H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 2004036

Опубликовано: 30.11.1993

Автор: Иовдальский

МПК: H01L 21/00, H05K 5/00

Метки: гибридная, интегральная, квч-схема, свчи

...р и м е р. Гибридная интегральная СВЧ-схема содержит твердую диэлектрическую плату 1, выполненную, например, из поликара толщиной 0,5 или 1 мм, имеющую топологический рисунок металлизации 2 на лицевой стороне и экранную заземляющую металлизацию 3 на обратной стороне, Структура металлиэации может быть, например, Т 1 толщиной, обеспечивающей сопротивление пленки (100.0 мсм ), - Ро (0,2 мкм) - Ац (3 мкм) или Сг(100 Омlсм ) - Сц напыленная (1 мкм) - Сц гальваническая (3 мкм) - Ю гальванический (0,6 мкм) -Ац тальваническое (3 мкм), Конденсатор 4, например, ТС 7,088.005-20 (ТС 0.707.001 ТУ) толщиной 0,15 мм расположен и закреплен электропроводящим связующим веществом, например припоем эвтектического состава Ац - Я или Ац - Ое или клеем...

Номер патента: 2004037

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Аверин, Андреев, Кмита

МПК: H01L 21/31

Метки: микрорельефа, формирования

...соответствующих 5 полоскам изготавливаемой решетки, составляет 1,2 мкм, расстояние между этими участками составляет также 1,2 мкм. После экспозиции вскрывают в фоторезисте окна путем его обработки в 0,5 КОН и вытравли вают открытые участки первого рабочегоспал металлизации. Сначала травят слой золота раствором, содержащим 400 г йодистого калия и 100 г йода на 400 мл воды.Травление ведут в течение 30 с. Затем уда ляют подслой хрома путем травления еговодным раствором соляной кислоты (концентрации 1:1) в течение 5 с. При указанном. режиме травления происходит "подтрав"участков первого рабочего слоя 2 металли зации под участками слоя 3 фоторезиста,При этом, образуются "козырьки" фоторезиста (см. фиг, 2) ндд свободной от метаплизации...

Номер патента: 2004038

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Горохов, Гридин, Мамаева, Потапчук

МПК: H01L 25/03

Метки: модуль, полупроводниковый

...внешней. цепи при помощи гнезд и штырей, при этом,вкладывая шинь в гнезда, одновременно20 насаживают их на штыри, В результате Дины автоматически оказываются зафиксированными в определенном для нихгиесте,чта, в свою очередь, позволяет автоматизи-.ровать процесс сборки модуля, 1(роме того,центрируюшая деталь Обладает дополнительными свойствами: увеличивает жесткость крепления силовьх шин внешнейцепи и уменьшает нагрузку на полупроводниковые элементы. При необходимости на0 внутренней стороне боковых стенок центрирующей детали можно закрепить схемыуправления и при таком решении вьпускать"разумные" модули,Решений относительно других отличиЗ 5 телыых признаков в литературе не обнаружено, на основании чего считаем, чтопредлагаемое решение...

Номер патента: 676121

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Загоруйко, Тиман, Файнер

МПК: H01L 21/02, H01L 41/22

Метки: полупроводникового, пьезопреобразователя

...при одновременном воздействии температуры приводит увеличению скорости диффузии компенсирующей примеси на освещенных частях кристалла по сравнению с его затемненными частями. Образующиеся при этом диффузионные слои на затемненных и освещенных частях кристалла отличаются толщиной и профилем высокоомного рабочего слоя, что обеспечивает возможность изготовления многоканального пьеэопреобразовэтеля с различными резонансными частотами отдельных каналов,П р и м е р. На пластину низкоомного сульфида кадмия Е-среза размером 5 х 5 х 10 мм напылением в вакууме (5 10 мм рт,ст.) наносили слой меди толщиной - 5 мкм, Для отжига пластину помещали в муфельную печь типа СУОЛ,25, 1/12-М с температурой 300 С, Одновременно на пластину направляли световой...

