H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 843032

Опубликовано: 30.06.1981

Автор: Фадеев

МПК: H01L 41/09, H02N 2/12

Метки: двигатель, пьезоэлектрический, шаговый

...пару трубчатых пьезоэлементов4 н 5, б и 7, жестко соединенныхмежду собой и укрепленных одним концом в корпусе 8, Пьезоэлементы снабжены электродами,и поляризованы так, что при подаче питающего напряжения пьезоэлементы 4 и 7 имеют деформацию сжатия-растяжения, а пьезоэлементы 5 и 6 - деформацию кручения. Работа двигателя синхронизирована с помощью блока 9 управления.ПЬезоэлектрический шаговый двигатель работает следующим образом.В исходном состоянии пьезоэле мент 5 находится в зацеплении (фрикционном контакте) с диском 3, а пьезоэлемент 6 в это время расцеплен. Вращение вала 1 начинается при подаче на электроды пьезоэлемента 5 5 управляющего напряжения 0 (фиг, 2), в результате чего он скручивается и поворачивает диск 3 с валом 1 на...

Номер патента: 680567

Опубликовано: 07.07.1981

Автор: Климовская

МПК: H01L 43/06

Метки: датчик, магнитного, поля

...пробега по импульсу, длиной энергети.ческой релаксации, длиной внутридолинного пробега, длиной спиновой релаксации. Смысл этих длин состоит в том, что после соударения, например с дефектом кристалла,носитель на характерной длине не изменяет свой характерный парамет, т.е, импульсэнергию, номер длины и спин. Ограничивающие полупроводниковый образец поверхности являются тем дефектом, подходя к которому носители рассеиваются, т.е. изменяют все свои характерные параметры. Поэтому отражаясь от поверхности, в слое, равном соответствующей характерной длине, они двигаются без изменения характерного параметра, Сила Лоренца, являющаяся функцией характерного параметра, по разному отклоняет носители с разными характерными параметрами, в...

Номер патента: 845197

Опубликовано: 07.07.1981

Авторы: Григоришин, Ефремов, Кривоусова

МПК: H01L 21/98, H05K 3/34

Метки: интегральныхсхем, сборки

...Контакты 10 имеют отверстие 15 с фаской для направления вывода и поперечный паз6, сторона7 которого служит опо.рой для вывода. В подвижной пластине 12 5 выполнены Т-образные окна (сквозные) 18, в узкой части которых расположены концы штырей, а в широкой части - упругие элементы 19, находящиеся напротив пазов 16. Направляющая пластина 13 соединителя 6 содержит отверстия 20 для выводов и выступы 21, входящие в Т-образные окна 22 токопроводящей подвижной пластины 14. В окнах 22 расположены упругие элементы 23. Подвижная пластина перемещается с помощью винта 24.15Устройство работает следующим образом.В оправку 7 укладываются подложки 8, затем через отверстия в подложке и штырях вставляются выводы 1 до упора в сторону 17 паза 6. На выводы...

Номер патента: 845198

Опубликовано: 07.07.1981

Авторы: Акялис, Курыло, Рагульскис

МПК: H01L 41/09, H02N 2/12

Метки: вибродвигатель

...и повысить КПД х устройства.Испытания макета вибродвигателя показали, что при упрощении схемы питания вибо 1 О родвигателя КПД повышается на 10 - 15%по сравнению с известным и достигает 0,6 м, при сохранении других технических показателей. 5 формула изобретения фиг. 4 и 5 - деформации внутреннего пери метра преобразователя; на фиг. 6 - на правление движения башмаков.Устройство содержит корпус 1 и рас положенный в нем ротор 2, к которому при жаты деформируемые элементы 3, 4, жестк прикрепленные к кольцевому пьезокерами ческо му п реобразовател ю 5. Электроды п ре образователя 5 разделены на два больши сектора 6, 7 и восемь меньших секторов 8 - 15, которые через переключатель 16 под ключены к источнику 17 высокочастотног однофазного...

