H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 1783594

Опубликовано: 23.12.1992

Авторы: Василенко, Зеленин, Ковтун, Краснов, Малышев

МПК: H01L 21/208

Метки: пластин

...С, 1090 С) приводило к улету мышьяка с рабочей стороны и,Сначала на нерабочей стороне под- следовательно, к непригодности использо" л бжки; т.е; и ротиво полротивоположной стороне, 35 вания пластин для изготовления светодио,предназначенной для наращивания эпи- дов;таксиальных сло ве светодиодных структур, проведение термообработки при тем 1 950 С)из раствора-расплав- асплава наращивали эпитак- пературах более 900 С (9 0 С, )ч 1 чсиальные слои А 1 о,дбао,1 Аз (х " 0,9) мета- в течение большого времени (0,6 ч;,0 ч)дом принудительногоо о охлаждения 40 не приводило к существенному уменьшеограниченного о ъема р вбаст ора-расплава нию плотности дислокаций в пластинахсо скоростью 0,8 град, в диапазоне темпе- (И 9 8,5 10 -3,10 см ).ратур -...

Номер патента: 1783595

Опубликовано: 23.12.1992

Авторы: Ваганов, Пряхин

МПК: H01L 21/28

Метки: интегральных, кремниевых, механоэлектрических, преобразователей

...стороне глубокого профилирования поверхности кристалла чувствительного элемента, расширяется диапазон линейного преобразования,На фиг. 1-5 изображена последовательность операций для изготовления интегральных механоэлектрических преобразователей.П р и м е р. Использованы полированные с двух сторон кремниевые пластины п-типа проводимости с ориентацией поверхности в плоскости (1 00) (КЭФ 4,5).1. Выращивают термический окисел 1 толщиной 0,7 мкм при 1200 С на двух сторонах пластины 2 в высокотемпературной печи марки СДП 125-4 А,2, Проводят фотолитографию, чтобы вскрыть окна 3 в двуокиси кремния в месте расположения внешних вь 1 водов,3, На установке УВПМ наносят слой плазмохимического нитрида кремния толщиной 0,15 мкм.4, Проводят...

Номер патента: 1783596

Опубликовано: 23.12.1992

Авторы: Завьялов, Косарев, Куц, Четчуев, Чукалин, Юссон

МПК: H01L 21/302

Метки: балочных, упругих, элементов

...формы сечения; затем20проводят окисление всей пластины с образованными на ней упругими элементами,Указанная толщина ЗЮ 2 обеспечиваетсохранение при травлении формыупругогоэлемента на плоскостях (100) пластины"кремния, а размеры и расположейие окон в 25окисле по отношению к упругому элементупозволяют выдерживать конфигурацию боковых сторон поперечного сечения. Дляполучения высокой точности воспроизведения групповым методом упругих элементов 30на пластине требуется поддержание температуры и времени травления, а стабилизация упругих свойств выполняется за счетупрочнения поверхностного слоя упругогоэлемента термическим окислением всей 35структуры.На фиг, 1 показана стандартная круглая пластина кремния плоскости (100); нафиг, 2 -...

Номер патента: 1783597

Опубликовано: 23.12.1992

Автор: Брикман

МПК: H01L 21/66

Метки: зонд, измерительный

...прибора, содержащего контактную иглу, касающуюся наносимого при каждом измерении на пластину цинк-галлиевого сплава, и инфракрасного излучателя, воздействующего на исследуемую зону полупроводниковой пластины, в предлагаемом измерительном зонде используется диэлектрический прозрачный диск с капилляром для подачи ртути в зону измерений, причем через прозрачный диэлектрический диск осуществляется воздействие инфракрзсно1783597 Составитель Б.БрикмаТехред М.Моргентал Редактор Т,Шагов орректор М.Тка аказ 4520 ВНИИПИ Гос ж Подписноеомитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ ССС осква,Ж, Раушская наб., 4/5 вен ног 113035 тельский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул, Гагарина, 101 роизводственн го излучателя на кромку контактной...

