H01L 21/28 — изготовление электродов на полупроводниковых подложках с использованием способов и устройств, не предусмотренных в

Номер патента: 118909

Опубликовано: 01.01.1959

Автор: Мельник

МПК: H01L 21/28

Метки: контакта, кремнием, металла, омического

...фазы в вакууме слой германия, который покрывают слоем металла контакта, например никелем,Создание омического контакта с кремнием осуществляется следующим образом,В вакууме порядка 10мм Нд на нагретый до 550 кремний, предварительно протравленный в смеси плавиковой и азотной кислот (1: 1),конденсируется испаряемый германий.Затем испарение прекращается и температура кремния повь сядо 700 - 750 и при этой температуре выдерживается 10 мин.Нагревание кремния осуществляется излучением от ленточлибденового нагревателя, помещенного над кремнием.После охлаждения и извлечения из вакуумной установки на полученный на кремнии слой германия гальванически наносится никель,В случае кремния р-типа для испарения применяются р-германийили же германий со...

Номер патента: 160779

Опубликовано: 01.01.1964

МПК: H01L 21/28

Метки: 160779

...течении трех минут при плотности тока 1 -2 а/длгв в электролите следующего состава(в г/,г): станат натрия - 75, едкий натрий -8 - 15, уксуснокислый натрий - 25.Покрытие получается ровным ц блестящим.Затем пластгн 1 ку арсеццда галлия выдерживают прц 450"С в теченце 10 л 1 ин. в атмосфере водорода.После этого можно получить контакт навсей поверхности, покрытой оловом по приведенному способу, и на пластине арсенида галлия получают контакт по следующему способу,На сторону, покрытую гальваническим ологом, помещают пластинку из фольги олова,цз фольги серебра ц пластинку термическипосеребренного молибдена (толщцна сереоряного слоя - 1 лк).Толщину пластинки олова и пластинки серебра выбивают так, чтобы соблюдалось весовое соотношение: 17 - 18%...

Номер патента: 253933

Опубликовано: 01.01.1969

Автор: Ткачекко

МПК: H01L 21/28

Метки: полупроводниковогоприбора

...пробцвгсые,напряжения иимпульсные свойства прибора. Согласпособу на поверхпссть германия од5 цо с оловом наносят до 10% никеляС целью создания структуры.и - г - р, на протяжении всего коллперехода ца поверхность кристалловобработанных в парах сурьмы в пр10 меди, с эмцттерной стороны наноссплава олово-ц;скель (М 1 до 10010).Технология цацесецссц пленки соет описанной выше. 15 Толщина пленки 200 -Эмцттерньш электрод дискретного хода прц 7 8 в 15 .цин в атмосфере цый сплав вплавллют прс 20 3 лггн, Существенного вл ранее структуру эта опер На чертеже цзоб раже германия после вплавлец рода. 25Прц вплавлеццц эмцттерцого электрода 1происходит экстракццн меди эмцттерцым сплавом п пленкой олова, г. е. удаляется примесь высокой...

Номер патента: 348129

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Мильштейн, Никитенко

МПК: H01L 21/28

Метки: р—г-перехода

...предлагаемого способа исследовали на монокристаллах кремния и-типа с удельным сопротивлением 45 ом см, размеры которых 20 Р,2)(О,5 мм.Образцы деформировали при 500 - 600 С корундовым индентором, заточенным в форме четырехгранной пирамиды. Кристаллы помещали в круглую маленькую электрическую печь (диаметр которой 75 мм, высота 60 мм), размещенную на столе микротвердомера типа ПМТ. По достижении необходимой температуры кристалл укалывали индентором с нагрузкой 2 кг. Затем индентор разгружали, стол твердомера вместе с печью при помощи микрометрического винта п перемещали на 2 - 3 мм для нанесения нового укола.В верхней крышке печи выполнена длинная прорезь, позволяющая проводить локальное деформпрование необходимое число раз...

