H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 908199

Опубликовано: 15.10.1982

Авторы: Друй, Скибенко, Юферов

МПК: H01L 39/06

Метки: криогенный, токоввод

...в канале падаетдо атмосферного. После дросселированиятемпература гелия понижается до 4,2 К,большая часть гелия переходит в жидкуюфазу. Жидкий гелий собирается на дне сосуда, испаряется, охлаждая токоввод сосверхпроводящим кабелем, напаянным накорпус сосуда. Для защиты жидкого гелияот направленного потока газа, выходящегоиз дроссельного устройства, применяется 20экран, расположенный под дросселем. Наддроссельным устройством установлены сетки, препятствующие прохождению капельгелия совместно с обратным потоком холодного газообразного гелия. Капли оседают на сетках и стекают в сборник жидкогогелия.На чертеже приведен пример выполнения предлагаемого токоввода. В вакуумномкорпусе 1 расположен экран 2, охлаждаемый, например, потоком жидкого...

Номер патента: 966794

Опубликовано: 15.10.1982

Авторы: Завалишин, Куршев, Мороз

МПК: H01L 21/00

Метки: транспортирования

...запрессованными в него по периферии равнорасположенными четырьмя магнита" ми 8, например, из феррита бария, кон" тактирует через воздушный зазор с контактом 16. Электродвигатель 15 (3000 об/мин ) приводит во вращение ведущее колесо 10 конвейера 2, ведомое колесо 9 вместе с расположенным на одной оси с нии диском 7. Колеса, выполненные из винипласта (ф 180 мм) имеют 4 паза, расположенные по окружности на равном расстоянии ( глу" бина 20 мм, ширина 25 "ми ). Диск 7 мо- . жет проворачиваться для регулирования времени между выдачей команды на подачу пластин, при вращении поочеред" но подводит свои магниты 8 к контакту 16, загерметизированному во фторопластовую трубку. В момент прохода магнита мимо контакта последний замыкает свои контакты...

Номер патента: 966795

Опубликовано: 15.10.1982

Авторы: Каяри, Тарс, Феоктистов, Чаусов

МПК: H01L 23/34

Метки: преобразовательная, ячейка

...отверстия дпя пропуска стоек 4 и 5. По креям основанияимеются ребра 15, направн в ту жесторону, что и ребра 2 радиатора 1, Покраям основания за ребрами 15 имеютсяотверстия 16 дпя креппения всего устройства к монтажной ппате 17, котораяодновременно явпяется стенкой воздушного канапа. Креппение осуществпяетсяпри помощи винтов, не показанных нафиг, 1,Возможны и другие способы сборкиустройств в преобразоватепь, например сбоковыми фигурными стойками, В этом 6795 фспучае форма краевых участков основания13 может быть другой.Сборка устройства происходит в такойпоспедоватепьности,На радиаторе 1 устанавливают стойки4, 5 и одевают на них эпектроизопируюшие втулки 6,.7.На радиатор 1 устанавпивают попупроводник 12, фиксируя его положение...

Номер патента: 966797

Опубликовано: 15.10.1982

Авторы: Гуга, Малютенко, Манюшите, Сашук

МПК: H01L 29/82

Метки: магниточувствительный, прибор

...вбли-зи освещенной грани, в зависимости отнаправления магнитного поля прижимаются силой Лоренца либо к освещенйойграни с изменяющейся скоростью поверхностной рекомбинации, либо к ее противоположной.Если носители прижимаются к освещенной грани с изменяющейся скоростьюповерхностной рекомбинации, то в полупериод, когда скорость поверхностной рекомбинации уменьшается, носите- фли накапливаются у этой грани, времяжизни их увеличивается и сопротивление прибора падает. В следующий полупериод, когда скорость поверхностнойрекомбинации увеличивается, носители,прижатые к освещаемой гр-ни, рекомбинируют с большей скоростью, т. е,. время жизни их уменьшается и концентрацйя носителей падает - сопротивлениеприбора возрастает. В результате это- фго на...