Номер патента: 845810

Опубликовано: 07.07.1981

Автор: Мичислав

МПК: H01L 23/04

Метки: полупроводниковое

...вверхлапки 14 и 15,Устройство также содержит куполообразное тело 17 выполненное из изоляционного упругого и гибкого материала,например из силиконовой резины. Внутренний диаметр куполообразного тела 17примерно равен наружному диаметруполупроводниковой пластины 1,так чтопоследняя может быть ;становлена вкольцо 17 до сборки, Наружный диаметр6при необходимости, поворотно регулируются в отверстии кольца 17.Затем для закрепления друг,с другом и создания уплотнения зацепляющиеся лапки 14, 15 и кромки фланца5 и секции 16 соединяются соответствующей контактной сваркой,Во время закрывания устройстваверхним электродом устранена опасность повреждения полупроводниковойпластины 1 и хрупкого управляющеговывода 19.После сварки...

Номер патента: 847401

Опубликовано: 15.07.1981

Авторы: Грудинский, Гурский, Пятецкий

МПК: H01L 21/00

Метки: изображенияшаблона, подложке, фокусировки

...моделиподложка - пленка - датчик и зависящие от показателей преломления пленки и подложки. 50Коэффициенты а,в,с вычисляются предварительно для всех возможных показателей преломления пленки и подложки.Для этого по рассчитанным зависимостям ошибки фокусировки 2 от толщиныпленки (фиг. 1, кривая а) и производной О разностного сигнала по дефокусировке от толщины пленки (фиг. 1,кривая б) строят график разности лмежду величиной 2 и величиной, пропорциональной О от ОА= 2 - КО, (2)где К - коэффициент пропорциональности, выбираемый таким, чтобы величины2 и О были одного порядка и размерности. 65 Так как функция О периодична и ее период совпадает с периодом функции 2, график разности э.гих функций в зависимости от О представляет собой...

Номер патента: 847402

Опубликовано: 15.07.1981

Авторы: Азов, Зырянов

МПК: H01L 21/00

Метки: высокопрочныхвязких, образцов, преимущественно, разрушения

...и дополнительно соединен с 1Ленинградский ордена Ленина и ордена Трудового. КрасногоЗнамени государственный университет им. А.А Жданова847402 Формула изобретения НИИПИ Заказ 5512 ираж 784 Подписн узлом охлаждения посредством теплового контакта,На чертеже приведена схема предлагаемого устройства.Устройство состоит из узла 1 раскалывания, соединенного посредствомтеплового контакта с узлом охлаждения (на чертеже не показаны). Узел1 раскалывания содержит зажимные винты 2 и раскалывающие ножи 3, междукоторыми размещен разрушаемый образец 4, который также соединен с узлом охлаждения посредством тепловогоконтакта. Узел 1 раскалывания выполнен из материала с коэффициентом термического расширения большим, чем уразрушаемого образца...

Номер патента: 847403

Опубликовано: 15.07.1981

Авторы: Баринов, Волков, Кутовый, Сменов

МПК: H01L 21/00

Метки: pacte-кания, сопротивлению, удельногосопротивления

...на площадке клинообразногокомпенсатора б, имеющего возможностьперемещаться по наклонной направляющей выпуклого цилиндрического сегмента 7,опирающегося на вогнутую цилиндрическую поверхность опры 8, установленной на основании Э предметногостолика. Перемещения компенсатора б,сегмента 7, опоры 8 осуществляютсясоответственно посредством приводов10, 11, 12. Над зондом установленмикроскоп 13, имеющий в поле зренияперекрестке,Снятие профиля распределения удельного сопротивления по глубине полупро847403 Формула изобретения ИПИ Заказ 5512/80 Тирам 784 Подписи 4 ПП "Патент"., г. Ужгород, ул. Про водниковой пластины производится следующим образом.Площадка клинообразного компенсатора б высталяется в горизонтальное положение. На площадку...

Номер патента: 847404

Опубликовано: 15.07.1981

Авторы: Виницкий, Романовский

МПК: H01L 21/00

Метки: кольцевое, сверло

...кромка, состоящая из трех отрезков спирали, вид в плане. Кольцевое сверло содержит корпус 1 и расположенную на его торцовой поверхности режущую кромку 2, выпол ненную в виде отрезка спирали переменной высоты, равномерно уменьшающейся от внешнего к внутреннему концу спирали, при этом расстояние между внешним и внутренним концаМи спирали 15 определяется шириной фаски (ее проекцией),В качестве режущей кромки 2 применена абразивосодержащая лента, вдоль которой выполнен срез под углом, 2 О определяемого по формуле (Фиг. 2):едр =суй,Югде 6" - ширина фаски, мм (не показано); 251 - длина срезанного участкаленты, мм;д, - угол наклона фаски, град.(не показано).На Фиг.,3 режущая кромка 2 выполне) на в виде трех отрезков спирали, расположенных...

