H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 1247795

Опубликовано: 30.07.1986

Авторы: Анненков, Балтянский, Зверева, Лебедев, Лисин, Соркин, Фельдберг, Чернецов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: мдп-структур, параметров, регистрации

...блокомстабилизации. Так как напряжение с выхода сумматора через четвертый канал блока коммутации и выпрямитель 22 подается на вход схемы 21 сравнения, на другой вход которой поступает напряжение с второго 2 О источника опорного напряжения, при их неравенстве сигнал с выхода схемы сравнения изменяет коэффициент передачи управляемого делителя напряжения.Таким образом, из выражения (8) имеем 5 р 1 о)С;+1 о)С +6 р(4) Таким образом, напряжение на выходе ФЧВ пропорционально проводимости подложки 65Из равенств (3) и (4) видно, что преобразование осуществляется относительно напряжения Оо, а это накладывает требование поддерживать его постоянным. 35Это требование осуществляется блоком 12 стабилизации, который в режиме аккумуляции работает...

Номер патента: 1247797

Опубликовано: 30.07.1986

Авторы: Захаров, Ильюк, Михальчук, Ярухин

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: гистерезиса, характеристик

...10 дифференцирования (фиг. 2,д) который через элемент И 20 сбрасывает триггер 30, интегратор обнуляется и развертка напряжения смещения прекращается. Элементы генератора развертки смещения управляют и другими элементами устройства. Напряжение усилителя 5 детектируется пиковым детектором 21 (фиг. 2,ж). Компаратор 7 нуля преобразует гармонический сигнал усилителя 5 (фиг. З,п) в прямоугольные импульсы (фиг. З,р), фронты которых соответствуют переходам гармонического сигнала через нулевой уровень. Первый и второй элементы 8, 9 дифференцирования, счетный триггер 46 формируют короткие строб-импульсы (фиг 3, с,т). Строб- импульс 1.1. обнуляет пиковый детектор 21 (фиг, З,у), а строб-импульс 1.1 через элемент 13 задержки запускает АЦП 15...

Номер патента: 1247972

Опубликовано: 30.07.1986

Авторы: Буянов, Киселев, Кундышев, Пузаков, Пушкарев

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: охлаждающее, полупроводникового, прибора

...канала. 1 О 15 а сами перегородки находятся друг от друга на равных расстояниях. Число перегородок 6 рекомендуется равным пяти для таблеточных полупровод-никовых приборов. На фиг, 1 и 2 показано охлаждающее устройство для полупроводникового прибора таблеточного исполне ния; на фиг.3 - разрез А-А на фиг.1; .на фиг.4 - устройство для прибора штыревого исполнения.Охлаждающее устройство для полупроводникового прибора (фиг.1) со- ,30 держит корпус 1 с Ч -образным каналом 2 для прохода охлаждающей жидкости, подводящий и отводящий штуцеры 3 и 4, крьппку-токоотвод 5, радиальные перегородки 6, выполненные поперек кана- З 5 ла 2. К охлаждающему устройству прижат силой Р полупроводниковый прибор 7. Относительная высота Ь радиальных перегородок...

Номер патента: 871692

Опубликовано: 30.07.1986

Авторы: Безуглый, Бурма, Гришин, Кабанов

МПК: H01L 21/66

Метки: металлических, монокристаллов, совершенства, степени

...взаимодействуют с вызвавшим их ультразвуком. Это взаимодействие проявляется резкими пиками поглощения ультразвука на зависимости Ы (у), где о - коэффициентпоглощения ультразвука; М - угол отклонения между векторамии Н отперпендикулярности (р - волновой вектор звука, М - вектор напряженностимагнитного поля). При этом, если кристаллическая решетка образца близка к совершенной, то н а угловой зависимости Ы И) наблюдается одна пара15 пиков поглощения, расположенных посимметрично относительно направлений открытости, Если образец имеетмозаичную структуру, т,е. состоит изблоков, которые взаимно разориентиро 20 ваны на определенные углы, то на угловой зависимости Ы (%) будет наблюдаться столько пар пиков поглощения,сколько блоков попадет в...