Номер патента: 968868

Опубликовано: 23.10.1982

Авторы: Рагульскис, Улозас, Штацас

МПК: H01L 41/09, H02N 2/12

Метки: вибродвигатель

...для передачи ударных импульсов. Величина амплитуды изгибных колебаний примерно в десять раз больше, чем величина амплитуды продольных колебаний, и, так как изгибные колебания направлены по тангенциальному направлению к поверхности ротора, то они резко увеличивают мощность вращения ротора, В этом случае продольные колебания играют второстепенную, но тем не менее важную роль, так как они дополнительно прижимают вибратор к поверхности ротора. Поэтому получается более оптимальная траектория движения подвижного конца вибратора, позволяющая повысить мощность, Как видно из фиг. 1, контактсная площадь взаимодействующих концов 10, становится большей, что позволяет повы.- сить передаваемую мощность и надежность сцепления между вибратором...

Номер патента: 968869

Опубликовано: 23.10.1982

Авторы: Жукас, Купчюнас, Любинас, Рагульскис, Чичинскас

МПК: H01L 41/09, H02N 2/12

Метки: вибродвигатель

...используемые в. переменного напряжения; а другой вход - вибродвнгателях, работают на частотах к Выходу высокочастотного генератора, основного резонанса или нечетных гармоуправляющий вход которого соединен с ник (большие резонансные амплитуды по- управляющим входом коммутатора и с вы- лучаются только на нечетных гармониках), ходом формирователя импульсов, ЗО то для уменьшения потерь энергии и доНа чертеже представлена схема вибро- стижения больших амплитуд колебаний надвигателя. конечника частота высокочастотного геРотор 1 сопряжен с преобразователем нератора 9 соответствует частоте одной 2, подсоединенным к генератору перемен- из высших нечетных гармоник, например ного напряжения 3, который через атте- пятой или седьмой гармонике,...

Номер патента: 774476

Опубликовано: 30.10.1982

Авторы: Аверкиева, Грехов, Костина, Прочухан, Семчинова

МПК: H01L 21/363

Метки: полупроводниковых, структур

...95 мг фосфора, Ампулу вакуумируют, запаивают и помещают в печь, позволяющую на определенном этапе отжига создавать градиент температуры, Ампулу нагревают в изотермических условиях до 1000 С, выдерживают при этой температуре в течение 1 ч, проводят охлаждение в режиме выключенной печи до 450 С, а затем продолжая охлаждение, создают градиент температуры 10"/см с таким расчетом, чтобы кремниевая пластинка и тигель находились в более горячей зоне, а остаточный фосфор отгоняли в более холодную зону.Установлено, что при этом на поверхности кремниевой пластинки с исходным дырочным типом проводимости (р 20 ом см) образуется слой с электронным типом проводимости, Исследования на микрорентге 10 15 0 25 30 35 40 45 новском анализаторе позволили...

Номер патента: 970515

Опубликовано: 30.10.1982

Авторы: Исакеев, Медведев, Носков

МПК: H01L 23/34

Метки: охлаждением, полупроводниковый, принудительным, силовой

...7 и стянутых болтами 8 гибких трубопроводов 9, диэлектрических50 вставок 10 и конденсатора, состоящего из двух отдельных секций 11 и 12.Охлаждающие ребра 4 имеют вертикальные каналы 13, которые образуют 55 внутреннюю замкнутую полость, к верхней части которой присоединены гибкие трубопроводы 9. Каналы охлаждающих 5 4ребер заполнены жидким теплоносителем 14, температура кипения которогона 20-25 О С выше температуры кипениядиэлектрической жидкости,При прохождении через полупроводниковые приборы 3 электрическоготока выделяемое ими тепло передаетсяохлаждающим ребрам 4, температура ихнаружной поверхности повышается иконтактирующая с ней диэлектрическая.жидкость 2 начинает кипеть. Образующийся при этом пар поднимается вверхнюю часть...

Номер патента: 833119

Опубликовано: 07.11.1982

Авторы: Берковская, Кириллова, Муратиков, Подласкин, Суханов

МПК: H01L 31/06

Метки: фоточувствительный, элемент

...р-и - переходом регистрирующего элементаЭто достигается тем, что легированный наружный слой ЗО выступает над диэлектрической маской, а легированная экранирующая рамка нв имеет окантовки. Тем самым носители, рожденные слабопоглащаемым светом в основном разделяются р-и - переходом З 5 регистрирующего элемента. Носители, созданные глубокопоглощаемым светом в этом промежутке, либо рекомбинируют на тыльной стороне ив слоя, либо раэ" деляются обоигли р-и - переходами в 40 равной мере.Таким образом, в таком устройстве достигается уменьшение линейных размеров элемента, Ширина внешней диэлектрической рамки и экранирующей рамки может быть выбрана существенноменьше В.Сущность изобретения поясняется чертежом, на котором дано поперечное сечение...

