H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 651433

Опубликовано: 05.03.1979

Авторы: Бондаренко, Васин, Петросян, Скрипкина, Стенин

МПК: H01L 39/24

Метки: метастабильных, сверхпроводящих, фаз

...обеспечивающей переход в метастабильную фазу,после чего устанавливают температуру,обеспечивающую заданное время жизниметастабильной фазы, причем изменениевелйчины температуры проводят в течение времени жизни метастабильной фазы,Так как время жизни Г определяется кинетикой процесса фазовых превращений и связано по закону Аррениуса стемпературой (Т) экспоненциальноС"-А(Вт),где А, В - коэффициенты,то, изменяя температуру, время жизниможно увеличивать и управлять его про-должительностью в широких пределах(от долей секунды до десятков и сотенлет), Таким образом, реализуются возможности существенного увеличения времени жизни метастабильных фаз и управления его продолжительностью,Далее в заданное время производятнагрев слоев вьппе...

Номер патента: 651434

Опубликовано: 05.03.1979

Авторы: Баржин, Петренко

МПК: H01L 41/09, H02N 2/12

Метки: двигатель, пьезоэлектрический

...11 через фазоврйщатель 12, обеспечивающий сдвиг фазы подаваемого на" прйжения на 90, Умножитель н коммуо " 30. татар на чертеже не покаэаны.Пьезоэлектрический двигатель работает следующим образом, Для запуска двйгйтеляоФ генератора 11 подается35 переменное электрическое напряжение на возбуждающие электроды 7, 8 вибрагора 4 й также через фазоврйщатель"-на Ьаз- буждающйе электроды 9, 10 вибратораВ,Приътом возникающее в внбраторе 4 элек-. трическое полевызывает эцакопеременную деформа 6 нв сдвига по толщине в" направ- лении касательной к ротору, а эМехтрнческое поле в вибраторе 8 вызывает ранкойеременню деформацию сжатия-растяжеНия в направлении, перпендикулярном43к контакгной площадке с ротором, Еслив момейт включения напряжение...

Номер патента: 622368

Опубликовано: 15.03.1979

Авторы: Трофим, Чумак

МПК: H01L 31/10

Метки: позищионно-чувствительный, фотоприемник

...созданным любым из известных способов,и может быть использована как в приборах с общей базой, так и в приборах из двух независимых фотоэлементов,622368 Составитель Г,Шкерди Техред Л.Албеоова К тщ щщ аа жТираж 922ИПИ Государственного по делам изобретений ква ЖРаушская н Коло ректор М,Ряшко Заказ 112 цева 61 Подписное комитета СССР и открытий аб. д.45 ЦН 113035 Патентф, г.Ужгород, ул.Проектная,4 филиал П Позиционно-чувствительный фото- приемник может быть создан элитаксиальным наращиванием твердого раствора 1 р-А 2 Са Аз из жидкой фазы толщиной й на подложке 2 арсени да галлия электронного типа проводимости . После эпитаксиального процесса наносят контактные площадки 3 к твердому раствору и сплошной контакт 4 к арсениду галлия....

Номер патента: 652629

Опубликовано: 15.03.1979

Авторы: Герд, Ханц, Эдуард

МПК: H01L 31/08

Метки: полупроводниковый, прибор, фотоэлектрический

...ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4бомбардировки. Для изготовления инжектирующего контакта проводят поверхностную диффузию неглубокого донорного материала например, фосфора, с высокой концентрацией -102 смз или используют ионное внедрение.Расстояние между электродами выбирают таким, что при заданном рабочем напряжении (амплитуде импульса) время дрейфа носителей между контактами было бы меньше или сравнимо со временем диэлектрической релаксации и временем захвата в этих центрах.Запирающийся контакт может быть, например, емкостным на тонком изоляционном слое. Путем приложения отрицательного импульса напряжения в объем такого элемента инжектируются электроны, причем через время порядка 1 мкс инжектированные заряды почти полностью...