Номер патента: 1713391

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Дединец, Ионов

МПК: H01L 21/66

Метки: контактное

...компенсирующая емкость равняется С =.0,105 пф. При этом на частоте 10 ГГц КСВ составляет 1,15, что соответствует отраженной мощности 0,5%, тогда как максимальная рабочая частота, на которой КВС не превышает 1,5 составляет 20 ГГц,Таким образом, достигается существенное 200% расширение частотного диапазона измерения параметров, а также значительное 3,5% улучшение электриче ских характеристик контактного устройства.На фиг,1 изображена схема контактного устройства; на фиг,2 - зонд для измерения параметров микросхем,Контактное устройство содержит зондо держатели 1, в которых закреплены зонды 2 и экранированные коаксиальные кабели 3 для соединения с измерительным прибором 4. Контролируемая пластина расположена на столике 5 с вакуумной...

Номер патента: 1715124

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Думаневич, Нисневич

МПК: H01L 21/22

Метки: внутренних, изолированных, областей, формирования

...нецелесообразно брать р80 Ом см, так как 15максимальную толщину формируемой изолированной и-области практически нельзяполучить больше 220 мкм. Максимальнаятемпература 1300 С ограничена при длительной работе возможностями современного диффузионного оборудования, а такжеопределяется тем, что с повышением температуры ухудшаются параметры исходногокремния и увеличивается деформация тонких пластин, а при температуре ниже 251240 С сильно возрастает время термообработки.Для изготовления многослойных структур силовых тиристоров и симисторов с повторяющимся напряжением 800-1200 В 30необходимо изготовить р-и-р-структуру столщиной р-слоя Х) = 60-70 мкм и поверхностной концентрацией примеси Й (1-2) 10см, что соответствует поверхностному...

Номер патента: 1382337

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Герасимчук, Кашкан, Кобржицкая, Козорез, Макаренко, Чеборин

МПК: H01L 39/16

Метки: подвес, сверхпроводящий, электромагнитный

...подвижного элемента 3 и пересекаются по прямой, совпадающей с осью подвеса. Сверхпроводящий электромагнитный подвес работает следующим образом.В катушках 1 и 2 наводится незатухающий постоянный ток. При этом арретированный подвижный элемент Э с контурами 6 и 7 находится между катушками (арретир на чертеже условно не показан). формула изобретения 5 10 15 20 25 30 , 35 8 арретированном положении временно нарушают сверхпроводящее состояние подвижного элемента 3 контуров 7 и 8 с помощью сверхпроводящих выключателей, Для восстановления сверхпроводящего состояния подвижного элемента 3 и контуров 7 и 8 сверхпроводящие выключатели отключают, затем осуществляют разарретирование. Подвижный элемент 3 под действием силы тяжести опускается вниз и...

Номер патента: 1094526

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Вето, Кузнецов, Скрылев, Тренева

МПК: H01L 27/148

Метки: зарядовой, матрица, приборах, связью

...выводаинформации 6, 7, входные устройства 8, 9,каналы переноса 10. циально с постоянной времени где Екр- напряженность краевого поля;б - толщина. окисла;- длина электрода;х 4 - ширина обедненной области;0- разность напряжения, приложенного к соседним электродам. Таким образом, для повышения напряповышения предельной рабочей частоты матрицы, необходимо уменьшить длину электродов. Все сказанное можно отнести и к неэффективности переноса заряда; Уменьшая длину электродов, мы ускоряем процесс переноса остатка сигнального заряда, что следует из (1) и (2), Это снижает неэффекдовой связью выполнена на полупроводниковой пластине кремния и-типа проводимости,.ориентации (100). с удельным сопротивлением 20 Омсм по трехслойной поликремниевой...

Номер патента: 1050476

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Глущенко, Колычев, Решетин

МПК: H01L 21/78

Метки: меза-структур

...меза-структур, включающемоперации формирования элементов структуры в полупроводниковой подложке с маскирующим их диэлектрическим покрытием,вскрытия контактных областей к элементамструктуры. получения металлизированнойразводки и меза-областей, пассивации меза-структур диэлектрическим покрытием и 55вскрытия металлизированных контактных ф.площадок, пассивирующее диэлектрическое покрытие формируют нанесениемсвинца с последующей термической обработкой для получения свинцово-силикатного стекла, а вскрытие металлизированныхконтактных площадок осуществляют селективным травлением окиси свинца с их поверхности, .На фиг,1 показано формирование элементов структуры и меза-областей; на фиг.2- нанесение слоя свинца и окиси свинца; нафиг.З -...

