H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Страница 23

Установка для приваг»ки проволочных выводов

Загрузка...

Номер патента: 297090

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Волос, Кузьмичев, Онегин, Твердое

МПК: H01L 21/00

Метки: выводов, приваг»ки, проволочных

...закрепленного шарнирно на ползу- не 20, соединен другим плечом коромысла с двумя ведомыми пальцами 21 эксцентрика 22, который корректирует вывод на контактные площадки держателей 9, 10 сварочных инструментов, поворачиваемых вокруг осей 11, 12. Эксцентрик 22 через кронштейн 23 закреплен на плите 15, при перемещении которой сварочные инструменты отскакивают на шаг, равный расстоянию между контактными площадками кристалла. Держатели инструментов опираются на шток 24, соединенный рычагом 25 с распределительным кулачковым валом 8. Ползун 20 связан с валом 8 через шток 2 б.Для раздвигания держателей сварочных инструментов служит вилка 27, посаженная на ось 28, которая тягой 29 и рычагом 30 связана с валом 8. Для отгибки проволочного вывода на...

Ленточный сверхпроводник

Загрузка...

Номер патента: 297215

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Иностранна, Иностранцы, Луис, Соединениые, Соединенные

МПК: H01B 1/02, H01B 12/00, H01L 39/12 ...

Метки: ленточный, сверхпроводник

...модулем упругости и относительно малым электрическим сопротивлением при температуре ниже 20 К, Толщины обоих слоев обратно пропорциональны значениям модулей упругости металлов, из которых они выполнены.Ниобий или один из материнских металлов контактирует с одним из взаимодействующих металлов, таким как олово в случае ниобия, а затем подвергается воздействию тепла в атмосфере кислорода. Полученную ленту затем соединяют с двумя лентами металла, который имеет больший коэффициент теплового расширения, чем сверхпроводниковый материал (последний способен выдерживать напряжение, возникающее при свивании его в катушку или другую конфигурацию). Целостное соединение между наружными слоями и внутренней сверхпроводниковой прослойкой может быть...

Пьезокерамический материал

Загрузка...

Номер патента: 297998

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Дамбекалне, Фрейденфельд, Янсон

МПК: C04B 35/495, H01L 41/187

Метки: материал, пьезокерамический

...количествах, в вес. %;КЬ 20 зКзОКа 20КО (ВаО, МдО, СаО ,4 а стекла имеет следующий состав Щелочные и щелочноземельные окислы вводят в шихту в виде безводных карбонатов.Шихту размалывают в мельнице с агатовой или корундовой футеровкой и с такими же 10 шарами в среде абсолютного спирта. Послевысушивания при 200 - 250-С материал подвергают первому обжигу в порошкообразном состоянии при температуре 850 С в течение 5 час, затем измельчают до прохождения че рез сито 10.000 отв./слт 2, после чего вводят добавку стекла, прессуют заготовки размером 14 Х 10 Х 2 мл 1 под давлением 1000 кг/см 2, Вторичный обжиг проводят при 1000 - 1100 С в течение 2 - 5 час.20 Электроды наносят напылением серебра подвакуумом. Поляризацию образцов проводят в...

Способ разделения проскрайбированных полупроводниковых пластин на кристаллы

Загрузка...

Номер патента: 298015

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Чигринский, Шуваев

МПК: H01L 21/78

Метки: кристаллы, пластин, полупроводниковых, проскрайбированных, разделения

...получить замкнутый объем. После этого из. под мембраны откачивается воздух, под действием атмосферного давления мембрана прогибается, и пластина раскалывается на кристаллы.Известный способ разделения имеет следук 1- щие недостатки; необходимость ориентации кристаллов относительно отверстий в мембране, что усложняет устройство для осуществления способа и снижает производительность, а также ограниченность использования мембраны, определяемой размерами пластин и кристаллов,Предложенный способ позволяет использовать пластины и кристаллы различных размеров. Сущность способа состоит в том, что пластиу помещают без ориентации на мелкоячеечную сетку, изолируют ее от атмосферногления с помощью эластичной воздухонецаемой пленки, из-под...

