Патенты с меткой «сверхпроводящего»

Номер патента: 198424

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Бродуленко, Голант, Дедик, Калугина

МПК: H01P 1/30, H01P 7/00

Метки: гелиевом, криостате, размещения, резонатора, сверхпроводящего

...ц; Одцои из двух св 51 зянцых между сОООЙ пружинами якладок, охватывающих резонатор, и сосдицс ния внешних оболочек отрезков коаксиальных линий с резонатором и корпусом ва куумного стакана.На чер 1 еже изображено описываемое устройство.Сверхпроводящий резонатор 1 с двух сторон охвачен накладными 2, соедицсццымц 25 между сооой пружинами д. Одна из пакля док 2 посредством стержгя 4 жестко соединена с втулкой б вакуумного стакана б погруженного в гелиевый криостат, не показанный на чертеже. 30 Отрезки кояксцяльцых лцНц 7 слук 11 т для подключения резонатора к внешнему высокочастотному тракт.Внешние оболочки линий и стержень 4 вь 1- полнены цз одного и того же материала или из материалов, имею;ццх одинаковые температурные коэффициенты...

Номер патента: 243069

Опубликовано: 01.01.1969

Автор: Полторацкий

МПК: H01F 6/02

Метки: защиты, магнита, сверхпроводящего

...защиты основаны на применении дополнительнои оомотки из материала с обычной проводимостью, которая имеет сильную индуктивную связь с основной обмоткой магнита. При выходе магнита или перемычки из сверхпроводящего состояния энергия магнитного поля рассеивается в дополнительной обмотке, что предохраняет сверхпроводящий контур от перегрева.К недостаткам этих способов относится увеличение габаритов и веса магнита, связанное с применением дополнительной обмотки.В предлагаемом способе защиты сверхпроводящего магнита, работающего по замкнутому контуру, со сверхпроводящей перемычкой, с целью уменьшения габаритов, внешние выводы магнита в рабочем состоянии замыкают накоротко.На чертеже изображено устройство, в котором осуществлен способ...

Номер патента: 264494

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Дедик, Иваницкий, Каплун

МПК: H01P 5/02

Метки: внешними, волноводными, резонатора, сверхпроводящего, связи, трактами, узел

...затухан водными линиями 1 и 2 чер н узел связи сверхпроводящего рес внешними волноводными трактавному авт. св,229625, у которого выходная линии связи выполнены двух встречпых отрезков волновоьшим зазором между ними. тат 5, олнен этому ль ст увели- волнои 4. тличается от изсток внутренней та, расположен водах, выполнен углом наклона носительно осей связи о м уча риоста волно Предмет изобретенияУзел связи сверхпроводящего резонатора с внешними волноводными трактами по авт. св.229625, отлича ошийся тем, что, с целью увеличения переходного затухания между входным и выходным волноводами, участок внутренней поверхнос 1 и кожуха криостата, расположенный вблизи зазоров в упомянутых волноводах, выполнен в виде усеченного конуса с углом...

Номер патента: 283439

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Дедик, Каплун

МПК: H03H 3/00

Метки: вакуумированного, криостат, резонатора, сверхпроводящего

...пластины, при помощи которой он крепится к гелиевой ванне. Так как в местах механического соединения резонатора с пластиной и пластины с дном гелиевой ванны сопротивление тепловому потоку велико, охлаждение резонатора оказь;вается неэффективным.С целью непосредственного омывания стенок резонатора жидким гелием в предлагаемом криостате гелиевая ванна выполнена в виде сосуда, дном которого является сверк- проводящий резонатор, помещенный внутрь ванны и вакуумноплотно соединенный с сосу дом. Внутренняя полость резонатора соединена с вакуумным объемом криостата.На чертеже изображен предлагаемый криостат в разрезе.Гелиевая ванна 1 выполнена в виде сосуда, 10 дном которого является овермпроводящий резонатор 2, помещенный внутрь сосуда и...

