показанную на фиг. 4. В дальнейшем поперечным травлением доводят размеры регулирующего...

Номер патента: 621239

Опубликовано: 15.08.1979

Авторы: Милевский, Ткачева

МПК: H01L 21/02

Метки: диодного, кристалле, п-типа, перехода, полупроводниковом, р-п, транзисторного

...по делам изобретений и открытий 113035 Иосква ЖРа ская наб. . 4 5филиал ППП Патент, г, Ужгород, ул. Проектная, 4 тем самым более четкую, гранину между р-п"областями, увеличивая эффектвыпрямления и, следовательно, улучшая качество изделий,Примеры выполнения предлагаемого способа.П р и м е р 1. Изготовление полевого транзистора из монокристалла.кремния и-типа с исходным удельнымсопротивлением 100 Ом см, выращенного по методу Чохральского и содержащего ростовые дислокации10 смДеформацию осуществляют пуансонамииз ЯО при 900 С втечение, ЬО мйнс нагрузкой 1 кг/мм 2. Толщина исходной пластины кремния равна 0,1 мм.Для одновременности проведения дефор"мации и легирования перед началомдеформации на острия пуансонов наь 3носят каплю спиртового...

Номер патента: 597289

Опубликовано: 07.10.1980

Авторы: Горбунов, Городенский, Журавлев, Козлов, Крылов, Мишанин

МПК: H01L 21/02

Метки: выпрямительного, симистора, элемента

...и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 лиэованяый слой кремния на контактнойповерхности структуры, и контакт по;,учается омическим как к рф-, таки "-облас,"кСднао при этом спос обе из готовле; в:;я выпрямительного элемента симистора существенно повышаются ток инапряженке управления,11 ель изобретения - снижение токанапряжения управления скмистора..3 то достигается тем, что под областью управляющего электрода помещаюг материал, яе растворяюций крем ийСпособ изготовления выпрямительно:.о элемента скмистора состоит в сле"уюцем.На дяо кассеты для оплавления по.;ощают термокомпенсирующий диск азатем и алюминиевую шайбу, толщинойпримерно 15 мкм, с круглым отверстиемд:амстр...

Номер патента: 771768

Опубликовано: 15.10.1980

Авторы: Матвеев, Приступов, Фарфель, Чеховской

МПК: H01L 21/02

Метки: магнитной, маркировки, суспензия

...суспсцзии и улучшение ее мапштныхсвойств. 2511 осгавлеццал цель достигается тем, что суспензия допозпгительцо содержит фталевьш илималсиновый ангидрид и карбонильное железоцри следующем соотношении компонентов,вес.ч.: 30ГлицеринГлюкозаФталевый или малсицовый ангидрид 2 - 6Гамма-окись железа35игольчатая 2 - 5Карбоцильцое железо 9 - 2 /Сушцость изобретения заключается в том,что введение фталевого С 6114(СО) зО илималсинового Сз 11 (СО) О ангидрида и карбоцимьцого железа обеспечило высокие адгезиоцные свойствасуспсцлщ, улучшило ее мапгицые свойства црц неограниченном сроке храцеокись железа игольчатую и карбглпгльцос железо,В предложенной суспензия концентрацияферромагнитных компонентов цо отношениюк нелетучим немагцитным компонентам...

Номер патента: 591084

Опубликовано: 30.11.1980

Авторы: Дьяченко, Серегина

МПК: H01L 21/02

Метки: детектора, кремниевого, поверхностно-барьерного

...детектора. На пленку накладывают кольца из посеребренной латунной Фольги 3, соответствующие размерам колец из пленки. Получен ную сборку нагревают под небольшим давлением 0,1 кГ/см до температу- ры размягчения поливинилбутераля (160-180 РС) и затем охлаждают до комнатной температуры. В результате тепловой обработки сэндвич склеивает" ся, верхняя и нижняя пленка оплавляют боковую поверхность кристалла, а по периметру рабочей поверхности детектора выступает слой пленки 4, создающий плавный переход между ра бочей поверхностью кристалла и металлической фольгой. На сборку с обеих сторон вакуумным на 11 ылением наносят слой 5 металла, например золота. Толщина готового детек- б 5 тора составляет 0,3 мм, рабочая площадь равна 706 мм.Кольца...

Номер патента: 582710

Опубликовано: 23.03.1981

Авторы: Гольденберг, Львова, Царенков

МПК: H01L 21/02

Метки: барьером, поверхностым, полупроводнико-вых, приборов

...80 ОС,Благодаря этим операциям получают структуру с тонким споем металла582710 Формула изобретения Составитель В. МякиненковРедактор Т, Колодцева Техред Е. Гаврилешко Корректор М. Вигула Заказ 1646/45 Тираж 784ВНИИПИ. Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб д, 4/5 Подписное Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4(10-20 нм) в центре и толстым слоемметалла на той части кристалла, гдебыла. поверхность нарушена.Токоподводы припаивают к болеетолстому слою металла, что исключаетпроплавление барьерного контакТа.П р и м е р. Изготавливают поверхностно барьерные фотодиоды на основеца А 5, На одной стороне пластины9 а А 5 изготавливают,омический контакт, а на другой проводят...