Номер патента: 847405

Опубликовано: 15.07.1981

Авторы: Волкова, Крынин

МПК: H01L 23/00

Метки: крепления, полупроводниковых, преимущест-behho, приборов, теп-лоотводами

...положение. 20Устройство для крепления преимущественно полупроводниковых приборов с теплоотводами содержит основание 1, выполняющее функции радиатора, с гнез - дом 2 для раэмещения полупроводникового прибора 3 с теплоотводами 4,например, интегральной микросхемы, В теплоотводах 4 выполнены отверстия 5, а на основании 1 установлены Фиксаторы б, выполненные в виде размещенных в отверстиях 5 штифтов, и держатель 7 осей 8 и 9. На оси 8 шарнирно установлена Фигурная защелка 10, имеющая два прижимных пружинных элемента 11, каждый иэ которых выполнен в виде Г- образного лепестка с отверстием 12 на З его горизонтальной полке 13, причем фиксаторы б размещены в отверстиях 12, а на фигурной защелке 10 выполнено окно 14 для доступа к испытываемому...

Номер патента: 847406

Опубликовано: 15.07.1981

Авторы: Антонов, Жураковский, Чакак

МПК: H01L 31/08

Метки: фоторезистор

...выраженную зависимость от освещенности светового потока.На чертеже схематически изображен предлагаемый Фоторезистор .Фоторезистор.содержит диэлектрическую подложку 1, на которой размещены проводящий слой 2, слой 3 полупроводникового материала, фоторезистивный слой 4 и растровые электроды 5, один из которых электрически соединен с проводящим слоем 2.Фоторезистор работает следующим образом.Световой поток, падая на поверхность Фоторезистивного слоя, вызывает увеличение его электропроводности. Часть светового потока проходит Через полупрозрачный Фоторезистивный слой847406 Формула. изобретения Составитель Ю.ГерасичкинРедактор С,Тимохина Техред А, Ач Корректор Н.Швыдкая Заказ 5512/80 Тираж 784 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета...

Номер патента: 753317

Опубликовано: 15.07.1981

Авторы: Колядин, Куроедов, Сурков

МПК: H01L 39/10

Метки: размыкатель, сверхпроводящий

...размыкателя.По мере диффузии поля вглубьСПР его сопротивление й(г) в моментвремени ь определяется следующейформулойН(Ь) 2 г" й х(С),где г - сопротивление единицы длиныфольги в нормальном состоянии;И - число слоев (сгибов) фольги;х(ь) - расстояние, на которое проникло магнитное поле Н Д )вглубь СПР к моменту времени ,Н (Э) - поле, являющееся критическимдля сверхпроводника с током 3 (ь).Величину х(с) - эффективную глубину проникновения магнитного поля,приблизительно можно выразить черезтолщину скин-слоя в нормальный металлследующим соотношениемх(Ъ) д,(С+и) /й,где с и д - толщина фольги и расстояние между слоями фольги.,соответственно,Таким образом, взяв расстояние межжу сгибами 6 ф 2; переводим весьСПР в нормальное...

Номер патента: 723990

Опубликовано: 15.07.1981

Авторы: Масагутова, Руд

МПК: H01L 21/324

Метки: ochobe, полупровод-никовых, приборов

...мм проводят в течение 350-400 ч при 850-9000 С и давлении паров мышьяка 2,5-4 атм. После завершения отжигапроводят закалку и получают однородные кристаллы 2 п 5 Аь п-типа провоЯдимости.Недостатком известного способа также является то что он не позволяет получить п-р-переход на кристаллах 2 вбеР р-типа. 35Целью изобретения является получение р-п-переходов.Указанная цель достигается тем, что отжиг проводят при давлении паров фосфора,0,3-0,.6 атм в присутствии 40 порошка 2 пСеР, вес которого в 1,5-3 раза больше веса пластины при температуре 870-900 оС в течение 5-17 ч,На фиг. 1 изображен граФик распределения температуры вдоль ампулы с кристаллом 2 пСеР р-типа 4 иа Фиг. 2 кривая зависимости концентрации носителей заряда в кристаллах 2 пбеРк...