Номер патента: 398006

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Дедик, Каплун

МПК: H03H 3/00

Метки: вакуумированкого, криостат, резонатора, сверхпроводящего

...от жидкого гелия вакуумцоплотно соединенной с ним оболочкой, а полость,между резонатором и оболочкой запол 1 О няют при комнатной температуре газоооразцым гелием и герметцзируют.На чертеже показан предложенный крцостат.Крцостат содержит гелиевую ванну 1, дном15 которой является сверхпроволящцй резонатор2, окруженный медной оболочкой 8, отделяющей его от жидкого гелия. Оболочка 3 вакуумноплотно соединена (например, сваренаили спаяна) с резонатором. Таким образом,20 изменение давления в гелиевой ванне воспринимается оболочкой 3 и це передается цастенки резонатора,Для повышения эффективности охлаждения резонатора полость 4 межлу оболочкой Л25 и резонатором 2 заполняется при комнатнойтемпературе теплообменным газом - гелиемдо...

Номер патента: 442539

Опубликовано: 05.09.1974

Авторы: Голиков, Зеликман, Клюкин, Фабриков

МПК: H01V 11/00

Метки: джозефсона, контакта, сверхпроводящего, формирования

...необходимость частой замены частей 30 контакта, повышается помехо- и виброустойчивость и увеличивается срок службы устройства.Схема предложенного устройства для формирования сверхпроводящего контакта Джозефсона показана на чертеже.Устройство содержит пленку 1 из сверхпроводника, снабженную электрическими выводами 2, которая окружена пленочным магнитным экраном 3 со щелью шириной д. Со стороны щели расположена тонкая магнитная пленка 4 с полосовой доменной структурой, нанесенная на подложку 5, являющуюся базой всего комплекта пленок. Подложка размещена внутри термостатированного охлаждаемого объема 6, окруженного катушками магнитной системы 7, оси которых лежат в плоскости пленки 4, причем оси двух катушек проходят вдоль щели, а оси...

Номер патента: 462243

Опубликовано: 28.02.1975

Авторы: Волков, Закревский

МПК: H02J 3/18

Метки: накопителя, сверхпроводящего, согласования, энергетического, энергосистемы

...и в режиме вывода эггерпш из цакопителя в энергосистему.В первом режиме иидуктггвио-емкостиыйпреобразователь 3 работает в режиме преобразования иапряжеиия, приложеииого к зажимам А, В, С источника тока. Веитильный пре 15 ооразователь 2 ири этом работает в режимевыпрямителя, выпрямленный ток которого запитывает иидуктивпый накопитель, заряжающийся определеииои величигий тока, которыйможно регулировать в зависимости от избытка20 мощности в энергосистеме. Напряжение иаклеммах сверхпроводящего иакопцтеля опре - Йделяется производной тока .)=Е,-гИ 25 В устаиовившеагся режцме, когда мощностьэнергосистемы равна мощности нагрузки, а ток накопителя достиг своего иоминальиого Йзгта геггггя Уо, производная по току -эО. На462243 А д С пряжение на...

Номер патента: 512530

Опубликовано: 30.04.1976

Авторы: Емельянов, Нестеров

МПК: H01F 6/00, H02H 7/00

Метки: возникновении, защиты, магнита, нем, нормальной, сверхпроводящего, фазы

...1316/1 Изд. ЛЪ 1336 Тираж 882 Подписное ЦНИИПИ Государствеиногс комитета Совета Мнистров ГССР по делам изобретений и открыл ий 113035, Москва, К, Раущскав иаб д. 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 рез схему совпадений,на схему управленияТОКОМ МЯПННТЯ И ПРОИСХОДИТ ЛожтОЕ СРЯОЯТЫванне всего устройства в целом.Цель изобретения - повышение надекностп работы устройства для защиты сверхпроводящего магнита.Сущность изобретения заключается в том,что между выходом упомянутого пороговогоэлемента входом исполнительного органа соленоида включены последовательно соединенные блок время-амплитудного преобразователя со сбросом и компаратор,Блок-схема устройства представлена начертеже, где 1 - датчик нормальной фазы;2 - пороговый элемент; 3 -...

