H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 1153768

Опубликовано: 27.05.1996

Авторы: Ильичев, Маслобоев, Полторацкий, Родионов, Слепнев

МПК: H01L 27/11

Метки: памяти, элемент

1. Элемент памяти, содержащий полупроводниковую подложку из арсенида галлия и активный полупроводниковый слой на ней с контактами стока и истока, а также электрод затвора, отделенный от активного слоя изолирующим слоем с захватом заряда, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия и уменьшения величин пороговых напряжений записи и стирания, изолирующий слой расположен между активным слоем и подложкой и выполнен из монокристаллического слоя твердого раствора Ga1-xAlxAs (0,1 X 0,6), содержащего кислород в...

Номер патента: 1153769

Опубликовано: 27.05.1996

МПК: H01L 27/11

Метки: варианты, его, памяти, элемент

1. Элемент памяти, содержащий структуру, включающую подложку из арсенида галлия и активный полупроводниковый слой на ней с контактами стока и истока, а также электрод затвора, отделенный от активного слоя изолирующим слоем с захватом заряда, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности считывания информации в виде оптического излучения, между активным слоем и подложкой введены дополнительный изолирующий слой и два дополнительных полупроводниковых слоя из твердого раствора соответственно Ga1-yAlyAs и Ga1-zAlzAs, где z < y противоположных типов проводимости, причем дополнительный изолирующий слой примыкает к активному слою, а дополнительный...

Номер патента: 1628766

Опубликовано: 27.05.1996

Авторы: Ахинько, Ильичев, Инкин

МПК: H01L 21/18

Метки: затвором, полевых, самосовмещенным, транзисторов

...лучшей однородности толщины маскирующего покрытия) уменьшается дисперсия сопротивления областей истоков и позволяет снизить температуры вжиганий 50 стоков по плоскости подложки, Температурные режимы в предлагаемом способе выбраны из соображений минимизации удельногосопротивления,о областей истока - стокапри удовлетворительной морфологии поверхности контакта при температурах меньше 410 С (425 С) р1 Ом мм (для и-типаобластей) и р5 Ом мм (для р-типа) притемпературах430 С (435 С) ухудшаетсяморфология поверхности омических контактов областей истока - стока,Неизвестно формирование защитныхпокрытий (сквозь которые осуществляетсяимплантация примеси) посредством низкотемпературного окисления подложки арсенида галли,я, что позволяет судить...

Номер патента: 656157

Опубликовано: 27.05.1996

Авторы: Белов, Веселовский, Гаврилов, Самойлов, Трусов

МПК: H01L 39/02, H02K 9/197

Метки: криогенной, ротор, электрической

1. Ротор криогенной электрической машины с глубоким охлаждением обмотки возбуждения, содержащий корпус, в котором размещена обмотка возбуждения, механическую подвеску с каналами охлаждения, соединяющую корпус обмотки с валом, тепловой экран с каналами охлаждения и токовводы, отличающийся тем, что, с целью улучшения весогабаритных характеристик ротора при одновременном повышении надежности и эффективности, тепловой экран соединен с корпусом обмотки в центральной по длине его части и служит механической подвеской, а полость корпуса обмотки выполнена сообщающейся с каналами теплового экрана через каналы в месте соединения теплового экрана с корпусом обмотки.2. Ротор по п. 1, отличающийся тем, что токовводы размещены в каналах теплового...

Номер патента: 1597018

Опубликовано: 27.05.1996

Авторы: Варламов, Емельянов, Ильичев, Инкин, Липшиц, Матына, Олейник, Пекарев, Полторацкий

МПК: H01L 21/205

Метки: мдп-транзисторов

Способ изготовления МДП-транзисторов, включающий формирование на подложке арсенида галлия n-типа проводимости областей истока и стока, осаждение слоя диэлектрика методом пиролиза, формирование электрода затвора, отличающийся тем, что, с целью повышения крутизны транзисторов, слой диэлектрика осаждают пиролитическим разложением диэтилдитиокарбамата цинка при температуре подложки 290 350oС и температуре испарителя диэтилдитиокарбамата 200250oС.