Номер патента: 849338

Опубликовано: 23.07.1981

Авторы: Кожух, Рывкин, Трунов, Шлимак

МПК: H01L 21/34

Метки: германиевых, низких, температур, термо-сопротивлений

...осуществления электропроводности в области сверхнизких температур (менее 1 К). Поэтому сопротивления таких образцов велики и с понижением .температуры достигают практически трудноизмеримых величин. Верхняя граница величины деформации (47/ю) обусловлена тем, что практическое использование деформаций сжатием на величину больше 47/ю приводит к разрушению германиевой заготовки.Выбор исходного материала с удельным сопротивлением не меньше 0,01 ом,см вызван тем обстоятельством, что удельное сопротивление 0,01 ом см соответствует переходу полупроводник-металл, т.е. при Р(0,01 ом см характер температурной зависимости электропроводности легированного германия меняется от активационного (зависящего от температуры) на металлический, не зависящий...

Номер патента: 850028

Опубликовано: 23.07.1981

Авторы: Тасуку, Тосио, Хироси

МПК: H01L 41/08

Метки: кристаллическая, пленка, пьезоэлектрическая

...пленки. Радиочастотное напыление проводят в следующихщ) условиях: смесь газа, состоящую на90 об.Ъ из аргона и 10 об. иэ кислорода, подают в колоколообразный кожух 1 по вводу 8, при этом давлениевнутри кожуха установлено на уровне,от 1 до 2 х 10 тор. Стеклянную подложку нагревают до 350 С и выдерживают при этой температуре. Мощность,создаваемая на мишени 4, составляетб Вт/см . За счет электросиловогоисточника, работающего на частотеЗО 13,56 МГц.Ориентация С-оси получаемых такимобразом пьезоэлектрических кристаллических пленок определена с помощьюзамыкающей кривой методом дифракции35 рентгеновских лучей,Среднее значение (х) и среднееквадратичное отклонение (б) данногоугла С-оси от оси получают в отношении поверхности подложки того...

Номер патента: 344781

Опубликовано: 23.07.1981

Авторы: Алферов, Андреев, Каган, Протасов, Трофим

МПК: H01L 31/02

Метки: полупроводниковый, фотоэлемент

...зоны твердых растворов. В этих фотоэлементах не используется часть солнечного излучения с энергией, большей1 О ширины запрещенной зоны твердого раствора, так как это излучение, поглощаясь в приповерхностном слое, не доходит до Р - И-перехода и не дает вклад в Фототок.)5Цель изобретения - увеличение коэффициента полезного действия преобразователя солнечной энергии в электрическую.Это достигается путем использования твердых растворов А 1 "ъа Аз с градиентом концентрации аломиния в интервале от 0 до 50 ат.Е на 1 мкм толщины слоя в направлении, лерпендикулярном плоскости р-И-гетероперехода,На Фиг. и фиг.2 представлены зонные модели гетероперехода и СаАв-рА" "6 а Аз с уменьшением и увеличением концентрации алюминия к...

Номер патента: 851554

Опубликовано: 30.07.1981

Автор: Белов

МПК: H01L 21/77

Метки: кассета, микросхем

...а фиксаторы выполнены в виде выступов, расположенных вдоль краев средней части П-образных осно- ЗО ваний между их поперечными пазами.На фиг, 1 Изображена кассета, общий вид, на фиг. 2 - кассета в закрытом состоянии с микросхемами нафиг. 3 и 4 - кассета в раскрытом состоянии с одной и другой сторон,Кассета содержит два П-образныхоснования 1, обращенных друг и другу средними стенками 2, с поперечными пазами 3 для размещения микросхем4, фиксаторы 5, выполненные в видепродольных треугольных выступовна краях средних стенок 2 оснований 1 10и соединительные элементы оснований 1в виде плоских пружин б замкнутойфорьы, образующих упругие шарниры,Работа с кассетой. происходит следующим образом, 15В исходном положениг фиг. 2 ) средние стенки 2...