Номер патента: 580772

Опубликовано: 25.03.1979

Авторы: Золотухин, Лисовенко, Литвин, Марончук

МПК: H01L 21/20

Метки: экрана, электролюминесцентного

...В связи с тем, что коэффициентпреломления сплава Се-Ав значительновыше, чем Са-Ав, выход рекомбина- )5ционного излучения через и-областиинкрустированного Са-Ав происходитс высокой квантовой эффективностью.В качестве подложек для выращивания используют моиокристаллы ЮСа-Ав п-тина ( й =10 см), нарезанные в виде тонких стержней с размерами 0,5 х 0,5 х 50 ьы, боковые плоскости которых ориентированы в направлении 100. Стержни собирают в пакет сзазором 0,8 мм, который определяетсяграфитовыми (или арсенид галлиевыми)прокладками,Полученный пакет нрн Т = 920 Сзаполняют раствором - расплавом галлия насыщенного мышьяком и 0,4 вес.кремния, после чего проводят принудительное охлаждение его со скоростью 1,5 /мин, При этом наращивается,слой...

Номер патента: 586758

Опубликовано: 25.03.1979

Авторы: Марончук, Масенко, Сушко

МПК: H01L 21/20

Метки: варизонных, структур

...слой толщйной 2-3 мкм.После повторения циклов растворениерост 15-20 раз вблизи поверхностинаблюдался состав, близкий к 1 пР, 10 Предлагаемый способ позволяет получать вариэонные структуры с профилем распределения ширины запрещеннойзоны, регулируемым в широких пределахс высокой степенью воспроизводимости.Он может быть использован для создания, варизониых слоев на многочисленных материалах например на основетвердых растворов типа А -В" -А" -В",А -В" -АфВ, дефектных полупроводников, четверных систем и др. Формула изобретения 3слоя иа обеих подложках. Однако из-заразличия удельных весов компонентоврасплава и с возникновением в связис этим, конвективной диффузии компонентов в растворе - раславе, помещенном в силовое поле,...

Номер патента: 588859

Опубликовано: 25.03.1979

Авторы: Баскин, Кравченко, Лисенкер, Марончук, Шегай

МПК: H01L 31/14

Метки: визуализации, излучения, инфракрасного

...ИК изображения и подготовка, пластины к приемунового изображения производитсяпутем нагрева пластины или облучением ее интечсивным светом из областисобственного поглощения.Использование описанного активного элемента позволяет существенноупростить конструкцию устройства:исключить сложные системы, связанныес питанием и коммутацией электрических цепей приемника и излучателя,повысить разрешающую способность устройства, увеличить время запоминанияизображения. Причем иэображение хранится без подачи на устройство электропитания и потребления электроэнергии. 48На чертеже показана схема предлагаемого устройства.Оно состоит из системы 1, проектирующей инфракрасное изображение,элемента 2,в качестве которого используется полупроводниковая...

Номер патента: 653586

Опубликовано: 25.03.1979

Авторы: Бурлаков, Красильников, Кукушкин, Люзе, Эленкриг

МПК: H01L 21/66

Метки: ганна, диодов, пленок, пригодности, эпитаксиальных

...что средний за пе О риод ганновских колебаний ток через диод (при полях выше порогового):Змакс мин 21 (Г 1+2 а)+эмин Г1 2близок к Эмщ,.Пролетный режим работы диода Ганна реализуется в апериодическом контуре, который характеризуется тем,что его резонансная частота много 2 Обольше пролетной, а нагрузкой является сопротивление, величина которогомного меньше сопротивления образца.Измерительная установка (фиг. 3)состоит из генератора 1 импульсов,последовательно включенного эмиттерного повторителя 2, к эмиттеру которого подключены апериодический контур3 и клемма 4, Одновременно с клеммы4 подается сигнал на вход усилителягоризонтальной развертки осциллографа 5В коллекторную цепь эмиттерного повторителя включена батарея б,эашунтированная...

