Омельяновский

Номер патента: 1435068

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Копецкий, Мессерер, Омельяновский, Пахомов, Поляков, Шаповал

МПК: H01L 21/223

Метки: активных, арсениде, галлия, кремнии, пассивации, центров, электрически

1. Способ пассивации электрически активных центров в кремнии и арсениде галлия, включающий проведение диффузии атомарного водорода ил тлеющего разряда в кремний или арсенид галлия, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и воспроизводимости пассивации по глубине полупроводника, диффузию атомарного водорода проводят путем выдержки кремния или арсенида галлия при температуре 500 - 670oС соответственно в течение времени, определяемого из формулыгде Nx - концентрация водорода в полупроводнике на глубине x, ат ...

Номер патента: 1400464

Опубликовано: 20.07.1999

Авторы: Балмашнов, Голованивский, Иванов, Омельяновский

МПК: H05H 1/00

Метки: аморфного, гидрогенизированного, кремния, нанесения, пленок

1. Устройство для нанесения пленок аморфного гидрогенизированного кремния, содержащее магнитную систему, вакуумную систему, подложкодержатель, источник высокочастотной энергии и резонатор с отрезками запредельных волноводов, отличающееся тем, что, с целью увеличения скорости осаждения пленок при уменьшении энергозатрат на поддержание магнитного поля и повышения коэффициента использования исходного материала путем создания в резонаторе плазмы с плотностью выше критической и поддержания ее в условиях верхнегибридного резонатора, устройство дополнительно содержит диэлектрическую вакуумную трубу, охватываемую резонатором, расположенную соосно с последним, и коаксиальные относительно вакуумной...

Номер патента: 1551163

Опубликовано: 20.07.1999

Авторы: Балмашнов, Голованивский, Омельяновский, Поляков

МПК: H01L 21/02

Метки: генератор, диссоциированных, молекул, потока

1. Генератор потока диссоциированных молекул, содержащий систему формирования магнитного поля, кварцевую камеру, размещенную в резонаторе с двумя соосными отверстиями, через которые внутренняя полость камеры при помощи двух трубчатых отводов сообщается с системой напуска газа и системой откачки, отличающаяся тем, что, с целью повышения доли диссоциированных молекул в потоке газа, система формирования магнитного поля выполнена в виде постоянного магнита, торцы полюсов которого параллельны торцам резонатора и перпендикулярны оси камеры, и пусковых катушек намагничивания, охватывающих резонатор и соосных камере, а оси трубчатых отводов перпендикулярны оси камеры и расположены в ее центральной...

Номер патента: 1376846

Опубликовано: 30.07.1991

Авторы: Болгов, Глушков, Малютенко, Мороженко, Морозов, Омельяновский

МПК: H01L 21/66

Метки: однородности, полупроводников

...составляет 2"6 мкм.Таким образом, его можно применять для контроля однородности соста-.ва полупроводников со значением Е0,2-0,6 зВ и для контроля однородности распределения примесей в полупроводниках с Е 0,2 эВ. Минимальноразличимая разность. температур тепловизора АСАсоставляет 0,2 Кпри ЗОО К. Переводя по формуле Планкатемпературную разрешающую способностьв энергетическую, устанавливают, чтоминимально различимая разность потоков теплового излучения (Ь , фиксируемая данным прибором, (ь 1) =щ 110 Вт/см.Теоретически или экспериментальноградуируют используемый прибор в единицах Е или х дЛя конкретного полупроводникового соединения, находящегося. при заданной температуре вышефоновой.Теоретически интенсивность 1 теплового излучения...