H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 1537071

Опубликовано: 25.07.1995

Авторы: Амирханов, Венков, Земский, Мельникова, Моисеева

МПК: H01L 21/24

Метки: биполярных, горизонтальных, транзисторов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ГОРИЗОНТАЛЬНЫХ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ, включающий формирование в кремниевой подложке первого типа проводимости высоколегированных областей второго типа проводимости под скрытый слой, наращивание эпитаксиального слоя второго типа проводимости, создание областей межкомпонентной изоляции, формирование в эпитаксиальном слое диффузионных областей контакта к пассивной базе второго типа проводимости, формирование области активной базы подлегированием эпитаксиального слоя примесью второго типа, создание коллекторных и эмиттерных областей первого типа проводимости и формирование металлизации, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия транзисторов и упрощения технологии их изготовления, после формирования области...

Номер патента: 1559993

Опубликовано: 09.08.1995

Авторы: Голант, Снегирев, Тагер

МПК: H01L 29/93

Метки: диод, полупроводниковый, туннельно-пролетный

ТУННЕЛЬНО-ПРОЛЕТНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДИОД с резонансно-туннельной инжекцией носителей заряда, содержащий со стороны эмиттерного контакта двухбарьерную квантовую гетероструктуру с двумя барьерными слоями широкозонного полупроводника толщиной b1, b2 и расположенным между ними слоем узкозонного полупроводника толщиной а, образующим квантовую потенциальную яму с дискретным спектром поперечных составляющих энергии и импульса электронов, а также пролетный участок толщиной W, выполненной из узкозонного полупроводника, отличающийся тем, что, с целью увеличения отрицательного сопротивления, КПД и полезной мощности диода в миллиметровом и субмиллиметровом диапазонах длин волн, толщины полупроводниковых слоев а, b1 и...

Номер патента: 1442012

Опубликовано: 09.08.1995

Автор: Прохоров

МПК: H01L 21/66

Метки: внутренних, механических, напряжений, пленках, тонких

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ВНУТРЕННИХ МЕХАНИЧЕСКИХ НАПРЯЖЕНИЙ В ТОНКИХ ПЛЕНКАХ путем вытравливания в подложке окон и измерения геометрических размеров деформированной пленки, по которым судят о величине механических напряжений, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и упрощения процесса измерений, после травления подложку скрайбируют по лицевой стороне через выбранные для исследования структуры так, чтобы излом прошел параллельно свободно висящему краю пленки, отламывают часть пластины и вновь скрайбируют ее параллельно полученному ранее излому с шагом, обеспечивающим прохождение излома через исследуемые структуры, вновь отламывают часть структуры подложки и располагают ее под углом

Номер патента: 1685230

Опубликовано: 09.08.1995

Авторы: Барулин, Иванов

МПК: H01L 41/12, H02N 2/00

Метки: стрикционный, шаговый, электродвигатель

СТРИКЦИОННЫЙ ШАГОВЫЙ ЭЛЕКТРОДВИГАТЕЛЬ, содержащий неподвижную часть с направляющими из магнитомягкого материала и подвижную часть, состоящую из стрикционного элемента с обмоткой возбуждения, закрепленного между двумя фиксаторами, концы которых оперты на направляющие, постоянный магнит, размещенный между направляющими, и обмотки управления, отличающийся тем, что, с целью расширения эксплуатационных возможностей за счет увеличения величины рабочего хода и возможности получения криволинейных движений, обмотки управления размещены на подвижной части по обе стороны относительно обмотки возбуждения стрикционного элемента, а постоянный магнит установлен на подвижной части на равном расстоянии от обмоток управления.

Номер патента: 1459556

Опубликовано: 09.08.1995

Авторы: Иванов, Калугина

МПК: H01L 35/02

Метки: каскадный, охладитель, термоэлектрический

ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ КАСКАДНЫЙ ОХЛАДИТЕЛЬ, содержащий одинаковые по высоте термоэлементы, соединенные электрически последовательно и выполненные из полупроводниковых ветвей n и p типа, связанных коммутационными пластинами, при этом термоэлементы объединены в каскады, электрически изолированные между собой теплопроводящими пластинами, отличающийся тем, что, с целью сокращения расхода термоэлектрического материала, уменьшения потребляемой мощности и снижения инерционности, ветви термоэлементов всех вышележащих каскадов выполнены из нескольких равных по высоте частей, соединенных между собой последовательно в отношении электрических и тепловых потоков и расположенных по одной в каждом каскаде, причем количество частей равно номеру каскада, при...

