H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 1758713

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Гудков, Масалов, Махов, Подшивалов

МПК: H01L 31/04

Метки: излучения, приемник, электромагнитного

...в полупроводнике генерируются свободные носители заряда, пластина 2 становится проводящей и выталкивает из себя магнитное поле короткозамкнутого витка 3. При этом изменяется магнитный поток через соленоид 4, что и приводит к появлению на клеммах 5 напряжения, которое и является выходным сигналом. Причем, напряжение на клеммах 5 появляется только в том случае, когда магнитный поток через соленоид 4, а следовательно, и интенсивность светового излучения меняются во времени, Другим условием работоспособности приемника является достаточно низкая температура, при которой энергия теплового движения лежит ниже энергии ионизации, приводящей к образованию свободных носителей заряда, Приемник работоспособен и в отсутствие короткозамкнутого витка...

Номер патента: 1407345

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Аронов, Васильев, Десятов, Морозов, Родионов

МПК: H01L 29/73

Метки: свч-транзистор

...позволяет раменения СВЧ"тран0( Од.м(бобщл,и индуктивность общего электрода транзистора, включающая индуктивность базыи внешнюю индуктивностьмонтажа;импульсный ток эмиттерапосле завершения переходного процесса;максимальное обратное напряжение эмиттбр-база;требуемая длительностьФронта радиоимпульсов.:ьмекс Составитель Н. Гусельников Техред К,Дидык Корректор Э, Лончакова Редактор Н.Коляда Заказ 3475 Тираж Подписное ВВИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий13035, Иосква, Ж, Раушская наб., д, 4/5аеПроизводственно-полиграФическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к полупроводниковой технике.Целью изобретения является снижение длительности Фронтов радиоимлульса усиливаемого...

Номер патента: 1760578

Опубликовано: 07.09.1992

Авторы: Горохов, Гридин, Евсеев, Лифанова, Фалин

МПК: H01L 25/00

Метки: модуль, полупроводниковый

...втулками (2), Изолирующие втулки способствуют четкой фиксации полупроводниковых элементов на основании модуля в процессе сборки, следовательно нет необходимости при сборке применять специальную оснастку, Транзисторные и диодные структуры имеют разный диаметр, например. 32 мм и 20 мм соответственно, Структуры потенциально изолированы от основания керамическими прокладками (3) из Ай и расположены на взаимно перпендикулярных осях попарно-симметрично относительно крепежного болта (12), Изолирующие элементы (3), токосъемы (4, 7), полупроводниковые структуры (5, 6), изоляторы (8), полусферы (9), прижаты к ос 10 15 нованию при помощи крепежного болта (12) с конической головкой и двух плоских пружин (10, 11) имеющих форму коромысла....

Номер патента: 1095862

Опубликовано: 07.09.1992

Авторы: Лифанов, Сидоров, Хлопов

МПК: H01L 21/56

Метки: защитных, покрытий, техники, формирования, электронной

...слоя используютшелкографические и объемно-сеточные трафареты. Объемно-сеточный трафарет отличается от шелкографического тем, что наодной из плоскостей сетки, натянутой нарамке, имеются заданной высоты и геометрии выступц из твердой резины, расположение которых образует зеркальноеотображение контуров, ограничивающихслой микропорошкового защитного покрытия, Процесс создания защитного слоя наподложке включает в себя следующую последовательность операций:основание корпуса интегральной схемыс приклеенной подложкой в установочноеместо корпуса рамки и ориентируют согласно конструкторской документации на изделие;поверхность подложки накрывают обьемно-сеточным трафаретом, причем вершины выступов на сетке оказываютсяприжатыми с...