Преобразователь изображения

Загрузка...

Номер патента: 298080

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Клюкин, Николаев, Степанов, Фабриков

МПК: H01L 31/12, H04N 5/335

Метки: изображения

...3, фотоди одный 4, светодиодный 5 слои, тонкая магнитная пленка 6, магнитный коллоид 7 и герметизирующее покрытие 8. К светодиодному слою 5 и полупрозрачному проводящему покрытию 2 прикреплены электроды 9.10 Преобразователь изображений работаетследующим образом,Несущий изображение свет проходит черезпрозрачную подложку, полупрозрачное проводящее покрытие, диэлектрический слой и 15 попадает на фотодиодный слой, где он преобразуется в электрический ток, заряжающий конденсатор, состоящий из полупрозрачного проводящего покрытия, диэлектрического и фотодиодного слоев.20 По окончании экспозиции полярность напряжения переключают, и заряд конденсатора стекает через фотодиодный и светодиодный слои, вызывая короткую вспышку свечения...

Низковольтный цифровой индикатор

Загрузка...

Номер патента: 298942

Опубликовано: 01.01.1971

Автор: Забелина

МПК: H01L 31/048

Метки: индикатор, низковольтный, цифровой

...1 ых (с помощью стекля 1 нных бус), Внутри корпуса расположены кристаллы 2, имеющие напылеснные контакты г. Поверхности 1 сртгсталлив защищаются полимерным покрытием. О Корпус сверху покрывается крышкой-маскойс прорезямн для вывода излучения. Маска представляет собой тонкую зачерненную пластину, имеющую семь прорезей, точно соответствующих прй наложении на борта корпуса 5 светящимся поверхностям кристаллов. Общаятехнологическая по "ледовательность операции при выполнении образцов следующая:получение р-гг-пере. сода на пластине полупроводника (фосфида галлия) способом дифф 1 знн и 1 н жндсостной эпнтаксии;298942 борк ставител Михайлов актор Н. ектор Н. Л. Бронска ак. 110/459. Изд.338, Тир ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и отк...

Термогенератор

Загрузка...

Номер патента: 298982

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Бочин, Горохов, Горшков, Качалов, Лебедев, Сидоров, Спорышев

МПК: H01L 35/06

Метки: термогенератор

...металлические гофры, Устройства прижима, расположенные снаружи теплопроводов, увеличивают габариты генератора и, кроме того, уменьшается надежность устройства за счет возможности внешних механических повреждений,В предлагаемом терхтогенераторе эти недостатки устранены за счет того, что система прижима выполнена в виде рессор со струбцинами и размещена внутри теплопровода.На чертеже представлен описываемый термогенератор.Термогенератор содержит источник 1 тепла, термоэлементы 2, теплопроводы 3, рессоры 4, гибкое соединение 5, струбцины б и 7, винты 8, трубу 9 и коллектор 10.Тепло от источника 1 поступает на горячие спаи термоэлементов 2, а с холодных спаев отводится теплопровода ми 3. Теплопроводы объединены коллекторами 10 через...

Выпрямительное устройство

Загрузка...

Номер патента: 299080

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Иностранец, Иностранна, Федеративна

МПК: H01L 25/03, H02K 19/36

Метки: выпрямительное

...снаоженныи нажимнои частью 10. дисковая ячейка 11 зажата ее контактными поверхностями 12 и сд между седлом Н сборнои шины и нажимной частью токоподвода. для зажатия дисковои ячеики пружинная деталь сначала насаживается на стержень токоподвода и поворачивается так, чгооы концы ее нажатием можно было завести под опоры ч. для фиксирования пружинной детали в этом положении опоры сборнои шины сделаны выпуклыми, а концы пружиннои детали - соответственно вогнутыми.Описываемь 1 и пример практического выполнения выпрямительного устройства используется для закрепления на подшипниковом щите генераторов трехфазного тока, ь этом случае дисковые ячеики вкладываются так, чтооы все аноды их или катоды оыли соединены с шиной.ьыпрямительное устройство...