Номер патента: 649091

Опубликовано: 25.02.1979

Авторы: Дубасов, Мымриков, Середа

МПК: H01F 6/00, H02H 7/00

Метки: возникновении, защиты, магнита, нем, нормальной, сверхпроводящего, фазы

...реактивную составляющую напряжения со сверхпроводящегомагнита, первый выпрямитель 2,Фильтр 3 верхних частот, пропускающийнапряжение пульсаций и электромагнитных наводок, второй выпрямитель 4,сумматор 5, производящий суммирование напряжений с выходов первого ивторого выпрямителей, пороговый элемент б, задающий уровень срабатывания устройства, блок время-амплитудного преобразователя 7, преобразующего длительность сигнала с выходапорогового элемента в напряжение,компаратор 8, определяющий время задержки , исполнительный орган защиты магнита 9, отключающий сверхпроводяший магнит от источника питания. Первый и нторой выпрямители 2,4 соответственно могут быть построены на базе операционных усилителей,обеспечивающих чувствительности нениже 2...

Номер патента: 883981

Опубликовано: 23.11.1981

Авторы: Аснис, Ворона, Гуревич, Заболотин, Клименко, Нероденко, Пан, Сухушин, Шендерович

МПК: H01B 12/00

Метки: внутренним, жилы, интерметаллического, многосекционной, основе, расположением, сверхпроводящего, сверхпроводящей, слоя, соединения

...слоя заключается в том, что в шлюзовой напылительной камере наносятслой барьерного материала на концевые участки каждой заготовки, содержащей слой тугоплавкого компонентасоединения и лой стабилизирующегоматериала, на о,л альной части заготовок формиру;,. с.рхпроводящий слойс помощью термообработки в диффузионной камере в при утствии легкоплавкого компонента соединения, удаляютс полученных секций слой барьерногоматериала, располагают концы секций 1(фиг.1 и. 2 ) с зазором 2, в которомсверхпроводящие слои 3 обращеныдруг к другу размещают в нем встав 4 оку ч в области расположения сверхпроводящих слоев 3 и приводят еев контакт с укаэанными слоями 3, например с помощью контактной точечной сварки с ограниченным подводомтепла (конденсаторная...

Номер патента: 803725

Опубликовано: 07.10.1982

Авторы: Буйновский, Горовой, Клименко, Ларин, Остренко, Пан, Резников, Чепурко, Шенднрович

МПК: H01B 12/00

Метки: заготовка, изделия, кабельного, сверхпроводящего

...максимальная толщина стенки трубы иэ стабилизимоксрующего материала;В - номинальная толщина стенки трубы из тугоплавкогокомпонента интерметаллического соединения;6 6 " сопротивление деФормацииниобия в металле трубыи сварном шве соответственно (причем сопротивление деформации связано с 3) . пределом текучести (б )через скорость прессования) .На чертеже показана заготовка,собранная под сварку вэрыном.Заготовка содержит трубу 1 иэ тугопланкого компонента интерметаллического соединения с продольнымсварным швом 2 и трубу 3 из стабилизирующего материала. Кроме того," ЗО заготовка снабжена относительно тонкостенной трубой 4 иэ герметизирующего материала, упрощающей последующий процесс горячего прессования. Вкачестве герметизируемого материала З...