Номер патента: 1762339

Опубликовано: 15.09.1992

Авторы: Кагадей, Проскуровский, Янкелевич

МПК: C23C 14/50, H01L 21/268

Метки: держатель, пластин, полупроводниковых

...фиксаторов одно из лезвий 2, закреплено с возможностью поворота относительно другого лезвия 2, например. с помощью винтового соединения, что необходимо для осуществления загрузки-выгрузки пластин 3. Материал лезвий должен отвечать следующим требованиям:1. Быть хорошим проводником для обеспечения стока электрического заряда при обработке пластин пучками заряженных частиц;2. Иметь низкую теплопроводность для достижения минимального теплоотвода от обрабатываемой пластины;5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 3, Иметь высокую температуру плавления и достаточную химическую пассивность;4, Иметь хорошую конструкционную прочность.Всем этим требованиям в достаточной степени удовлетворяют тугоплавкие металлы, например, ЧЧ, Та, Мо.Толщина лезвий должна...

Номер патента: 1762340

Опубликовано: 15.09.1992

Авторы: Домарев, Ильичев, Стадник

МПК: H01L 21/58

Метки: нагрева, фотонного

...галогенных ламп.Установка фотонного нагрева состоит из корпуса 1, внутри которого установлен кварцевый реактор 2, выполненный в виде полого параллелепипеда с выпуклыми стенками, внутренняя полость которого является рабочим объемом для проведения технологических процессов, Кварцевый реактор 2 крепится фланцем 3 к водоохлаждаемому основанию 4 корпуса 1. С четырех сторон кварцевого реактора 2 установлены два основных и два дополнительных ряда галогенных ламп 5 по шесть ламп в каждом ряду, причем основные ряды ламп 5 расположены с верхней и нижней сторон кварцевого реактора 2, а дополнительные ряды - с боковых сторон. Галогенные лампы 5 дополнительных рядов закреплены между гало 1762340генными лампами основных рядов и оси этих ламп...

Номер патента: 1762341

Опубликовано: 15.09.1992

Авторы: Большаков, Каликанов, Туник

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: диэлектриком, жидким, испарительным, модуль, охлаждением, тиристорный

...5, навинчиваемых на концы стяжных шпилек б, расположенных вокруг силовых полупроводниковых приборов с ребрами охлаждения и предварительно пропущенных в отверстия диска 7, установленного напротив торца модуля. При этом противоположные концы стяжных шпилек б завинчены в глухие отверстия, предусмотренные на внутренней стороне съемной торцевой заглушке 9.Электроизоляция силовых полупроводниковых приборов и ребер охлаждения от съемной торцевой заглушки и прижимного диска достигается с помощью электроизоляционных вкладышей 8, установленных на торцах модуля, Электрические выводы от полупроводниковых приборов наружу кожуха осуществлены с помощью проходных изоляторов 10, расположенных на съемной торцевой заглушке, Токопроводы в кожухе выполнены...

Номер патента: 1099703

Опубликовано: 15.09.1992

Авторы: Белов, Зубкова, Кузнецов, Лихтман, Родионов, Сейдман, Харин

МПК: G01D 15/10, H01L 27/00

Метки: головки, орган, рабочий, термопечатающей

...сс)ггс Г- Рг 31 ОГтИ ГУСС с гыт;сс с Псс)КДЯ ПОДЛККс) ОЬпсс Дс) Г ВЫСОКй г 8 ДН)цеской проц,остью, оое;псчивд:;т ВьС 03:уоДДГЕЗИ 10 ОГДЖЦВНУг.,)г С У)с)св;3 ДСВЭ 30 0 гОКРЫТИЛ г ГгМО 111,С) ГГсЛ, 08115 1 (РОО, Г,СОГПДСуЕТСс ПО ТЕ 4)Ордт/р,РМ,г Гос,)г.И цс 8)ГУ )ДСВИЭЕ 31 С МД) сРИ.)ЛОГ) П;)КРЫ Л,ПОМИМО ЭТОГО Сг)ТДЛЛ Обл ЗД)01О.)Пгдгс 1)гдВОДНОСТЬЮ, ОГ)ТИМДПЬНОЙ С С)с 3 К3,)С 1 Я Эг)сфективнссГ) и сыст)с)дс,с(3183151 У 31Егс) сКОЗф(с 1)ЦИЕ 13 -гСПЛОГГгО) 31 Г ТиКД 1/С 11 Г:;ЭДД, цТО Р .:)дд рдЗД ВЬ 113)сд, 1 г;гСТЕКЛс 1, и В ПЯТЬ Р;13 НИ;,(Е, ЧЕМК;:, )ДУс 1 ИКцЭГО ПОЗВОЛЕЭ ОООЙТИСЬ бсЗ Кдс;)Х Ли; СоеЦИДЛЬ)1 ЬУК 101(ЭЫ)ИЙ 11 ОДЛО с(Кс. Г. .г;".,5381" 1;НО сниз 3 В трудоемкость 1 Эгэтов;)е".353Эдбо 18 ГО огР Дцс 1П , . Т)г) 1 г)( ТЬс Г"...