Номер патента: 1831967

Опубликовано: 09.08.1995

Авторы: Гуга, Кислый, Малютенко

МПК: H01L 33/00

Метки: излучения, параметрами, проводниковых

СПОСОБ УПРАВЛЕНИЯ ПАРАМЕТРАМИ ИЗЛУЧЕНИЯ ПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ, включающий создание в полупроводнике избытка или дефицита концентрации электронно-дырочных пар, отличающийся тем, что, с целью расширения спектрального диапазона плавного управления параметрами излучения положительного и отрицательного контраста при обеспечении максимальной эффективности квантового выхода излучения положительного контраста, используют материал с собственной проводимостью и положительным или отрицательным барическим коэффициентом ширины запрещенной зоны, производят его всестороннее сжатие согласно условиюгде P давление сжатия;Pа атмосферное давление;

Номер патента: 1429855

Опубликовано: 20.08.1995

Авторы: Кляус, Крымский, Ли, Ольшанецкая, Пленидкин, Халиуллин, Черепов

МПК: H01L 27/148

Метки: зарядовой, многоканальное, приборах, связью, считывания

МНОГОКАНАЛЬНОЕ УСТРОЙСТВО СЧИТЫВАНИЯ НА ПРИБОРАХ С ЗАРЯДОВОЙ СВЯЗЬЮ, выполненное на полупроводниковой подложке и содержащее многовыходной коммутатор, общую шину считывания и в каждом канале цепочку зарядно связанных элементов из входной и выходной диффузионных областей противоположного подложке типа проводимости, первого, второго входных затворов и затвора переноса, расположенных на слое диэлектрика, причем затвор переноса электрически соединен с соответствующим выходом коммутатора, а выходная диффузионная область с общей шиной считывания, отличающееся тем, что, с целью увеличения точности подавления неинформационных компонент сигнала, в него введены общая шина записи и блок предпроцессорной обработки с сигнальным входом и компенсирующим...

Номер патента: 1431658

Опубликовано: 20.08.1995

Авторы: Гладков, Махаев, Пытьев

МПК: H01L 21/68, H05K 13/02

Метки: интегральных, кассета, преимущественно, спутников, схем, технологических

КАССЕТА ПРЕИМУЩЕСТВЕННО ДЛЯ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ СПУТНИКОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, содержащая корпус с направляющими выступами, пружинные фиксаторы, расположенные в боковых стенках корпуса на одном из его концов, и упор, расположенный в корпусе с возможностью перемещения по его направляющим выступам, отличающаяся тем, что, с целью улучшения эксплуатационных возможностей и удобства обслуживания, она снабжена дополнительными фиксаторами, установленными в боковых стенках свободного конца корпуса, а упор выполнен в виде w-образного упорного съемного элемента, установленного между основными и дополнительными пружинными фиксаторами.

Номер патента: 1715133

Опубликовано: 20.08.1995

Авторы: Башевская, Заказнова, Колмакова, Рогов, Тюнькова

МПК: H01L 21/302

Метки: арсенида, галлия, пластин, полирования, химико-механического

СПОСОБ ХИМИКО-МЕХАНИЧЕСКОГО ПОЛИРОВАНИЯ ПЛАСТИН АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ, включающий обработку пластины вращающимся полировальником и полирующим составом, содержащим абразив, сульфаминовую кислоту, пероксид водорода, поверхностно активное вещество и воду, отличающийся тем, что, с целью улучщения плоскостности пластин при сохранении качества поверхности, химико - механическое полирование проводят в два этапа на одном полировальнике, причем на первом этапе удаляют 80 95% припуска полирующим составом, содержащим в качестве абразива натриевый цеолит, а на втором этапе удаляют 5 20% припуска полирующим составом, содержащим в качестве абразива силиказоль, а в качестве поверхностно активного вещества используют сульфанол при следующем содержании...

Номер патента: 1762688

Опубликовано: 20.08.1995

Авторы: Гитлин, Ивакин, Кадменский, Левин, Остроухов, Татаринцев

МПК: H01L 21/268

Метки: бис, мдп

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП БИС, включающий формирование на кремниевой пластине областей истока, стока и слоя подзатворного диэлектрика, формирование металлизированной разводки и подгонку порогового напряжения путем облучения сформированных структур пучком рентгеновского излучения, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей способа при подгонке БИС, содержащих две различных группы МДП компонентов, одновременно с рентгеновским излучением структуры облучают ультрафиолетовым излучением, а соотношение между коэффициентами подгонки двух групп МДП компонентов регулируют путем изменения соотношения интенсивностей рентгеновского и ультрафиолетового излучений Iу/Iр, устанавливают это соотношение, исходя...