Номер патента: 700024

Опубликовано: 07.12.1983

Авторы: Медведь, Ощепков, Сурков

МПК: H01B 13/008

Метки: кабеля, сверхпроводящего

...имеют следующие недостатки; клети вмещают незначительное количество отдающих катушек, имея при этом значительные габаритные размеры, отсутствуют элемен ты автоматической стабилизации натяжения проволочек в зоне скрутки,что ухудшает качество кабеля и снижает производительность, нанесениеизоляции выполняется на дополнительных изолировочных машинах.Целью изобретения является улучшение качества кабеля и повышениепроизводительности.Это достигаетя тем, что устройство снабжено датчиком линейной скорости, качающейся штангой, автоматическими стабилизаторами натяженияэлектромагнитного типа, установленными между отдающими катушками и 30направляющими роликами, поворотнымироликами, установленными на люльках,оси поворота которых перпендикулярнык...

Номер патента: 1124775

Опубликовано: 30.06.1985

Авторы: Анашкин, Кейлин, Кривых, Миронов

МПК: H01F 6/06

Метки: магнита, провода, сверхпроводящего, электродинамической

...импульсных нагружениях в азотнойванне (пунктирная линия обозначаетотогрев до комнатной температуры),на фиг, 2 - зависимость напряженности магнитного поля от тока в соленоиде в точке максимального поля, атакже в центре и характеристикакороткого образца сверхпроводника. Испытуемый образец сверхпроводящего магнита в жидком гелии показал, что деградация тока в нем составляет около 307 (см,например, позиции испытаний 1-5 на фиг.1). Первое импульсное нагружение быпо проиэведе. но (для исключения влияния металлических стенок гелиевого криостата) в сосуде из диэлектрика в жидком азоте, причем емкость и напряжение конденсаторной батареи были такими,что не обеспечивали амплитудногозначения тока выше критического всвязи с увеличением...

Номер патента: 1039403

Опубликовано: 30.07.1986

Авторы: Гавриш, Лаптиенко, Матвеенко, Правда

МПК: H01F 41/06

Метки: сверхпроводящего, соленоида

...на высоту корректирующего паза 2, включая один слой по всей наружной поверхности указанного паза, Вторая часть 4 обмотки - это спирально уложенный сверхпроводник по торцу паза 2 в направлении от на3 10394 ружного диаметра паза к внутреннему. Третья часть 5 обмотки - это послойно уложенный в обмотку сверхпроводящий провод, заполняющий пространство между пазом 2 и каркасом 1 и далее, до получения требуемого диаметра обмотки соленоида.Для выполнения перехода в виде спирально уложенного по торцу корректирующего паза 2 сверхпроводящего 10провода используют дополнительноеустройство, представляющее собойкольцо 6 с секторообраэным вырезом7. Кольцо 6 располагается от торцапаза 2 на расстоянии, равном диаметру укладываемого провода, и...

Номер патента: 1354120

Опубликовано: 23.11.1987

Авторы: Костенко, Пермяков

МПК: G01R 19/00

Метки: зашунтированного, резистором, сверхпроводящего, соленоида

...вторым входам сумматора 6-1, 6-2 6-и подключенпараллельно выход усилителя 4,Детали криомагнитной системы,обеспечивающей работу соленоида, непоказаны. Устройство работает следующим образом.В режиме ввода тока в соленоид 1 или вывода его из соленоида на зажимах последнего возникает отличное от нуля напряжение П, под действием которого часть общего тока 1 ц, протекающего в цепи источника 8 тока, ответвляется в шунтирующий резистор 2 с сопротивлением к , при этом 1, =П- Напряжение на измерительномКцрезисторе 3 П, имеющего сопротивление Кц, подается на усилитель 4 с ко 1 эффициентом передачи К,= в , в резульц тате чего на его выходе появляется сигнал, пропорциональный току в нераз,Поветвленной цепи 1Сигнал Пщ с резистора 2 подается через...