Номер патента: 851555

Опубликовано: 30.07.1981

Автор: Васичев

МПК: H01L 21/302

Метки: изделии, микрорисун-kob

...и производительность устройства в целом, 40На чертеже изображено предлагаемое устройство.Устройство содержит размещенные соосно электронную пушку 1 с управляющим электродом 2, бланкирующую систему 3, 45 формирующую систему 4, отклоняющую систему 5, подключенную к выходу генератора б разверток, вход которого соединен со входом генератора 7 рисунка, один выход которого соединен с бланкирующей системой 3, а другой - со входом блока 8 регулировки параметров электронного пучка, выполненного в виде последовательносоединенных блока 9 памяти, суммирующего усилителя 10 и интегрирующегоблока 11, выход которого подключен к управляющему электроду 2 электронной пушки 1. Обрабатываемое изделие 12 размещают на столе 13. Устройство работает...

Номер патента: 851556

Опубликовано: 30.07.1981

Авторы: Скворцов, Тузовский, Устыменко, Щербина

МПК: H01L 21/461

Метки: двусторонней, обработкиполупроводниковых, пластин

...находящихся в обработке, не ограничивается,и более высоким качеством обработкн,"так как словил обработки любой точки пластины идентичны 31.Однако интенсивность и качествообработки, определяемые скоростьюобработки,и удельным давлением на абразив, ограничиваются предельной величиной удельного давления, допускаемого с одной стороны прочностью ленты - носителя абразива, а с другой -5максимально допустимой глубиной нарушенного слоя обрабатываемого материала,Цель изобретения - повышение производительности и качества обработки.указанная цель достигается тем,что в устройстве для двустороннейобработки полупроводниковых пластин,содержащем базовые плиты и расположенныемежду ними носители абразива и 15сепаратор, выполненные : виде бесконечных...

Номер патента: 851557

Опубликовано: 30.07.1981

Авторы: Каяри, Феоктистов, Чаусов

МПК: H01L 23/34

Метки: модуль

...прорези 10, черезкоторые выходят наружу концы белочек7 с отверстиями 8. торцовые отверс" 35тия корпуса 9 подключают к воздуховодам - нагнетателному и отсасывающему (не показаны).Устройство работает следующим образом. аДля нормального Функционирования силовые полупроводники 1 стягивают шпильками; вставляемыми в отверстия 8, до усилия 1-1,8 т, контролируя его по прогибу балочек 7.Равномерность сжатия полупроводникоопо всей их поверхности обеспечивается за счет наличия центрирующих шариков б.Подвод электрического тока к последовательно соединенным силовым полу-. фпроводникам 1 осуществляется черезтокоотводы 3 и металлические охладители 2.Охлаждение полупроводников 1 Осуществляется. путем передачи выделяюще- Игося в них тепла в...

Номер патента: 851558

Опубликовано: 30.07.1981

Авторы: Белкин, Грановский, Гребенкин, Коломоец, Копаев, Ржевский, Сафронов

МПК: H01L 35/34

Метки: блока, миниатюрныхтермоэлементов

...систему, состоящую из литчиконого канала2, точечного литника 3, буферной полости 4 и щелевого литника 5, матрицу б, выступы 7 на верхней литниковой 26плите 1, ветви 8 термоэлементов, заливочную камеру 9, выступы 10 на нижней литниковой плите 11 и отверстия12 для установки ветвей в выступахлитниконых плит, выполненные в виде дглухих каналов, Для упрощения чертежа указана только часть выступов.Выступы 7 и 10 выполняюттакой жеконфигурации, как и коммутационныеперемычки и располагают их на каждой из плит 1 и 11 и соответствиисо схемой электрической коммутациитермоэлементон в блоке, Например,при последовательном электрическомсоединении всех термоэлементов выступы на одной их теплоприемных поверхностей будут параллельны друг .другу, В...