Номер патента: 1487759

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Крюков, Перов, Саночкин

МПК: H01L 21/8232

Метки: мдп-интегральных, структур, схем

...Рмци 51 .с и слоя нттт рида кремния .эце удалян)т, я используют в качествемежслойцой изоляции полцкремциеныхттИн первого уронця. Затем осаждаютвторой слой поликремция 9 (йттГ.А) 511 е 5 ирутот его и плазмохкмическкм травлением через маску двух слоев поликремния формируот области плавающего зат-вора 10 и управляющего затвора 11,причем травление проводят н цаправле".нки, перпеНдикулярном направлению поликремниевых шин перного уровня(фиг.5),Формирование областей истоков истоков 12 элементов памяти проводятпгмплацтаццей ионов мьпцьяка Б участкикремниеной подложки, нс:.срытые послесамосовмещенцаго транления первогои второго слоев полккремния, Ня заклсчительной стадии изготовленияструктур элемецтов памяти формируютторцовый оксид кремния 13...

Номер патента: 1669337

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Мироненко, Налькина, Нестеров, Хрящев

МПК: H01L 21/306

Метки: антимонида, индия, полирования, приготовления, раствора

...супермедленным трввителем состава МВТВК1:50 по приведеннойвыше методике в течение 30, 60, 90 с.Часть образцов, облученных той аедозой, обработана при соОтношенииМВТ ; ВК " 1:100 в течение 2 н 3 мин.Результаты определения средней скорости травления сведены в таблицу,-раздел 111.Пример 4, В раздел 1 Ч таблицы сведены результаты по определению средней скорости травления присоотношении МВТ : ВК = 1:100 образцов внтимонида индия, нмплантированных большей дозой ионов магния,Из сравнения результатов разделов111 и 1 Ч таблицы видно, что даае приодинаковых степени разбавления и времени травления на скорости травлениясказывается степеньарушения струк-туры материала при р.зпичных дозахоблучения. Из результатов т;блицы следует, что...

Номер патента: 1764091

Опубликовано: 23.09.1992

Автор: Полков

МПК: H01L 23/08

Метки: герметизации, кассета, полупроводниковых, приборов

...то, что в процессе имплазионной сборки приборов рабочий газ имеет свободный и равномерный доступ к боковой поверхности корпуса прибора, что улучшает условия проведения имплазионного процесса и тем самым повышает выход годных приборов,На чертеже представлена кассета с собранным прибором.Кассета состоит из основания 1, верхй пластины 2, втулок 3, которые фиксирудетали 4 собранного прибора и пластины - излучателя 5 толщиной, равной длине стеклянного корпуса прибора с отверстиями 6, обеспечивающими кольцевой зазор 7 между стеклянной трубкой 8 и пластиной 5, равный (0,5 - 0,7) мм.Возможен вариант кассеты с объединением в одно целое основания 1 и пластины- излучателя 5 без нарушения центровки отверстий,1764091 Составитель...