Номер патента: 357627

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Бродзели, Гурциев, Елигулашвили, Институт, Керцман, Накашидзе

МПК: H01L 21/28

Метки: паста, электропроводящая

...с Известньребра, соддля изготоввых приборобладаютмогут бытьдов, инжекгого знака. ретения - создание электрода,щего дырки в органические полу т. е. получение выпрямляющего инжекционными своиствами состоит из следующих компонентов, %: Такой состав позволяет значительно упростить технологию нанесения инжектирующих электродов, в отличие от всех известных составов, которые либо наносятся вакуумным напылением, либо требуют создания жидких электродов.При создании активных элементов (диодов) широкозонные полупроводники (в том числе и некоторые органические вещества) играют роль искусственного запорного слоя с малой плотностью носителей, а если его проводимость увеличивать инжекцией носителей одного из электродов (другой электрод...

Номер патента: 325908

Опубликовано: 05.04.1974

Авторы: Алферов, Андреев, Бородулин, Гарбузов, Дураев, Морозов, Пак, Портной, Швейкин

МПК: H01L 21/28

Метки: 325908

...раст пода едмет изобретени Изобретение относится к области полупроводниковой техники, а именно к способам изготовления полупроводниковых приборов ца сснове твердых растворов соединений ЛщВ.Известные омические контакты к полупроводниковым приборам на основе указанных соединений создаются методами вакуумного напыления, химического и электрохимического нанесения металлов. Металлы для омического контакта подбираются таким образом, чтобы контакт был цевыпрямляющим и имел наименьшее сопротивление.Однако при использовании золота, индия, никеля, платины и других металлов не всегда можно получить низкоомцый контакт, например к Йа 1,- Л 1.,Лз, нашедшему широкое применение в изготовлении таких приборов, как полупроводниковые ицжекциоццые...

Номер патента: 447108

Опубликовано: 05.08.1978

Авторы: Вул, Денис, Иванникова, Калюжная, Репшис, Ярмалис

МПК: H01L 21/26, H01L 21/28

Метки: контакта, создания

...камеру, 15 не прерывая нагрева подложки концентрированным световым потоком, подают дозированную смесь очищенного водорода с тетрахпоридом кремния, легированным хпо ристым фосфором. Прн этом пластину крем ния располагают таким образом, что пэ верхность, на которую осуществпяется на:ращивание слоя, нагревается до более вы. сокой температуры, чем толща подложки. Найдено, что необходимым усповием рос та зеркально гладких слоев толщиной 150-200 мкм явпяется бопее высокий на 40-70 оС) нагрев поверхности растущей пленки по сравнению с обратной стороной пластины. Рост ппенки кремния ЗО толщиной 150-200 мкм происходит в спедующем режиме: температурный градиент по топщине ппасгины составляет 250- ЗООоС/см, температура роста ппенки 1000-1200...

Номер патента: 637103

Опубликовано: 05.12.1978

Автор: Алан

МПК: H01L 21/28

Метки: жидкими, кристаллами, устройств

...з Окксед з пропессе герметизации устройства прп температуре 380 - 540 С в атмосфере КПСЛОРО"2.Спосоо поясняетсч чептежом.11 згдтазлпзают две подложки 1 и 2, каждая из которьх имеет электрод у с длиненкой частьо 4. Бортик 5 пз стекловатого 1 лгка наносят и 1 краю одной подложки, как ка шелковой Основе. Затем итем вакуумного напыления и; и скользящих углах, т. е. Наклоккдго напыления, внутренние Поверхности обе 1 х подложек покрывают слоем б металла толщ:кой до "00 А, П 1 и наклонном каньлени 1 подложку ориентируют к шток испаряющегося металла пдд углдм ,ло 45 .Далее обе пдлзои(:ск тщательно дриекткП 1 От С-,:Кс.ТСЛЬКО,др 1. 1 Э, Гз; Пд Э нтЕ лам Г 1 д; гл здму смск 1 ек;1 ю орпскт 11 розаккь:х з 1 лкростз ктг; слоев 6 металлборт 11...