Номер патента: 1250411

Опубликовано: 15.08.1986

Авторы: Альтман, Головин, Дрозд, Риттенман, Рифтин, Церфас, Янкевич

МПК: B23K 1/12, H01L 21/50

Метки: высоковольтного, диода

...с ллуклу;у.л кч лл осуплссллъцлнслсъл прпллайкгл ь мкцллчлппэл с омпчсскллкллл колллаль х 111 111, 1 л 1 л 1 лк 11111 г 11 глпслл 3 хлсллльл полхлс прич лл ; -л-л 1. к лгллллллгльлся часль цлсллльл лм л мкл ллллло лльлллоцолл л;ллсклл.ллыл" л Б.1 25 л :3 нт м; рл-л улллролъалл, по ;лпллшллролкаль рсмллхл проп.лалзхлклллллн колллаклон к лслллс оса псрслрслаа плмуллролелмплллклплол слруклуръл.Нрпллир (Ъпмлгллаэл ллрлмлслтка была лэрокс лспа па учаслкс 1191 л 1 л 1 в.111111 лвьлслколло.ллл поло плода кп 117 1%ллслкилло.лллллыссл л лГэлл кп поло прибора соглоял п: 111 крсклллллспых крпсла.л.лл: с рчъллслтсхлхлохл, сол-лллллслл ллл.л ллоьхлл-длоллдлгссльлло проьнгоплшл НКЛЗ. 11 а лорпах сллл.пллллх;л лзлллл.=;лсллл...

Номер патента: 1251213

Опубликовано: 15.08.1986

Авторы: Полухин, Романовский

МПК: B23K 1/12, H01L 21/58

Метки: изготовлении, кристалла, пайки, полупроводникового, прибора

...пластины нанесением сетки рисок. Затем на слой металлизации наносят слой низкотемпературного припоя и разделяют пластину ломкой на отдельные кристаллы, после чего производят сборку кристаллов с кристалло.держателем и выводами и нагрев до температуры пайки.Толщина слоя припоя, наносимого на металлизационный слой, достаточна для образования паяных соединений без внесения дополнительных доз припоя.Пример. Пайка на кристаллодержатель кремниевых структур тиристора Т - -106 на токи 10 А с одновременной пайкой токовых выводов -- силового и управляющего - к кремниевой структуре.На пластину кремния с тиристорны ми элементами, сформированными в ее теле, осаждают никелевое покрытие и подвергают 30 гермообработке для формирования на всех ее...

Номер патента: 865078

Опубликовано: 30.08.1986

Авторы: Кляус, Сердюк, Черепов

МПК: H01L 27/10

Метки: зарядовой, потенциального, приборах, рельефа, связью, создания

...с зарядовой свя 5078 юзью в полупровопниковой подложкепод передающим электродом, основанном на приложении к передающему электроду обедняющего напряжения и формировании в полупроводниковой подложке электрического поля, ускоряю"щего носители заряда в направлениипереноса, передающий электрод формируют в виде отдельных параллельных1 О и расположенных перпендикулярно нап"равлению переноса носителей заряда частей, длина которых в направлении переноса носителей меньше, чем глубина областипространственного заряда, и на раз 15 ные части одного передающего электрода подают нарастающий по абсолют-.ной величине в направлении переноса, потенциал.На фиг,1 показан способ создания20 потенциального рельефа в ПЗС; нафиг,2 показаны эпюры фазных...

Номер патента: 1256108

Опубликовано: 07.09.1986

Авторы: Андрюшин, Люстров, Таубкин

МПК: H01L 31/06

Метки: фотодиод

...Иосква, Ж, Рауш ПодписноеР омитета Соткрытийкая наб.,4/ Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул, Проектная,Изобретение относится к полупроводниковым фотоэлектрическим приемникам оптического излучения.Цель изобретения - улучшение пороговой чувствительности фотодиода 5 за счет снижения темнового тока,На чертеже изображена структура. предлагаемого фотодиода.Фотодиод содержит полупроводниковый кристалл 1, в котором выполнен 10 р-и-переход 2, слой диэлектрика 3, кольцевой полевой электрод 4, выполненный в виде двух концентрических элементов 5 и 6, разделенных промежутком 7, электрическое выводы от 15 элементов полевых электродов 8 и 9, электрические выводы от р до и областей 10 и 11.1 1П р и м е р. В фотодиоде,...