Пьезокерамический материал

Загрузка...

Номер патента: 299873

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Веневцев, Дидковска, Климов, Патен

МПК: C04B 35/49, H01L 41/187

Метки: материал, пьезокерамический

...матернами свойствами 1 Сспек1 об 0,030; пС 330; йздХ0,55; Ям 60 1,55, 2 гОг 19,87,Пьезокерамический мате твердых растворов РЬ (2 г 0,4 - 0,6 с добавкой В 1 гОз 1.40 0,25 - 10 мол, %, отли с целью повышения электр теристик, он дополнительн четырехвалентного элемент 5 мол. %. на основз при х=мол. %ся тем, чтоских харакржит окисчестве 0,3 -риал хТ 11 - х) О0,5 - 5 аюи 1 ий физичесоде присоединением заявки. Дидковская, Г, Е, Савенкова,Изобретение относится к материалам, используемым в радиоэлектронике, а именно к пьезокерамическим материалам на основе твердых растворов цирконата-титаната свинца.Известен пьезокерамический материал на основе твердых растворов цирконата-титаната свинца, содержащий добавки В 1 гОз 1.1 гО и...

Управляемый линейный резистор

Загрузка...

Номер патента: 299874

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Крештал, Розенблат

МПК: H01C 10/14, H01L 27/092

Метки: линейный, резистор, управляемый

...для изменения положения движка, низкое быстродействие, невысокая надежность, малый срок службы.Цель изобретения - расширение предело изменения сопротивления липеаризованног полевого МДП-транзистора и повышении ег помехозащищенности.Для этого в предлагаемом устройстве подложки полевого МДП-транзистора через ре. зистор подключена к среднему выводу делителя напряжения.На фиг, 1 изображена принципиальная электрическая схема управляемого линейного резистора с фиксированной подложкой;2 - принципиальная электрическаяпредлагаемого устройства, в которойМДП-транзистор показан схематичесУстройство содержит полевой МДстор 1, делитель напряжения, состодвух, по возможности равных по вели зисторов 2 и 3 и дополнительного резистора 4,...

Электроизоляционная паста для полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 300911

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Баранник, Новоселова, Патентйо

МПК: H01L 23/22

Метки: паста, полупроводниковых, приборов, электроизоляционная

...материал , рэтих приборах.В настоящее время применяются электроизоляционные прокладки из слюды, лавсана и т. п. Введение электроизоляционных прокладок увеличивает тепловое сопротивление не только за счет ухудшения теплопроводности, но и за счет увеличения зазоров между соприкасающимися поверхностями.Электроизоляционные прокладки из керамики окиси бериллия, обладающей коэффициентом теплопроводности, равным коэффициенгу теплопроводности металлического алюминия, не ликвидируют зазоры между соприкасающимися поверхностями; кроме того, керамические прокладки очень хрупки и при затяжке растрескиваются. Применение клеевых компаундов нетехнологично, а использование жидких масел (веретенного, силиконового) затруднено.Целью изобретения является...

Устройство для нанесения тонких полимерных пленок

Загрузка...

Номер патента: 300912

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Ануфриенко, Стременов, Шутилин

МПК: H01L 21/00

Метки: нанесения, пленок, полимерных, тонких

...наружным кольцом подшипника 11, Полость 12 соединена с системой сжатого воздуха через управляемый клапан 13 и стабилизатор давления 14.Нижний конецвакуумную камеру 1 ннпусе б, не касаяськамера имеет лабиринтные уплотнения и соединена трубопроводом с вакуумной системойчерез клапан 1 б, На верхнем конце шпинделярасположен столик 17 для установки подложки. Пружина 18 служит для прижима 5малоинерционного диска 7 к тормозному кольцу 19, укрепленному в корпусе б,Сцепление малоинерционного диска с маховичком может осуществляться также сообщенивм полости 12 с атмосферой и,соединением полости 20 с вакуумной системой черезклапан 21.Описа ихное устройство работает следующи,м образом,Подложка укладьивается на столик 17, открьввается клапан 1 б,...