Номер патента: 972421

Опубликовано: 07.11.1982

Авторы: Подольный, Телегин

МПК: H01L 21/66

Метки: неразрушающего, полупроводниковых, структур

...оконтролируемом параметре. заключена вплощади части гистрограммы, заключенноймеждУ каналами Х 1 и Мк, позволЯет заменить сложный многоканальный анализатор с нижним порОгом .)пн, соответствующим каналу Я 1, и верхним порогом )вв,соответствующим каналу Ы, и верхвимпорогом Цщ, соответствующим каналу М(фиг. 2),Устройство содержит источник 1 света,луч которого проходит через блок 2 сканирования и фокусировки, электролитическуюкювету 3 с погруженным в электролитконтролируемым образом, усилитель 4, квыходу которого подключен анализатор 5,устройство 6 регистрации и КЯ-триггер 7.Анализатор 5 содержит компаратор 8 верхнего порога, компаратор 9 нижнего порога,схему 10 антисовпадений и ключ 11,Устройство работает следующим образом.При оптическом...

Номер патента: 972422

Опубликовано: 07.11.1982

Авторы: Гордеев, Захаров, Казанцев, Псахис

МПК: H01L 21/66

Метки: полупроводниковых, пробивного

...источник смещающего напряжения, токоограничительный резистор и дополнительный корректирующий зонд, причем источник смещаюгцего напряжения через токоограничительный резистор включен между измерительным и корректирующим зондами в полярности прямого смещения контакта измерительного зонда,На чертеже представлена функциональная схема устройства для измерения пробивного напряжения полупроводниковых материалов.Устройство содержит источник 1 нарастающего напряжения, зондовую головку 2 с токоподающими зондами 3 и 4, измерительным зондом 5 и корректирующим зондом 6, токосъемный резистор 7, осциллограф 8, источник 9 смешающего напряжения и токоограничительный резистор О. ВходХ осциллографа 8 подключен к измерительному зонду 5, а вход У - к точке...

Номер патента: 972616

Опубликовано: 07.11.1982

Авторы: Дьяченко, Ивановский, Колесов, Николаев

МПК: H01L 21/18

Метки: светодиодов

...сферической рабочейповерхностью, Вторым рабочим электродом устройства является опора 2,также связанная через переключатель3 с генератором 4, В полости цилиндра 1 установлен снабженный пружиной6 контактный датчик, Подвижный полый цилиндр 1 и съемный электрод 5являются электродами-инструментами фдля формообразования, Датчик 7 соединен с электроизмерительным прибором 8.З 5Устройство рабОтает следующимобразом.Включают электроискровой генератор 4 и, перемещая цилиндр 1 всторону опоры 2, электродом 5 изго Отовляют в опоре полусферическуюлунку 9 (фиг.2), соосную с цилиндром 1. Затем удаляют электрод 5,располагают на опоре 2 (в зазоремежду цилиндром 1 и опорой 2) полупроводниковую пластину 10 контактомк р-области таким образом, чтобыконтакт 11...

Номер патента: 972617

Опубликовано: 07.11.1982

Авторы: Лубяный, Шиловский

МПК: H01L 21/66

Метки: комплектовщик, полупроводниковых, приборов

...комплектовщик состоит иэ механизма 1 загрузки с барабаном 2, несущим полупроводниковые приборы 3, входящие в соприкосновение с контактами 4 измерительного блока 5, взаимодействующего с блоком 6 управления, управляющим механизмом 7 раскладки, снабженным воронкой 8, в боковой стенке которой размещено прикрытое подвижным щитком 9 сопло 10, и соединенной с укладчиком 11 гибкой трубкой 12. Приемные емкости 13 установ,пены в координатных отверстиях сферической детали 14 и снабжены поворотными заслонками 15 с противовесами 16 Сопло 10 соединено с клапаном 17 трубкой 18. Под приемными емкостями 13 установлен приемник 19 комплектов, оборудованный устройством 20 выдачи комплектов. Комплектовщик работает следующим...