Номер патента: 1256251

Опубликовано: 07.09.1986

Автор: Федоров

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: блок, радиоэлектронный

...на фиг. 4 -пример конкретного выполнения ребер;на фиг. 5 - распределение потоковмежду платой с тепловыделяющими радиоэлементами и охлаждаемой стенкой.Повторяющийся элемент радиоэлектронного блока содержит плату 1 степловьщеляющими радиоэлементами 2.На радиоэлементах 2 установлены ребра 3, выполненные ячеистой формы.Между платами 1 с зазором 4 поочередно расположены охлаждаемые стенки 5со своими ребрами 6, выполненными 1 О 20 125625Изобретейие относится к радиоэлектронике, в частности к радиоэлектронным блокам быстродействующих вычислительных систем, характеризующихся высокой плотностью монтажа тепловы 1 1ячеистой формы. Стенка 5 охлаждается теплоносителем, подводимым по трубопроводу 7.С ребер 3 радиоэлементов 2 тепло снимается...

Номер патента: 1257730

Опубликовано: 15.09.1986

Авторы: Немировский, Николаев, Новицкий, Соломатин

МПК: H01L 21/306

Метки: жидкостной, пластин, полупроводниковых

...при химической и электрохимической обработкеполупроводниковых или иных пластин,например для травления, анодногоокисления, получения слоев пористого кремния и т.д,Цель изобретения - повышение ка 0чества полупроводниковых пластин путем защиты необрабатываемой стороныот попадания обрабатывающей жидкости.На фиг,1 схематически изображеноустройство, разрез, на фиг.2 - тожев рабочем положении.15Устройство содержит держатель полупроводниковой пластины в виде стакана 1, на дне которого имеется опорный выступ 2, уплотнительный элементвыполняемый в виде эластичной герметичной камеры 3, размещенной на стенках стакана 1, полость которой снабжена патрубком ч для напуска сжатогогаза, трубку 5 и электрический кон 25такгный элемент б с проводником...

Номер патента: 1257731

Опубликовано: 15.09.1986

Авторы: Вороновский, Дижур, Ицкевич

МПК: H01L 29/00

Метки: переключательный, прибор

...контакты 5, посредством которых осуществляется электрическая связь с означенным полупроводниковым переходом, и проводники 6, соединенные с означенными контактами, выходящие наружу через уплотнение 7, Давление создается нагружением поршня с последующей фиксацией гайкой 8.аП р и м е р. Серийно изготовленный туннельный диод из СаАз-АИ 201 Г помещают в камеру высокого давления, содержащую среду, передающую давление (607 трансформаторного масла и 407 пентана), При давлениях до 15 кбайт он ведет себя как обычный туннельный диод с изменяемой давлением крутизной вольт-амперной характеристики. При охлаждении до температуры 4,2 К становится прибором с двузначной вольт-амперной характеристикой, причем отношение проводимостей в состояниях...

Номер патента: 1257866

Опубликовано: 15.09.1986

Автор: Салмин

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: аппаратуры, корпус, радиоэлектронной

...оребренную поверхность основной оболочки в окружающую среду с ми 50 55 среду,Подача в пространство между оболочками охлажденного за счет декомпрессии при истечении из сопел сжатого газа, а также истечение газа иэ указанного пространства через зазоры между жалюзи позволяет снизить до минимума тепловой поток от окружающей среды с повышенной темнимальным температурным перепадом,обеспечивая повьппенную надежностьразмещаемой аппаратуры.При повышении температуры окру жающей среды корпус нагревается, воздействуя на датчики 5 температурыокружающей среды - легкоплавкое вещество, которое, расплавляясь, освобождает жалюзи 2 дополнительной оболочки. Исполнительный элемент 6 поворачивает жалюзи 2 до их закрытия и открывает клапан 9....

Номер патента: 1259525

Опубликовано: 23.09.1986

Авторы: Вотинов, Егоров, Мякинченко

МПК: H01L 21/68, H05K 13/02

Метки: ориентации, цилиндрических

...или держателей 12 с пазами13, Трафарет 3 выполнен с элементамидня фиксации деталей в ориентированном положении. Для фланцев 8 элементы трафарета 3 для фиксации деталейв ориентированном положении выполнены в виде пазов 14 для радиальныхвыступов 9. Пазы 14 расположены между наклонными выступами 15, Для стек"лотаблеток 10 элементы дпя фиксациидеталей трафарета 3 выполнены в ви"де прорезей 16 в дне гнезд 7 для раэ"мещения деталей, а для дераателей 12 Устройство работает следующим об- О разом.В наклонном полоаенни вибробункера в его полость 4 засыпают ориентируемые детали в количестве, в О. 5 раз превышающем количество гнезд 5 трафарета. Вибробункеру 1 сообщаютсявозвратно-поступательные колебаниявдоль оси качания и поочередные наклоны...