301773

Загрузка...

Номер патента: 301773

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Бадинтер, Зеликовский, Кишиневский, Шнайдерман

МПК: G01R 3/00, H01L 35/02

Метки: 301773

...2 лян спо уме р- и того, что на отрезок микропровода в сте ной изоляции наносят любым известным собом, например распылением в вак слои полупроводниковых материалов 5 тт-типа. т изобретения Способ 0 для измер соединения лиеаюи 1 ийс ствительно зок микроп 5 носят любь проводникоателя путем , от- чув- отреразовиятареишения , на ляци лои тпа. па олуИзобретение относится к области измерения параметров электрического тока, в частности к устройствам для измерения силы тока и напряжения,Известны способы изготовления термопреобразователей для измерения силы тока и напряжения путем соединения нагревателя и термоэлектрической батареи. Недостатком известных способов является то, что в процессе изготовления между горячими спаями...

Пдштно-техннчегядрijighoteka

Загрузка...

Номер патента: 301774

Опубликовано: 01.01.1971

Автор: Осипов

МПК: F25B 21/02, H01L 37/00

Метки: пдштно-техннчегядрijighoteka

...чертеже показана схема описываемого холодильника.Холодильник состоит из монокристалла 1, имеющего электрические контакты 2, и внешнего источника 3 постоянного тока. Моно- кристалл 2 изготовлен из материала, обладающего анизотропией термо-э,д.с., например из твердого раствора висмута с сурьмой, содержащего 1,6 ат, % сурьмы. Плоскости контактов составляют угол 45 с направлением, вдоль которого термо-э, д. с.,монокристалла максимальна. Монокристалл устанавливается между охлаждаемым объектом и тепловымстоком таким образом, что плоскость охлаждения Т, и плоскость теплоотвода Утакжесоставляют угол 45 с направлением, вдолькоторого термо-э. д. с, максимальна. Сечениемонокристалла выполнено так, что площадьтеплового контакта с охлаждаемым...

Оптический индикатор

Загрузка...

Номер патента: 302053

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Ещин, Игнаткина, Медведев, Меськин, Равич, Сильвестрова

МПК: H01L 33/00

Метки: индикатор, оптический

...контактам различных областей. Используется зависимость площади или длины светящейся области р - и.перехода от величины контролируемого напряжения.Недостаткоог таких приборов является малая чувствительность при значительном потреблении тока, который необходимо пропускать через сплошной р - гг-переход большой площади.Целью настоящего изобретения является создание прибора, обеспечивающего прп минимальной потребляемой мощности возможность эффективного визу ального контроля с одновременным цифровым отсчетом величины напряжения, а также возможность цветовой фиксации определенных уровней напряжения.Это д Я- щаяся л иостигается тем, что сплошная свет иния заменяется в предлагаемом пр инией из отдельных светярн той же длине и ширине т уменьшение...

Релаксационный диод

Загрузка...

Номер патента: 302770

Опубликовано: 01.01.1971

Автор: Чубов

МПК: H01L 23/482

Метки: диод, релаксационный

...один из электродов выполнен из магния. Активная площадь испытанного образца 0,6 см 2. При напряжении в схеме 30 в и максимальном токе П 1=40 ма, К;=400. Такой элемент обладает индуктивностью, эквивалентной двум миллигенри.При включении релаксода в цепь постоянного тока в проводящем направлении ток медленно нарастает примерно по экспоненциальной кривой, Среднее время релаксации 10 - 30 сек в зависимости от величины и продолжительности тока, пропускаемого в запорном направлении перед включением прибора,Минимальное релаксационное время исчисляется долями секунд.На чертеже представлена схема релаксационного диода, Диод состоит из магниевого электрода 1, медного корпуса 2, разделяющего слоя перекиси свинца 3 и слоя эпоксидной смолы 4. 10...