Номер патента: 664244

Опубликовано: 25.05.1979

Авторы: Зигберт, Ханс-Иоахим, Хартвин

МПК: H01L 21/28

Метки: контактов, полупроводниковым, приборам, создания

...границ р-областей, посколькУ 45в электролите создается такое Распределение зарядов, что ионы, отти-гиваются от непосредственной граыоцир-И-переходов в р-область.Способ позволяет создавать контак., щты одновременно к ббльшому количест-ву приборов, когда, например," ООООэлементов расположены на Одной пблу-"проводниковой пластине.)а фиг 1 изображен разреЗ крйсталлической пластины; на Фиг.2 данапринципиальная схема для осуществления способа; на Фиг.3-7 - отраженспособ создания контактов при изготовлении транзисторов на Фиг.8 .- раз-рез готовой полупроводниковой пласти-,40ны, вид сверхуП р и м е р 1. Кристаллическая .: .пластина 1 (см.фиг.1),снабжена обцимоснованием (контактом), 2. Всю поверхность пластины покрывают слоем 44окисла...

Номер патента: 598458

Опубликовано: 25.07.1979

Автор: Колешко

МПК: H01L 21/28

Метки: больших, интегральных, металлизации, многоуровневой, схем

...пленках алюминия о 1 снивастся из того, что данная примесь должна сконцентрироваться по границам зерен. Исходя из этого было установлено, что минимальная величина концентрации примесей, которую можно использовать для понижения электромиграции алюминия составляет, вес."/о. 5 с 1,66;0,003; гп 0,06;1.а 0,0001; Еп 1 О ; ТЬ, 1.у, Но, Ег Тгп,Ь 0,06; 1.п 0,07. Поэтому был определен средний нижний предел для всех РЗЭ 0,05 вес. о/,.М 1 кспмальная концентрация оценивается исходя из следующих соображений. Вопервых, рассматривается влияние процентного содержания легируюшего компонента на электропроводность пленки алюминия. Во-вторых, рассматривается поверхностная активность примеси и образование антикоррозионных поверхностных слоев, препятствуюп 1...

Номер патента: 834803

Опубликовано: 30.05.1981

Авторы: Акименко, Чубов, Янсон

МПК: H01L 21/28

Метки: между, металлическимиэлектродами, микро-kohtaktob, прижимных

...изготовления элек 15 трода в форме иглы и нескольких,за счет исключения повторного монтажа электродов, что особенно важно, когда микроконтакты используютсяпри низких температурах. В послед 20 нем случае сокращается расход жидкого хладагента.Упрощение технологии изготовлениямикроконтактов расширяет круг материалов, из которых они могут быть25 изготовлены, и сокращает расход чистых металлов и химреактивов, использу мых при изготовлении электродов. формула изобретения 30 50 55 тактов имеет место упругая и пластическая деформация сжатия электродов,особенно иглы, разрушение окисныхи адсорбционных пленок, имеющихсяна них, При повторных циклах сжатияэлектродов происходит быстрое накопление в области контакта структурных дефектов и...

Номер патента: 786713

Опубликовано: 23.12.1981

Автор: Черняков

МПК: H01L 21/28

Метки: диапазона, диодов, оптического

...особенностью приведенной завцмости является наличие максимума тока. В этот момент начинается окисление металлического спая, дальнейшее поведение тока (уменьшение тока) со време 1 для дпгдтд ппд лдст дптдчисд д,5 1 О И 20 25 30 35 40 45 мнческого окисления прн, условии, что напряжение за время окисления возрастает намного меньше, чем растет сопротивление окисляемого спая. Характерное время окисления составляет около 1 мс, и окисление происходит при напряжении 0,5 - 0,6 В. Скорость нарастания пилообразного напряжения для данных условий не должна превышать 100 В/с. Использование такой зависимости тока, протекающего через спай, от приложенного нарастающего напряжения осуществляют в области уменьшения тока, например,...