Номер патента: 972618

Опубликовано: 07.11.1982

Авторы: Батенев, Костенко, Огай, Свиридов

МПК: H01L 21/68

Метки: кассета, микросхем

...дополнительного основания 2 и фиксаторов 3.Основание 1 содержит. выступы 4,Основание 2 содержит лепестки 5 иокна 6. Фиксаторы 3 выполнены С -образной формы с выступами 7 и 8 вдолькромок, соприкасающихся с поверхностью радиоэлемента. Торцы выступовзакруглены,Основание 1 выполнено иэ оптически прозрачного материала, напримерплексигласа или другого прозрачногоматериала, обладающего упругой деформацией. Эта планка является основной, на которую крепятся остальные детали, при этом она должнасохранять свою прямолинейную форму.Выступы 4 выполнены с шагом, кратнымшагу размещения микросхем, и служатдля захвата кассеты при перемещенииее в автомате. Лепестки 5 основания2 загнуты и закрепляют два основанияи фиксаторы. Основание 2 выполненоиз мягкого...

Номер патента: 504435

Опубликовано: 15.11.1982

Авторы: Баязитов, Галяутдинов, Зарипов, Хайбуллин, Штырков

МПК: H01L 21/265

Метки: легирования, полупроводников

...20Экспериментально было установлено, что процесс электрической активации и устранения радиальных нарушений при гветовом облучении происходит практически мгновенно. Поэтому, при использовании 25 коротких импульсов светового излучения 1 например, длительностью й 15 нс) не должно происходить диффузионного перераспределения внедренной примеси, Таким образом, предлагаемый способ элек- щ трической активации внедренной примеси и устранения рациационных нарушений в ионно легироранном слое позволяет реализовать такой режим, при котором профиль распределения внедренных атомов35 примеси практически сохраняется неиз-. менным.Предлагаемыйспособ позволяет путем соответствующего выбора значений интенсивности и длины волны светового излучения...

Номер патента: 974463

Опубликовано: 15.11.1982

Авторы: Василенко, Ройзин

МПК: H01L 21/66

Метки: зонд, измерительный, ртутный

...иглуи механизм перемещения ртути к измеряемой поверхности, состоящий из магнита 2, к которому крепится емкость 3, заполненная жидкостью 4, в которой имеется пузырек газа. Емкость снабжена нагревателем 5, который может быть размещен снаружи или внутри ее (фиг, 2), и сообщается с капилляром 6, заполненным ртутью 7. Капилляр 6 выполнен аксиально в диэлектрическом, не смачиваемом ртутью диске 8. Электрический контакт 9 между ртутью и магнитом иглы выполнен из металла, не взаимодействующего со ртутью. Между ртутью и жидкостью емкости размещена мембрана 10.Зонд работает следующим образом.При опускании зонда на исседуемую поверхность и включении нагревателя 5 жидкость 4 расширяется и выталкивает ртуть в капилляре 6 к поверхности образца, На...

Номер патента: 974464

Опубликовано: 15.11.1982

Автор: Гапоненко

МПК: H01L 35/02

Метки: теплоэлектронное

...теплоизолирующую подложку 2 приводит к некоторому снижению температуры вдали отисточников тепла, Первая гармоникапеременной составляющей рассеиваемоймощности при противофазном изменениисигналов в источниках тепла имеет составляющие разного знака. Если источники 3, 5, б и 4 тепла входного электротеплового преобразователя 7 управляются в порядке очередности противофазными сигналами, то на осях симметриитеплопроводящего основания 1 координаты хр .первая гармоника 9 равна нулю,а в зонах между ними 9 поочередноменяет знак. Если координате х источника 3 тепла соответствует положительное значение 9 , то коодинате х,источника 5 тепла соответствует отрицательное значение 9При симметричном расположении датчиков 13, 14, 16 и 17температуры на...

