Белобровая

Номер патента: 1591751

Опубликовано: 10.07.1999

Авторы: Белобровая, Биленко, Медведев, Мокеров, Пылаев, Слепнев, Ципоруха

МПК: H01L 21/205

Метки: арсенида, галлия, основе, структур, эпитаксиальных

Способ получения этипаксиальных структур на основе арсенида галлия, включающий осаждение на нагретую подложку арсенида галлия буферного слоя с последующим осаждением рабочих слоев, освещение структуры в процессе осаждения буферного и рабочих слоев оптическим излучением с длиной волны = 0,6328 мкм и регистрацию временной зависимости интенсивности отраженного монохроматического излучения, отличающийся тем, что, с целью повышения качества осаждаемых рабочих слоев, осаждение буферного слоя прекращают после достижения интенсивностью регистрируемого отраженного излучения постоянного уровня в момент времени t3,...

Номер патента: 993775

Опубликовано: 10.07.1999

Авторы: Белобровая, Биленко

МПК: H01L 21/66

Метки: контролируемого, подложка, создания, структур, эпитаксиальных

Подложка для контролируемого создания эпитаксиальных структур GaAs и твердых растворов на его основе, содержащая слой GaAs, отличающаяся тем, что, с целью повышения точности контроля, она содержит внутренний отражающий слой Ga I-xAlхAs при 0,2 < x < 0,5 мол.долей.

Номер патента: 1791761

Опубликовано: 30.01.1993

Авторы: Белобровая, Биленко

МПК: G01N 21/35, H01L 21/66

Метки: группы, деформации, относительной, полупроводниковых, постоянной, решетки

...величины - существенно повышает точность измерений иисключает неконтролируемую однозначи 50 ность, связанную с наличием нарушенногоповерхностного слоя,Способ осуществляется следующим образом,Для определения йсследуемого типа по 55 лупроводникового материала предварительно экспериментально получаюти Ьа ЬВзависимость типа -- . Для этого дляаряда образцов независимым способомэлектрохронографически либо рентгеноЫ Вг - В 1и по рассчитанному знацению - Вп номерность; зависимости В 1- ) и Вг ( - )Ьа Ьаа аНосят неоднозначный характер, и порозньЬамало чувствительны к значению - , как поаказана на фиг,2,Проведенные исследования показали,что можно найти такую функциональную зависимость измеренных величин, котораяобесйечит высокую...