Номер патента: 1114253

Опубликовано: 23.03.1987

Авторы: Галинский, Корольков, Сурженков, Тоомсоо, Хуторянский

МПК: H01L 21/28

Метки: выпрямительных, элементов

...алюминия ссеребром, При охлаждении после сварОки при температуре 390 С (согласнодиаграмме состояния) происходит пери тектоидная реакция распада пересыщенного твердого раствора с образованием интерметаллического соединенияМ + Ая А 1. Другими словами, должна происходить диффузионная перестрой 35ка кристаллической решетки пересыщенного твердого раствора с образованиеминтерметаллического соединения. Образование промежуточного слоя такогоинтерметаллида крайне нежелательно в 40силу того, что он повышает тепловоесопротивление, приводит к существенной потере прочности и пластичностижесткого непосредственного соединенияэлектрода из серебра или его сплавов 45с алюминиевой металлизацией, а это,в свою очередь, может лривестн к разрушению...

Номер патента: 1585847

Опубликовано: 15.08.1990

Авторы: Галль, Голубок, Давыдов, Типисев

МПК: H01L 21/28

Метки: контакта, создания, туннельного

...предлагае еремещении подвижной части 5 регулировки силы относительно етали 3, протяженный упругий (струна), закрепленный обоими д подвижной части и огибающий дним участком базовую деталь 3т деформацию сжатия - растяжечиваясь или удлиняясь, при этом т изменение его поперечногоразмера на всей его длине, в частности на среднем участке, поверхность которого, противоположная опорной, расположена напротив поверхности базовой детали. Вследствие изменения поперечного разме ра струны изменяется зазор между этими поверхностями.Предлагаемое устройство повышает виброустойчивость за счет уменьшения размеров частей упругих элементов, подвер женных действием вибраций до 0,2 мм (в известном устройстве диаметр мембран 2 - 3 мм), и за...

Номер патента: 1624564

Опубликовано: 30.01.1991

Авторы: Илюшкин, Шорохов

МПК: H01L 21/28

Метки: контактов, напыления, омических, полупроводниковых, элементов

...рабочей поверхностью для размещения полупроводникового элемента, маску 2, выступающую относительно рабочей поверхности посадочного гнезда на величину, равную 20 - 500 мкм, и держатель, выполненный в виде радиальных перемычек.Устройство для напыления работает следующим образом,В посадочное гнездо 1 на его рабочей поверхности размещается полупроводниковый элемент, маска 2 плотно прилегает к поверхности полупроводникового элемента эа счет упругих деформаций перемычек держателя 3. возникающих вследствие того, что маска выступает носительно рабочей поверхности посадочного гнезда на величину, равную 20 - 500 мкм.Установлено, что при уменьшении величины выступа маски относительно рабочей поверхности посадочного гнезда менее 20 мкм маска отходит...

Номер патента: 1631626

Опубликовано: 28.02.1991

Авторы: Бобров, Рыбальченко, Хоткевич, Чубов, Янсон

МПК: H01L 21/28

Метки: контакта, между, металлическими, охлаждаемого, точечного, электродами

...в криостате 4. В первом цикле получения контакта вначале при вращении через редуктор 22 приводного вала 18 резь- бовой палец 17 ввинчивается в поршень- винт 9 (фиг, 3) и надавливает на коромысло 14, которое поворачивается на оси-капилляре 15 вместе с упругим элементом 13 и электродом 2 до соприкосновения поверхностей электродов 1 и 2 в пределах упругой деформации, которое индицируется измерением электрического сопротивления между электродами 1 и 2. Затем при вращении через редуктор 23 приводного вала 19 дифференциальный винт 11 ввинчивается по резьбовой поверхности узла 12 продольного транспортного перемещения электрода 2 и по резьбовой части поршня-винта 9, который при этом плавно перемещается внутри10 15 20 25 30 35 40 45 50 55...