Номер патента: 1764092

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Детинов, Златковская, Зусмановский

МПК: H01L 23/36, H05K 7/20

Метки: охлаждения, полупроводниковых, приборов, радиатор

...пружины выполнены из ленты прямоугольного поперечнога сечения с шагом витков, равным ширине поперечного сечения ленты, и что противолежащие цилиндрические поверхности стержня выполнены с равными между собой радиусами кривизны, а цилиндрические пружины выполнены с равнымивнутренними радиусами кривизны.Проведенные патентные исследования не выявили подобных технических решений, чта позволяет считать его соответствующим критерию "существенные отличия" и подтверждает новизну заявленного технического решения,На фиг. 1 представлен общий вид радиатора с установленным полупроводниковым прибором; на фиг, 2 - вид по стрелке А фиг. 1 без шайбы и гайки; на фиг, 3 - конструкция основания. Радиатор состоит из основания 1, оключающего в себя...

Номер патента: 1764093

Опубликовано: 23.09.1992

Автор: Чучукин

МПК: H01L 25/03, H02J 15/00

Метки: заряда, индуктивного, накопителя, энергии

...шин постоянного тока, а периферийныеные ячейки трех фаз трансформатора соеди-ячейки - к дальней шине, причем одноименненц выводами постоянного тока снцеячейкитрехфазтрансформаторасоедиодноименными сборными шинами парал- нены выводами постоянного тока с лельно, одноименными шинами сборных шин па17640937раллельно, что позволяет вьравнивать ин- Крепление токоведущих шин в пакете 11дуктивные сопротивления контурной ком- осуществляется с помощью клиц 37, а намутации вентилей и, таким образом, участке разводки по ячейкам - клицами 38способствует равномерному распределе- (клицы выполняются из древесного слоисто"нию тока между одновременно коммутиру го пластика типа ДСП-Б-Э или стеклотекстоющими выпрямительными блоками, лита...

Номер патента: 1764094

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Коцофляк, Полянский, Прилуцкий, Шевченко

МПК: F25B 21/02, H01L 35/02

Метки: жидкости, охлаждения, подогрева

...жен датчиком температуры и связанным с время пауз между:раздачей отдельных пор- ним электромагнитным клайаном для сообций жидкости. Необходимость контроля за щения с подпитывающей емкостью, причемрезервуар горячей жидкости в своей нижней части снабжен сливным краном.На фиг, 1 представлено соединение батареи полупроводниковых термоэлементовс подогреваемой и охлаждаемой емкостями, на фиг, 2 - схема. устройства,Устройство состоит из термобатареи,имеющей полупроводниковые термоэлементы 1(фиг. 1) типа и и полупроводниковь 1 етермоэлементы 2 типа р, соединенные последовательно. Спаи термоэлементов выполнены в виде коммутационных пластин 3,4. Верхние коммутационные пластины 3 соединены с нижней стенкой 5 резервуара 6горячей жидкости (фиг. 2)...

Номер патента: 1505364

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Елагин, Наймарк, Шевнин, Юликов

МПК: H01L 27/14

Метки: фотосчитывающее

...шшу.Д и НЫХОДДХ СДНИмируют последовав цапря)ксшя 18,ФО 128 импульсовго устройства иэльцом открывациивдшя через выходсуммарный токЩП-транзисторовссходит суммировацие идколлеццой и)1)орьсации за три интертталд цссотлениг Т,. Если один шгте рвал Накопления, оцтЖделгемыг 170)гово) освещсццостью и зарядовой емкостью 1 оточувствительтсо го элемента, рдвеи Т в известном устройстве, то в даццом устройстве при сохранении Одного титервала Накопления рав)17 Ти, оГщее время с)акоглетя увеличиндется в 3 рдэа в приводимом примере и в К раз в общем случае.11 осколысу пороговая чувствительцость пропорциоцдльид 1/71 Т)с то в ддццом устройстве Оцд улучшится в )7 рдз длц приводимого примера и 4 раэ в ОГщем случае. С)ОТОСЧССТЫВаг)Цг)Е УСтРойСТВО ИМЕЕТ...