Номер патента: 1783598

Опубликовано: 23.12.1992

Авторы: Сапожников, Семенов, Тимофеева

МПК: H01L 41/16

Метки: оси, полярности, пьезокристаллах, электрической

...оси пьезокристалла определяют, как обратную полярности зарегистрированного импульса,Способ поясняется чертеуля кристалла, 2 - металличе яка згот пластинки, 3 - радиотехн направление механи Р ,5 - осциллограф.Методика измерения заключается в следующем. Две грани були кристалла 1 перпендикулярно полярной оси покрывают металлическими пластинками 2 (толщиной 1 мм), от которых припаянные проводки идут к радиотехническому разъему 3 кабеля, соединенного с входом осциллографа 5. По верхней грани наносится легкий удар ответной или любым другим предметом (соответствует примерно падению шарика массой 5 г с высотой 5 см), В результате этого удара на осциллографе возникает серия ниспадающих по амплитуде импульсов. Форма, длительность и амплитуда...

Номер патента: 1784105

Опубликовано: 23.12.1992

Авторы: Абакумов, Гривач, Коган

МПК: H01L 21/304

Метки: бесцентрового, диаметра, различного, шлифования

...круга получает вращение и прижимается к шлифовальному кругу. Недостатком известного устройства является жесткое крепление опорного ножа, требуют е ручной перестановки при изменении диаметра обрабать(ваемой детали, что не позволяет его эффективно использовать в производстве с часто меняюЩейся номенклатурой изделий.Наиболее близким по решаемой 3 к заявленному устройству является ус ство для бесцентрового шлифования иаметрэ, содержащее шлиий барабаны и опору в виде ом данного устройства явмость перенастройки опооде на другой диаметр ) йУстройство работает следующим образом,Дискретный привод 7 поворачивает кулачки 6 и выдвигает упоры 5 на размер, пропорциональный диаметру обрабатываемого монокристалла 8, так чтобы ось моно- кристалла 8...

Номер патента: 1784878

Опубликовано: 30.12.1992

Авторы: Сидорюк, Скворцов, Таргонский

МПК: G01N 21/35, H01L 21/66

Метки: дефектов, диэлектрических, обнаружения, поверхности, полупроводниковых

...поглощения материала;ол - сечение перехода с основного состояния дефекта в зону проводимости материала;40п п+ и,ФРПри значениях Амин = 10, ) = 1, арф =,10 10 см ст 10 10 см для и н 45 получается величина п,и. =1010 смВ свою очередь плотность мощности коротковолнового, ультрафиолетового (Уф) излучения, необходимую для заселения электронных ловушек через зону проводи мости, можно оценить из выражения:м 1 Ю,31 мин = - - Пмин 1Х55 где Е ихц-энергия идлительность импульсалазерного излучения соответственно;Я - облучаемая коротковолновым излучением площадь образца;- длина диффузии носителя заряда;50 55 и и - энергия кванта коротковолнового излучения,В тонкопленочных покрытиях, как правило,- б, где б - толщина покрытия. Это...

Номер патента: 1785048

Опубликовано: 30.12.1992

Авторы: Литвак, Моисеев, Чарыков, Яковлев

МПК: H01L 21/208

Метки: арсенида, гетероэпитаксиального, индия-алюминия, наращивания, основе, раствора, слоев, твердого

...А 1-ЗЬ, Использование эвтектики позволяет перейти от гомогенного расплава к безградиентной твердой фазе и, таким образом, получить, далее, беэградиентный четырехкомпонентный расплав ойределенного состава, Отсутствие Однородности именно в твердой фазе не позволяло ранее получать гетероэпитаксиальные слои твердого раствора п-А 1-Аз-ЗЬ, Только используя эвтектический сплав А 1+ ЗЬ, авторамвпервые в миреудалось получить их,Нагрефй интервале 900 С Т1000 С позволяет получить полнестью гомогенный расплав. При Т900 С затруднено равноМерное перемешивание компонентов в жидкой фазе йз-за диффузионных ограничений, Повышение температуры увеличивает скорость перемешивания, но при Т1000 С резко возрастает давление пара ЗЬ над расплавом, что ведет...

