H01L 31/036 — отличающиеся кристаллической структурой или особой ориентацией кристаллографических плоскостей

Номер патента: 1005610

Опубликовано: 27.06.1999

Авторы: Верходанов, Герасименко, Йожеф, Петер

МПК: H01L 31/036

Метки: фотодетектор

1. Фотодетектор на основе полупроводниковой структуры, по крайней мере с одной ячейкой, содержащей фоточувствительную зону, отличающийся тем, что, с целью увеличения чувствительности в области длин волн вблизи края собственного поглощения полупроводника и расширения диапазона чувствительности в длинноволновую часть спектра, фоточувствительная зона выполнена с дефектами в виде изолированных выделений второй фазы в количестве 0,1 - 8% от объема зоны.2. Фотодетектор по п.1, отличающийся тем, что размер дефектов - не менее длины волны края собственного поглощения полупроводника.