Номер патента: 766467

Опубликовано: 23.11.1982

Авторы: Мелихови, Рубинович

МПК: H01L 31/02

Метки: жесткого, излучения, ионизирующего, мозаичный

...соответственно;д,д - оптимальные толщины усиливающих экранов из материала с плотностью уи из свинца,В литературе отсутствуют данные подействию боковых усиливающих экранов, в качестве которых функционируют боковые стенки сот предлагаемого преобразователя. Поэтому авторами были произведены расчеты действия боковых усиливающих экрановметодом Монте-Карло.На фиг, 2 приведены зависимостиотношения сигнал/шум (а ) и сигнала (б ) от толщины бокового усиливающего экрана из свинца для 53 дефекта и энергий излучения 10 и 20 МэВпри постоянном расстоянии между центрами соседних датчиков, т,е. при постоянном размере элемента изображения,Из графиков видно, что оптимальная толщина усиливающего экрана изсвинца составляет 0,3 мм, При использовании...

Номер патента: 585772

Опубликовано: 30.11.1982

Авторы: Воронин, Скакодуб, Щербаков

МПК: H01L 23/04, H01L 29/78

Метки: полевой, транзистор

...затврра, а также тем, что токовыводы стока и истока расположеныперпендикулярно токовыводу затвора, 30или тем, что токовыводы стока и истока расположены параллельно и направлены в противоположную сторонутоковыводу затвора.Кристаллодержатель также может 35быть изготовлен из других материалов,таких как лейкосапфир, окись магнияили .окись берилдия.На фиг, 1 и 2 схематично даны дваварианта конструкции полевого транзистора, разрез и вид сверху.Полевой транзистор содержитполупроводниковую структуру 1, кристаллодержатель 2, токовывод 3 истока, токовывод 4 стока, токовывод 5 45затвора. Кристаллодержатель 2 выполнен в виде ступенчатой .Фигурнойпланки (см. Фиг. 1), токовывод затвора установлен по оси симметриипланки, а токовыводы истока.и...

Номер патента: 978083

Опубликовано: 30.11.1982

Авторы: Водотовка, Галкин, Глазков, Скрипник

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: носителей, подвижности, полупроводниках

...дЬ(цс) дФМо) ьаЮц,) ФФо,) С - О и54П 4 иЯ =Щит) с 05С учетоМ (13) и (14) амплитуды одночастотных составляющих токов про,порциональны подвижностям носителей зарядов на разностной и суммарной частотах 8(др) - ду - Ои О,соз(щ СФ + 30асЯ 5 Ф+Ч + Мр ) (15)1 Ь Фс) - щ Оп О со 5 (ад й+Ч 4асБ354 с) (163 Таким образом, полная подвижностьносителей тока характеризуется одночастотным (на частоте о )током перио 40дически с частотой коммутации Яменяющимся во времени от значенияДО 1 Ь, т. е. пРедставляется оДниммодулированным сигналом 45 1, 1(-й 51 Яп 51 пЯ, 1)с 05(Язв 9- 51 дп 61 пЯ й), Ф 9- р ( шсреднее значение модулированного тока,Ю Я И (Ю )-ф(МФ )3, +3,Мс)+Р "Р)5 6коэффициент глубины амплитудной модуляции, Р, - среднее значение Фазыю 4 Ц Ч...

Номер патента: 978235

Опубликовано: 30.11.1982

Авторы: Горюнов, Дулов, Мулев, Сергеев, Широков

МПК: H01L 23/02

Метки: гребенчатой, мощный, структурой, транзистор

...основания эмиттерных дорожек к их концу, причем угол наклона верхней плоскости прокладки к основанию определяется из соотношения,Х Хлогично, поэтому функцию Их) =-- , ап. я,йЭ с Т(о )81 и о =0,58л л ,л где 3 о - предельно допустимый или номинальный ток для данного .типатранзисторов; ным отклонением Х"Г хпрямой Х = 1+Б ) где Т(о) - температура в точках х = 0;ДТ(х) - величина превышения температуры перехода в точках с координатой х над температурой Т (о ) .Условие 3(х):сопв 1 означает, что уве личение падения напряжения на сопротивлении металлизации с ростом х компенсируется возрастанием температуры полностью, так что выражение под знаком ехр в формуле (1) не зависит от х, т.е. 15 20где С - некоторая константа,откуда после некоторых...