Номер патента: 1616454

Опубликовано: 20.08.1995

Авторы: Иванов, Калугина

МПК: H01L 35/02

Метки: каскадный, охладитель, термоэлектрический

КАСКАДНЫЙ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ОХЛАДИТЕЛЬ, состоящий из одинаковых термоэлементов, ветви всех последующих каскадов которых выполнены из нескольких равных частей, число которых равно номеру каскада, соединенных между собой проводящими вставками, при этом все термоэлементы охладителя соединены электрически последовательно, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности охлаждения и уменьшения габаритных размеров, все каскады расположены на одном уровне, причем в центре охладителя находятся термоэлементы последнего каскада, симметрично окруженные термоэлементами предшествующих каскадов в порядке убывания их номера, при этом горячие слои термоэлементов всех каскадов выведены на радиатор, а проводящие вставки ветвей термоэлементов всех...

Номер патента: 1454166

Опубликовано: 20.08.1995

Авторы: Клюев, Кузнецов, Липсон, Ревина, Саков, Топоров

МПК: H01L 21/66

Метки: гетерогенности, диэлектриков, поверхности, полупроводников, электрической

1. СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ГЕТЕРОГЕННОСТИ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ДИЭЛЕКТРИКОВ, основанный на размещении электрода на расстояние d над заряженной поверхностью образца и измерении параметров электрического разряда, отличающийся тем, что, с целью повышения разрешающей способности, экспрессности и информативности, используют плоский электрод, имеющий площадь, равную или больше площади образца, помещают образец и электрод в герметичную камеру, в которой изменяют давление до появления разряда между образцом и электродом, регистрируют давление, токи разряда и их направление, определяют напряжение между электродом и образцом, по полученным значениям вычисляют заряд и площадь заряженных участков поверхности, по которой судят об...

Номер патента: 1415992

Опубликовано: 20.08.1995

Авторы: Ли, Черепанов

МПК: H01L 27/148

Метки: зарядовой, приборах, связью, считавания

УСТРОЙСТВО СЧИТАВАНИЯ НА ПРИБОРАХ С ЗАРЯДОВОЙ СВЯЗЬЮ, содержащее канал переноса заряда, отделенный от выходной области затвором, транзистор установки, исток которого подключен к выходной области, сток к шине питания, затвор к управляющей шине, транзистор считывания, исток которого подключен к выходной шине, сток к шине питания, затвор к выходной области, отличающееся тем, что, с целью снижения уровня шумов за счет выделения разности двух последовательных сигналов, оно содержит дополнительные выходную область, отделенную затвором от канала переноса, транзисторы установки и считывания, управляющую и выходную шины, причем сток дополнительного транзистора считывания подключен к шине питания, затвор к дополнительной выходной области, исток к...

Номер патента: 1702829

Опубликовано: 20.08.1995

Авторы: Крымский, Ли, Ольшанецкая

МПК: H01L 29/768

Метки: зарядовой, многоканальное, приборах, связью, считывания

...перенос заряда в предварительно заряженную диффузионную область 9, детектирование изменения потенциала по шине 10 считывания и затем коррекция величины потенциального барьера по общей шине 11 записи, Для этого считывающий сигнал с шины 10 поступает на вход ДКВ 18, далее - в преобразователь аналог-код 20, с выхода которого сигнал в цифровом виде поступает на компаратор 21, Если сигнал оказывается больше некоторого опорного значения Ооп, логическое устройство 22 не изменяет потенциал Оо общей шины 11 записи. Этот потенциал выбирается меньше порогового напряжения так. чтобы под затвор 16 не затекал заряд из диффузионной области 15,Коррекция (повышение) потенциала барьера в этом случае происходит за счет естественной темновой...

Номер патента: 1653484

Опубликовано: 20.08.1995

Авторы: Будянский, Гомжин, Ефремов, Лебедев, Покроев

МПК: H01L 21/306

Метки: плазмохимического, пленок, удаления, фоторезиста

СПОСОБ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО УДАЛЕНИЯ ПЛЕНОК ФОТОРЕЗИСТА с образцов, имеющих диэлектрические слои, включающий непрерывный напуск рабочего газа и откачку продуктов реакции, активацию потока рабочего газа плазмой ВЧ-разряда, отделение зоны активации газа от зоны обработки образца, размещение образца в зоне обработки в потоке активированного разрядом газа и удаление полимерной фоторезистивной пленки под действием химически активных частиц, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годной продукции путем сокращения числа электростатических пробоев тонких диэлектрических слоев обрабатываемых изделий, определяют напряжение пробоя диэлектрического слоя V* и в процессе удаления фоторезиста контролируют потенциал плазмы в зоне...