Номер патента: 983835

Опубликовано: 23.12.1982

Авторы: Белый, Корчков, Мартынова, Точицкий

МПК: H01L 21/02

Метки: вакуумной, сухой, фотолитографии, фоторезист

...и может быть использовано в производстве интегральных микросхем,Известны кремнийорганические соединения, которые используют в методе сухой электронолитографии,Метод сухой электронолитографии сводится к следующему: на подложку наносятс помощью вакуумного термическогоиспарения, чувствительный слой, облучаютслой электронным. лучом, удаляют необлученные участки слоя реиспарением в вакууме Г 1 3.Недостатком, известных веществ, используемых в качестве материала чувствительного слоя, является их нечувствительность к ультрафиолетовому излучению, что не позволяет реализовать методсухой фотолитографии. п 1 983835 13 98383 в нем формируется изображение за счет свойства предлагаемых материалов полимеризоваться под воздействием...

Номер патента: 475917

Опубликовано: 07.07.1984

Авторы: Александрова, Вязанкина, Лымарь, Сарнацкий, Скворцов, Уэльский

МПК: H01L 21/02

Метки: арсенида, галлия, полуизолирующих, слоев, эпитаксиальных

...соединение, разлагаетсяца свету и сильно гидролизуется., Кроме того, для получения эффекталегирования требуется введение очень больших количеств хлористого хромила, что приводит к заметному снижению скорости роста и эррозии поверхности.Целью изобретения является создание простого технологичного способа .изготовления полуизолирующих эпитаксиальных слоев арсецида галлия судельным сопротивлением в зависимости от типа легирующей примеси 10о"30-40 л/ч Сущность предлагаемого способа заключается в легировании эпитаксиальных слоев арсенида галлия из карбоцилов соответствующих металлов, Карбонилы Сг, У, Мо, Ге, Со, И 1 известны, получены и очищены, имеют достаточно высокие упругости паров и распадаются с выделением металла 5917 2прц...

Номер патента: 1269930

Опубликовано: 15.11.1986

Авторы: Павлынив, Полухин, Романовский, Сердюк

МПК: B23K 1/12, H01L 21/02

Метки: полупроводниковых, приборов

...кристалл подвергают травлению, производят контроль параметров прибора., нанесение защитного покрытия и герметизацию прибора.25Проведение травления после пайки, а также введение промежуточной термообработки позволяют снизить остаточные механические напряжения в спаях и полупроводниковом кристалле, что повышает качество приборов и стабильность их характеристик.Пример. Г 1 олупроводниковый кремниевый кристалл с тиристорной структурой в нем паяют с основанием корпуса и выводами (арматура тиристора) в водородной конвейерной печи одновременно - за один температурно-временной цикл, Все паяные швы выполняют припоем одного и того же состава (марки ПОС 2, температура полного расплавления которого близка к 320 С.Пайку ведут при 400+- 10...

Номер патента: 860639

Опубликовано: 23.11.1986

Авторы: Мартынов, Мухачев, Татаринов, Хрунов

МПК: H01L 21/02

Метки: алмазных, варианты, детекторов, его, излучений, качества, ядерных

...от технических условий надетекторы и может отличаться ц определенных пределах, например, для счетных и спектрометрических детекторов. Экспериментально установленное пороговое значение для работоспособных счетных детекторов составляет 20-402 от амплитуды сигнала при обычной регистрации того же излучения тем же детектором, но при нормальном электрическом напряжении наконтактах 15 По второму варианту способ контроля включает в себя следующие операции: алмазный детектор подключают 20к источнику электрического напряжения и одновременно облучают ионизирующим излучением, затем облучение прекращают, электрическое поле убирают, а после затухания переходных 25 процессов в регистрирующей системе вновь облучают ионизирующим излучением, например,...

Номер патента: 1273224

Опубликовано: 30.11.1986

Авторы: Астафьев, Городенский, Ксенофонтов, Панкратов, Чикин

МПК: B23K 31/02, H01L 21/02

Метки: кремния, основе, полупроводниковых, приборов

...507. серебра - 570 С. Так как тонкая серебряная прослойка предварительно вплавлена в полупроводниковую структуру, в этом месте золотой припой смачивает серебряную поверхность, но не вплавляется глубоко в кремний. За технологическое время пайки полупроводниковой структуры золото и серебро не успевает значительно перемещаться, и в месте вплавления в кремний образуется сплав серебро - золото с преимущественным содержанием серебра, высокой температурой взаимодействия с кремнием и малой глубиной вплавления. Вжигаемый серебряный сплав отделяет поверхность кремния с электронной проводимостью от припоя с акцепторной примесью или поверхность с5 дырочной проводимостью от припоя сдонорной примесью, что позволяетуменьшить прямые падения напряженияи...