Номер патента: 1826819

Опубликовано: 10.06.1996

Авторы: Аветисян, Вето, Крюков, Морозов, Степанов

МПК: H01L 21/50

Метки: гибридной, сборки, схемы, фоточувствительной

Способ сборки гибридной фоточувствительной схемы, включающий размещение и крепление на горизонтальной плоскости предметного столика первой кросс-платы с линейкой фотоприемников, платы коммутатора, второй кросс-платы и платы разъема, последовательное соединение микросваркой проволочными проводниками контактных площадок линейки фотоприемников с контактными площадками на первой кросс-плате, контактных площадок на первой кросс-плате с контактными площадками на плате коммутатора, контактных площадок на плате коммутатора с контактными площадками платы разъема, и контактных площадок платы разъема при перемещении предметного столика в двух взаимно перпендикулярных направлениях и вращении его вокруг вертикальной оси, отличающийся тем, что, с целью...

Номер патента: 1829774

Опубликовано: 10.06.1996

Авторы: Грушецкий, Достанко

МПК: H01L 21/306

Метки: алюминия, плазменного, травления

...более реакционноспособную плазму, что способствует увеличению скорости травления алюминия.4При уменьшении давления ниже 10 Па происходит постепенное уменьшение скорости травления, хотя она во всех диапазонах, остается выше чем в способе реактивного ионно-плазменного или ионно-лучевого травления.5При повышении давлении выше 10 Па также происходит уменьшение скорости травления и увеличивается нагрев обрабатываемых объектов, а также необходимо увеличивать мощность импульсного источника,Расход рабочего газа, проходящего через зону разряда, зависит от давления в реакторе, его геометрических размеров и скорости откачки насосов (их производительности). Любой расход газа, при которомустанавливается рабочее давление и существует поток газа,...

Номер патента: 1833055

Опубликовано: 10.06.1996

Авторы: Буш, Волков, Гордеев, Зайцев, Исаков, Кривошеин

МПК: H01L 39/16

Метки: переключатель, сверхпроводящий

1. Сверхпроводящий переключатель тока, содержащий ключевой элемент, выполненный из высокотемпературной сверхпроводящей металлокерамики, состоящей из анизотропных монокристаллов, с размещенной на нем парой токовых контактов, элекрически соединенных с источником тока, и с расположенными между ними потенциальными контактами, к которым подключена нагрузка, а также источник переключающего магнитного поля, расположенного в области между потенциальными контактами, отличающийся тем, что, с целью расширения эксплуатационных возможностей переключателя, анизотропные монокристаллы ключевого элемента по меньшей мере в области между потенциальными контактами имеют параллельную рабочему току преимущественную ориентацию кристаллографических направлений,...

Номер патента: 1284439

Опубликовано: 10.06.1996

Авторы: Ильичев, Полторацкий

МПК: H01L 31/14

Метки: оптоэлектронный, памяти, элемент

Оптоэлектронный элемент памяти, выполненный на сильнолегированной подложке арсенида галлия, содержащий излучательный p n-гетеропереход, образованный гетерослоями Gа1-yAlyAs и Gа1-2Al2As, последний из которых граничит с подложкой и имеет с ней один тип проводимости при y>2, активный транзисторный слой с контактами истока и стока и электродом затвора, отделенный от указанных гетерослоев изолирующим слоем из твердого раствора Gа1-xAlxAs:О и имеющий сформированную в активном и изолирующем слоях до слоя Ga1-yAlyAs канавку, на дне которой сформирован омический контакт с площадью, меньшей площади дна канавки, и гальванически соединенный с контактом стока,...

Номер патента: 1649973

Опубликовано: 10.06.1996

Авторы: Емельянов, Зыбин, Ильичев, Инкин, Кравченко, Полторацкий, Родионов, Свешников, Шмелев

МПК: H01L 29/80

Метки: инвертор

Инвертор на комплементарных полевых транзисторах с затвором Шоттки с нормально закрытыми и открытыми каналами, выполненными на структуре, содержащей подложку из арсенида галлия, на которой последовательно расположены первый нелегированный слой арсенида галлия, первый сильнолегированный слой арсенида галлия, второй нелегированный слой арсенида галлия и контакты стоков, истоков и затворов, отличающийся тем, что, с целью уменьшения рассеиваемой мощности и уменьшения разброса параметров, между вторым нелегированным и первым сильнолегированным слоем арсенида галлия расположены два смежных слоя, один из которых является третьим нелегированным слоем, а другой вторым сильнолегированным слоем с типом проводимости, противоположным типу проводимости...