Номер патента: 851559

Опубликовано: 30.07.1981

Авторы: Вишневский, Карташев, Лавриненко

МПК: H01L 41/00

Метки: двигатель, пьезоэлектрический

...двигателя.устройство работает следующим образом.На выходе регулируемого источника, 1 электрического напряжения действует высокочастотное напряжение,возбу ждающее с пом;щью основных электродов 2 в пьезоэлементе движителя 3 продольные акустические колебанияПри движении по криволинейной поверхнос" ти ротора движитель 3 изгибается и в нем механически возбуждаются поперечные колебания, амплитуда которых851559 формула изобретения оставитель А.14 икрюков ехред И, голонка К тор Ю,Ков ор Н. Стец одписн а СССР ытий б., д,амит аяфилиал ППП Патент , г, ужгород,оектная, 4 пропорциональна скорости вращенияротора. Для снятия генерируемогопоперечными колебаниями напряженияпьезоэлемент движителя имеет дополнительные электроды 4, Объем...

Номер патента: 851560

Опубликовано: 30.07.1981

Авторы: Вишневский, Гультяева, Карташев, Лавриненко

МПК: H01L 41/09, H02N 2/12

Метки: двигатель, пьезоэлектрический

...между собой неремычкой 16. На противоположной стороне пластины нанесены такие же конФигурации и площади - участки электродов 12-15, Все участки электродов 30 большей площади на одной стороне Р н 3.:-В.С.Вишневский, Л.Г.Гультяева, И.А.Карташ В и В.В, ЛавриненкоБ" Д851560 Формула изобретения Заказ 6375/раж 784 Подписно ПП "Патент",д, ул. Проектн илнал.Ужг пластины соединены между собой перемычками 16 и - с участками электродов меньшей площади на другой стороне, т,е. участки электродов 14 и 15соединены с участками электродов 12и 13, а участки электродов 12 и 13,с участками 14 и 15 - перемычками17-20. Участки электродов и соединительные полоски (перемычки) выполняются химическим осаждением металлана поляризованную пьезокерамическую...

Номер патента: 851561

Опубликовано: 30.07.1981

Авторы: Бансевичюс, Рагульскис, Штацас

МПК: H01L 41/09, H02N 2/12

Метки: вибродвигатель

...на фиг,2 - разрез Б-Б нафиг.1 и показано электрическое соединение секторов электродов и блока питания; на фиг.3 - пьезокерамический вибратор и траектории его колебаний.Вибродвигатель содержит корпус 1, с крьпуой 2, полый цилиндрический ротор 3 в подшипниковых опорах 4. К крышке 2 прикреплен упругий держатель 5, на котором установлен пьезоэлектрический вибратор, выполненный в виде пьезокерамического кольца б с электродами на его торцовых поверхностях. Каждый электрод разделен на четыре сектора 7-10, сектора 7 и 9 и 8 и 10 электрически соединены меж-ду собой и подключены к блоку 11 высокочастотного напряжения. Сектора другого электрода соединены также как и первого, но к блоку 11 высокочастотного напряжения они подключены противофазно...

Номер патента: 851562

Опубликовано: 30.07.1981

Авторы: Курыло, Рагульскис, Штацас

МПК: H01L 41/09, H02N 2/12

Метки: вибропривод

...и 10, которые через токосъемник 11соединены с блоком 12 постоянногонапряжения. К управляющему входу 20блока постоянного напряжения подключенблок 13 управления. Вход блока управления соединен с генератором 14, Выход блока 15 автоматической подстройки частоты соединен с входом 2обратной связи генератора 14.Вибропривод работает следующимобразом,При включении генератора 14 возбуждения подается питающее напряжение на пьезокерамический вибратор 3,подвижный конец которого, взаимодействуя с промежуточным элементомб, приводит во вращение ротор 1. Впромежуточном элементе б под действием пьезокерамического вибратора3 возбуждаются радиальные колебания,частота, которых кратна частоте возбуждения вибратора 3, а фаза такова,что вибратор 3 во...

Номер патента: 851563

Опубликовано: 30.07.1981

Авторы: Гамзюкас, Курыло, Рагульскис, Шальчюте, Шаткус

МПК: H01L 41/09, H02N 2/00

Метки: вибропривод, координатный

...металлическиебашмаки 5 (фиг.2), предотвращающиеизнос пьезокерамики в зоне контакта,Устройство работает следующим образом,При подключении пьеэокерамическихпреобразователей 2 (фиг.1) к источникам много 4 азвых, например двухфазных, электрических колебаний,через коммутатор режимов работы (непоказан) в кольцах пьезокерамических 4преобразователей возбуждаются бегущие волны высокочастотных механических деформаций. В зоне контакта пьезокерамическнх преобразователей 2(фиг.1) и столика 4 образуется дви Работу координатного привода приподключении обеих источников электрических колебаний к кольцам пьезокерамнческих преобразователей иллюстрирует схема (фиг.б) действующихсил одного пьезокерамического преобраэователя. Если...