Номер патента: 858493

Опубликовано: 15.12.1982

Авторы: Галузо, Матсон

МПК: H01L 23/04, H01L 29/76

Метки: полупроводниковый, прибор

...напряжении на электроде, смещаюшем р-и-пе 40реход стока 3 - подложка в прямом направлении, в результате сужения области .пространственного заряда этого р-п-перехода область канала 8 открывается ипо нему течет выходной ток по цепи45электрод 11 - область стока 7 - областьканала 8 - область истока 6 - электрод9. В то же время, поскольку р-и-переход область стока 3 - подложка смещается в прямом направлении, то по цепиэлектрод 10 - область истока 2 - об 50ласть канала 4 - область стока 3 - область канада 8 - область стока 7, также течет ток, При этом величина напряжения, смещвющего р-п-переход областистока 3 - подложка в прямом направлении, определяется напряжением, прикладываемым к электройу 10 области истока2 и зависит от...

Номер патента: 982118

Опубликовано: 15.12.1982

Авторы: Алексеевский, Долкарт, Пурэ, Степанов, Федосеев

МПК: H01L 21/66

Метки: контактное, микросхем, подключения

...продольный паз, в который введен фигурный фиксатор 3.Контактные элементы 2 выполненыплоскими прямыми с возможностью жесткой фиксации, Они снабжены верхними заплечиками 12, которые фиксируют. стер 35жень в продольном направлении, и нижними заплечиками 13 для образования вывода 14, запаицаемого в отверстии 15печатной платы 16.Пружинящие элементы выполнены из.изогнутой упругой полоски, при этом ихматериал может обладать максимальнойупругостью и не оказывать никакого влияния на проводимость штырька, посколькуони выполнены раздельно от контактных45элементов и оказываются вне электрической цепи. Пружинящие элементы имеютдеформируемый участок 17 скругленнойформы, который выполняет функцию направляющей для вывода 18 интегральнойсхемы 19 при...

Номер патента: 983595

Опубликовано: 23.12.1982

Авторы: Гостищев, Любивый

МПК: G01R 31/27, H01L 21/66

Метки: времени, жизни, заряда, материалах, неосновных, носителей, полупроводниковых

...усилитель 7, измеритель 8 временных интервалов, генератор 9 импульсов, светоиэлучающийэлемент 10, запредельное отверстие11. Светоиэлучающий элемент 10 соединен оптически с образцом 4 череззапредельное отверстие 11 в волноводном тракте направленного ответвителя 3,Устройство работает следующимобразом. 10Поток мощности СВЧ электромагнитной волны с генератора 1 через вентиль 2, предназначенный для пропусканин мощности только в сторону измеряемого образца, т.е. для развязки генератора и измерительной цепи,направленный ответвитель (НО) падает на образец 4. Согласующий элементв виде короткоэаьыкающего подвижногоплунжера 5, включенного после образца 4, увеличивает дифференциальныйотклик системы путем настройки наминимальный отраженный...

Номер патента: 983834

Опубликовано: 23.12.1982

Авторы: Булахов, Тимофеев, Шавель

МПК: H01L 21/00

Метки: полупроводниковых, приборов, сортировки

...35 уста- зО , новлены трубы 37 из винипласта с отверстиями 38 и коллектором 39 для сжатоговоздуха. Коллектор 39 соединен шалнгом40 с электромагнитным клапаном 33.Напротив трубы 37 под плитой 35 уста 35новлены приемные лотки 41.Устройство работает следующим образом.Тиристоры 2, загруженные наводом вчашу вибробункера 1, под действием виб 40рацни двигаются по дорожке выводами вверх и через окно 10 в обойме 9 поступают в приемное гнездо 4 неподвижного транспортного ротора 3. Транспортный ротор 3 получает прерывистое вращение с остановами от привода 7 с мальтийским крестом, В момент останова транспортного ротора 3 срабатывает один из электромагнитных клапанов 33 по сигналу с электронного блока 36, и подается скатый 5 воздух в пневмокамеры 13,...

Номер патента: 983835

Опубликовано: 23.12.1982

Авторы: Белый, Корчков, Мартынова, Точицкий

МПК: H01L 21/02

Метки: вакуумной, сухой, фотолитографии, фоторезист

...и может быть использовано в производстве интегральных микросхем,Известны кремнийорганические соединения, которые используют в методе сухой электронолитографии,Метод сухой электронолитографии сводится к следующему: на подложку наносятс помощью вакуумного термическогоиспарения, чувствительный слой, облучаютслой электронным. лучом, удаляют необлученные участки слоя реиспарением в вакууме Г 1 3.Недостатком, известных веществ, используемых в качестве материала чувствительного слоя, является их нечувствительность к ультрафиолетовому излучению, что не позволяет реализовать методсухой фотолитографии. п 1 983835 13 98383 в нем формируется изображение за счет свойства предлагаемых материалов полимеризоваться под воздействием...