Номер патента: 1340519

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Зиновьев, Кашкан, Козорез, Ляшенко, Маслов, Хабло

МПК: H01L 39/24

Метки: витка, магнитного, подвешивания, сверхпроводникового

...витка 2 (фиг. 1) После этой операции виток 2 всплывает, поднимаясь к магниту 1, и находится в свободном состоянии устойчивого равновесия на зазоре дг. Всплывание витка 2 объявляется следующим образом. В результате перевода витка 2 в сверхпроводящее состояние в нем замораживается часть силовых линий магнитногополя магнита 1 (свойством постоянства или замороженности числа силовых линий обладает любой замкнутый виток с нулевым активным сопротивлением), Число замороженных силовых линий на основе законаэлектромагнитной индукции не должно изменяться, Поэтому при увеличении д, попадая в зону более, слабого магнита 1, в витке проходит ток для увеличения недостающего числа силовых линий, Этот ток, взаимодействуя с магнитом 1, приводит к...

Номер патента: 1116926

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Кобржицкая, Козорез, Ляшенко, Чеборин

МПК: H01L 39/16

Метки: магнитная, опора, сверхпроводящая

...трех жестко связанных электрически не соединенных взаимно перпендл куля рных сверхпроводящих колец 3,4,5 тепловой ключ 6, источник питания 7; Р - магнитная сила; 6 - сила тяжести; В - расстояние. На фиг,2 показан график зависимо- . сти силы Р от В (силы отталкивания условно считаются положительными). На фиг.З показано смещенное положение подвижного элемента и возникающие при этом магнитные силы; Рст и Уст - стабилизирующая магнитная сила и стабилизирующий механический момент магнитной природы.Устройство работает следующим образом, Подвижный элемент устанавливается над кольцом 2 в положении соосности колец 5 и 2 на расстоянии В = В 1В Тепловым ключом 6 кольцо 5 переводится иэ сверхпроводящего в нормальное состояние. При этом в кольце 2...

Номер патента: 728593

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Загоруйко, Тиман, Файнер

МПК: H01L 21/66

Метки: диффузионного, неразрушающего, отжига, полупроводников, процесса

...нанесенными на поверхность 25 исследуемого. образца. В этом способе ток проходит по образцу перпендикулярно диффузионному потоку, По скорости изменения во времени тока определяют коэффициент диффузии, по которому судят о процессе 30 диффузии во время диффузионного отжига.Недостатком эого способа является его недостоверность из-за отсутствия возможности контролировать глубину диффу+ зионного фронта и его непригодность для 35 контроля процесса диффузии в образцах, имеющих большую толщину в направлении диффузии.Целью изобретения является повышение достоверности контроля диффузии ак цепторной примеси в полупроводники п-типа проводимости путем определения положения диффузионного фронта. 45параллельном диффузионному потоку примеси,в качестве...

Номер патента: 1839713

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Альбрехт, Герхард, Зигфрид, Йоханн, Рольф

МПК: H01L 21/205

Метки: полупроводниковых, слоев

...носителей заряда. ели,",на которой равна или больше 1 см х хВ с . Предпочтительно время пребывания молекул углеводорода в зоне плазмы составляет 50 - 500 мс.Время пребывания указанного вышепорядка величины может быть достигнуто 5 при заданном поперечном сечении использующегося для плазменного напыления реакционного сосуда только при определенном соотношении между давлением газа, т.е. парциальным давлением реакционного газа, и 10. массовым расходом, В случае соответствующего изобретению способа давление газа со-ставляет по этой причине 5-400 Па, предпочтительно 20-200 Па., а массовый расход - предпочтительно 0,05 - 2 10 Пав 15 хсм с . Кроме того, в случае соответствующего изобретению способа существенно то, что подложка, на которую...

Номер патента: 2005309

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Берг, Голиков

МПК: G01R 33/035, H01L 39/22

Метки: датчик, магнитного, поля, пороговый

...достижение положительного эффекта, а именно упрощение конструкции, не были выявлены, и потому они обеспечивают заявляемому техническому решению соответствие критерию "существенные отличия",Пример реализации предложенного порогового датчика магнитного поля схематично изображен на чертеже.Пороговый датчик магнитного поля состоит из подложки 1, на которую последовательно нанесены, например, напылением, первый слой 2 сверхпроводника, разделительный слой 3 изолятора и второй слой 4 сверхпроводника, Толщина разделительного слоя 3 периодически изменяется вдоль координаты Х в плоскости этого слоя 3, что достигается, например, применением соответствующей штриховой маски при напылении изолятора. Слои 2, 3, 4 образуют контакт Джозефсона,...