Номер патента: 1401417

Опубликовано: 07.06.1988

Автор: Бобров

МПК: G01R 31/26

Метки: запоминающего, квантового, сверхпроводящего, управляющей, характериограф, характеристики, элемента

...на СКЗЭ 5 не возникает напряжения, усилитель 1 напряжения СКЗЭ 25не вырабатывает импульса напряжения.В момент появления напряжения наСКЗЭ включается триггер 15, при этомсчетчик 7 который до этого моментабып обнулен, начинает считать импуль- ЗОсы, приходящие от мультивибратора 31и, досчитав до восьми, переключаеттриггер 15 в исходное состояние, чтоприводит к обнулению счетчика 7 ипрекращению им счета импульсов мультивибратора 31. После каждого такогообнуления счетчика 7 к числу Х, хранящемуся на счетчике 9 прибавляется1, что приводит к продвижению вверхпо отрезку РК на величину Ь Х рабочей 40точки СКЗЭ.Когда напряжение на СКЗЭ не возникает, триггер 15 не включается, темсамым счетчик 6 считает импульсы.мультивибратора 31,...

Номер патента: 1455327

Опубликовано: 30.01.1989

Авторы: Дорофеев, Фролов

МПК: G01R 27/02

Метки: многоволоконного, поперечного, провода, сверхпроводящего, сопротивления, электрического

...пути крайне мала по сравнению с протеканием тока в сверхпроводник вследствие выбора длины образца 1:ф. 1 ОЫ), невозможностью контроля качества слоев и 55 шунтирующего действия припоя (поскольку на пути протекания тока между потенциальными контактами отсутствуют такие спаи), сложностью при 74готовления образца 1 так как не требует монтажа образца из отдельных отрезков провода), уменьшением полез ного сигнала (поскольку позволяет вы" бором. координаты первого потенциального контакта получить желаемую величину полезного сигнала для ее точного измерения), т.е, в результате повышается точность определения поперечного сопротивления сверхпроводящего многоволоконного провода.Способ осуществляется следующим образом,Берут образец провода,...

Номер патента: 1499419

Опубликовано: 07.08.1989

Авторы: Евстигнеев, Елесин, Опенов

МПК: H01L 39/00

Метки: перехода, пленок, плоских, сверхпроводящего, температуры, тонких

...тока.Сигнал с термометра 10 регистрируется графопостроителем 7 по координате Х. В результате перечисленных операций на графопостроителе 7 получаютзависимость ЭДС индукции в катушке 4индуктивности от температуры.Малость диаметра и длины катушкииндукзивности, являющейся источникоммагнитного поля, и малость расстоянияот нее до пленки приводит к тому, чтомагнитное поле, в котором находитсяисследуемая пленка, является неоднородным.Характерный масштаб неоднородности магнитного поля .в областирасположения, пленки равен расстояниюот катушки индуктивности, являющейсяисточником магнитного поля, до плен.ки. Экранирование неоднородного магнитного поля сверхпроводящвй пленкойпри Ь(Т)йюопределяется параметром1 с 1/Лф(Т), где 1 - характерный...

Номер патента: 1538169

Опубликовано: 23.01.1990

Автор: Озманян

МПК: G05F 1/12

Метки: регулировки, сверхпроводящего, соленоида

...напряжению интегратора 4 и не зависящий,от параметров СПС 8. Диоды 7.17.И. служатдля исключения взаимного влияниядруг на друга ПЦТ 6, 16.И. Не за 45висимость скорости развертки тока вовремени от его величины достигаетсятем, что время развертки задаетсяпостоянной времени с интегратора 4,а величина тока задается путем регулировки входного напряжения АЦП 5,Независимость скорости разверткитока от величины опорного напряжения объясняется следующим образом.Выходное напряжение с интегратораопределяется соотношением55,опьы .лат -- эгде ,- опорное напряжение;1538169 Ю рос а.п,с,Следовательно, при Фиксированномопорном напряжении скорость развертки тока определяется только параметром Й, Из приведенной Формулытакже следует независимость величины...