Номер патента: 1785049

Опубликовано: 30.12.1992

Авторы: Козин, Маринина

МПК: H01L 21/336

Метки: водорода, датчиков, моп-транзисторах

...сечения А-А и Б-Бдатчика после формирования областей 2 ис.тока и стока; подзатворного окисла 11 и алюминиевых шин 4 металлизации и затво ра 12 иэ алюминия; нэ фиг.4 и 5-то же пОсле нанесения защитной пленки 13; на фиг. 6.и 7- то же, после создания фоторезистивной маски 14 с окном 15, соответствующим конфигурации затвора; на фиг. 8 - то 55 на:фиг. 10 - то же, после вскрытия в Защит- м ной йленке окна 8 над участком шийы ме- в вскрывают окно в защитной пленке нэд участком металлизации к затвбру; напыляют пленку палладия, фотолитографией формируют область затвора с перекрытием окна в защитной пленке над участком шиныметаллизации к затвору .и фотолитографией вскрывают окна в защитной пленке над контактными площадками.На фиг. 1 изображен...

Номер патента: 1785050

Опубликовано: 30.12.1992

Авторы: Ждан, Рыльков, Фомин, Шафран

МПК: H01L 21/66

Метки: излучения, однородности, приемников, фоточувствительности

...лазерным лучом, Модулируют диаметр лазерного луча в процессе сканирования, Регистрируют переменную составляющую фотосигнала, 1 ил. Для осуществления способа используют устройство, изображенное на чертеже, и содержащее. СО-лазер 1 с пьезокорректором, делитель 2 лазерного пучка, модулятор 3 пространственного положения луча, систему 4 автоматической подстройки частоты (АПЧ) СО-лазера, фотоприемник 5 системы АП 1, пропускающую линзу 6 на фотоприемник системы АПЧ, поворотное зеркало 7, усилитель 8 мощности, звуковой генератор 9, усилитель 10 мощности, поворотное зеркало 11, прерыватель 12, устройство 13 фокусирующее и перемещающее лазерный пучок по поверхности образца с контролем пространственного положения, модулятор 14 диаметра...

Номер патента: 1785051

Опубликовано: 30.12.1992

Авторы: Помендюков, Рабинович, Славин

МПК: H01L 21/66

Метки: выводов, полупроводниковым, приборам, присоединения

...на время. необходимое для остывания ный.кристалла до температуры рабочего элект Технико-экономические преимущества рода 4 и подвижного диска 1. После выдер- изобретения: устанОвка предназначена не жки времени включается узел 9 измерения только для приварки проволочных выводов электрических параметров полупроводни- к полупроводвиковыщ приборам, но и для ковых приборови с его помощьюпо цепи: контроля электрических параметров 5 тих рабочий электрод 4 -кристалл с выводами 20 приборов, при этом, рабочий электродкро - подвижный, диск 1 - подпружиненный ме сваркивыполняет функцию первого изстержень 10 определяется полярностью мерительного электрода, функцию другого включения и электрицеские параметры кри- измерительного электрода выполняет...

Номер патента: 1785052

Опубликовано: 30.12.1992

Авторы: Арутюнов, Карпов, Силова

МПК: H01L 21/66

Метки: импульсной, обработке, плавления, полупроводника, порога

...удается разделить кристаллическое и жидкое состояние полупроводника на Р -образной зависимости В(1) и тем самым корректно опРеДЕлить моМЕнт начала плавлЕниЯ 1 о. Достоверностьопределения Еа обеспечивается с одной стороны корректностью нахождения момента 1 о. а с другой - возможностью нахождения Ев по приведенному соотношению беэ проведения дополнительных облучений и измерений.Существенным признаком способа является то, что энергию квантов зондирующего света выбирают из условия отрицательной крутизны температурной завйсимости коэффициента отражения полупроводника в твердой фазе. Это необходимо для того, чтобы зависимость В(1) могла иметь 1 Р -образный вид. При импульсном воздействии на полупроводник и его разогреве на смену падению...

Номер патента: 1785053

Опубликовано: 30.12.1992

Авторы: Головизнин, Кузнецов, Радзиевский, Стриха

МПК: H01L 21/66

Метки: импульсным, перегрузкам, переходом, разбраковки, структур, чувствительности, электрическим

...1 х структур по калибровочной зависимости. Техническая сущйость предложенного способа поясняется чертежом, на котором на фиг, 1 показана схема для измерения величин изменений термочувствительных параметров на однократных импульсах, где 1 - исследуемый переход, 2 - ограниченное сопротивление, 3 - токосъемное сопротив ление, 4 - измеритель напряжения на исследуемом переходе, 5 - измеритель напряжения пропорционального току черезпереход 5, 6 - генератор импульсов,на фиг. 2 приведена калибровочная зависимость,где ЬЧ-изменение напряжения лавинного пробоя под действием эталонного импульса.Чр - амплитуда разрушающего импульса, измеренная с помощью известного способа пошагового увеличения амплитуды импульса до разрушения...