Номер патента: 730213

Опубликовано: 30.09.1986

Авторы: Демиденко, Драбович, Комаров, Маслобойщиков, Пазеев, Пономарев, Слесаревский, Судилковский, Юрченко

МПК: H01L 21/98

Метки: транзистор

...содержит теплоотводящую пластину 1, являющуюся коллекторным электродом и выполненную изэлектропроводящего материала, транзисторные структуры 2, токосъемы:коллекторный 3, эмиттерный 4, базовый 5, базовый и эмиттерный электроды 6 и 7, изоляционные прокладки 8и 9 между ними. Транзисторные структуры 2 закреплены на теплоотводящей пластине 1 и назодятся с ней втепловом контакте. Коллекторные выводы транзисторных структур 2 присоединены к теплоотводящей пластине 1,Теплоотводящая пластина 1 и электроды 1, 6 и 7 присоединены соответственно к коллекторному 3, эмиттерному4, базовому 5 токосъемам, В электродах 6 и 7 выполнены отверстия 10.На изоляционных прокладках 8 и 9 соответственно в плоскостях электродов6 и 7 размещены дополнительные...

Номер патента: 1131398

Опубликовано: 30.09.1986

Авторы: Аболтиньш, Кугель

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: полупроводников, уровней, энергетических

...бегущей от источника (конденсатора) и отраженной от края полупроводника волн возникает стоячая волна кристаллической решетки. В узлах стоячей волны процессы генерации и рекомбинации определяются тепловыми явлениями, а в остальных областях стоячей волны процессы рекомбинации происходят интенсивнее за счет встречных колебаний ионов кристаллической решетки и свободных носителей заряда. Это приводит к уменьшению концентрации свободных носителей заряда в пучностях по сравнению с областями узлов стоячей волны. Таким образом, вдоль полупроводника будет наведено распределение концентрации свободных носителей за 25 30 35 40 45 50 551131ряда с закономерностью, обратной распределению колебаний в стоячей волне. Между двумя металлическими. зондами...

Номер патента: 1085390

Опубликовано: 30.09.1986

Авторы: Аболтиньш, Кугель

МПК: H01L 21/66

Метки: полупроводников, проводимости, типа

...потенциалов между зондами от удельного сопротивления исследованных полупроводников КЭФ и КДБ,Устройство для определения типа проводимости (фиг. 1) состоит из двух обкладок 1 конденсатора, между которыми помещена исследуемая пластина 2 полупроводника, изолированная от них диэлектрическими пленками 3. Свободная поверхность пластины полупроводника длиною Ь находится вне обкладок конденсатора. На ней установлены два металлических зонда 4, подсоединенные к вольтметру 5 постоянного напряжения, а конденсатор подключен к высокочастотному генератору 6.Переменное электрическое поле наводится конденсатором в локальной обЛасти полупроводника. Оно вызывает колебательное движение свободных носителей заряда и ионов примеси, Так как последние...

Номер патента: 1261029

Опубликовано: 30.09.1986

Авторы: Бабенко, Богданов, Васильев, Киселев, Рабецкий

МПК: H01L 23/34

Метки: охлаждения, полупроводниковых, приборов, силовых

...17, а в горизонтальной - перегородкой 18 в виде полукольца.В перегородке 8 испарителя 1 могут быть выполнены отверстия 19 для крепления полупроводниковых приборов 20. Устройство заполнено рабочей жидкостью 21. При работе полупроводникового прибора тепло по перегородке 8 испарителя 1 передается к поверхности каналов 11, где кипит рабочая жидкость 21. Для интенсификации процесса кипения поверхность каналов 11 покрывается капиллярно-пористым покрытием 12. Образовавшиеся при кипении в каналах 11 пары рабочей жидкости по полости 9 и через патрубок 13 перемещаются по внутренней трубе 15 и трубе 4 в зазор 6 конденсатора, где происходит их конденсация. Движение паров жидкости с высокой скоростью в направлении резервуара 7обеспечивает...