Способ изготовления интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 302771

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Завальский, Никишин, Петров, Шапошник

МПК: H01L 21/82

Метки: интегральных, схем

...состоянии, умень, ф 1 ф, цщения влияния паразитного р - п - р транзистора (так как сокращается время жизни неосновных носителей в его базе), уменьшения объема высоколегированной части тела коллектора, способной накапливать значительный заряд неосновных носителей при работе транзистора интегральной схемы в режиме насыщения.На фиг. 1 - -6 показано техническое осуществление предлагаемого способа на примере создания интегральных схем на основе пластины из р-кремния.Поверхность пластины 1 (см. фиг. 1) соответствующим образом обрабатывают, после чего на нее наносят слой 2 окисла кремния (см. фиг. 2), С помощью фотомаскирования производят травление окон в окисле (см, фиг. 3), после чего через окна в окисле осуществляют вытравливание...

Способ сборки полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 302998

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Богданов, Губырин, Додонов, Ермолаев, Захаренко, Мельников

МПК: H01L 21/98

Метки: полупроводниковых, приборов, сборки

...в виде хоккейной клюшки или крючка (фиг. 1). На концах зубьев могут быть выштампованы фигурные выступы в форме уступа, П-образные (фиг.2).Отрезки ленты (фиг. 3) могут располагаться в кассете зубьями в одну сторону или навстречу один другому в зависимости от расположения выводов диода,При сборке диодных матриц на отрезках металлической ленты 4 (фиг. 4) оформляют группы выводов, один из которых имеет форму, например, хоккейной клюшки, а другой - крючка. Для фиксации отрезков ленты при сборке на ленте отформованы фиксирующие отверстия 5,Перед сборкой на каждую ленту напаивают по два кристалла в одинаковом положении. На одну из лент кристаллы напаивают или на вывод в форме хоккейной клюшки, или на вывод в форме крючка.На другучо...

Магнитострикционный преобразователь

Загрузка...

Номер патента: 303676

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Гель, Еремеев, Имени, Лосев

МПК: H01L 41/00, H01L 41/06

Метки: магнитострикционный

...материала и разделеннык зазорами, равньомп половине рабочей длины волны.На чертеже изображен предлагаемый прсобр аз о в а тел ь.ПолуВолновье кольца экранов 1 из электро- проводящего нехЯгиитоотрикционного материала (например, серебра) нанесены на расстоянии,половины длины волны друг от друга на сердечник 2, выполненный из магнитострикционного материала. Весь сердечник расположен в поле возбуждающей катушки 3 и постоянного магнита 4. Толщина э(кранного слоя экраНов 1 выбирается равной глубине проникноВен ия поля (например, на уровне 0,1) . Пр и этом сердечник возбуждается полем катушки только в зазора.; между экранах.Аналоги НО Ожет 011 ть построен,т п 1 зеобразователь для возбуждения крутнльнык колебаний,5 Поакольку...

Установка для присоединения полупроводниковых кристаллов к подложкам микросхем

Загрузка...

Номер патента: 303678

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Голубовский, Лифл, Онегин, Салей

МПК: H01L 21/00

Метки: кристаллов, микросхем, подложкам, полупроводниковых, присоединения

...когорьх раз)сща)отс 5 и зякрсп 5)Отся в Опрс;с.П 01 Иоложснии подложки 5. Число сбо(очш(х гисзд раио числу позиций стола. Ня ;(сподиижпом Основании 6 расположспы .(сха- ПИЗМЬ ПОШТУ 11)ОЙ ИОДаИ И ИРИСОСДИПСНИ 5) К,) ИГгалс)ОВ Е ПОДЛ)ОЖКЯ, Ка)(ДЫП 3 К 1 ОРЬ(Х (; сдста 3 ляст сооой кс 1 рстк 3 7, псрс) сща)ощу 10- 51 1303 БРс 1 ТНО-ПОТУаТСЛЬНО и Рс 1 ДИЯ 1 Ы 10.,1 Пс)- ПряиЛС 13 И. Нс 3 Крои(ПТСЙПС 8 Кс 1 рСТКИ унрСПЛС- .Ы и ОПОраХ 9 Кас)СПИЯ ДВЕ рабОЧИС ГОЛОГКИ Иинструментами (1, осуцсствляющис захват ) рИСТс 3 ЛЛОВ, ПСрСИОС И.( и рябо)710 30 у И Ирнсосдипсппс к под,)ож)(ям. Псрссщспис карстки осуществлястся от привода 2. Г 1 одложки : агру)кяотся и соорочпыс гиездя из иякошпстя 1 э. Сьс)1 подложск с присос;псиными ериТаллс)1) И ОСМЩССТВЛ...

