Патенты с меткой «монокристаллического»

Номер патента: 168238

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Копецкий, Новосадов, Пекарев, Плш, Ров, Савицкий, Тылкина

МПК: B21B 3/00

Метки: вольфрама, ленты, литого, монокристаллического, плющенки, полуфабрикатов, проволоки

...прутков получают монокристаллы вольфрама методом электроннолучевой зонной плавки в вакууме. Моно кристаллическии вольфрам прокатывают в ручьевом стане в защитной рубашке, например из меди, железа или никеля, до диаметра 1,5 - 2,0 мм при 400 - 600 С.Волочение проволоки осуществляется через победитовые или алмазные фильеры с промежуточной электрополировкой без отжигов до диаметров 20 - 30 мк. Волочение проводится через расплавленные металлы, например свинец или олово, с диаметра 1,5 - 2,0 мм до диаметра 0,4 - 0,5 мм при 340 - 350 С и с диаметра 0,4 - 0,5 мм до диаметра 0,2 мм при 240 в 2 С.Волочение через алмазные фильеры проводится в холодном состоянии или при подогреве до 100 - 200 С. Расплавленная среда служит одновременно...

Номер патента: 522462

Опубликовано: 25.07.1976

Авторы: Бутурлин, Вишнева, Ержанов, Кремлев, Чистяков

МПК: G01N 27/00

Метки: глубины, монокристаллического, полупроводника, слоев

...кипения или близкой к ней)раствор, содержащий 35,1% моль этилендиамина (М Н-СН) - Я,3,7% моль пирокатехинаС , Н( О Н )г) и 61,2% моль воды, (применяетсяпри температуре 100-110 С),В результате рельефного анизотропного трав.ления образца получают наклоненную плоскость9, составляющую угол сг с рабочей поверхностьюобразца и лежащую в кристаллографическойплоскости (111) 6.Подтравливание под край окна в маскирующем слое, расположенном по линии пересечениярабочей поверхности образца с кристаллографической плоскостью (111), отсутствует, На наклоненную плоскость выходят полупроводниковые слои и разделяющие их р - з 2 переходы; их линейныеразмеры (глубины) выглядят на наклоненнойплоскости увеличенными в масштабе, определяемом величиной...

Номер патента: 924776

Опубликовано: 30.04.1982

Авторы: Гордеев, Канищев, Куксо, Лытко, Румак, Туманов, Черных

МПК: H01L 21/00

Метки: кремния, монокристаллического, основе, полупроводниковых, преимущественно, приборов

...мин, отмывают в проточнойдеионизованной воде, обрабатываютгидромеханическим способом с помощьюмягких беличьих флейц и сушат нацентрифуге, Отмытые пластины кремнияпомещают в кассету-лодочку и загружают в зону кварцевой трубы с температурой процесса первого окисления,равной (1000 С 11 ), При данной температуре пластины кремния выдерживаютв потоке пара в течение 10 мин. Предварительно 303-ный раствор солянойкислоты заливают в парогенератор, который нагревают с помощью ИК нагреваи доводят данный раствор до температуры 40 С. Образующийся при этом парзахватывают инертным газом (путемпродувки через парогенератор, инертным газом служит аргон) и поступаетв зону реакции кварцевой трубы с находящимися в ней кремниевыми пластинами. За это время...

Номер патента: 992617

Опубликовано: 30.01.1983

Авторы: Копылов, Кравченко, Куча, Соболев

МПК: C30B 29/22

Метки: висмута, германата, материал, монокристаллического, основе, силиката, электрооптический

...ческую пленку, состав ветствует эмпирическо В 18 СеМ 9 р 210 р, Полуво ние в полученной плен ны 633 нм на 25 меньтаваПример 4 Ан ру 3 из шихты, содерж В)0 92,896; 510 2, выращивают монокрист ку, состав которой со пирической формуле В Полуволновое напряжен монокристаллической п волны 633 нм на 22 м ,пленке состава В 2 51П р и м е р 5, Ана ру 2 из шихты, содерж В 2 03 97,886; 5 Од 2, готовят расплав и мет ского выращивают моно которого соответствуе ФОРМУЛЕ В 11 зиа 651 Вао,о волновое напряжение и нокристалла на длине меньше, чем у монокри В 12 5102 р,Как видно из приве ров, предлагаемое реш по сравнению с извест 35 снизить полуволно электрооптических мон ких материалов на осн или германата висмута венно уменьшить управ...

Номер патента: 877991

Опубликовано: 15.02.1984

Авторы: Литвинов, Ольшевский

МПК: C30B 11/10

Метки: вставка, корунда, монокристаллического, ювелирная

...фианита алюмоиттриевого граната,легированных редкоземельными элвментами.Целью изобретения является получение более тонкого оттенка и мерцания цвета,Цель достигается тем, что окрашивающая добавка размещена в нижней части павильона у шипа и составляет одну треть его высоты.Способ получения предлагаемой ювелирной вставки, включающий выращиваниемонокристалла корунда переменного состава по методу Вернейля при изменении состава подаваемой шихты, последующую резку монокристалла на заготовки и их огранку, отличается от известного тем, что состав шихты изменяют от чистой окиси алюминия до окиси алюминия с окрашивающей добавкой после выращивания неокрашенного слоя толщиной в 2-2,2 раза большей толщины окрашенного слоя, резку ведут на...