Номер патента: 1785054

Опубликовано: 30.12.1992

Авторы: Дюков, Митюхляев, Петросян, Сагань, Файфер, Шистик

МПК: H01L 21/66

Метки: дефектности, пластин, полупроводниковых, структур

...16 сигнала.,;,.; приведет к тому, что с Момента времени ЙУстройство работает следующим обра-. интегратор 16 будет интегрировать выходзом., : .:ной сигнал логарифмического усилителя 14,Лазер 1 под действием импульса под По истечении времени 2 Ж цифровойжига, сформированного в блоке, управления, Код, сформированйый Счетчиком 5, будет . 2, вырабатывает оптический импульс, кото- совпадать с цифровымкодом Кз, соответсгрый через приемопередающую оптическую вующим моменту времени тз. В момент совсистему 3 излучается в атмосферу по гори- паденйя кодов схема 9 вырабатывает зонтальной трассе. В момент излучения ла-30 импульс, по которому интегратор 16 законзера 1 датчик 4 формирует опорный чит интегрирование информационного сигимпульс,...

Номер патента: 1785055

Опубликовано: 30.12.1992

Авторы: Грехов, Костина

МПК: H01L 29/74

Метки: полупроводниковый, прибор

...площади эмит. тера. Благодаря выполнению диэлектрического промежутка между эмиттером исильнолегированными участками 1,5 - 2,0мкм 3102) исключается пробой на границе, 50 кремния, обеспечивающего высокую (до 10 см ) концентрацию легирующей при 21 -3меси в полосе, в предлагаемой конструкции обеспечивается выключение приборов сдлиной эмиттерной полосы в 2-3 раза большей, чем у известных аналогов, Наличие диэлектрического промежутка между сильнолегированной полосой и подэмиттер-ной базовой областью увеличивает напряжение пробоя эмиттерного перехода и тем самым повышает эффективность выключеВыбор соотношения бЮо+ В/р приводит к "заливанию" сильнолегированных участков неравновесными носителями, инжектируемыми на этапе работы прибора во 5...

Номер патента: 1785056

Опубликовано: 30.12.1992

Авторы: Губанков, Дивин, Котелянский, Кравченко

МПК: H01L 39/22, H01L 39/24

Метки: сверхпроводящее, электронное

...в СКВИД.вания мостиков с разрешением менее 0,1 Койтакты 9, подсоединенные к электродаммкм;-" " 3, 4, служат для задания тока через СКВИД,Цель изобретения - понижение уровня 50 а контакты 10- для измерения напряженияшумов и повышение стабильности работы на СКВИД.сверхпроводящего электронного устройст- Также в качестве материалов мостиковва, а также повышение воспроизводимости и электродов могут быть использованы друих характеристик.- гие сверхпроводящие материалы с высокимпературУказанная цель достигается тем, что в 55 ми значениями критических темпераустройстве, содержащем сверхпроводящие (15-100 К) и малыми значениями длины коэлектроды и мостики из сверхпроводящего герентности е10-100 А. Среди них, наполикристаллического материала,...

Номер патента: 1785581

Опубликовано: 30.12.1992

Авторы: Левин, Сандина

МПК: H01L 21/331

Метки: биполярных, мощных, транзисторов

...ОЛМИКХлЙЮРЩМЮ Цепью иэобретенич чвпчетсч повышенгн граничного напрчгкенич транзистораПастэвпеннач цепь дастигаетсч тем, что и способе, вн пючанэщем формирование на гюна рцстаппвесной ппастцне стру.туры и-Трпа, нанесение ппенни онсида кремнии, фарг гцрованце окна, соответствующего базовой области транзистора, путем фатапгТографв. по ансиду нремнцч и изатрапнога травпенич 1 ремнич, формированц 1 эз 1 эв 1 эй абпасгц транзистора путег дцффуэии ан цептарной примеси, формировании транзисторной струнтуры, форщчровднце и на, соответствующего бааваи абпастц транзистора, проводчт допопнитепьуО фатапцтаграфцю, а цэатропнае травпенйе 1 ремнич праводчттопьно по пери",егру базовой Обпасти транэ стараЗа счет того соцрвнчетсч папностью и-спой на...