Устройство для групповой сборки полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 303679

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Никулин, Северинов

МПК: H01L 21/00

Метки: групповой, полупроводниковых, приборов, сборки

...кол магнит, а на верхней плоскости положены эластичная прокладк щие штифты для установки ш стичной прокладке и в верхней вания соосно с гнездами кас возныс отверстия, сооощающиеся с откачиемой полостью основания.На чертеже изображено устройство для групповой сборки полупроводниковых приборов.Устройство содержит полое основание 1 со встроенным кольцевым электромагнитом 2 и с прокладкой 3 пз эластичного материала, шаблон 4, установленный на прокладке 3 и зафиксированньш от перемещения штифтами 5, кассеты 6 и 7 с подпружиненным шибером 8. Полость 9 основания соединена с вакуумной системой, В верхней стенке 10 основания и в эластичной прокладке 3 выполнены соосно с гнездами кассет 6 и 7 сквозные отверстия, сообщающиеся с вакуумной полостью...

Комплект приспособлений для выполнения химико технологических операций

Загрузка...

Номер патента: 303680

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Нзобретен, Новиков, Тулинов, Тюл, Царекко

МПК: H01L 21/00

Метки: выполнения, комплект, операций, приспособлений, технологических, химико

...снабженного хвостовнком 4 с ориентирующей рабочую кассету концевой частью э н направляющими 6 для ориентации кассеты Л.Рабочая кассета 2 имеет выступ 7 для укладки пластин н посадочное отверстие д, Кассета 3 для межопсрационной транспортировки имеет углубления 9 для размещения пластнн 10 н направляющие отверстия 11. По профилю рабочей кассеты 2 в кассете 3 выполнены вырезы 12, при эток ежд профилем касссты 2 и вырезамн в кассете 3 предусмотрен рабочий зазор.Подготовленные к обработке пластины 10, размещенные в углублениях 9 кассеты 3, поступают на рабочее место. Кассета 3 опускается на рабочую кассету 2, размещенную на приспособлении 1 и ориентированную с помощью концевой части 5 н хвостовика 4. При опускании кассета 3 ориентируется...

Выпрямительное устройство

Загрузка...

Номер патента: 303816

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Иностранец, Иностранна, Сименс, Федеративна

МПК: H01L 25/03, H02K 19/36

Метки: выпрямительное

...рас от другого сквозных отверстия поперечным сечением, Каждое стий открыто с одной на)ружц Боковое отверстие 14 имеет,моугольное сечение. В каждом цз трех отверстий ны две плоские выпрямнтельцы30386 тз 15 1 д Изд.Подпис по делам изобретени ете Министров СССР успская наб., д. 4,5 Заказ 254/9 Тираж 473 ЦНИИПИ и открыт Моск16 и вложенный между ними токоподвод 17,имеющий 1.1.образную форму.Токоподвод имеет на концах две контактные поверхности 18 и ЫНа чертеже контактные поверхности вы.полнены выпуклыми, а контактные поверхности выпрямителеи - плоскими. Однако можно сделать контактные поверхности вентилейвыпуклыми, а поверхности - плоскими.Важно лишь, чтобы при сборке выпрямиельного устройства имелась возможностьзменения угла наклона одной...

Высоковольтный полупроводниковый выпрямительный блок

Загрузка...