Номер патента: 653647

Опубликовано: 25.03.1979

Авторы: Шеркувене, Янушонис

МПК: H01L 21/02

Метки: базы, изготовлении, источника, структур, транзисторных, формирования

...второго регулирующего слоя. На подготовленную таким образом пластину наносят слой фоторезистора 6, формируют защитный рельеф требуемого рисунка, после чего травят второй маскирующий слой 5, например молибден, в травителе, состоящем из 14 об. ч. концентрированной ортофосфорной кислоты, 7 об. ч. ледяной уксусной кислоты и 1 об. ч. деионизованной воды. Маскирующий слой 4 и экранируюший слой 3 травят примерно с одинаковыми скоростями до легируюшего слоя, например в О-травителе, состоящем из 1 об. ч. концентрированной фтористоводородной кислоты, 3 об.ч, ледяной уксусной кислоты и 25 об. ч 1%-ного водного раствора щавелевой кислоты. Получают структуру, показанную на фиг. 4. В дальнейшем поперечным травлением доводят размеры регулирующего...

Номер патента: 654198

Опубликовано: 25.03.1979

Автор: Дуглас

МПК: H01L 27/02

Метки: интегральных, схем

...кремния р-типа; осаждение слоя ннтрнда кремния; фотолитографическая обработка 3; М 4, травление эпнтакснальной пленки кремния, в местах незашнщен ных нитридом кремния до половины толшины эпитаксиального слоя; окислениеСоставитель . ОстровскаяТехред М. Петко Корректор П. Макаревич Редактор Е. Гончар Заказ 1349/48 Тираж 922 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушсквя наб., д, 4/5филиал ППП фПатент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 незашишенных нитридом кремнии участков апитвксиального слоя кремния. снятие нитрида кремния; окисное маскирование и диффузия, коллектора; окнсное маскирование и диффузия амиттера; окисное маскирсвание и вскрытие контактов к ами 1- теру, базе и...

Номер патента: 655067

Опубликовано: 30.03.1979

Авторы: Кондратьев, Речицкий

МПК: H01L 41/047, H03H 9/02

Метки: акустических, волн, поверхностных

...показанным на фиг. 1, вектора электрического поля направлены, какпоказано на фиг. 1; в верхней части - к неподключенному электроду, в нижней - от него. Таким образом, результирующий сигнал, который можно принять любым расположенным в акустическом потоке аподизованного преобразователя широкополосным встречно-штыревым преобразователем с апертурой 1;=а;+б;, равен разности двух противофазных сигналов и пропорционален 40 45 50 На фиг. 1 схематически изображен преобразователь; на фиг, 2 - векторные диаграммы, поясняющие работу преобразователя.Преобразователь содержит встречно-шты ревую структуру 1 и 2 с изменяющимся перекрытием штырей. Изменение перекрытия штырей осуществляется в пределах 100 - 25/, максимального перекрытия (а;+ +о;). К...

Номер патента: 655996

Опубликовано: 05.04.1979

Авторы: Каплан, Колешко

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: гистерезисных, мдп, структур, характеристик

...измерений и автоматического синхронизатора 10, предназначенного для синхровизвции работы всего устройства. Ко входам схемы 8 вычитания подключены емкости 11, 12, предназначенные дня расширения импульсов, подаваемых нв иих вночвми 7 и 8, сигнальные входы которых подключены к генератору 4 пилообразного напряжения, а управляющие входы к пороговому устройству 6.При подаче сигнала от генератора 1 на испытываемую Мйй структуру 5, через нее прогекаег ток и нв твкосьемном резисторе 3 выделяегса напряжении, про-, порциональное емкости. Это напряжение усиливается и детекгируегся усилителем 2 измерительного сигнала, а затем попадаег на вход порогового устройства 6.По команде авгоматического синхро низа тора 10 запускается генератор 4...

Номер патента: 656133

Опубликовано: 05.04.1979

Авторы: Морозов, Раев

МПК: H01L 21/66

Метки: параметров, полупроводников, электрических

...при прямом и обратном направлениях тока через полупроводник. При проведении серии измерений температура полупроводника должна быть постоянной.Недостатком описанного способа является необходимость выключения и изменения направления магнитного поля.Для изменения величины и направления магнитного поля требуется много времени, особенно для сильных магнитнь 1 х полей и в случае применения сверхпроводящих магнитов. В случае применения систем автоматической регистрации и обработки данных на основе ЗВМ необходимость менять магнитное поле становится одним из препятствий для увеличения скорости сбора данных.Выключение или переключение магнитного поля не может быть, в случае сильных магнитных полей, произведено простым выключением или...