Номер патента: 1545866

Опубликовано: 27.08.1995

Авторы: Петров, Соколов, Степанов, Трофимов

МПК: H01L 21/66

Метки: некомпенсированных, параметров, полупроводников, примесных, фотоэлектрических

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ПРИМЕСНЫХ НЕКОМПЕНСИРОВАННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ, заключающийся в освещении образца опорным и сигнальным модулированным по фазе пучками света, формирующими интерференционную картину на образце, регистрации зависимости амплитуды тока I g на частоте модуляции от пространственной частоты К, отличающийся тем, что, с целью одновременного определения средних диффузионных длин фотоиндуцированных электронов и дырок L1D, L2D и отношения

Номер патента: 1602279

Опубликовано: 27.08.1995

Авторы: Абрамян, Мелкумян, Мкртчян, Петросян

МПК: H01L 21/28

Метки: контактов, кремниевой, подложке

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КОНТАКТОВ К КРЕМНИЕВОЙ ПОДЛОЖКЕ, включающий вакуумное напыление алюминиевой пленки, формирование контактной площадки и термокомпрессионную сварку золотого микропровода с контактной площадкой, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности контактов, после напыления алюминия, не нарушая вакуума, на поверхность алюминиевого слоя напыляют слой меди толщиной 500 3000 .

Номер патента: 1664079

Опубликовано: 10.09.1995

Автор: Фильцов

МПК: H01L 21/52, H01L 21/58

Метки: герметизации, корпуса, полупроводникового, прибора

...да затвердевания шва,Экспериментально установлено, что при поверхностной плотности энергии менее 70 Дж/см значительно возрастает время разогрева герметика, соединяемых деталей и вследствие этого снижается нада;кность полупроводникового кристалла и ега соединение с основанием пробора.При увеличении значений поверхностной плотности энергии излучения более 300 Дж/см происходит образование эвтектиче 2ских соединений материалов выводов и корпуса палупрооодникооого прибора с их покрытием, что приводит к ухудшению качества прибора. Кроме того, наблюдается оыФормула изобретения СПОСОБ ГЕРМЕТИЗАЦИИ КОРПУСА ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА, оклочающий помещение герметика на основание или на крышку па контуру соединения крышки с основанием, установку...

Номер патента: 1759197

Опубликовано: 10.09.1995

Авторы: Желтышев, Коннов, Кутырева, Лупал

МПК: H01L 29/73

Метки: входной, интегральной, планарно-эпитаксиальной, схемы, элемент

ВХОДНОЙ ЭЛЕМЕНТ ПЛАНАРНО-ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ, содержащий изолированную область с активным элементом, две изолирующие области первого типа проводимости, между которыми расположена третья изолирующая область второго типа проводимости, внутрисхемные соединения и общая шина, отличающийся тем, что, с целью снижения токов утечки, в третьей изолирующей области сформирована дополнительная область второго типа проводимости с концентрацией, превышающей концентрацию третьей изолирующей области, при этом первая и вторая изолирующие области соединены с дополнительной областью и общей шиной.

Номер патента: 1807822

Опубликовано: 10.09.1995

Авторы: Арутюнов, Богатыренко, Грибов, Илисавская, Сорокин

МПК: H01L 27/144

Метки: зарядовой, линейный, прибор, связью, фоточувствительный

...накопленному в промежуток времени от 12до тз. Под действием заряда СЬ потенциал плавающих электродов 7 и 8 изменится на величину й 3 и = 0/Сп где Си - суммарная скорость плавающих электродов 7 и 8 с со единяющей их шной, Пусть Опу - установочное напряжение на плавающих электродах, тогда после накопления заряда С 1 Т напряже-, ние на плавающих электродах 7 и 8 станет равным400ц= Бп пу п пу Сп45В дальнейшем это напряжение будетсохраняться и определять величину потенциального барьера между накопительным50 электродом 13 и суммирующим электродом14,В момент времени тз отпирается верхнийзатвор 4. С этого же момента времени начинается световая экспозиция фотодиодов 1.Излучение, проникающее в фотодиоды 1, генерируют электронно-.дырочные пары,...