Номер патента: 1452410

Опубликовано: 07.01.1993

Автор: Гуменюк

МПК: H01L 29/82

Метки: магниточувствительный, прибор

...где ш 1,22 Ыи в йервом и во втооом рядах, Между областями 6 и 4, а также 9 и 4 сфор мированы области 11 с высокой скоростью поверхностной рекомбинвпии (большей, чем на порядок, чем на границе областей 2-3),Прибор работаег следующим об-55 разом,Инжекционные транзисторы первогои второго рядов образуют соответс 1104венно два кольцевых генератора, частота генерации которых зависит :оттока инжектора соответственно к пер"вому и второму рядам. Ввиду эквивалентности строения, геометрии, взаимного расположения и расположенияотносительно инжектора данных генераторов их частота меняется синхроннопри воздействии температуры и другихфакторов, например, на величину ду,Ввиду же противоположного направления токов инжектора к первому и второму...

Номер патента: 1786540

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Елисеев, Иевлев, Рябцев

МПК: H01L 21/302

Метки: полупроводникового, прибора

...30 секунд. После контроля блокирующих напряжений наблюдалась следующая картина. У одной группы приборов характеристики улучшились настолько, что стали соответствовать расчетным значениям, поэтому их сразу покрывали КЛТ.У другой группы приборов характеристики практически не изменились и их окончательно браковали,У третьей группы характеристики улучшились, но не достигли расчетных. Эти приборы снова кратковременно травили в течение 10 сек. 10 15 Экспериментальные исследования показали, что данный способ позволяет достичь расчетных характеристик у 50-600приборов, забракованных после изготовле 20 ния с применением способа прототипа Формула изобретения Способ изготовления полупроводникового прибора, включающий изготовление мирование...

Номер патента: 1786541

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Епифанцева, Зеленский, Кем, Кривоносов, Смирнов

МПК: H01L 21/56

Метки: корпусом, полупроводникового, прибора, стеклянным

...2-2,1 мм и радиусами наружного скругления 0,12 мм.1786541 4 таблице данных оптимальный радиус наружного скругления составляет 0,1-0,2 мм, при этих значениях достигается требуемое рабочее напряжение пробоя (не менее 1500 В).Кроме того, использование электрододержателей, полученных прессованием порошка молибдена исключает возможность возникновения областей с напряжениями в стекле, вследствие сохранения остаточной пористости (не более 5) играющей роль демпфера, что повышает величину рабочего напряжения пробоя. Остаточнаяпористость,Величина радиуса наружногоскругления,мм Напряжение пробоя, В Примечания Плохое эатекание шликера, Повышенный брак на операции герметизации Удовлетворительноезатекание шликера 4,5 0,05 1200 1530 0,1 4,5 4,0 6,3...

Номер патента: 1786542

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Карплюк, Новосядлый

МПК: H01L 21/66

Метки: доз, ионного, легирования, малых

...цель достигается тем, что вспособе определения малых доз ИЛ, включающем измерения неравновесных импульсных ВФХ предварительно легированнойтестовой МДП-структуры, предварительноелегирование тестовой структуры осуществляют ионной имплантацией примеси, создающей тип проводимости, противоположныйтипу проводимости подложки до концентра. ции, равной или большей концентрации.примеси в подложке, ВФХ измеряют на легированной контролируемой дозой примесии нелегированной частях тестовой структуры, прикладывая к тестовой структуре импульсы пилообразного напряжения соскоростью развертки 10 -10 В/с и с поляргностью, переводящей поверхность этойструктуры из состояния инверсии (обеднения) в состояние обогащения основныминосителями подложки...