Номер патента: 1783595

Опубликовано: 23.12.1992

Авторы: Ваганов, Пряхин

МПК: H01L 21/28

Метки: интегральных, кремниевых, механоэлектрических, преобразователей

...стороне глубокого профилирования поверхности кристалла чувствительного элемента, расширяется диапазон линейного преобразования,На фиг. 1-5 изображена последовательность операций для изготовления интегральных механоэлектрических преобразователей.П р и м е р. Использованы полированные с двух сторон кремниевые пластины п-типа проводимости с ориентацией поверхности в плоскости (1 00) (КЭФ 4,5).1. Выращивают термический окисел 1 толщиной 0,7 мкм при 1200 С на двух сторонах пластины 2 в высокотемпературной печи марки СДП 125-4 А,2, Проводят фотолитографию, чтобы вскрыть окна 3 в двуокиси кремния в месте расположения внешних вь 1 водов,3, На установке УВПМ наносят слой плазмохимического нитрида кремния толщиной 0,15 мкм.4, Проводят...

Номер патента: 1389603

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Агрич, Иванковский, Сульжиц

МПК: H01L 21/28

Метки: интегральных, металлизации, создания, схем

...вторую термообработку. После чего удаляют второй слой кремния,ного давления при давлении 66 Па в среде азота, При этом на участках монокремния и поликристаллического кремния образуется смесь моносилицида титана и дисилицида титана, а на областях двуокиси кремния образования силицидов не происходит.Травление слоев кремния и молибдена проводят в плазме фторосодержащих соединений СР 4 в течение 4 мин, при этом слой непрореагировавшего титана не травится,Далее травят непрореагировавший в процессе термообработки слой титана. Травление проводят в смеси "Каро" (горячая серная кислота с перекисью водорода, соотношение Н 2504: Н 202 = 7:3, температура 433 К) в течение 1 мин, Слой силицида при этом не травится. Сопротивление его составляет 6...

Номер патента: 1595277

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Агрич, Ивановский

МПК: H01L 21/28

Метки: интегральных, межсоединений, создания, схем

...напыления 250 С.Проводят гравировку и травлениеслоев аморфного кремния методом ПХТи титана жидкостным травлением дляформирования рисунка межсоединений, 25При этом аморфный кремний и титанудаляют с областей тонкого диэлектрика т.е. затворы остаются поликремниевые, и при термообработке на нихсилицид не образуется, Кроме того,кремний и металл Удаляют с областейформирования омических контактов кполикристаллическому кремнию. Проводят термообработку при 850 С.в течение 10 мин в реакторе пониженногодавления в среде азота. При этомпроисходит уменьшение сопротивленияшин межсоединений за счет диффузииаморфного кремния и поликристалличес"кого кремния в слой титана и образования фазы дисилицида титана сте"хиометрического состава....

Номер патента: 1823031

Опубликовано: 23.06.1993

Авторы: Дьяков, Елисеев, Комаров, Учайкин

МПК: H01L 21/28

Метки: пластины, полупроводниковой, соединения, термокомпенсатором

...1 ых материалов. Верхняя граница зависит только от минимальной температуры плавления одного из соединяемых материалов, Создание избыточного давления определяется моментом равномерного прогрева структуры и установлением равновесного тел 1 пературного состояния лежду ней и окружающей средой.П р и и е р ы осуществления способа.Способ был асуьцествлен на специальной установке, позволяющей создавать вакуумдо 10 мм рт.ст, и избыточное давление до-в60 атм, а также осуществлять нагрев до 800 С, Перед проведением процесса собирают структуру, состоящую из термокомпенсатора - молибдена 55 мм, на нее накладывают силуминовую фольгу с 12содержанием кремния диаметром 54,6 мм, которую накрывают кремниевой пластиной диаметром 54 мм. Собранную...

Номер патента: 1828560

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Йоханнес, Роланд, Хенрикус

МПК: H01L 21/28

Метки: полупроводниковых, приборов

...остальные легированные паликристаллические кремниевые участки 41, 42 акисляют лишь частично, в результате чего, как показано на фиг, 10, остаются легированные поликриал, в данном примере фоточувствительный реэист, которому затем придают канфигурацио при помощи традиционных методов фотолитографии и травления, в результате чего формируют маскирующий слой 28, оставляющий открытым легированный кремниевый участок 5. Затем вытравливают легирооанный поликристаллический кремниевый участок 5, После удаления маскируащего слоя 28 традиционными средствами получают структуру, изабраженнуо на фиг.2, а затем можно выполнить, например. операции, описанные выше в связи с фиг. 3-5, в результате чего получается транзисторная структура, изображенная на...