Номер патента: 1260784

Опубликовано: 30.09.1986

Авторы: Соболев, Фомин, Хван

МПК: G01N 23/20

Метки: монокристаллического, ориентации, слитка

...заданной кристал" ую лографической плоскости, но параллель-1 О на главной оси вращения гониометра.Пересечения на торцах слитка слео- дов двух плоскостей, перпендикулярныхзаданной кристаллографической плоскости, являются точками выхода нормали15 к заданной кристаллографической плоскости на обоих плоских торцах слитка. поворачиваться вокруг главной оси вращения. независимо от приставки держателя слитка с помощью кольца 1 и хомутика 18. Положение хомутика фиксируется на кольце с помощью сто порного винта 19. Боковая поверхнос 20 неподвижной планки 14, к которой примыкает боковая поверхность подви ной планки 16, проходит через главн ось вращения гониометра. Положение подвижных планок 7 и 14 фиксируется на направляющих 6 и 15 с помощью ст...

Номер патента: 695418

Опубликовано: 15.01.1994

Авторы: Ваганов, Гончарова

МПК: H01L 21/18

Метки: интегральных, кремния, механоэлектрических, монокристаллического, преобразователей

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МЕХАНОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ ИЗ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ, включающий термическое окисление пластин, двустороннюю фотолитографию, изготовление тензочувствительных компонентов, формирование мембран локальным травлением кремния, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления и увеличения диапазона линейного преобразования, после термического окисления пластин проводят формирование мембран локальным травлением, удаляют весь окисел с пластин, снимают с обеих сторон пластин тонкий слой кремния в полирующем травителе, проводят термическое окисление и двустороннюю фотолитографию, после чего изготовляют тензокомпоненты.

Номер патента: 1140492

Опубликовано: 30.05.1994

Авторы: Абрикосов, Иванова, Свечникова, Чижевская

МПК: C30B 15/00, C30B 29/46

Метки: монокристаллического

1. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА на основе твердых растворов халькогенидов сурьмы и висмута для термоэлектрических преобразователей путем выращивания кристалла из расплава на затравку с подпиткой жидкой фазой из плавающего тигля в атмосфере инертного газа, отличающийся тем, что, с целью повышения однородности материала и увеличения выхода годного, выращивание кристалла ведут со скоростью 0,25 - 0,5 мм/мин, при осевом градиенте температуры в кристалле на фронте кристаллизации 78 - 140 К/см.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что с целью повышения однородности материала остава 96 мол. % Sb1,5 Bi0,5 Te3 + 4 мол. % Bi2 Se3 для p-ветви термоэлектрических...

Номер патента: 882247

Опубликовано: 20.11.1996

Авторы: Водаков, Мохов, Рамм, Роенков

МПК: C30B 23/00, C30B 29/36

Метки: выращивания, монокристаллического

Способ выращивания монокристаллического SiC, включающий сублимацию источника SiC, размещенного в тигле, на подложку SiC при 1600 2000oС, отличающийся тем, что, с целью снижения плотности дефектов типа пор, дислокаций и включений второй фазы и увеличения объема кристаллов, сублимацию ведут в присутствии Та, взятого в количестве 1% от веса источника.

Номер патента: 1369593

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Вяткин, Итальянцев, Копецкий, Мордкович, Пащенко

МПК: H01L 21/306

Метки: арсенида, галлия, монокристаллического, основе, приборных, структур

1. Способ изготовления приборных структур на основе монокристаллического арсенида галлия, включающий формирование локальных ионнолегированных областей в арсениде галлия, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных структур путем повышения кристаллического совершенства и снятия упругих напряжений в арсениде галлия, перед формированием локальных легированных областей рабочую поверхность арсенида галлия подвергают высокотемпературному полирующему газовому травлению при 650-950oC на глубину 0,5-25 мкм со скоростью 0,02-30 мкм/мин.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что при формировании легированных областей в пленке арсенида галлия толщину пленки при...

Номер патента: 1424630

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Итальянцев, Пащенко

МПК: H01L 21/306

Метки: арсенида, галлия, монокристаллического, основе, приборных, структур

Способ изготовления приборных структур на основе монокристаллического арсенида галлия, включающий высокотемпературное полирующее газовое травление рабочей поверхности арсенида галлия ориентации <100> при 650 - 950oC со скоростью 0,02 - 30 мкм/мин на глубину 0,5 - 25 мкм в газовой смеси Ga-AsCl3-H2, ионную имплантацию атомов элемента IV группы периодической системы элементов, последующий отжиг в атмосфере водорода и паров мышьяка при температуре не менее 800oC в течение времени не менее 10 мин, отличающийся тем, что, с целью улучшения параметров приборных структур за счет улучшения электрофизических и структурных свойств ионолегированных...