Номер патента: 656134

Опубликовано: 05.04.1979

Авторы: Сафонов, Соколов, Шанов

МПК: H01L 21/68

Метки: выводной, плат, приклейки, рамке

...сжатия содержит каретку 36 с установленными на ней цилиндрическими направляющими 37, вертикальное движение которых осуществляется пневмоцилиндром 38 через рычаг 39 от эксцентрика 40.55 Усилие сжатия плат при склейке передается через подпружиненные столики 41, сидящие на шариках 42 от пружины 43, усилие которой регулируется гайкой 44 (фиг. 10). 4Столики 41 через эластичные прокладки 45 установлены в обоймах 46 и имеют вакуумные захваты 47 для удержания плат. Возврат столиков 41 в нижнее положение осуществляется от пружин 48.Механизм 4 подачи рамок включает в себя цилиндрическую направляющую 49 с двумя зацепами 50, совершающими возвратно-поступательное движение через рычаг 51 с подшипниками 52 от кулачка 53.Качательное движение зацепов...

Номер патента: 657478

Опубликовано: 15.04.1979

Авторы: Алиджанов, Ализаде, Гуршумов, Кулиев, Рустамов

МПК: H01L 31/08

Метки: материал, олова, основе, селенида, фоточувствительный

...материалам на основе селенида олова, которые используются приизготовлении видиконов в электровакуумной прожшленности,Известен Фоточувствительный материал, работающий в инфракрасной области спектра, представляющий собойселенид олова (11 .Недостатком известного Фоточувствительного материала является егонизкая фоточувствительность.При 20 С отношение В /В : 1,02,Целью изобретения является повышение фоточувствительности материала,Поставленная цель достигается тем,что в состав указанного фоточувствительного материала дополнительно введен селенид таллия и полученный состав соответствует формуле дый раствор на основе ЯпЯе системы ЯпБе-Т 1 Бе получают сплавлением исходных компонентов в соответствующих количествах в эвакуированных...

Номер патента: 625521

Опубликовано: 25.04.1979

Авторы: Березин, Котов, Сорокин, Татаурщиков

МПК: H01L 27/10

Метки: изображения, сигналов, формирования

...столбца относительно подложки до яапряжения, больше 10порогового МДП-структуры, но меньше"напряжения на строчных шинах матрицы.Затем все ключи размыкаются, и навыбранной строке с помощью блока 4управления строчными шинами устанавлйвается напряжение ниже порогового,Обедненная область под всеми электродами этой строки исчезает, и накопленные эа время кадра неосновные носители переходят под электроды столбцов. Так как стоблцовые шины являются плавающимиф, напряжение на каждой иэ них изменяется соответственнозаряду, переданному под один из электродов этой шины, Изменение этогонапряжения с помощью устройства 2ввода сигнала преобразуется в заряд,вводимый затем под электроды линейкиПЗС 3. Таким образом, зарядовый рельефпод электродами ПЗС...

Номер патента: 658507

Опубликовано: 25.04.1979

Автор: Нахмансон

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: концентрации, полупроводниках, примесей

...В - коэффициент пропорциональ-, ности, а Ч - напряжение образца, Для 14 ДП структур эти формулы также могут быть использованы, поскольку диэлектрик .чисто 1 формально (с некоторой траисФормацией толщины в соответствии с разницей диэлектрических постоянных) может быть отнесен к области пространственного заряда. устройство для измерения концентрации примесей работает следующим образом. Высо кочастотн ый сиги ал ча. готы 1, от генератора 1 через мо. дулятор 2 и усилитель 3 попадает на мост 4, и, пройдя через образец 5, выделяется на малом токосъемном сопротивлении 7. С помощью емкости 6 можно скомпенсировать ток, текущий через паразитную и краевую емкость С , так что сигнал на выходе моста будет пропорционален только емкости 1...