Номер патента: 795326

Опубликовано: 15.01.1994

Авторы: Ваганов, Плохова

МПК: H01L 21/31

Метки: защитная, маска

ЗАЩИТНАЯ МАСКА для получения на полупроводниковых монокристаллических пластинах (100) меза-структур с прямыми углами, стороны которых ориентированы по направлениям (110), содержащая на вершинах прямых углов фигуры, предотвращающие их растравливание, отличающаяся тем, что, с целью экономии материала пластин при анизотропном травлении, фигуры на вершинах прямых углов выполнены в виде Т-образных фигур, стороны полосок которых ориентированы по кристаллографическим направлениям (110).

Номер патента: 797454

Опубликовано: 15.01.1994

Авторы: Ваганов, Гончарова

МПК: H01L 21/265

Метки: механоэлектрических, преобразователей

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МЕХАНОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ на кремнии, включающий выращивание окисла на обеих сторонах исходной пластины термическим окислением, создание тензорезисторов и токопроводящих областей путем введения акцепторной примеси через предварительно сформованную маску, создание металлических контактов к токопроводящим областям и формирование упругого элемента анизотропным травлением, отличающийся тем, что, с целью улучшения рабочих характеристик преобразователя при одновременном повышении процента выхода годных приборов, после выращивания окисла удаляют его с одной стороны пластины, затем удаляют приповерхностный напряженный слой кремния и выращивают тонкий слой толщиной 0,10 - 0,15 мкм, а введение примеси выполняют ионным...

Номер патента: 695418

Опубликовано: 15.01.1994

Авторы: Ваганов, Гончарова

МПК: H01L 21/18

Метки: интегральных, кремния, механоэлектрических, монокристаллического, преобразователей

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МЕХАНОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ ИЗ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ, включающий термическое окисление пластин, двустороннюю фотолитографию, изготовление тензочувствительных компонентов, формирование мембран локальным травлением кремния, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления и увеличения диапазона линейного преобразования, после термического окисления пластин проводят формирование мембран локальным травлением, удаляют весь окисел с пластин, снимают с обеих сторон пластин тонкий слой кремния в полирующем травителе, проводят термическое окисление и двустороннюю фотолитографию, после чего изготовляют тензокомпоненты.

Номер патента: 1519453

Опубликовано: 15.01.1994

Авторы: Дерменжи, Приходько, Шмелев

МПК: H01L 21/28

Метки: полупроводникового, прибора, силового

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СИЛОВОГО ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА, включающий создание в полупроводнике базовой области, формирование окруженных базовой областью локальных эмиттерных участков, нанесение контактной металлизации на эмиттерные участки и базовую область, выявление непригодных эмиттерных участков, нанесение на полупроводник общего электрода, контактирующего с металлизацией пригодных эмиттерных участков, отличающийся тем, что, с целью снижения трудоемкости изготовления и повышения процента выхода годных приборов, перед нанесением на полупроводник общего электрода в последнем создают отверстия в тех его местах, которые при контактировании электрода с полупроводником располагаются над выявленными непригодными эмиттерными участками, с...

Номер патента: 1056807

Опубликовано: 15.01.1994

Авторы: Брюхно, Матовников, Огнев, Половенко

МПК: H01L 21/205

Метки: кремниевых, структур, эпитаксиальных

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР, включающий осаждение на монокристаллическую кремниевую подложку поликристаллического слоя кремния, его шлифование, удаление части подложки параллельно шлифованной поверхности поликристаллического слоя кремния, нанесение на поликристаллический слой кремния защитного покрытия, отличающийся тем, что, с целью повышения качества структур за счет уменьшения плотности дефектов на их монокристаллической поверхности и упрощения процесса изготовления структур, нанесение на поликристаллический слой кремния защитного покрытия проводят после шлифования слоя поликристаллического кремния.