Номер патента: 303926

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Ефремиди, Саралидзе

МПК: H01L 25/03

Метки: блок, выпрямительный, высоковольтный, полупроводниковый

...керамические импульсные коцдсцсятоь.В СРязц С ЭтГ М ПОВЫПГЯЕтея КОЭСГ)1)ГГС стт ВЬТГгтЯ)ЧРЦЦ, УМРЦЫЦсцОТС 51 ГТОТРГ)Г МО 31)10"ТТГ П ) 31,1)тг(Тс с( К Ц 1. ЯГГ)СГЯТЛ, ПП И(10 ЧГ)ЗРВЛ- )ч )гцц 13 ыцгстмтгт(ьгр) блоес гпс 11 Ялг.цг,х ллгБГЦ 1 ЦЫС Б( ЦТССй Р.,ЦГС) с)ТГЛ )ЯР) т;( Ч )Ц)ГТГ В ШУГТГ 1)УЮП 1 ИХ КОГЛСЦС 3 ОГ)ЯХ. ТЯЕ ЕЛК ППОЛО 1)ЦЯЯ Г 11)0( Ь С ОВОКУПЦОГТЦ ХЕЛЗЛЦГГ ТЫ-т Г Р ц ц Г ц 13 т т 3 у с Л Ь И Ь 1;); ( 1 Г) .)3 С) Т р 1 С) у Ю 1 ЦГ Х Э Е П Л ГО В)О 1)С"1 ЛТОЧ)Л,1 Г 151 ООРГПРЧС.1 Ия 1(ОПМЛГП)03 Т)с 100 ТТ)Г Г 31 ПП 511 ЦТ( Лвпой УГТЛ ПОВ 1(ц.Вллголлря рсдссгясх 03 г стсмс эк)дцироЯЦИОГО ВЫГПЯМЦтсЛЬЦОГО ОЛОКД Л,Я БЫРЯВГП Л ц я )Ясчтрсдслсцця цяцряжсшя диягичс 3) ГЕПХ рсж;)ОГ Зцячцтел ПО ООЧГГ).:ТГя ВОГ.ГнгЕй...

Автоматическое устройство для поштучной выдачи плоских заготовок малой толщины

Загрузка...

Номер патента: 304879

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Арбит, Штейнберг

МПК: H01L 21/00

Метки: автоматическое, выдачи, заготовок, малой, плоских, поштучной, толщины

...8 с вакуумным присосом 9,15 Бункер, накопитель и фиксатор установлены таким образом, что цх рабочие элементыплотно прилегают к поверхности вращающегося диска. Параллельные планки 1 и б накопителя образуют канал ц смещены одна от 20 носцтельно другой.На выходе накопитель снабжен вакуумнымотсекателем в виде двух прцсосок 10 и 11.Планка 4 имеет скос, обеспечивающий отводкристаллов, не попавших в канал.25 Для поштучной выдачи деталей с определенным интервалом путем разделения последнцх в электростатическом поле вращающийся диск 1 выполнен цз электролцзующегося материала, а планки 2 и 3 бункера, за 30 крытые сверху степкой, установлены под угрректор Н. Аук Рсдактор Б. федотов Заказ 16213 Изд. ЬЪ 467 Тираж 780 ПодписноеЦНИИПИ...

Способ измерения температуры электроннодырочного перехода полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: 305524

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Аси, Тоомсоо

МПК: G01R 29/00, H01L 21/00

Метки: перехода, полупроводникового, прибора, температуры, электроннодырочного

...напряжения.Цель настоящего изобретения зв повышении точности измерения.Это достигается применениемтемпературно-чувствительного пара пературцой завцсимостц напряжения лавицообразовакня в обратном направлении.Предлагаемый способ осуществляется следующим образом, Через тцристор цлц вентиль5 пропускают в обратном направлении измерительный обратный ток определенной величиныц измеряют обратное напряжение на тиристоре цли вентиле.Температуру полупроводниковой структуры10 определяют по заранее известной температурной зависимости напряжения в лавинном пробое,Величина измерительного обратного токасоответствует режиму лавинного пробоя, но15 достаточно мала, чтобы не вызвала значительного дополнительного нагрева полупроводниковой...