Номер патента: 1827143

Опубликовано: 27.06.1996

Авторы: Кондрашов, Мурзин

МПК: H01L 21/331

Метки: кремниевого, мощного, транзистора

Способ изготовления мощного кремниевого транзистора, включающий предварительную диффузию базовой примеси р-типа проводимости в базовую область кремниевой n-n+-структуры на глубину h, предварительную диффузию эмиттерной примеси n-типа проводимости в базовую область с формированием эмиттерной области n+-типа проводимости, совместную разгонку базовой и эмиттерной примесей, в результате которой получают транзисторную n+-p-n-n-структуру с шириной активной базы Wакт, глубиной базовой области Н и глубиной эмиттерной области L, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости параметров транзистора, предварительную диффузию базовой примеси проводят в течение 1-40 ч при 1100-1250°С на глубину...

Номер патента: 1827144

Опубликовано: 27.06.1996

Авторы: Кондрашов, Мурзин

МПК: H01L 29/02

Метки: биполярный, вертикальный, транзистор

1. Вертикальный биполярный транзистор, содержащий в полупроводниковой подложке коллекторную область типа проводимости с канальным ограничителем, базовую область противоположного типа проводимости, эмиттерную область первого типа проводимости и пассивирующее покрытие по крайней мере на части поверхности базовой и коллекторной областей, отличающийся тем, что, с целью уменьшения аномально высокого уровня и дрейфа обратных токов Iкэо и Iкэ транзистора благодаря предотвращению попадания избыточных неосновных носителей заряда базовой области в приповерхностную часть области пространственного заряда коллекторного перехода, базовая область транзистора содержит по крайней мере одну дополнительную область, в которой дефектность...

Номер патента: 1827146

Опубликовано: 27.06.1996

Авторы: Кондрашов, Мурзин

МПК: H01L 29/72

Метки: биполярный, защитой, мощный, перенапряжения, транзистор

1. Мощный биполярный транзистор с защитой от перенапряжения, состоящий из рабочей транзисторной структуры и защитного стабилитрона в виде транзистора с плавающей базой, выполненной в одной полупроводниковой подложке так, что они имеют общий коллектор, а эмиттерная область стабилитрона омически соединена с базовой областью рабочей транзисторной структуры, отличающийся тем, что, с целью повышения устойчивости к вторичному пробою при обратном смещении базы без изменения его временных и электрических параметров за счет изменения ширины и уменьшения дефектности активной базы защитного стабилитрона и прилегающей к ней области коллектора, ширина активной базы стабилитрона больше ширины активной базы рабочей транзисторной структуры, а степень...

Номер патента: 1827147

Опубликовано: 27.06.1996

Авторы: Кондрашов, Мурзин

МПК: H01L 29/72

Метки: высоким, напряжением, полупроводниковый, прибор, пробоя

1. Полупроводниковый прибор с высоким напряжением пробоя, содержащий в высокоомном слое первого типа проводимости базовую область второго типа проводимости, состоящую из центральной области глубиной Нп периферийной области, окружающей центральную область, глубина и степень легирования которой уменьшается в направлении к месту выхода на поверхность высокоомного слоя рn-перехода, образованного базовой областью и высокоомным слоем, кольцевую базовую металлизацию шириной а, расположенную под частью периферийной области базы, прилегающей к центральной области базы, и находящуюся на расстоянии l от места выхода на поверхность высокоомного слоя р n-перехода, где величина l соответствует ширине области пространственного заряда в...

Номер патента: 1827148

Опубликовано: 27.06.1996

Авторы: Кондрашов, Мурзин

МПК: H01L 29/72

Метки: высоким, напряжением, планарный, полупроводниковый, прибор, пробоя

1. Планарный полупроводниковый прибор с высоким напряжением пробоя, содержащий в высокоомном слое первого типа проводимости базовую область второго типа проводимости, состоящую из центральной области глубиной H и периферийной области шириной L, окружающей центральную область, глубина и степень легирования которой уменьшается в направлении к месту выхода на поверхность высокоомного слоя p-n-перехода, образованного базовой областью и высокоомным слоем, отличающийся тем, что, с целью уменьшения ширины периферийной области базы при сохранении величины напряжения пробоя и диффузионных параметров центральной области базы, периферийная область базы состоит по крайней мере из двух зон, в которых p-n-переход имеет различный угол наклона к...