Номер патента: 658508

Опубликовано: 25.04.1979

Авторы: Балтянский, Зверева, Кузнецов, Лях, Рыжевский, Фельдберг, Цыпин, Чернецов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: вольтфарадных, регистрации, характеристик

...выход упранляемого .делите.ля напряжения соединен с упомянутымобразцовым резистором, первый и второй образцовые конденсаторы включенысоответственно в целях обратной снязи первого и второго усилителей, авыход второго усилителя одновременно 60соединен через третий образцовый конденсатор со нходом первого усилителяи через фильтр нижних частот - с управляющим входом регулируемого сопротивления,На чертеже представлена функциональная схема устройстна,. выполненная согласно данному изобретению.Устройство содержит генератор синусоидального напряжения 1, объект измерения 2, источник смещения 3, управляемый делитель напряжения 4, образцовое сопротивление 5 (В ), усилитель б, выпрямитель 7, самописец 8, индикатор синфазнос; 9, иннертор 10,...

Номер патента: 658626

Опубликовано: 25.04.1979

Авторы: Голомако, Курмашев, Лабунов, Петрович

МПК: H01L 21/316

Метки: анодирования, электролитического

...Ферми, тем выше скорость окисления, и йаоборот, Есди разность в иопожении уровня Ферми в п и р- обпастях не 45велика, то и разность в скоростях окисления этих областей также будет невепика. Вследствие этого контрастностьиопучаемого иэображения может оказаться50недостаточной дпя надежного фиксирования границы р-и переходаКроме того,изготовленный шпиф имеет мехеническинарушенный спой, который даже ири комнатной температуре является эффективнымЯисточником электронов и дырок. Указанная причина может привести к тому, чтоскорости окисления р и и областей могутстать очень бпизкими ипи даже сравнятьПосле проведения процесса анодирования попученный окисеп полностью удаляется погружением шпифа в ипавиковую кислоту, и процесс анодирования...

Номер патента: 658627

Опубликовано: 25.04.1979

Авторы: Максименко, Свечников, Степанчук

МПК: H01L 21/66

Метки: диффузии, коэффициента, примеси

...свечения люминесцентно-активной примеси в зависимости от времени при комнатной температуре после каждого поспедоватепьКОго этапа диффузии до прекращения изменения яркости и по моменту насыщения яркости определяют параметры диффузии.При этом диффузию активируюшей примеси в образец осуществляют различным образом. При активации субпимированных пюминесцирующих пленок может иметь место диффузия активируюшей примеси из прослойки конечного объема в "бесконеч Коэффициент диффузии ( Э ) (придиффузии из прослойки конечного объемав "бесконечное" твердое тело опредепяютв общем случае из формулы е, ь+е е +е 2 Г 1 р- интеграл ошибок фГауссаф(табупируемая функция);С - концентрация примеси в примесном слое к моменту начала диффузии;О - время...

Номер патента: 660028

Опубликовано: 30.04.1979

Авторы: Комаров, Никулин, Поярков, Северинов

МПК: G05D 3/00, G12B 1/00, H01L 21/68 ...

Метки: объектов, позиционирования, прецизионного

...3. На суппорте 2 размещена каретка 4, на которую устанавливают объект. Каретка 4 посредством одового винта 5 связана с копиром, выполненным в виде одновптковой спиральной пружины б, оватывающей ходовой винт 5 и жестко закрепленной на нем одним концом, На конце ходового винта установлен упор 7, который имеет возможность перемещения вдоль востовика одового винта и фиксации в выбранном положении. На основании 1 жестко закреплена стойка 8. Свободный конец пружины б расположен в пазаупора 7 и стойки 8.Устройство работает следующим образом,Упор 7 устанавливают в требуемом месте востовика ходового винта 5, определяемом необходимой величиной корректировки, и фиксируют в этом положении. Приводной меанизм 3 перемещает суппорт 2 вместе с...

Номер патента: 660610

Опубликовано: 30.04.1979

Авторы: Вильям, Джозеф

МПК: H01L 23/34

Метки: полупроводниковое

...на кристалле 10 с проводниками 7.Теплопроводящий элемент 12 выполнен в форме правильного цилиндра и прикреп 4лен к стороне опорной пластины 9, противоположной той, на которой закреплен полупроводниковый кристалл 10. Для осугцествления теплового контакта теплопроводяший элемент 12 может быть припаян к опорной пластине 9. Теплопроводящий элемент имеет часть 13, которая располагается внутри корпуса 2, и часть 14, которая располагается вне корпуса 2. Продольная ось элемента 12 перпендикулярна к плоскости опорной пластины 9 и соответственно частям проводников 2 с тем, чтобы теплопроводящий элемент выходил из верхней поверхности 4 корпуса 2 существенно перпендикулярно к ней.Теплопроводящий элемент 2 имеет средство для его крепления в корпусе...