Номер патента: 1505368

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Елагин, Наймарк, Шевнин, Юликов

МПК: H01L 31/14

Метки: фотосчитывающее

...от устройства считывацил, 2 ил,Преобразователь кодов может бытьвыполнен ца осцове ППЗУ,Устройство работает следуюшлмобразом,В результате пересчета импульсовтактового генератора 4 ца выходесчетчика 5 формируется адрес преобразователя 3 кодов, ца первом выходеимпульсы сдвига для смещеция цц 4 ормаццц в сдвцгающем регистре 2, а ца выходе дешифратора 6 - импульсы начальной установки регистра 2,результате иа выходах регистрапоочередно во вр емеци поя вля ются импульсыы, управляющие считываццем ицформации поочередно с одцого из Фоэ опрцемциков 1 матрицы,Начальцая устацовка фотопрцсмци-.ков 1 матрицы производится выкодцьц,цимпульсами преобразователя 3 нодоя,Благодаря воэможцости программигЮаа 1 Фиг, 2. оставитель Н,Ииляеехред Л.Олиинык ор...

Номер патента: 1635827

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Асеев, Бельц, Горохов, Денисов, Тепман, Трищункин, Федина, Чулинина

МПК: H01L 21/322

Метки: внутреннего, геттера, кремния, пластинах, формирования

...м е р 1. Пластины кремния диаметром ,00 мм, легированные бором с концентрацией кислорода (б) 10 см.17 -3 подвертались окислению в хлорсодержащей среде при 1000 С до толщины окисла40 ф 10 нм, а затем температура в печи поднималась до 1200" С в газовой смеси азо1635827 Формула изобретения Составитель Т.СкомороховаТехред М,Моргентал Корректор Н Ревгкая Редактор Т,Кпюкинэ 3 аназ 4059 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета поизобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская нэб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.1 эг:рнл 101 та с кислородом с содержанием кислорода 2,5 -0,5 и сохраняпэсь в течение 4 ч. Затем температура в печи снижалась до 750 С и сохранялась на этом уровне в течение...

Номер патента: 1641145

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Гольд, Девятова, Ерков, Лихачев

МПК: H01L 21/318

Метки: затвора, мноп-элементов, памяти

...0,001 1-2 2-4 4-6 10"12 Разбростолщины попластиеее,7. л 5 2 8 12 +15 л 200 Время форииронакилоксинитридного слоя, иинСкорость растекания инфориационного зарода, ВЫек 150 120 бО увеличениевреиенн проО, 15-0,25 О, 15-0,25 О, 15-0,2 О,15-0,2 граииированняДо 1 с 0,3-0,4 1+100:1 1; 50: 1 1; 2: 20 1:150:0 01 Образование81 О Температурньпе интервал синтезаЬ 55 слоя оксинитрида определяется способностью к записи информационного зарядае при температуре, превышающей Соотношениескоростейпотоков 8 С 1:80:ИН Скорость растекания инФорелациоееееого заряда, В/дек 4толщиной 300 А. Затем в случае необходимом Формируют слой блокирующего окисла из смеси моносилана и эакиси азота. Электроды Формируют с помощью Фотолитографии из легированного фосФором...

Номер патента: 1584653

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Голод, Девятова, Ерков

МПК: H01L 21/285

Метки: полицидных, структур, формирования

...ОсаЗЩЯть толикрсмний не имеет смысля, т.к, в этои случае полкремний начиняет расти па зоне неравномерно, Из черте- жа виде 0, что с павьддеев 1 ем темпера туры гряеичцые дявлееге 1 е ОсязКце 1 еил слоев умецьшаютсл. Боэможе 1 ы трц ва. - рианта выряще 1 ваЕЛЕл полцце 1 дцой структуры в еденам технологическом процессе иэ газовой смеси, составленной 50 нз источников кремния и силицндообра" эуощего металла одцовремееИо измене" нием одного иэ параметров давления в реакторе Р, соотношения реагентов К, температуры в реакторе Т).Бсетри варианта в реаепезяциирав 11 оцее 11 еы и лвллютсл техЕИЕческиии эквивалентами. Силицидцые слои осаждаотся поцепному ряэветвлене 1 ому мехянЕЕэиу р я слои паликремЕв 1 язя счет пиролизякремнийсодержащего...