Номер патента: 1827149

Опубликовано: 27.06.1996

Авторы: Кондрашов, Мурзин

МПК: H01L 29/72

Метки: биполярный, мощный, транзистор

1. Мощный биполярный транзистор, имеющий по крайней мере одну эмиттерную область шириной I с постоянной глубиной и степенью легирования и активную базу с переменной степенью легирования, отличающийся тем, что, с целью уменьшения площади его транзисторной структуры с сохранением коэффициента усиления по току и устойчивости к вторичному пробою, ширину W активной базы выбирают из соотношения W Wmin + k I, где 0 К 1, а Wmin - минимальная ширина активной базы.2. Транзистор по п.1, отличающийся тем, что участок активной...

Номер патента: 1827150

Опубликовано: 27.06.1996

Авторы: Кондрашов, Мурзин

МПК: H01L 29/72

Метки: биполярный, мощный, транзистор

1. Мощный биполярный транзистор, содержащий по крайней мере одну эмиттерную область шириной l переменной глубины и степени легирования, отличающийся тем, что, с целью повышения коэффициента усиления по току с сохранением устойчивости к вторичному пробою, эмиттерная область состоит по крайней мере из двух симметричных относительно центра эмиттерной области зон, в которых глубину эмиттерной области H выбирают из соотношения H=H0+kl, где а H0 глубина эмиттерной области на внешнем краю зоны.2. Транзистор по п. 1, отличающийся тем, что участку эмиттерной области с максимальной глубиной соответствует максимальная степень легирования, а участку с...

Номер патента: 1827151

Опубликовано: 27.06.1996

Авторы: Кондрашов, Мурзин

МПК: H01L 29/72

Метки: биполярный, защитой, мощный, перенапряжения, транзистор

1. Мощный биполярный транзистор с защитой от перенапряжения, состоящий из рабочей транзисторной структуры и защитного стабилитрона в виде транзистора с плавающей базой, выполненный в одной полупроводниковой подложке таким образом, что они имеют общий коллектор, а эмиттерная область стабилитрона омически соединена с базовой областью рабочей транзисторной структуры, отличающийся тем, что, с целью повышения устойчивости к вторичному пробою при обратном смещении базы, за счет изменения конструкции активной базы стабилитрона, активная база стабилитрона выполнена в виде областей-ячеек, в которых ширина и степень легирования активной базы стабилитрона меньше ширины и степени легирования активной базы рабочей транзисторной структуры, окруженных...

Номер патента: 1827152

Опубликовано: 27.06.1996

Авторы: Кондрашов, Мурзин

МПК: H01L 29/72

Метки: биполярный, защитой, мощный, перенапряжения, транзистор

Мощный биполярный транзистор с защитой от перенапряжения, состоящий из рабочей транзисторной структуры и защитного стабилитрона в виде транзистора с плавающей базой, выполненный в одной полупроводниковой подложке так, что они имеют общий коллектор, а эмиттерная область стабилитрона омически соединена с базовой областью рабочей транзисторной структуры, причем ширина и/или степень легирования активной базы стабилитрона меньше ширины и/или степени легирования активной базы рабочей транзисторной структуры, отличающийся тем, что, с целью повышения устойчивости к вторичному пробою при обратном смещении базы, при сохранении временных и электрических параметров транзистора за счет уменьшения дефектности активной базы защитного стабилитрона и...

Номер патента: 1828719

Опубликовано: 27.06.1996

Авторы: Кондрашов, Мурзин

МПК: H01L 21/331

Метки: кремниевого, мощного, транзистора

1. Способ изготовления мощного кремниевого транзистора, включающий создание в высокоомном слое кремниевой n-n+-структуры эмиттерной области, легированной примесью первого типа проводимости, имеющей атомный радиус, больший или меньший атомного радиуса кремния, создание базовой области, легированной примесью второго типа проводимости, одновременную разгонку эмиттерной и базовой примесей, легирование эмиттерной области на глубину h компенсирующей примесью, имеющей атомный радиус, соответственно меньший или больший атомного радиуса примеси первого типа эмиттерной области, подлегирование базовой области примесью второго типа проводимости, отличающийся тем, что, с целью уменьшения числа высокотемпературных процессов, создание базовой...