Номер патента: 851564

Опубликовано: 30.07.1981

Автор: Буда

МПК: H01L 41/09, H02N 2/14

Метки: вибродвигателя, питания, пьезопреобразо-вателя

...транзисторов 9 и 10 с противоположной струк" 33турой р-и переходовБазы транзис"торов 9 и 10 подсоединены к точкесоединения резистора 11 обратной связи, обкладки 3 ПП 4 и выхода обрат,ной связи автогенератора 1. 40Вибродвигатель работает следующим образом.При включении питания сигнал с автогенератора 1 через согласующийтрансформатор 2 подается к обкладкам 3 ПП 4, который совершает про фдольные колебания, При взаимодействии ПП 4 с ротором 5 иэ-за сил сухо"го трения, последнему сообщается момент вращения и он вращается с определенной угловой скоростьюИ . При час-Ятоте механического резонанса ПП 4его внутренний импеданс имеет наименьшее значение и через него проте-.кает наибольший ток. Сигнал с резистора 11, включенного...

Номер патента: 851565

Опубликовано: 30.07.1981

Авторы: Акялис, Курыло, Рагульскис

МПК: H01L 41/09, H02N 2/12

Метки: вибродвигатель

...стержневые радиальные пьеэопреобраэователи.На чертеже изображена схема пред- . лагаемого устройства.851565 НИИПИ Заказ 6375/7 ираж 784 Подписное Устройство содержит неподвижноеоснование 1, внутри которого находится ротор 2, а между ротором 2 и основанием 1 равномерно размещены пьезокерамические стержневые радиальныепреобразователи 3,Ротор 2 охвачен элементом в видемногогранника, состоящего иэ пьезокерамических стержней 4, соединенных башмаками 5, к которым прикреплены также радиальные преобразовате"ли З.Башмаки фрикционно сопряжены сротором 2.Работает устройство следующим образом,При подключении многофазного переменного электрического напряжения(не показано) к радиальным пьеэопреобразователям 3. последние начинают колебаться....

Номер патента: 701427

Опубликовано: 30.07.1981

Авторы: Воронов, Кожунов, Предеин

МПК: H01L 31/02

Метки: детекторионизирующих, излучений, полупроводниковый

...перемещения неравновесных носителей.На фиг. 1 представлена конструкция детектора. Она состоит из полупроводникового чувствительного элемента 1, соединенного с широкополосной кабельной линией 2, к точке соединения которых параллельно элементу 1 подкгпочен конденсатор 3, к выходу кабельной линии 2 подключен коротко- замкнутый отрезок кабеля 4.На фиг. 2 представлена эквивалентная схема детектора. Полупроводниковый чувствительный элемент 1 на основе кремния представлен в виде источника тока, емкости С, и емкости С р ВОднового сОпрОтивления Я ка бельной линии 2 и короткозамкнутого отрезка кабеля 4Детектор работает следующим образ ом.Излучение возбуждает в чувствительном элементе 1 импульс тока который заряжает суммарную емкость Ср = С + С...

Номер патента: 853707

Опубликовано: 07.08.1981

Автор: Черный

МПК: H01L 21/308

Метки: маски, совмешения, сподложкой

...из маски 1 с рабочими отверстиями 2 и выступами 3, на торце которых укреплены базовые элементы 4, выполненные в виде гибких пластин, края которых симметрично выступают по обе стороны торца выступов, подложки 5 с канавками 6,Структура маски может быть получена, например, если известными методами гальванопластики сформировать на поверхности маски базовые элементы из тонкого слоя металла, обладающего маскирующими свойствами при травлении материала маски и протравить ее на глубину, равную тре - буемой высоте выступов, вследствие чего края базовых элементов будут выступать эа пределы торца выступов на величину бокового подтравливания материала маски под базовыми элементами. При этом для масок, изготавливаемых, например, из медной илиО...