Номер патента: 1535282

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Бехтерев, Десятков, Наймарк, Путырина

МПК: G06K 7/10, H01L 31/14

Метки: фотосчитывающее

...импульсов от задающего генератора 4 "единицы" цикличес", ОС ки перемещаются по регистрам.ЯПоявившаяся в любом иэ зарядов "единица" обеспечивает открытие транзистора 1 О и заряд паразитной емкости фотодиода 9 и прилежащих к нему цепей, в следующий такт с выхода следующего разряда регистра 3 откры- ф вается соответствующий управляемый вентиль 6, и уровень заряда паразитной емкости передается на инфорчан 1 и иный вход элемента 7 задержки, в кс те - ром он перемещается под действием1535282 оставцтель И.Ииляевехрел М,Ходацнч орректор Л.Бес аслот Рел.кто Подписное по изобретениям ц отк Ж - 35, Рауиская цаб., л; " згсл,тоецнэ-излательскцц комбинат 1 атецт , г,)жгорол, нч. рцца, 101 тактовых Импульсов от задающего генератора 4, Через...

Номер патента: 1473633

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Кузнецов, Латышев, Титов

МПК: H01L 21/8232

Метки: мдп-транзисторов

...парах водь 1 на 1000 С, На области полевого оксида кремния и маску из литвинкремния осажджОт слой 5 диэлек танка иэ оксида кремния толщиной 300 нм, полученного реакцией моносилана созакисью хэота при 800 С в реакторе пониженного давления, Затем с помощью5 операций Фотолитографии и диффузии бара Формируют области 6 стока и истока. Диффузию бора проводят при 1010"С в течение ч 0 мин до его концентрации в областях б на уровне 10- 10"см з Далее на облаСтях стоков, истоков Формируют второй ,слой 7 оксид:х кремния при 900 С толщи"б ной О,б мкм, После чего слой 5 ди электрика, ма"ку 3 из нитрнда кремния н первый слой 2 оксида кремния удаляют и проводят стандартные операцииФормирования МДП-транзисторов.В качестве слоя 5 дижлектрика . 2 О можно...

Номер патента: 1160891

Опубликовано: 30.09.1992

Авторы: Камбалин, Кокорин, Сайбель, Слугина, Сухов

МПК: H01L 21/314

Метки: мноп-структур

...тем, чтов способе изготовления МНОП-структур,включающем химическую обработку полупроводниковой подложки, промывку ее вдеионизованной воде, последовательноеформирование в реакторе слоев двуокиси инитрида кремния и электрода, формирование слоев двуокиси кремния в реакторе проводят в атмосфере закиси азота дополучения двуокиси кремния требуемойтолщины, после чего закись азота откачивают; окисление проводят при давлении0,13 гПа - 2 атм и температуре 700-950 С;формирование слоев двуокиси кремния инитрида кремния проводят в одном рабочемобьеме.Устранение из маршрута изготовления МНОП-структур операции травления остаточного окисла в водном растворе фтористоводородной кислоты позволяет увеличить напряжение пробоя окисной изоляции...

Номер патента: 1767582

Опубликовано: 07.10.1992

Авторы: Миттенберг, Пашкова, Прохоров, Шаталов

МПК: H01L 21/66

Метки: кремниевых, слоя, структур, толщины, эпитаксиального

...превышающую значение В//1 да, где а - угол разориентации пластины; ЧЧ - толщина эпитаксиального слоя, определенная по максимальной скорости роста, проводят анизотропное травление через полученную маску до появления на профиле травления плоской части параллельной поверхности эпитаксиального слоя, удаляют маску, а затем по высоте ступени между поверхностью эпитаксиального слоя и плоской частью профиля травления определяют толщину эпитаксиального слоя.В некоторых случаях целесообразно вскрывать окно в виде полос, перпендикулярных базовому срезу структуры, причем ширина полос должна превышать значение Ю/тда. Способ основан на том, что эпитаксиальные слои выращиваются на подложках,имеющих отклонение от плоскости (111) на4 или 8 по...