Номер патента: 661436

Опубликовано: 05.05.1979

Авторы: Ковальков, Медведев, Ошемков

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: временных, измеритель, параметров, полупроводниковых, приборов

...нем транзистор12 надежно заперт. Через транзистор13 ток также не протекает, посколькузаперты транзисторы 5 и 7Пусковой импульс запускает формирователь 1 тестового импульса прямо-угольной формы. На фиг. 2,а показанслучай, когда длительность фронта тестового импульса не равна нулю. Придостижении входным напряжением 1)ВХ(1)уровня По ток Д,1 начинает перераспределяться между транзисторами 4 и 5,а несколько позже, когда Пвых(1) сравнивается с Поп 2, начинает йерераспре"деляться между транзисторами б, 7 иток генератора 9 Ю (фиг. 2,в,д). Пе-риоды времени между моментами пересечения входным напряжением Овх (1.)уровня Ццц и выходным Пвых (1) уровняравны измеряемью задержкам включения 1 и выключения 12 испытуемогоприбора 3., Поскольку...

Номер патента: 661437

Опубликовано: 05.05.1979

Автор: Рагаускас

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: полупроводника, характеристик, электрофизических

...гранях образца находит.применение способ 21.Измерения электрофизических характеристик полупроводниказаключаютсяв том, что полупроводниковый образец помещают в скрещенные магнитное иэлектрическое поля, измеряют их велйчину и регистрируют электрический.сигнал на поверхности полупроводника.Однако, в известном способе из-за воздействия на образец стационарных сил Лоренца в процессе измерения имеет место определенное изменение отношения величины поверхностных электростатических потенциалов во и авэо наа противоположных гранях образца. В результате этого изменяются и скорости поверхностной рекомбийации на этих гранях. Следовательно имеет место зависимость между результатами и режимом измерения, которая приводит к грубым погрешностям....

Номер патента: 661654

Опубликовано: 05.05.1979

Авторы: Полукаров, Шлифер, Штейн

МПК: H01L 21/00

Метки: виброзагрузки, кассеты

...направляющие отверстия 11 в верхней плите кассет. Ка загрузку кассеты подаются кассетоносителями 12 с рукояткой 13 и механизмом подъема, содержащим траверсу 14, перемещаемую. по направляющим колонкам 15 под действием,пружины 16 или тяги 17, взаимодействующей с кулачками распределительного вала (на чертеже не показан, На траверсе на осях 18 установлены план ки 19. В рабочем состоянии под тяжестью кассет, устанавливаемых на опорные лапки 20, планки занимают 1 горизонтальное положение.Опорные лапки соединены при помощи крепежных элементов 21, рези,новых амортизаторов 22 и планок 19 с траверсой 14, подпружиненной относйтельно станины 23. На "опорных 20 лапках 20 выполнены устуйы 24 для базирования кассет 9, которые для уменьшения шума...

Номер патента: 661655

Опубликовано: 05.05.1979

Авторы: Мякинченко, Огуз, Штейн

МПК: H01L 21/00

Метки: дозирования, кассета, стержневых

...выводов имеется склиз 16 и коробка 17, размещенная на основании 7.Работает устройство следующим образом.Стержневые выводы 3 загружаются в ячейки 2 корпуса любым известным способом, например, с применением вибраций до максимально возможного заполнения. Крышка 8 в данный момент отсутствует. Затем заполненный магазин закрепляется на поворотной стойке 4, которая в начальный момент находится в .откинутом положении(см.поэ.Б на Фиг.1, показано условно) . Поверх магазина устанавливается и фиксируется крышка 8, пазы 9 которой своими дозирующими кромками 11 с козырьками 13 образуют точные дозирующие объемы во всех ячейках (см,фиг.2и Фиг,3). Затем при подъеме вверх и наклоне вперед на 15-30 ф поворотной стройки 4 и ее фиксации и после включения...