Способ определения влагозащитных свойств изоляционных материалов

Загрузка...

Номер патента: 305525

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Кудр, Плешивцев

МПК: H01L 21/66

Метки: влагозащитных, изоляционных, свойств

...вблизи поверхности полупроводника (возникновение граничного слоя), 25 изменение абсорбционных свойств поверхности полупроводника.Принципиальная схема испытания приведена на чертеже, где 1 - источник регулируемой влажности; 2 - измерительная камера;30 8 - чувствительный полупроводниковый элеЗаказ 2035 П 4 Изд. Ы 854 Тираж 473 )1 одпнсноеЦНИИПР Коиитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, К, Раушская наб д, 4,5 Типография, пр. Сапунова, 2 мент; 4 - испытуемый материал; 5 - блок измерения тафф.н н заряда полупроводника.П р и м е р в ы п о л н е н и я. Предварительно готовят чувствительный полупроводниковый элемент, который представляет собой травленую плоскопараллсльную пластину германия с электрическими...

Способ определения энергии активации диффузии тонких пленок

Загрузка...

Номер патента: 306427

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Баталов, Линник

МПК: G01R 29/00, H01L 21/00

Метки: активации, диффузии, пленок, тонких, энергии

...толщины. Зависимость коэффпцг числа и, продиффундир в скин-слой толщиной Л мени Л 1 выражается фор Энергия активизации диффузии Еляется из соотношения:Заказ 2030/4 Изд. Мо 858 Тираж 473 ПодписноеЦИИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж, Раушская нгб., д. 4,5 Типография, пр. Сапунова, 2 Для определения энергии активации диффузии из исследуемого материала изготовляют образец в виде полого резонатора. Необходимую для измерений толщину скин-слоя, в которой диффундируют частицы газа, выбирают, варьируя геометрические размеры резонатора и величину частоты, на которой проводят измерения. После этого поддерживают неизменным давление исследуемых газов над напыляемой поверхностьо, изменяют...

Способ измерения эффективного времени

Загрузка...

Номер патента: 306512

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Арцис, Кричевский

МПК: H01L 21/66

Метки: времени, эффективного

...временижизни неосновпых носителей заряда в р-и- переходе полупроводникового прибора по величине извлеченного заряда, отляаюцийая тем, что, с целью повышения точности измерения за счет исключения влияния собственной емкости и обратного сопротивления измеряемого р-п-перехода, на переход подают ток синусоидальной формы, частоту которого после довательно изменяют до достижения извлеченным зарядом своего максимального значения, и далее по полученному значению частоты определяют эффективное время жизни неосновных носителей заряда как величину, 30 обратную этой частоте. зобретение относится к сени физических параметров овь приборов.Известные способы измерения эффективного времени жизни с неосновпых носителей заряда в базе...

Установка для герметизации полупроводниковыхприборов

Загрузка...

Номер патента: 306513

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Антонцев, Белов, Вушкин, Занов, Лобиков, Мишуков, Трофимов, Фюрст

МПК: H01L 21/00

Метки: герметизации, полупроводниковыхприборов

...следуощцм образом.Оператор на позиции обслужцза;пя устанавливает на монтажный столик кассету с приборами, подлежащими герметцзацш. После этого рычаги 12 сводятся, захватываот кассеты на рабочей позиции пресса ц снимают их с фиксирующих штырей 29, Затем ротор 11 поворачивается на 180 ц переносит холодную кассету, установленную оператором, на рабочую позицшо пресса, а кассету с загерметизированными приборами - с рабочей позиции пресса на позицию оператора. Это обеспечивается устройством 10 для загрузки и выгрузки приборов.Устройство 10 и поворотный стол 2 1 рцводятся от общего двигателя, Кривошн; 3 мальтийского механизма привода стола, вра 10 15 20 25 30 35 40 45 50 ц 1151 сь, ново;)ячцВаст двухцеВОчны с)5 Вошцц 14, 1 оторый связан с...