Номер патента: 860625

Опубликовано: 30.08.1990

Авторы: Белецкий, Гольденберг, Клименко, Пан, Флис, Шендерович

МПК: H01B 12/00, H01B 13/004

Метки: интерметаллического, основе, покрытия, сверхпроводящего, соединения

...в чем и состоит основной недостаток известного способа,Пель изобретения - устранение укаэанного недостатка известного способа,а именно в повышении качества покрытия.Поставленная цель достигаетсятем, чта в известном способе получения сверхпроводящего покрытия на основе интерметаллического соединенияна трубчатых проводниках, каждый иэкатарьгх имеет слой тугоплавкого компонента, размещенный между слоямимеди, заключающийся в там, что трубчатый проводник меньшего диаметраустанавливают в проводнике большегодиаметра, создают в зазоре междуними жидкую ваннулегкоплавкимкомпонентом указанного соединения, контактирующую с поверхностями проводников на части периметра каждо го из них, и вращением указанных проводников осуществляют операции...

Номер патента: 1306290

Опубликовано: 23.10.1990

Авторы: Дмитриев, Пренцлау, Светлов, Чурилов

МПК: G01K 7/00

Метки: критической, пленки, сверхпроводящего, температуры

...достижению положительного эффекта;генерация электромагнитных колебаний наступает в промежуточном состоянии пленки, где ток генераций значителен (порядка миллиампер, см. фиг. 1);зависимость амплитуды генерируемого сигнала от тока генерации имеет высокую крутизну, а генерацию происходит в узком токовом диапазоне(см. фиг. 1)4зависимость тока генерации от температуры ичеет линейный характер, при этом критическая температура пленки Т определяется как температу" ра с нулевым значением тока генера- ции (см. фиг. 2). При этом независимо от параметров пленки Тс опредепяетсл как температура, при которой ток генерации 1=0. Т =1 /А + йТ. (2) 35 Величину Т. с помощью такого способа легко определить графическиДля этого измеряют два значения 1при...

Номер патента: 1613003

Опубликовано: 07.12.1990

Автор: Гейсбертус

МПК: H01B 12/00

Метки: изделие, оксидного, сверхпроводящего

...ионов меди, что важно для сверхпроводящего состоянияи высокого значения переходной температуры (Тс) . Выбор серебра и золота определяется темчто они не вступают в.реакцию со сверхпроводящимматериалом. Сродство с кислородомнизкое. Металлы не являются многова-,лентными, таким образом на валентность ионов меди не оказывается влияние,Можно применять волокна из сравнительно мягких металлов, например . 35золота и серебра, потому что эти металлы увеличивают пластичность композиционного материала. Применяютчастицы в Форме волокон из сплаважелеза, никеля и хрома, имеющихплакирующий слой из серебра и меди.Такие сплавы могут содержать другиеэлементы, например Мо и С. 40 П р и м е р. Применяют металлй 45 ческие волокна, имеющие среднюю длиНу 1 мм...

Номер патента: 1410790

Опубликовано: 15.12.1990

Авторы: Ефремов, Севрюкова

МПК: H01L 39/24

Метки: резонатора, сверхпроводящего

...и устройств для высокочастотнор го удержания плазмы.Цель изобретения - исключение бра" ка за счет питтингообраэования.Сверхпронодящийрезонатор иэ ниория помещают н ванну с полирующим электролитом в качестве анода. Иежду катодом и анодом подают напряжение и снимают нольт-амперную характеристику. На каждом участке существования периодических явлений (колебаний тока) существует очень узкая область, в которой полностью исключается брак эа счет питтингообразования. Эта узкая область соответствует границе области существования странного аттрактора. Обнаружить ее можно следующим образом. При потенциале анода более высо" ком, чем потенциал, соответствующий переходу к области странного аттрактора, система совершает периодические колебания одной...