Номер патента: 1102410

Опубликовано: 30.08.1987

Авторы: Даненгирш, Ефремов, Затолока, Пчелинцев

МПК: H01L 21/02

Метки: детекторов, излучений, ионизирующих, полупроводниковых

...300-400 С, а затем резкоохлажденному до комнатной температуры(закалка), возникшие при закалке элек трически активные дефекты отжигаютсяв вакууме полностью за приемлемоевремя, только начиная с температурыо120 С, Минимальная продолжительностьотжига при этой температуре, необходимая для снижения концентрации дефектов закалки до уровня, при котором они не влияют на качество детекторов и ионизирующих излучений (менее10 ф см ), составляет 16-20 ч. При ЗОменьшей температуре продолжительностьотжига дефектов закалки резко возрастает и составляет, например при температуре 110 С, около 200 чПроведение такого длительного отжига в про 35цессе изготовления детекторов является нежелательным, поскольку это резко увеличивает время изготовления...

Номер патента: 1492398

Опубликовано: 07.07.1989

Авторы: Бурштейн, Воронцов, Ермоленко, Светличный, Сеченов

МПК: H01L 21/02

Метки: импульсной, полупроводниковых, структур

...размер ячейки, Ь - расстояние от электрода допластины. 1 ил.тывает аналоговый сигнал, пропорциональный температуре пластины, Сигнал усиливается в 10 - 10 раэ в усилизтеле 10, преобразуется и поступает на вход задатчика 4 температуры, в5 котором происходит сравнение текущего и заданного значения температуры. При совпадении укаэанных значений задатчик вырабатывает импульс прекращения 0 облучения пластины и коммутирующее устройство отключает излучатель от источника питания.Например, для проведения операции, стабилизации заряда в подзатворном окисле на кремниевой пластине на электрод подается отрицательный потенциал 150 В.Электрод устанавливают на расстоянии 5 мм от пластины и проводят импульсный нагрев пластины в атмосфере аргонао...

Номер патента: 616992

Опубликовано: 28.02.1990

Авторы: Друз, Кирзон, Китаев, Фролов

МПК: H01L 21/02

Метки: защитных, пленок

...энергии поверхностной миграции адсорбируемых подложкой молекул.Кристаллизация осаждаемых частицпроисходит в существенно неравновесных условиях. В результате этогообразуются рыхлые пленки с низкойэлектрической прочностью, большимитоками утечки и невысокой адгезиейк подложке. Величина пороговой температуры определяется условиямиобразования и гибели активных центров, поскольку реакция окисления 20гидридов протекает по цепному меха. - .низму,Снижение температуры осаждениязащитной пленки в предлагаемом способе осуществлено воздействием ультрафиолетового излучения в определенном интервале длин волн на реакционную зону. Вануумный ультрафиолетэффективно поглощается всеми гидридами. За счет этого системе сообщается энергия, необходимая для...

Номер патента: 1679568

Опубликовано: 23.09.1991

Авторы: Кобыляков, Костроменко, Лялько, Пластюк, Шелехов

МПК: G01B 11/06, H01L 21/02

Метки: напыления, пленок

...скорость движения свидетеля 5 с помощью регулятора 4 движения свидетеля, Оптимальной для проведения процесса измерения скоростью является такая скорость, при которой сигнал, регистрируемый усилителем 14 фотоприемника, является минимальным. После этого включается измерительная часть устройства, открывается подвижная заслонка кварцевого резонатора 2 и начинается процесс измерения толщины пленки. Иа кварцевом резонаторе 2 происходит рост пленки. В процессе осаждения пленки на кварцевом резонаторе 2 изменяется масса резонатора 2, возникает сдвиг резонансной частоты, который регистрируется измерителем 16 частоты кварцевого резонатора. Величина сдвига резонансной частоты передается измерителем 16 частоты на эадатчик 17 маркировочного...

Номер патента: 1595270

Опубликовано: 30.11.1991

Автор: Генцелев

МПК: H01L 21/02

Метки: маске, подложки, рисунка, рисунком, совмещения

...столы 12 и 13 и двигателя 15. управляемые от блока 3 питания и управления, систему приводов и механическую оснастку (на фиг. 1 - 3 не показаны). Еод рентгеновских лучей от точечного источника 16 в случае, когда рентгенонепрозрачная заслонка 17, приводимая в движение двигателем 18, убрана с их пути, показан пунктирными линиями. Блок 3 питания и управления содержитаналого-цифровые преобразователи АЦП) сигналов от схем 8 и 11, ЭВМ "Электрон,.ку", ключи управления шаговьми двигателями 14, 15, 18 и стабилизированные источники питания,Устройство для совмещения рисунка на маске с рисунком подложки работает следующим образом.Маску 1 и подложку 2 устанавливают соответственно на столы 12 и 13 с определенным предварительным микрозазором...