Номер патента: 1797413

Опубликовано: 15.01.1994

Автор: Кононов

МПК: H01L 21/337

Метки: p-n-переходом, вертикальным, каналом, полевых, полупроводниковых, структур, управляющим

...их последовательности, достаточны, чтобы отличить предлагаемый способ от других способов аналогичного назначения и характеризовать его в том качестве, которое проявляется в повышении процента выхода годных и улучшении электрических параметров структур.На фиг,1 показана структура полевого транзистора после выращивания на кремниевой подложке 1 эпитаксиального слоя 2 и формирования на нем фотолитографией маски из слоев оксида 2 и нитрида 4 кремния; на фиг.2 - структура после формирования щели 5 путем травления кремния в местах расположения затворов; на фиг.З - структура после окисления поверхности щели; на фиг.4 - структура после стравливания слоя 6 окисла со дна щели и легирования вскрытых областей 7 кремния; на фиг,5 - структура после...

Номер патента: 1187577

Опубликовано: 30.01.1994

Авторы: Карпенко, Матвеев, Терентьев, Томасов

МПК: G01T 1/24, H01L 31/02

Метки: детектор, излучения, ионизирующего

1. ДЕТЕКТОР ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ с чувствительным элементом из полуизолирующего полупроводникового материала теллурида кадмия и контактами, отличающийся тем, что, с целью повышения линейной зависимости люкс-амперной характеристики при комнатной температуре, в качестве указанного материала использован теллурид кадмия n-типа проводимости с концентрацией основных носителей заряда n 5 107 см -3 и концентрацией уровня прилипания Nn 1015 см-3, контакты выполнены инжектирующими.2. Детектор по п. 1, отличающийся тем, что к его контактам напряжение...

Номер патента: 1085439

Опубликовано: 30.01.1994

Авторы: Брюхно, Данцев, Комаров, Усманова, Юлдашев

МПК: H01L 21/26

Метки: микросхем

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МИКРОСХЕМ, включающий создание областей p-типа в кремниевой подложке n-типа проводимости, диэлектрическую изоляцию этих областей, контроль качества полученных областей с диэлектрической изоляцией для определения областей с повышенной концентрацией примеси p-типа проводимости и формирование в диэлектрически изолированных областях рабочих структур, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных, области с повышенной концентрацией примеси p-типа проводимости перед формированием в них рабочих структур подвергают облучению тепловыми нейтронами в течение времени t, определяемого по формуле

Номер патента: 1759183

Опубликовано: 30.01.1994

Авторы: Гапоненко, Изидинов

МПК: H01L 21/306

Метки: кремния, регенерации, травителя

СПОСОБ РЕГЕНЕРАЦИИ ТРАВИТЕЛЯ ДЛЯ КРЕМНИЯ, включающий контроль состава отработанного травителя и восстановление исходной активности травителя путем введения в отработанный травитель добавок химических реагентов, отличающийся тем, что, с целью упрощения регенерации травителя из смеси плавиковой, азотной и уксусной кислот с объемным соотношением 1 : (6 - 17) : (1 - 3) и сокращения расхода реагентов, в качестве добавок химических реагентов используют смесь равных объемов перекиси водорода и плавиковой кислоты, причем количество этой смеси, достаточное для восстановления исходной активности единицы объема отработанного травителя данного исходного состава, устанавливают в предварительных экспериментах, связанных с определением общей массы...

Номер патента: 1264440

Опубликовано: 30.01.1994

Авторы: Брюхно, Кобазева, Максименков

МПК: H01L 21/205

Метки: полупроводниковых, структур

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР, включающий шлифование и полирование монокристаллической кремниевой пластины, наращивание на одну сторону пластины слоя поликристаллического кремния, удаление части слоя поликристаллического кремния, утонение монокристаллической пластины, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных за счет уменьшения вероятности образования в нем дендритов и пустот, слой поликристаллического кремния наращивают на пластину после шлифования, а утонение монокристаллической пластины производят до толщины, равной сумме глубины нарушенного слоя после шлифования одной стороны пластины и толщины монокристаллического кремния, необходимого для формирования структуры.

Номер патента: 1105075

Опубликовано: 30.01.1994

Авторы: Бакун, Брюхно, Долгих, Матовников, Огнев, Четвериков

МПК: H01L 21/205

Метки: кремниевых, монокристаллических, подложек, пьедестале, размещения

СПОСОБ РАЗМЕЩЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПОДЛОЖЕК НА ПЬЕДЕСТАЛЕ при газофазном осаждении на них полупроводниковых слоев, включающий установку подложек на пьедестал с закреплением на стержнях, съем подложек с осажденными слоями с пьедестала, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных подложек с осажденными слоями за счет уменьшения вероятности их разламывания при съеме, при установке подложек на пьедестале биссектрису угла между двумя смежными плоскостями преимущественного разрушения каждой подложки ориентируют параллельно плоскости, проходящей через оси стержней.