Номер патента: 1552948

Опубликовано: 15.01.1991

Авторы: Баженов, Бунков, Ефремов, Масалов, Ри, Севрюкова

МПК: H01L 39/24

Метки: резонатора, сверхпроводящего, цилиндрического

...(ТКЧ), стабиль ности и воспр ности и воспроизводимости рабочей частоты резон частогы резонатора, указанные и та- положение раб блице, в слитке выби из обрет ения Значения площадипетли гистерезиса,мВт/см Воспроизводимость при т : ,2 К Стабильностьэа 1 ч ТКЧ 8,1 10" 6,2 10 2,6 10 1,8 Ы 10Э,й 10"1,02 104 8,И102,1710,й 10 160 ЫО Чередование механической обработ" ки с электрохимическим контролем продолжают до получения площади петли гистереэиса коррелирующей с требуемыми электрофизическими параметрами,отовления цилиндричесводящего резонатора изческсго слитка ниобиярен не менее 50-100 мм,щ и й с я тем, что, сения повышения стабильоиэводимости рабочейатора и его добротности,очего объема резонаторарают по площади петлигистерезиса, которая не...

Номер патента: 1632382

Опубликовано: 28.02.1991

Авторы: Вильхельмус, Корнелис, Хенрикус

МПК: H01L 39/00

Метки: сверхпроводящего, слоя, тонкого

...свойств, Взаимодействие УВаСцО- пленок с материалом подложки (МРО, 81),приводит к ухудшению сверхпроводящих свойств. Для исключения этого взаимодействия предложено перед нанесением планки УВаСцэО т наносить на подложку слоЯ У ВаСцО. Способ позволяет наносить пленки УВагСц 0 т-ЙТс" 90 К Нанлучщне результаты были получены при использовании подложек, поверхность которых состоит из У ВаСцО, .На фиг. прдставпена диаграмма фазового состояния У О - ВаО - СцО, на которой показаны как УВа СцзОт 6а так н ТВаСцО - соединения, находящиеся на линии раздела Фаз; на фиг.2 результат измерения электрического сопротивления сверхпроводящего тонкого слоя на подложке иэ У ВаСцО в зависимости от температуры.Свврхпрлводящий тонкий слой ТВаСцЗОт ,...

Номер патента: 1371234

Опубликовано: 15.06.1991

Авторы: Гитарц, Форганг

МПК: G01R 33/035

Метки: квантового, магнитометра, настройки, сверхпроводящего

...магццтометра, Выходной сигнал делителя 14 частоты, сформированный из напряжения прямоугольной формы генератора 13 сигнала модуляции, меняет состояние логического блока 15 инверсии, В результате 10 этого осуществляется манипуляция фазы выходного напряжения блока 15 инверсии, и за период управляющего сигнала оно в первый полупериод сии фазно с напряжением генератора 13 15 сигнала модуляции, а но второй сдвинуто отосительно него по фазеОна угол 180 . Принцип действия устройства не изменяется, если иннерсия сигнала модуляции будет осуществляться н первый полупериод управляющего сигнала, а во второй выходные напряжения блока 15 инверсии и генерато ра 13 сигнала модуляции будут синфазцы а25Инверсия фазы сигнала модуляции в первый момент...

Номер патента: 1276201

Опубликовано: 30.07.1991

Авторы: Погорелов, Севрюков, Севрюкова

МПК: H01L 39/24

Метки: поверхности, примеси, рабочей, резонатора, сверхпроводящего, удаления, электролит

...в СССР, поряд-ка 3,5 10 в .течение 2,5 лет. Темпе"ратурная зависимость добротностисверхпроводящих резонаторов, обработанных в данном электролите и в электролите, принятом за прототип, показала лучшую долговременную стабильность сверхпроводящего генератора,стабилизированного сверхпроводящимрезонатором, прошедшим электрохими"ческую очистку в заявляемом элек"12тролите, и составила 1 О при 2 К,что намного превосходит лучшие квар"0 цевые генераторы,При использовании ортофосфорногоЭлектролита с добавкой диэтиламиданикотиновой кислоты наибольший эф"25фект "вытягивания" тантала наблюдается при напряжении формирования30 В, соответствующем толщине окисного покрытия 675 А,. причем этотфакт в 2,77 раза выше, чем в водномрастворе аммиака при том же...