Номер патента: 1828720

Опубликовано: 27.06.1996

Авторы: Кондрашов, Мурзин

МПК: H01L 21/331

Метки: кремниевого, мощного, транзистора

1. Способ изготовления мощного кремниевого транзистора, включающий предварительную диффузию примеси р-типа проводимости в базовую область кремниевой n-n+-структуры, предварительную диффузию примеси n-типа проводимости в эмиттерную область и дальнейшую совместную разгонку базовой и эмиттерной примесей, отличающийся тем, что, с целью разрушения кластерных областей в объеме полупроводниковой структуры, предварительную диффузию примеси n-типа проводимости в эмиттер проводят при 800-1100oC, а совместную разгонку базовой и эмиттерной примесей проводят при температуре, выбираемой из интервала 1100-1250°С из условия обеспечения степени легирования эмиттерной области Ns<3

Номер патента: 1828721

Опубликовано: 27.06.1996

Авторы: Загрядский, Кондрашов, Мурзин

МПК: H01L 21/331

Метки: высоким, напряжением, полупроводникового, прибора, пробоя

1. Способ изготовления полупроводникового прибора с высоким напряжением пробоя, включающий последовательное формирование на поверхности полупроводниковой подложки аморфного или поликристаллического слоя толщиной Н, в котором коэффициент диффузии примеси, создающей базовую область полупроводникового прибора и формирующей его p n-переход коллектор база, превышает ее коэффициент диффузии в полупроводниковой подложке, формирование изолирующего слоя, вскрытие в изолирующем слое окна под диффузию примеси, создающей базовую область, диффузию указанной примеси в полупроводниковую подложку через окно в изолирующем слое с формированием базовой области, состоящей из центральной области глубиной Y

Номер патента: 1549419

Опубликовано: 10.07.1996

Авторы: Ильичев, Полторацкий, Савченко

МПК: H01L 29/80

Метки: интерференционный, квантовый, полевой, транзистор

Квантовый интерференционный полевой транзистор, содержащий подложку из арсенида галлия с кристаллографической ориентацией (001) с последовательно расположенными на ней каналами в виде слоев арсенида галлия n-типа проводимости с барьерным слоем GaAlAs между ними и сформированные на подложке контакты стока, истока и затвора, отличающийся тем, что, с целью упрощения конструкции, барьерный слой выполнен в виде совокупности кластеров, образующих в кристаллографических направлениях (110) и (001) регулярную структуру с периодом, равным 1 3 длинам волн де Бройля, и имеющую толщину а каналы ориентированы вдоль кристаллографического направления (110).

Номер патента: 1559975

Опубликовано: 10.07.1996

Авторы: Артамонов, Ахинько, Гольдберг, Емельянов, Зыбин, Ильичев, Инкин, Кравченко, Липшиц, Полторацкий, Родионов, Шелюхин

МПК: H01L 21/283

Метки: арсениде, галлия, затвором, полевых, сбис, создания, транзисторов, шоттки

1. Способ создания полевых транзисторов с затвором Шоттки для СБИС ЗУ на арсениде галлия, включающий формирование истоковых и стоковых областей, нанесение защитного слоя, вскрытие в нем окон с помощью фотолитографии, локальное окисление подзатворной области, удаление оксида, формирование металлизации затвора, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных схем путем увеличения точности задания пороговых напряжений транзисторов посредством влияния на степень нестехиометрии поверхностного слоя арсенида галлия, локальное окисление проводят методом термического окисления в атмосфере сухого кислорода при 400 600oС в течение 5 90 мин, а удаление оксида проводят методом термического отжига в атмосфере водорода при 600...

Номер патента: 1565292

Опубликовано: 10.07.1996

Авторы: Артамонов, Ахинько, Гольдберг, Григорьев, Ильичев, Инкин, Липшиц, Шелюхин

МПК: H01L 21/335

Метки: затвором, полевых, самосовмещенным, транзисторов

1. Способ изготовления полевых транзисторов с самосовмещенным затвором, включающий формирование на подложке арсенида галлия затвора из ниобия либо нитрида ниобия и маскирующего затвор покрытия, формирование маскирующего покрытия под изготовление областей истока и стока, формирование областей стока и истока, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости величины зазоров между истоком, стоком и затвором, после формирования покрытия под изготовление областей стока и истока проводят окисление подложки в атмосфере "сухого" кислорода при 400 600oС в течение 5 90 мин, затем отжигают подложку в среде водорода при 640 700oС в течение 10 50 мин, а после формирования областей истока и стока удаляют маскирующее...