Номер патента: 527988

Опубликовано: 30.09.1986

Авторы: Герасименко, Двуреченский, Потапова, Смирнов

МПК: H01L 21/265

Метки: контактов, омических

...контакта, включакщий легирование полупроводника при внедрении ионов легирующей примеси до)б. гбольших доэ (более 410 см ) ипри повышенных плотностях тока (бо-лее 4 мкА/см ). Этот способ исключает необходимость последующей высоекотемпературной обработки.Однако известный способ не позволяет существенно понизить переходноесопротивление металлического контакта и полупроводника.Целью изобретения является снижение сопротивления контактов.Цель достигается тем, что передвнедрением на полупроводник наносятпленку металла, дающего тот же типпроводимости в полупроводнике, чтои внедряемая примесь, причем толщинапленки равна или меньше длины пробега ионовПроцесс изготовления контактапредлагается проводить по следующейсхеме. На выбранную...

Номер патента: 1074327

Опубликовано: 30.09.1986

Авторы: Бакланов, Колесникова, Репинский, Свешникова

МПК: H01L 21/306

Метки: кремния, травитель

...скорости травлениякремния.При Се6 Е в области темпераотур 35-40 С увеличивается скоростьразложения дифторида ксенона и процесс становится нестабильным.П р и м е р. Раствор травителяготовят растворением навесок дифторида ксенона в ацетонитриле. Определение времени разложения дифторидаксенона и травление монокристалловкремния проводят в тефлоновом реакторе при непрерывном перемешиваниираствора травителя. Температуру травителя задают и поддерживают постоянной с помощью ультратермостата И.Определение времени разложения днфторида ксенона проводят периодическим титрованием проб раствора иодометрическнм методом.В таблице приведены времена полуразложения дифторида ксенона (с, ),растворенного в воде и ацетонитриле.Как видно из таблицы, растворы...

Номер патента: 1262597

Опубликовано: 07.10.1986

Авторы: Буянов, Капралов, Киселев

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: аппаратуры, охлаждения, радиоэлектронной

...предлагаемый способ.Система охлаждения содержит силовые полупроводниковые приборы 1 с жидкостными охладителями 2, сжатыми с помощью прижимного устройства 3, подающее воздух сопло 4, установленное в жидкостном трубопроводе 5, отделитель 6 воздуха с воздушным клапаном 7. Охлаждение силовых полупроводниковых приборов 1 обеспечивается за счет того, что подают в жидкостные охладители 2 охлаждающую техническую воду, а в нее через сопло 4 подают сжатый воздух. При этом объемный расход воздуха составляет 0,3-0,7 отобъемного расхода охлаждающей воды, а давление воздуха может резко колебаться (пульсировать). В результате смешивания образуется водовоздушная смесь, протекающая через жидкостные охладители 2, отводящая тепло, выделяющееся...

Номер патента: 1262598

Опубликовано: 07.10.1986

Автор: Петров

МПК: H01L 41/08

Метки: композиционный, перфорированный, петрова, пьезоэлемент

...пьезочувствительности за счет применения рифления К составляет+к с ас 12Ь Ь 1 х (2)си показывает, во сколько раз пьезочувствительностьданного пьезоэлемента больше пьезочувствительности пьезоэлемента толщины Ь с гладкой рабочей поверхностью, изготовленного на базе пьезокерамики. Численные значения коэффициента1( зависят от формы и размеров выступов 4 на рифленой поверхности пьезокерамики, а главным образом от отношения а/Ь, при котором еще выполняется сформулированное условие на модуль Юнга и диэлектрическую проницаемость диэлектрика, заполняющего углубления 5, составляет 10 - 30 (типовые значения Е = 1800, Я = 2,С = 110 ГПа, а для эластомеровС (1 ГПа,Если ширина выступов изменяется по линейному закону с. высотой Е, т. е.х = Ь + (а - ....