Номер патента: 1463059

Опубликовано: 30.01.1994

Авторы: Белов, Бритвин, Ваганов

МПК: H01L 21/28

Метки: выполнения, интегральных, межсоединений, микросхемах, элементов

СПОСОБ ВЫПОЛНЕНИЯ МЕЖСОЕДИНЕНИЙ ЭЛЕМЕНТОВ В ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМАХ, включающий выполнение на кристаллах в первом слое металлизации дорожек, соединяющих элементы с контактными площадками для контроля, контроль элементов и выполнение второго слоя металлизации с помощью фотошаблонов с контактными площадками для межсоединений, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа, контактные площадки для контроля элементов одинакового функционального назначения выполняют в отдельных минимально возможных по площади участках поверхности кристалла, после контроля элементов разрушают металлизированные дорожки, связывающие контактные площадки для контроля с бракованными элементами, а контактные площадки второго слоя металлизации формируют нанесением...

Номер патента: 1115630

Опубликовано: 30.01.1994

Авторы: Громов, Данцев, Хочинов, Черный

МПК: H01L 21/308

Метки: изолированных, монокристаллических, областей

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ИЗОЛИРОВАННЫХ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ОБЛАСТЕЙ, включающий нанесение маскирующего слоя на пластину монокристаллического кремния, травление через маску разделительных каналов, окисление рельефной поверхности, нанесение на окисленную поверхность материала подложки, удаление электрохимическим травлением монокристалла, отличающийся тем, что, с целью упрощения и повышения качества процесса вскрытия монокристаллических областей для кремния любой степени легирования и любого типа проводимости, положительный потенциал подводят к монокристаллу снизу через проводящий материал подложки, причем окно в окисном слое, обеспечивающее омический контакт, создают перед наращиванием материала подложки.

Номер патента: 1545877

Опубликовано: 15.02.1994

Авторы: Афанасьев, Бритвин, Ваганов, Червяков

МПК: G01L 9/04, H01L 29/84

Метки: интегральный, тензопреобразователь

...контактах 4-7 устанавливается напряжение, приблизительно равное половине напряжения питания. При отсутствии механических напряжений в области контактов возникающее при подведении питания электрическое поле обладает зеркальной симметрией относительной осей, проходящих от центрального контакта 3 к контактам 8-11. и при этом контакты 4-7 оказываются лежащими на одной эквипотенциальной линии. Следовательно, выходной сигнал преобразователяравен нулю. При приложении к упругомуэлементу 1 измеряемого воздействия в области контактов возникают механические5 напряжения, приводящие к возникновениюанизотропии проводимости кремния, Первоначальная симметрия электрического поля нарушается. В зависимости отнаправления приложения измеряемого воз 10...

Номер патента: 1369592

Опубликовано: 15.02.1994

Авторы: Гальцев, Глущенко

МПК: H01L 21/331

Метки: структур, транзисторных

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР по авт. св. N 1192542, отличающийся тем, что, с целью увеличения критического тока коллектора, после формирования низколегированной базовой области одновременно с эмиттерным окном вскрывают окно под контактную базовую область, которую формируют одновременно с высоколегированной базовой областью на глубину менее глубины залегания низколегированной базовой области, после чего покрывают маскирующим слоем окно под контактную базовую область и формируют эмиттерную область на глубину менее глубины залегания контактной базовой области на величину, не превышающую диффузионной длины неосновных носителей тока, инжектируемых из эмиттера в базовую область, при этом контактная базовая область выходит в...

Номер патента: 1568817

Опубликовано: 15.02.1994

Авторы: Мороз, Урицкий

МПК: H01L 21/76

Метки: диэлектрической, изоляции, создания

СПОСОБ СОЗДАНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИИ, включающий формирование пористого кремния электролитическим анодированием в плавиковой кислоте, окисление пористого кремния, отличающийся тем, что, с целью повышения качества диэлектрической изоляции за счет снижения величины встроенного заряда, пористый кремний формируют толщиной, не менее чем на 100 нм большей необходимой толщины изоляции, а окисление пористого кремния проводят в парах воды при давлении (5 - 15) 105 Па и температуре 750 - 950oС.