Номер патента: 1329510

Опубликовано: 10.07.1996

Авторы: Костенко, Самойлова

МПК: H01L 31/12

Метки: оптоэлектронный, прибор

Оптоэлектронный прибор, содержащий излучающий и фотопреобразующий р-n-переходы, оптическую среду между ними и омические контакты к р- и n-областям, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей, р- или n-область излучающего и фотопреобразующего p-п-переходов соединены каналом из полупроводника одноименного типа проводимости, что и соединяемые области, при этом на поверхности канала выполнен МДП управляющий затвор.

Номер патента: 1517674

Опубликовано: 10.07.1996

Авторы: Игнатьев, Насыров

МПК: H01L 31/0203

Метки: гамма-излучения, детектор, полупроводниковый

Полупроводниковый детектор гаммаизлучения, содержащий чувствительный элемент p-n p-i-n-структуры, перед которым по отношению к падающему излучению установлен передний конвертер из легкого материала Z1 7, отличающийся тем, что, с целью повышения избирательности детектора к гамма-излучению в импульсных полях смешанного гамма-нейтронного излучения и уменьшения временного разрешения детектора, он содержит задний конвертер из тяжелого материала Z2 40 толщиной L d2

Номер патента: 1834588

Опубликовано: 10.07.1996

Авторы: Берестенко, Боков, Буравцев, Можаров, Мшенская, Сатаров, Шевченко

МПК: G03F 7/26, H01L 21/312

Метки: интегральных, микросхем, рельефа, формирования

...ф 10 кл/смприводит к тому, что резист не сшивается,а края рисунка расплываются, что существенно повышает дефектность.Экспонирование дозой более 5 ф 102кл/см может привести к полимеризациипленки резиста, которая является маской дляплазмополимеризованного слоя, что такжеповышает дефектность.Реактивно-ионное травление плазмополимеризованного стирола проводят при давлении не более 10 Па и удельной мощности2,5 - 3 Вт/см,Травление плазмополимеризованного стирола при давлении более 10 Па ведет кувеличению остаточных частиц в объеме и,к уменьшению длины их свободного пробега,а значит эти частицы имеют возможностьчаще сталкиваться с рабочей поверхностьюподложки и могут быть захвачены, ею, чтоповышает привносимую дефектность,Травление при...

Номер патента: 1347831

Опубликовано: 10.07.1996

Авторы: Артамонов, Емельянов, Ефремова, Ильичев, Инкин, Лозовский, Попов, Шелюхин

МПК: H01L 33/00

Метки: диодов, излучающих, матриц, монолитных, у-адресацией

Способ изготовления монолитных матриц излучающих диодов с Х-У-адресацией на AIGaAs, включающий формирование в высокоомной подложке с ориентацией 100 проводящих каналов, эпитаксиальное наращивание активных слоев, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных матриц путем исключения двухуровневой разводки, адресные p-шины в Х-направлении формируют на подложке с нанесенным локально маскирующим слоем методом зонной плавки с градиентом температуры перпендикулярно плоскости подложки из расплава галлия с добавкой германия или цинка в количестве 2-4 ат. при температуре 1100-1270 К, градиенте температуры 20-40 К/см со скоростью перекристаллизации 5-200 мкм/ч, затем формируют активные слои, рабочие элементы которых выделяют...

Номер патента: 1589963

Опубликовано: 10.07.1996

Авторы: Астахов, Борисов, Варганов, Демидова, Дудкин, Ежов, Зигель, Колбин, Мирошников, Мозжорин, Пасеков, Просветова, Савельева, Таубкин, Фадеева, Цепов

МПК: H01L 31/18

Метки: n-типа, антимониде, индия, проводимости, фотодиодов

Способ изготовления фотодиодов на антимониде индия n-типа проводимости, включающий подготовку поверхности исходной пластины антимонида индия, формирование легированных областей p-типа проводимости, анодное окисление в электролите, содержащем раствор электропроводной добавки в глицерине и органический растворитель в объемном соотношении 1 1, нанесение пассивирующего диэлектрика и формирование контактной системы, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных фотодиодов, пробивных напряжений фотодиодов и их стабильности за счет формирования в анодной окисной пленке отрицательного стабильного встроенного заряда, анодное окисление проводят в электролите, содержащем в качестве электропроводной добавки сернистый натрий в количестве 0,1,...