Номер патента: 1135382

Опубликовано: 15.10.1986

Авторы: Лазарев, Луфт, Хусид, Яссен

МПК: H01L 21/306

Метки: антимонида, галия, монокристаллов, основе, полирования, прецизионного, растворов, твердых, травитель, химического

...и 457-ного ра 40створа плавиковой кислоты НР при соотношениях компонентов, указанных впримерах 1-5. Используются реактивы .марок ОСЧ или ХЧ (молочная кислота)и деионизованная вода марки АТравление поверхности монокристал 45лов СаЯЬ.Образец, например монокристаллическую пластину СаЯЬ ориентации100) или 111 В толщиной 400 -600 мкм, предварительно подвергнутую химико-механическому полированию (ХМП), очищают от поверхностныхзагрязнений, помещают во фторопластовую кассету и подвергают химико-динамическому полированию вначале в55 известном составе травителя (1) или(2) с большой скоростью травления35382 43 мин; обработка в концентрированной НГ - 5 мин, промывка в воде2-3 мин, сушка в центрифуге - 2 мин.Такая последовательная обработкапри...

Номер патента: 1222142

Опубликовано: 15.10.1986

Авторы: Градусов, Колядинцев, Попов, Руденко

МПК: H01L 21/52, H01L 21/68

Метки: полупроводниковых, приборов, сборки

...установлены электромагниты 10 и 11, подключенные к выходу блока 5 управления. На входном и выходном валах редуктора 7 жестко закреплены флажки 12 и 13, перекрывакщие в крайних положениях рычага 9 фотодатчики 14 и 15, подключенные к входу блока 5 управления. На свободном конце рычага 9 жестко закреплен вакуумный за:.ват 16 для снятия и переноса кристаллов 2. В верхнем положении рычаг 9 удерживается пружиной 17. Устройство работает следукзцим образом.Пластина с кристаллами 2 полупроводниковых приборов подается на позицию снятия кристаллов и ориентируется механизмом 1 подачи кристаллов. С блока 5 управления при этои подается импульс на электромагнит 11, под действием которого рычаг 9 опускается и вакууиный захват 16 захватывает один...

Номер патента: 1127477

Опубликовано: 15.10.1986

Авторы: Герасимова, Луфт, Хусид, Яссен

МПК: H01L 21/306

Метки: галлия, монокристаллов, полирования, травитель, фосфида, химического

...концентрированФ55ных азотной и соляной кислот повсей вероятности, уксусная кислотавзаимодействует с активным хлором,образующимся в смесях концентрирован 477 3 ных НС 1 и НБО с образованием хлор 3уксусной кислоты, являющейся более сильной кислотой и лучшим комплексантом по отношению ко многим ионам металлов, .чем уксусная кислота. Это способствует лучшему отводу продуктовреакции окисления фосфида галлия в системе Низ -НС 1 - СН СООН, а следовательно; и повышению полирующей способности предлагаемых составов травителей (по сравнению с прототипом);лучшее по сравнению с прототипомкачество поверхности полированных пластин, особенно монокристаллических пластин, изготовленных из высоколегированных образцов Р - СаР;получение гладкой зеркальной...

Номер патента: 1265894

Опубликовано: 23.10.1986

Авторы: Белотелов, Патрацкий, Петров

МПК: H01L 21/18, H01L 31/02

Метки: полупроводниковых, приборов

...относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к технологии изготовления фотоприемников и сверхбыстродействующих схем на подложках из антимонида индия.Цель изобретения - получение диэлектрических слоев на поверхности антимонида индия с отрицательным встроенным зарядом.На границе раздела структуры %0 - 1 пЬЬ образуется отрицательный заряд, препятствующий возникновению инверсного слоя на поверхности антимонида индия. В результате этого устраняются паразитные токи утечки, неуправляемые электрическим полем, и тем самым обеспечивает расширение диапазона выходных токов в фотодиодах и МДП-транзисторах, содержащих структуру Н 10 - 1 пЯЬ.Подложку антимонида индия р-типа проводимости марки...

Номер патента: 884508

Опубликовано: 30.10.1986

Автор: Урицкий

МПК: H01L 29/76

Метки: мдп, структура, тестовая

...ввецению прослойки слаболегированного поликрис таллического кремния р-птипа, а кривая 3 - и-типа). Введение слоя слаболегированного полупроводника приводит к изменению вида вольтфарадныххарактеристик МДП-структуры и позво ляет из анализа таких видоизмененныхфольтфарадных характеристик определить полный заряд в диэлектрике и заряды вблизи границ раздела диэлектрика, Изображенные на чертеже вольтфа радные характеристики нормированы кемкости окисного слоя (диэлектрика) С,Полный заряд О, в диэлектрике Заряд в диэлектрике вблизи границы полупроводниковый кристалл-ди- электрик где Ч - потенциал плоских зон полуапроводникового кристалла. Заряд вблизи внешней границы диэлекгде Ч - потенциал плоских зон вве 45 денного...