Номер патента: 661656

Опубликовано: 05.05.1979

Авторы: Лавров, Николаев, Окулов

МПК: H01L 21/66

Метки: знака, концентрации, носителей, подвижности, скорости, твердом, теле, электрического

...40 Сами 8 скользйбФйи"контактами 13.Для возбуЖФеййй импульсов счета контактные кольц 6 З,отнбсящиеся к счетчику 11 оборотов, имеют дйэлектрические вставки,45 ОпРеделенке скорости, подвижности,концентрации й знака носителЕй элект. рического."тока в твердом теле наоййсанном вьаае устройстве осуществляют следующим образом. Включают блоку 9 питания ичерез блок 12 управленияв цейи исследуемого образца 5 устанавливают ток определенного направления, Если образец 5 находится внемагнитного поля магнита 3, то индикатор 10 ЭДС Холла не регистрирует,так как она равна нулю. Поворачиваютдиск 1 так, чтобы образец 5 вошелв пространство между полюсами магнита3. Пои этом носители тока в образцебудут двигаться в магнитном полесо скоростью о и за счет...

Номер патента: 661657

Опубликовано: 05.05.1979

Авторы: Боярченков, Казарцев, Мусиенко, Шкуратяный

МПК: B41F 17/16, H01L 21/77

Метки: маркировки

...перед маркирующим роликом, и пластинчатой пружиной, установленнойна дне лотка под ограничителем и маркирующим роликом,30 На чертеже изображено устройстводля маркировки, разрез.Устройство содержит,маркирующийролик 1 й лоток 2 дпя подачи микросхем 3,. установленных в спутникахносителях 4, в зону маркирования.Перед маркирующим роликом 1 установлен ограничитель 5, снабженный скосом 6 для заходамикросхем 3. На днелотка 2 установлена пластинчатаяпружина 7. Между маркирующим роликоми ограничителем 5 имеется зазор,ведичина которого выбирается минимальной.Устройство работает следующимобразом,Микросхемы 3 подаются по лотку 2в зону маркирования. При этом онипопадают нод ограничитель 5 и прижимаются ,к его нижней поверхностипружиной 7....

Номер патента: 661658

Опубликовано: 05.05.1979

Авторы: Абрамович, Либер, Сакович

МПК: H01L 29/74

Метки: двухоперационный, силовой, тиристор

...и 44 областями изоляции 45-50 вэмиттерных слоях. Соединенные ссиловым электродом 40 области 13,15 и 17 базового слоя 2 прилегают кизолированным от силового электрода44 областям 19, 21, 23 базового слоя3 и наоборот соединенные с силовымэлектродом 44 области 18, 20 и 22.слоя 3 прилегают к изолированнымот силового электрода 40 областям12,14 и 16 базового слоя 2Области первого вцда 27-31 примыкаютк областям второго вида 32-36.Электрод управления 51 подключенк изолированной от силового электрода 40 40:области 12 базового слоя. Непоказанная на чертеже остальнаячасть структуры 1 выполнена аналогичным образом.Работа прибора происходит следую щим образом;При наличии положительного напряжения на аноде 44 и отрицательного .на катоде 40 на...

Номер патента: 661659

Опубликовано: 05.05.1979

Автор: Банага

МПК: H01L 35/06

Метки: добротности, термомагнитной

...специфика из/мерения требует хорошего тепловогоконтакта между блоками, тб в нихвстраиваются элементы 4 и 5, а Соприкасающиеся поверхности измерительных блоков шлифуются и притираются между собой. Под элементами4 и 5 следует понимать постоянныемагниты или один магнит и одну сталь.ную пластину, которые размещаются вблоке таким образом, чтобы напряжен"ность их магнитного поля не влиялана свойства исследуемого образца, аих размеры таковы, что сила их взаимодействия для данного коэффициентатрения в совокупности с эластичнымэлементом, например пружин(а, работающая на сжатие, действующим на подвижный блок, должны обеспечить хорошийтепловой и электрический контактобразца с блоками и в конечном счете 6 Осведут к минимуму термические...