Номер патента: 1767583

Опубликовано: 07.10.1992

Авторы: Дмитриев, Емельянов, Терентьев, Ярошецкий

МПК: H01L 21/66

Метки: магнитооптического, параметров, полупроводниках, резонанса, электронов

...волновому вектору света.Существенным признаком является определение величин магнитного поля, соответствующих минимуму и максимумуфототока, Только исходя из этих величинможно вычислить искомые параметры,Существенным признаком является вы числение параметров в соответствии с формулами (2) и (3), специфическими для данного способа,Таким образом, каждый из приведенных признаков необходим, а в совокупности они 55 достаточны для достижения поставленной цели.Заявляемый способ дополнительно поясняется фигурами 1; 2; 3 и 4. онален коэффициенту поглощенияМ, Поэтому величина резонанса по сравнению с фоном не зависит от соотношения резонансного и нерезонансного коэффициентов поглощения. Как показал расчет, ам плитуда резона нсного...

Номер патента: 1767584

Опубликовано: 07.10.1992

Авторы: Гужавин, Калинин, Трубин, Чиненков

МПК: H01L 21/70

Метки: кристаллов, монтажа

...обрарегулируют пружиной 8 так, чтобы не быложесткого контакта между кристаллом 2 иопорными поверхностями 4 инструмента 1.Инструмент 1, удерживающий кристалл2, вместе с кареткой 9 при помощи механизма 10 перемещения поднимается и монтажный столик 11 подает под инструменткорпус 12 изделия с соединительной прокладкой 13. С помощьЮмеханизма 10 перемещения каретку 9 опускают до тех пор,пока кристалл 2 не начнетсжимать соединительную прокладку 13. Каретка 9 останавливае"гся;ЭксперИментально установлено, что сила Рот (Н), с которой газ давит на кристалл 2,подчиняется соотношениюг.,=р.я. - вч 1 - , 1 уб 1где Ро - давление газа в системе (Па);Я - площадь кристалла (м );г,и - величина зазора (м);б - диаметр аксиального отверстия...

Номер патента: 1767585

Опубликовано: 07.10.1992

Авторы: Бучинский, Волкова, Колпаков, Сироткин

МПК: H01L 23/12

Метки: герметизированного, токоввода

...1,5 - 3,5,а выдержку осуществляют не более 15 минв атмосфере паров состава, мас,о ;Я 1 С 14 38-49СЦС 4 31 - 34НгО 20-28,Керамические стержни, на боковую поверхность которых вдоль образующих нанесены полосковые проводники, в качестветокопроводящих элементов ранее не использовались, а применялись в качествепассивной части гибридных интегральныхсхем.Стеклопорошок состава, мас, о ;Я 10 г 3 - 4РЬО 56 - 58ВгОз 14-17А 1 гОз 1,5-3,5 Сцг 0 5,5-6,02 пО 14,0-15,5описан в АУЭ 0.027.056,ТУ.П р и м е р 1. Герметизированный токо 5 ввод изготавливают путем размещения токопроводящего элемента в отверстиифланца, в качестве токопроводящего элемента используют керамические стержни изматериала ВК 94 - 1 (60 х 15) с полосковыми10 и роводн иками, (ширина...