Номер патента: 1267515

Опубликовано: 30.10.1986

Авторы: Каликанов, Родионова, Туник, Фомин

МПК: H01L 23/24, H05K 7/20

Метки: блок, полупроводниковый, силовой

...6, верхнего 7 и нижнего 8 входов.Полупроводниковые приборы, находящиеся в одном ряду, уетановлены с помощью крепежных втулок 9 таким образом, чтобы между соседними оребренными радиаторами оставался зазор 10, достаточный для доступа жидкого теплоносителя из нижней части канала к оребренным теплоотнодящим элементам но всех вертикальных рядах. 35Силовой полупроводниковый блок работает следующим образом.Тепло, выделяемое силовыми полупроводниковыми приборами 3, вызывает кипение промежуточного теплоносителя 2 на оребренных поверхностях радиаторов 4, Парожидкостная фаза теплоносителя, образовавшаяся при кипении, отводится от каждого двухстороннего радиатора из канала 1 во внешний объем 5 теплоносителя с помощью пароотводящих патрубков...

Номер патента: 1267516

Опубликовано: 30.10.1986

Авторы: Иоспа, Литовченко, Узарс, Феоктистов, Чаусов

МПК: H01L 25/00

Метки: модуль, преобразовательной, установки

...прецизионной поверхности 3 пластины1 предусмотрен прямоугольный выступ4, на противоположных боковых гранях 5 и 6 которого установлены си1,ловые полупроводниковые приборы 710, прижатые к выступу 4 упругимитраверсами 11-14. Эти траверсы попарно стянуты при помощи нажимныхвинтов 15 и 16 с гайками. Нижниеконцы упругих транерс 11-14 шарнирнозафиксированы в углублениях, которыевыполнены в пластине 1. Для снижения контактных деформаций пластины1 в местах крепления упругих траверс 30в указанные углубления запрессованывставки 17-20.Конструкция такой вставки отдельно показана на фиг.2 в увеличенномпо сравнению с фиг.1 масштабе (1;2).Между каждой из траверс и силовымполупроводниковым прибором установлены элементы, характерные для силовыхмодулей,...

Номер патента: 1269060

Опубликовано: 07.11.1986

Авторы: Каменев, Рыжов, Цыпин, Чумаков, Шварев

МПК: G01R 31/28, H01L 21/66

Метки: вольтфарадных, регистрации, характеристик

...9 соединен с выходом усилителя 6 и вторым входом индикатора 3 синфазности, а выход через выход блока 32 обработки подключен к вертикальному входу графопостроителя 12.Эквивалентная схема объекта 13 измерения представляет собой параллельно соединенные конденсатор 14 (С) и резистор 15 (К).Устройство работает следующим образом.К объекту 13 измерения прикладывается через сумматор 10 сумма ли-. нейно-изменяющегося напряжения смещения от источника 11 смещения и синусоидального тестового сигнала от генератора 1 синусоидального на3 1269060 4Следовательно: фазы напряжений генератора 1 синусоиУ,=Ц+11, (а) (3) дального напряжения и выхода усилиТаким образом, действительное па- теля 6 и регулирует коэффициент передение напряжения смещения на...

Номер патента: 421304

Опубликовано: 07.11.1986

Авторы: Анохин, Качурина, Немировский, Сопов

МПК: H01L 21/283

Метки: полупроводниковых, приборов

...металлические покрытия (например, для маскирования придиффузии или ионной бомбардировке) иметаллические электроды из различных материалов, в том числе из молибдена и вольфрама.Тонкие слои этих материалов обладают хорошими маскирующими свойствами, но имеют плохую воспроизводимостьадгезии и недостаточную скорость травления, что ухудшает шумовые характеристики полупроводниковых приборов.В связи с этим в полевых МОП-транзисторах слои этих металлов используются только при изготовлении приборовдля вычислительной техники, где уровень шумов не имеет решающего значения, и практически не используютсядля изготовления малошумящих высоко-,частотных транзисторов,Целью изобретения является улучшение воспроизводимости свойств границы раздела металла с...