Номер патента: 983836

Опубликовано: 23.12.1982

Авторы: Белов, Кононов, Назаров

МПК: H01L 21/66

Метки: автоматической, полупроводниковых, приборов, сортировки

...спутников.На фиг. 1 показано устройство для автоматической сортировки полупроводниковых приборов, общий вид; на Фиг. 2 - блок сортировки. 2530 4Предлагаемое устройство для автоматической сортировки содержит механизм 1 загрузки полупроводниковых приборов, например больших интегральных схем, закрепленных в технологических спутниках 2, механизм 3 транспортирования, блок 4 контактирования, блок 5 сортировки, канал 6 подачи спутников. Механизм 1 загрузки приборов предназначен для циклицной подачи приборов, закрепленных в спутниках 2 из пенала 7 загрузки в механизм 3 транспортирования, которым осуществляется подключение приборов к измерительной системе не показано) посредством блока 4 контактирования., Блок 5 сортировки предназнацен для...

Номер патента: 983837

Опубликовано: 23.12.1982

Авторы: Григорьев, Кузнецов, Сорокин, Стаховский

МПК: H01L 21/68

Метки: съема

...сильфона.На фиг, 1 изображено предлагаемое 15устройство, общий вид; на фиг, 2 - то же,в рабочем положении.Устройство для объема мелких деталей содержит присоску 1, опорный столик2 для размещения эластичной липкой пленоки 3, на которой расположены кристаллы4 и общую вакуумную камеру 5, Опорныйстолик 2 снабжен каналами 6, от которого отходят сквозные отверстия 7, Каналы6 сообщаются с обшей вакуумной камерой 255, через полость которой проходит выталкиватель 8. Он закреплен одним концомна днище вакуумной камеры 5 и снабженпружиной 9. Вакуумная камера 5 служитодновременно для присасывания диафрагмыЗои перемещения выталкивателя 8,Устройство работает следующим образом.Разделенная на кристаллы 4 полупроводниковая пластина закрепляется на...

Номер патента: 983838

Опубликовано: 23.12.1982

Автор: Климов

МПК: H01L 23/36

Метки: охладитель, полупроводниковых, приборов

...эффективности охлаждения.Поставленная цель достигается тем,что в охладителе для полупроводниковыхприборов, содержащем радиатор с вертикальными полыми цилиндрическими ребрами, между вертикальными попыми цилиндрическими ребрами расположены закрытыекамеры, заполненные охлвдителем,На чертеже изображен предлагаемыйохлади тель,Полупроводниковый прибор, включаюший корпус 1 и основание 2, установлен в охлвдителе, который состоит из открытых камер 3 и закрытых трехгранных камер 4. Камеры 4 заполнены охладителем.Охладитель работает следующим образом.Охладитель устанавливают на корпус 1 полупроводникового прибора с зазором между основанием 2 и теплоотводом, которыйЗаказ 9939/65 Тираж 761 Подписное ул. Проектная,Патент", г. Уж го лиал 3 98383...

Номер патента: 985851

Опубликовано: 30.12.1982

Автор: Вильчинский

МПК: H01L 35/00

Метки: нагревателем, узел

...емкости конденсаторов на напряжение радиопомех видноиз экспериментальных графиков на фнг. 2,где кривая Т - налряженне радиопомех,создаваемое устройством без фильтра,кривая 8 - с конденсаторами 5 и 635емкостью 0,25 мкф, кривая ф с конденсаторамн 5 и 6 емкостью 0,5 миф.Полное сопротивление нагревательного.элемента составляет при этом 88,0 м.Использование активной нагрузки в46качестве элемента филь ра импульсныхсетовых радиопомех позволяет сократитьколичество элементов фильтра, в в некторых случаях н упрощает конструкциювсего устройства, - Этим самым повышается эффективность управления нагревательным элементом. г Формула изобретения 3 985тиристор 2, транзистор . 3, конденсатор5, диод 8 и резистор 9, Транзистор 3работает в лавинном...