Номер патента: 1767712

Опубликовано: 07.10.1992

Авторы: Лейтес, Музменко, Пырченков

МПК: H01L 23/46, H05K 7/20

Метки: модуль, радиоэлектронный

...диаметром витков размещены в пазах 17 верхнего основания корпуса 7. На контактную поверхность эластичной диафрагмы 4 нанесен слой мягкого припоя, например индия.Устройство работает следующим образом.На монтажное основание 1 устанавливают печатную плату 2, на монтажной поверхности которой распаивают бескорпусные интегральные микросхемы 3 методом перевернуто кристалла (лицевой гранью вниз).Бескорпусные интегральные схемы 3 на монтажном основании 1 закрывают эластичной диафрагмой 4 из теплопроводного материала, например меди, которая по периметру запаяна в монтажную раму 5. На сочленяемых поверхностях монтажного основания 1 и монтажной рамы 5 укладывают в пазы резиновые прокладки 6. Монтажное основание 1 и монтажную раму 5 стягивают...

Номер патента: 1771005

Опубликовано: 23.10.1992

Автор: Караханьян

МПК: H01L 21/66

Метки: носителей, поверхностной, подвижности, полупроводниках

...пока напрякение Овых на МДП-конденсаторе удовлетворяет условиюОвыхЕэ - Опор,Так как 25 . Еэ - Опор)2Из полученного выражения для,и видно, что имеет место линейная зависимостьмежду скоростью разряда конденсатора и30 подвижностью носителей тоха в каналеМДП-транзистора,Длительность импульса должна бытьдостаточной для заряда МДП-конденсатораемкостью С через МДП-транзистор с удель 35 ной крутизной К:1 п = 7 - 10) эзар,г40 тзопредеием тежащей с пара=1 пф,П-ко- -нтрансатора емко и исток МДП-транзистора. при этом нижний уровень напряжения на затворе и верхний уровень напряжения на истоке устанавливают в диапазоне от Опор+ 0,1 В до Опор+1,0 В. верхний уровень напряжения на затворе устанавливают соответствующим ненасыщенному режиму...

Номер патента: 1771006

Опубликовано: 23.10.1992

Авторы: Воронцов, Каргапольцев, Плотников, Черных

МПК: H01L 21/66

Метки: базового, пластин, полупроводниковых, среза

...4 получают движение от электродвигателя 22 через приводной шнур 23, взаимосвязанный с одним из шкивов 17, на которых расположены транспортирующие шнуры 16, Шкивы 17 вращаются на валах 18, установленных в стойках 19, 20. закрепленных нэ плите 21. Подвижный упор 5 от сработавшего электромагнита 27 через кронштейн 25, установленный на оси 26, переводится в поднятое положение, и его рабочая плоскость с вырезом оказывается над шнурами 16 транспортера 4. Пластина 49 краем базового среза упрется в упор 5 в точке А. Возникшие моменты вращения, воздействующие на пластину 49 от сил трения шнуров 16 о пластину 49 М 1=- Р 1 Н и М 2=Р 2 Ъ, вызовут вращение пластины относительно точки А по направлению:трелки М, так как М 1 М 2 из-за...

Номер патента: 1771007

Опубликовано: 23.10.1992

Авторы: Антюхин, Лаужа, Узарс, Феоктистов, Чаусов, Чуверин

МПК: H01L 23/34, H01L 25/00

Метки: модуль, силовой, установки, электропреобразовательной

...а= 360 О/п 1 п;- наружные края пластин зафиксированы в прорезях с внутренней стороны кожуха,Эти признаки обеспечивают достижение цели изобретения, При проведении патентных исследований и анализе признаков заявляемого модуля с известными модулями сходных и эквивалентных признаков не обнаружено. Следовательно, предложение соответствует критерию "существенные отличия" и обладает новизной (см. патентную справку).На фиг, 1 показан модуль в сборе; на фиг. 2 - охладитель; на фиг. 3 - размещение радиальных элементов на охладителях,Модуль содержит (фиг, 1) силовые полупроводники 1 таблеточного исполнения, установленные соосно и чередуемые с охладителями 2, Полупроводники 1 с охладителями 2 образуют блок, на торцах которого установлены...