Номер патента: 1786543

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Детинов, Златковская

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: охлаждения, электрорадиоизделий

...8 выполненоодно сквозное отверстие 9 в виде части аналогичного кругового кольца, ограниченнойрадиусами с центральным углом а 2, Отверстие 9 расположено на окружности, радиус 35которой равен радиусу окружности, проходящей через центры симметрии отверстий 7в торцевой стенке 6, Электроизделие 10 установлено на основании 3 радиатора 1 собеспечением теплового контакта. 40На втором конце камеры 5 со сторонывыхода охлаждающего газа установленаторцевая стенка 11 с диском 12, синхронновращающимся с диском 8,Отверстия 9 и 13 в дисках 8 и 12 соответственно смещены друг относительнодруга на 180 О, а сумма центральных угловотверстия в каждой стенке и отверстия вустановленном на ней диске меньше илиравна 180 О; 50 а 1 + а 2180 . Устройство работает...

Номер патента: 1786544

Опубликовано: 07.01.1993

Автор: Ярыш

МПК: H01L 23/46, H01L 25/00

Метки: полупроводниковый

...силовой ошиновкой 6 и системой жидкостного охлаждения 8 и расположены поэтажно друг над другом, образуя.при этом три вертикальные секции 9 - 11, причем в одной секции, например 9, собраны блоки реакторов 4, в средней секции10 - блоки тиристоров 2 и в третьей секции 11 - блоки демпфирующих цепей 5, Внешние разноименные полюса 12, 13 блоковтиристоров 2 через крайние внешние 4,1 и 4.4 реакторы блока реакторов 4 модуля 7.1связаны общими полюсными шинами 14, 15 через одноименные крайние реакторы дру.гих блоков реакторов 4 секции реакторов 9 с одноименными внешними разнопотенциальными полюсами 12, 13 блоков тиристоров 2 двух других модулей 7,2 и 7.3,20253035405055 Внутренние разноименные полюса 16, 17 блоков тиристоров 2 изолированы друг от...

Номер патента: 1786545

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Андарало, Васильев, Прокошин, Ярмолович

МПК: H01L 43/06

Метки: бесконтактный, датчик, линейных, перемещений

...магнитомягкого материала, при этом толщина ферромагнитных пластин равна максимальному размеру чувствительной области элемента Холла, а длина равна 1 - 2 длинам магнитов.На фиг. 1 представлен общий вид бесконтактного датчика линейных перемещений. На немагнитном основании 1 размещены два симметричных постоянных магнита 2 в форме прямоугольного параллелепипеда, которые обращены одноименными полюсами друг к другу. Между двумя симметричными ферромагнитными пластинами 3 из магнитомягкого материала размещен элемент Холла 4. Толщина ферромагнитных пластин равна чувствительной области пластины Холла, а длина каждой пластины не менее размера длины магнита в направлении перемещения х.На фиг, 2 изображена схема функционирования устройства, на фиг....

Номер патента: 1786697

Опубликовано: 07.01.1993

Автор: Наконечный

МПК: H01L 23/34, H01L 23/36, H05K 7/20 ...

Метки: мощных, охладитель, полупроводниковых, приборов

...поверхностью.Охладител ь Яиг. 1) содержит установочную площадку 1 под полупроводниковый прибор 2, радиально расположенйые плоские ребра 3 и установленные на ребрах турбулизирующие насадки 4, прижатые к торцам ребер с помощью прижимного элемента 5. Насадки 4 (см,фиг. 2) выполнены П-образной формы из теплопроводящего материала с клиновидными просечками по всей длине продольных торцовых кромок, образуя лепестки 6, При этом максимальный зазор амарас между стенками продольных торцовых кромок каждой насадки не должен превышать толщины ребер, а наружный размер и между боковыми стенками турбулизирующих насадок 4 должен быть не менее шага расположения ребер. Выполненные таким образом насадки 4 при установке на ребра 3 своими лепестками 6...

Номер патента: 1786698

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Детинов, Златковская

МПК: H01L 23/34, H01L 23/36, H05K 7/20 ...