Номер патента: 1830156

Опубликовано: 23.07.1993

Авторы: Йоханнес, Петер, Роланд, Хенрикус

МПК: H01L 21/28

Метки: полупроводниковых, приборов

...а когда+используются ионы В, энергия имплантации может составлять 40 КэВ. Вследствие анизотропного характера ионной имплантации, как показано стрелками, ионы имплантируются в поверхность участка 27 поликристаллического кремния на верхней поверхности ступени б и в область поверхности 3 полупроводниковой структуры 1, но не имплантируются сколько-нибудь значительно в участок 26 на боковой поверхности ступени 6, которая имеет поверхность, расположенную приблизительно параллельно направлению имплантации, и фактически маскирована от имплантации участком 27 на верхней поверхности ступени 6.После операции имплантации полупроводниковую структуру 1 подвергают термической обработке, чтобы дать возможность имплантированным ионам продиффундировать...

Номер патента: 533157

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Булгаков, Велигура, Ивановский, Лобов, Майшев

МПК: H01L 21/28

Метки: кремниевых, многоэмиттерных, транзисторов

...формирования активных областей транзисторной структуры на поверхность структуры наносят нихромовый слой, а поверх него - слой алюминия толщиной 0,1 - 0,2 мкм. Далее проводят фотолитографическое формирование резисторов.Следующим. этапом последовательно напыляют слои многослойной золотосодержащей металлизации, после чего осуществляют фотогравировку металлических контактов ионно-химическим травлением, Последнее практически очень мало действует на алюминий, который таким образом надежно защищает нихромовые резисторы.По окончании ионно-химического травления слой алюминия удаляют в химическом травителе.Практически изготовление многоэмиттерных СВЧ транзисторов с нихромовыми резисторами показано в следующем примере.1. В исходных...

Номер патента: 1519453

Опубликовано: 15.01.1994

Авторы: Дерменжи, Приходько, Шмелев

МПК: H01L 21/28

Метки: полупроводникового, прибора, силового

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СИЛОВОГО ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА, включающий создание в полупроводнике базовой области, формирование окруженных базовой областью локальных эмиттерных участков, нанесение контактной металлизации на эмиттерные участки и базовую область, выявление непригодных эмиттерных участков, нанесение на полупроводник общего электрода, контактирующего с металлизацией пригодных эмиттерных участков, отличающийся тем, что, с целью снижения трудоемкости изготовления и повышения процента выхода годных приборов, перед нанесением на полупроводник общего электрода в последнем создают отверстия в тех его местах, которые при контактировании электрода с полупроводником располагаются над выявленными непригодными эмиттерными участками, с...

Номер патента: 1463059

Опубликовано: 30.01.1994

Авторы: Белов, Бритвин, Ваганов

МПК: H01L 21/28

Метки: выполнения, интегральных, межсоединений, микросхемах, элементов

СПОСОБ ВЫПОЛНЕНИЯ МЕЖСОЕДИНЕНИЙ ЭЛЕМЕНТОВ В ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМАХ, включающий выполнение на кристаллах в первом слое металлизации дорожек, соединяющих элементы с контактными площадками для контроля, контроль элементов и выполнение второго слоя металлизации с помощью фотошаблонов с контактными площадками для межсоединений, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа, контактные площадки для контроля элементов одинакового функционального назначения выполняют в отдельных минимально возможных по площади участках поверхности кристалла, после контроля элементов разрушают металлизированные дорожки, связывающие контактные площадки для контроля с бракованными элементами, а контактные площадки второго слоя металлизации формируют нанесением...