Номер патента: 1373254

Опубликовано: 30.08.1991

Авторы: Ефремов, Севрюкова

МПК: H01L 39/24, H01P 11/00

Метки: поверхности, рабочей, резонатора, сверхпроводящего, свойств, эмиссионных

...4,461 эВ, т.е, выцгрьппв работе выхода электроцон оценивается величиной 0,373 эВ. Л даже сравнительно малый выигрьпп в работе выхода электронов вызывает заметноеснижение эмиссионных токов.В реальном сверхпроводящем резонаторе, состоящем из десятка моцокристаллических зерен, картина гораздо сложнее и не поддается теоретическим расчетам, Поэтому пока единственным способом экспресс-контроля эмисиоццых свойств рабочей поверхностисверхпроводящего резонатора являетсяпредлагаемый способ контроля с помощью петель гистерезиса.П р и и е р. Выпи изготовлены трисверхпроводящих резонатора из ниобиямарки НРБ, имеющие на рабочей поверхности зерна величиной от 25 до68 мм разной ориентации, Петли гистерезиса, т.е. зависимость 1=1(11), снималцсь в прямом...

Номер патента: 1678219

Опубликовано: 15.09.1991

Авторы: Гийсбертус, Дагоберт, Корнелис, Ян

МПК: H01L 39/24

Метки: оксидного, сверхпроводящего, слоя, тонкого

...таблетки диаметром 25 мм. Затем в течение 30 мин в атмосфере воздуха сжимают эту таблетку под давлениемв100 ИПа до момента достижения плотности, которая равна 95-100% теоретической плотности, Затем тщательно полируют поверхность до образования шероховатости менее 1 мкмС помощью лазерного метода напыления в вакууме образуем на поверхностислой ВаСцО толщиной в 1 мкм. Этотслой аморфный и состоит из ВаСО , которое при последующем нагревании преобразуется в ВаСцО. Мольное отношение Ва и Сц в этом слое предпочтительно 11Затем подложку и образованный тонкий слой нагревают до 850 С со скоростью 200 С/ч и выдерживают приоэтой температуре в течение 2 ч. Затем образованныи таким образом блокохлаждают со скоростью 100 С/ч доо20 С. Вся эта...

Номер патента: 1420766

Опубликовано: 07.01.1992

Авторы: Буданов, Гребцова, Гуров, Домашнев, Куркин, Троицкий, Чукалин

МПК: B22F 9/12

Метки: карбонитрида, ниобия, сверхпроводящего, ультрадисперсного

...соединен)я псптяфторцдя нцобия обусловле.;к) тЕМ, цтО (11 Ориды ЬИОбия ОбЛЭДЭЮТ меньц)ей хнмице(кол устой(цивость(о, цем хлорилычО 1 к 1)к цокяззли проведециье зкспе-, римецтялцые цсследовя 1)ня) приводит к ус(рен;11(1 стадии восстановления и лает боЛь 1 ц "вклад Врем.-.н) В зявер 1 я(ощ 5 е стадии обр зования кярбо)1 итр)(д, (щобия и фопмировя;ця егс Гостяяя. Кроме того, более низкаямператур(1 плавления ц эняцительно меньшие энэчецня упру(ости царя 151)1 о при емцщ)атуе плзвлени 51 дают ВозможнОГТЬ и),",м(,няь для ОГО доэирвки В проессе си)тезя жид(остнь(е д)эято 1)ы, Отли 1юц)ие. ся суцественц меньп(ими (по сравнению спорошковыми доэаторами, применяющимисядля дозировки 111)С 1 ь) колебаниями расхо.да что позволяет пОВысить...