Метки: микросборка

...цилиндрической формы, прижим- ное устройство, состоящее из цилиндрической втулки 2 с упругой прокладкой 3 на торце, взаимодействующей с полупроводниковым прибором 5, и упругого разрезного кольца 4 с симметрично с равным шагом расположенными двумя парами радиально- направленных гофрообразных выступов 6 с чередующимся направлением вершин наружу и внутрь кольца. На наружной поверхности цилиндрической втулки выполнена круговая проточка 7, на поверхности гнездакладки 3, упругое разрезное кольцо 4 сжимают и устанавливают в гнездо так, чтобы гофрообразные выступы, направленные наружу кольца, попали в проточку 8 на поверхности цилиндрического гнезда, а гофрообразные выступы, направленные внутрь кольца, попали в проточку 7 на цилиндрической...

Номер патента: 1787295

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Дереченик, Кононов, Олтушец, Пеньков, Полонин, Яцук

МПК: H01L 21/304

Метки: интегральных, кристаллами, пластин, полупроводниковых, приборов, схем, утонения

...стороны пластины с плоскостью держателя, Кроме того, нанесение защитного покрытия на планарную сторону пластины не улучшает ее геометрию в части прогиба и клина по отношению к держателю, на котором пластина крепится для проведения механического утонения. Поэтому в процессе закрепления ее на держателе происходит механическая деформация пластины с изме-. нением исходных геометрических параметров, это приводит к нарушению металлизации и соответственно к снижению выхода годных на операции "функ 1 ионирование".Целью изобретения является повышение выхода годных за счет исключения разрушения пластины и кристаллов.Цель достигается тем, что по способу водниковых приборов и интегральных схем, включающему нанесение высокомолекулярного соединения...

Номер патента: 1787296

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Андреева, Гордеев, Королев

МПК: H01L 29/72

Метки: биполярный, мощный, транзистор

...структуры,при этом у нее отсутствуют их недостатки,Структура кристалла обладает таким распределением тока по площади, которое позволяет увеличить устойчивостьтранзистора к прямому вторичному пробою эмиттер, Это достигается тем, что ток эмиттера из-за улучшенного токораспределения меньше стягивается к центру при больших напряжениях коллектор - эмиттер.Для достижения цели в приведенной очегау-конструкции отдельные резистивные эмиттерные области объединяются общей резистивной областью, частично заходящей в область базы, а вдоль всей периферии зубцов эмиттера располагается замкнутая сильнолегированная полоска того же типа проводимости, что и эмиттер. При этом сильнолегированные эмиттерные полоски должны быть удалены друг от друга на...

Номер патента: 1787297

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Корольков, Орлов, Рожков, Степанова, Султанов

МПК: H01L 31/12

Метки: оптоэлектронное

...предпороговом режиме генерации.Конструкция оптоэлектронного устройстватакова, что большая часть потока фотоновпопадает в коллектор 4 и поглощается вобласти обьемного заряда коллекторного ри-перехода фототранзистора, Для локализации большей части перепада потенциала напряжения в области оптического поглощения (характерный размер области собственного поглощения 10 мкм) коллекторный 5 р-и-переход фототранзистора сформированна основе слоев с концентрацией легирующей примеси й 10 см . При этом нижний предел значений концентрации определяется лишь возможностями технологических 10 режимов формирования и+ - р - и-структурыфототранзистора и составляет в настоящий момент М 10 смз.Инжектированные носители за времяпролета области пространственного...

Номер патента: 1309836

Опубликовано: 15.01.1993

Авторы: Буташин, Каминский, Милль, Писаревский, Сильвестрова, Ходжабагян

МПК: C30B 29/22, H01L 41/18

Метки: материал, пьезоэлектрический

...лантаноида Ьп,включающий дополнительно оксид элемента М, о т л и ч а ю щ и й с я тем,что, с целью расширения диапазона рабочих частот и повышения температурной стабильности, он дополнительно содержит оксид галлия Са при соотношении компонентов в соответствии с эмпирической формулой Ьп Са МО,; где 0,5 сх е 1.,0.2, Материал по п.1, о т л и ч а ющ и й ся тем, что он содержит лантаноид иэ группы, включающей Ьа, Ы и Рг нли их смесь", и дополнительно оксид элемента группы, включающей Бэ., Се, Т 1, Ег, Бп, НГ, ИЬ, Та и БЬ. Поглощение продольныхупругих волн, дб/см,при частоте Температура фазового пео рехода, С Материал Пример 10 МГц 1000 МГц, 14701470 0,90 0,50 Составитель В. БожевольновРедактор Л, Курасова Техред И,Попович Корректор А....