Номер патента: 1294213

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Гальцев, Глущенко, Колычев

МПК: H01L 21/28

Метки: полупроводниковых, структур

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР, включающий формирование на полупроводниковой подложке активных областей, пассивацию подложки слоем диэлектрика, вскрытие контактных окон, нанесение слоя алюминия вакуумно-термическим напылением, формирование маскирующего покрытия, фотогравировку разводки, окисление торцовых поверхностей разводки и удаление маскирующего покрытия, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности структур и упрощения способа, после нанесения слоя алюминия проводят его поверхностное окисление до образования пленки окиси алюминия толщиной от 2,5 10-8 до 4 ...

Номер патента: 1725700

Опубликовано: 15.05.1994

Авторы: Загоруйко, Карпова, Комар, Терейковская

МПК: H01L 21/28

Метки: aiibvi, контактных, кристаллов, оптических, поверхности, полупроводниковых, слоев, создания, типа

СПОСОБ СОЗДАНИЯ КОНТАКТНЫХ СЛОЕВ НА ПОВЕРХНОСТИ ОПТИЧЕСКИХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛОВ ТИПА AIIBIV, включающий обезжиривание, промывку и нанесение на поверхность кристалла металлического слоя, отличающийся тем, что, с целью получения однородного по толщине механически прочного слоя при сохранении оптических свойств кристаллов и упрощения процесса, обезжиривание проводят в насыщенном растворе кальцинированной соды в течение 20 - 30 мин при 18 - 25oС, металлический слой наносят при 10 - 15oС путем осаждения серебра из смеси щелочного раствора аммиаката серебра следующего состава, мас. % :Азотнокислое серебро 1,57Гидрат окиси калия (45% -ный) 2,27Водный аммиак (25% -ный) 17,79

Номер патента: 1195849

Опубликовано: 15.06.1994

Авторы: Алейникова, Емельянников, Родионов, Сутырин, Федоров, Хриткин

МПК: H01L 21/28

Метки: контактных, многослойных, систем, создания

СПОСОБ СОЗДАНИЯ МНОГОСЛОЙНЫХ КОНТАКТНЫХ СИСТЕМ, состоящих из базового слоя из окисляемого металла и основного слоя, содержащего по крайней мере один неокисляемый металл, включающий ионное травление основного слоя в смеси кислорода и инертного газа через защитный слой из окисляемого металла и химическое травление базового и защитного слоев, отличающийся тем, что, с целью повышения точности воспроизведения размеров элементов, перед химическим травлением с поверхности базового и защитного слоев удаляют окисленный слой ионным травлением в среде инертного газа.

Номер патента: 1695777

Опубликовано: 30.07.1994

Авторы: Загороднев, Кузнецов, Сулимин, Фатькин, Фишель, Шишко

МПК: H01L 21/28

Метки: интегральных, межсоединений, схем

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МЕЖСОЕДИНЕНИЙ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование на подложке с активными и пассивными элементами проводников, формирование межуровневой изоляции путем нанесения первого диэлектрического слоя, сглаживания рельефа и нанесения второго диэлектрического слоя, формирование межуровневых окон и проводников верхнего уровня, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности и выхода годных изделий, первый диэлектрический слой наносят толщиной 0,6 - 0,8 толщины межуровневой изоляции, а сглаживание рельефа осуществляют методом магнетронного ВЧ-распыления части первого диэлектрического слоя в среде аргона или удельной мощности на подложке 0,7 - 3 Вт/см2, давлении 1 - 4

Номер патента: 1477175

Опубликовано: 30.07.1994

Авторы: Алексеев, Валеев, Гущин, Сулимин, Шишко

МПК: H01L 21/28

Метки: интегральных, металлизации, создания, схем

1. СПОСОБ СОЗДАНИЯ МЕТАЛЛИЗАЦИИ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование на полупроводниковой подложке с активными и пассивными элементами проводников различной ширины, нанесение диэлектрической пленки, нанесение пленки резиста, локальное удаление пленки резиста с использованием литографического процесса, формирование органической пленки из жидкой фазы, одновременное травление органической и диэлектрической пленок до вскрытия проводников, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности и процента выхода годных схем за счет улучшения планаризации рельефа проводников, локальное удаление пленки резиста проводят над центральной частью поверхности проводников так, что оставшаяся часть пленки резиста покрывает пространство между...