Номер патента: 1393249

Опубликовано: 10.09.1995

Авторы: Пересветов, Рудаков

МПК: H01L 21/56

Метки: герметизации, интегральных, микросхем, полупроводниковых

СПОСОБ ГЕРМЕТИЗАЦИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ, включающий нанесение на рабочую поверхность микросхемы герметизирующего средства, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности микросхем за счет повышения степени герметичности, в качестве герметизирующего средства используют крышку из того же полупроводникового материала, что и микросхема, крышку устанавливают на слой металла, предварительно нанесенный по периметру рабочей поверхности микросхемы, и проводят зонную плавку металла с градиентом температуры в направлении от рабочей поверхности микросхемы к наружной поверхности крышки до появления расплавленного металла на наружной поверхности.

Номер патента: 1820795

Опубликовано: 10.09.1995

Авторы: Аверин, Дмитриев

МПК: H01L 31/11

Метки: фотодетектор

...электрод выполнен в виде омического контакта 5 к активному слою 2 слоистой полупроводниковой структуры 3, Если выбрать величину концентрации основных носителей заряда активного слоя 2 и расстояние между электродами встречно- штыревой системы контактов такими, что поле, обусловленное Шоттки барьерным контактом, распространяется на все расстояние между контактами, то при освещении фоточувствительной области 6 образуется фототок, который может быть подведен к полезной нагрузке, создавая на ней измеряемый электрический сигнал, При этом расстояние между электродами встречно-штыревой системы контактовследует выбирать в соответствии с выражением Формула изобретения ФОТОДЕТЕКТОР, содержащий полупроводниковую подложку с расположенным на ней...

Номер патента: 1664082

Опубликовано: 20.09.1995

Авторы: Малинова, Махаев, Ожерельева

МПК: H01L 21/68

Метки: выводов, интегральных, корпусах, микросхем, периметру, плоских, расположением, спутник-носитель

...длякорпуса ИМ С с площадкой 11.Эксплуатация спутника-носителя происходит следующим образом,Корпус ИМС укладывается в окно 4 основания 1 в соответствии с ГОСТ 20,39.40584 крышкой корпуса прибора вниз, ВыводыИМС попадают в пазы 3 опорных площадок2, Окно 4 и пазы 3 предохраняют ИМС отперемещения в горизонтальной плоскости,. Затем сверху накладывают крышку 5 площадкой 11, которая прилегает к дну корпусаприбора и предохраняет ИМС от вертикальных перемещений и защищает ИМС от случайных механических воздействий в местеустановки кристалла, Фигурные прижимы 8при закрытии крышки 5 взаимодействуют свыводами ИМС и прижимают их к опорным Формула изобретенияСПУТНИК-НОСИТЕЛ Ь ДЛЯ И НТЕ ГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ В ПЛОСКИХ КОРПУСАХ С РАСПОЛОЖЕНИЕМ ВЫВОДОВ ПО...

Номер патента: 1499614

Опубликовано: 20.09.1995

Авторы: Вахтель, Гитлин, Ивакин, Кадменский, Мокшин, Остроухов

МПК: H01L 21/263, H01L 21/268

Метки: мдп-транзисторов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ по авт. св. N 1176777, отличающийся тем, что, с целью повышения точности подготовки пороговых напряжений и увеличения процента выхода годных МДП-транзисторов, перед облучением структур рентгеновским излучением, ионным легированием примесью в подзатворную область проводят предварительный сдвиг среднего значения порогового напряжения до значения МДП-транзисторов, а U0-заданное пороговое напряжение.

Номер патента: 1519452

Опубликовано: 20.09.1995

Авторы: Ачкасов, Вахтель, Гитлин, Ивакин, Кадменский, Левин, Остроухов

МПК: H01L 21/26

Метки: бис, мдп

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП БИС, включающий формирование на кремниевой подложке областей истоков, стоков и слоев подзатворного диэлектрика, формирование электродов затворов и металлизированной разводки, подгонку пороговых напряжений путем облучения подложки рентгеновским излучением и термический отжиг при температуре 400-450oС в течение 30-60 мин, отличающийся тем, что с целью улучщения эксплуатационных характеристик МДП БИС, стабилизации ее параметров и повышения процента выхода годных, термический отжиг проводят в среде водяного пара, после этого проводят обработку в нейтральной среде, при температуре 500-510oС в течение 8-12 мин.

Номер патента: 1519470

Опубликовано: 20.09.1995

Авторы: Гузев, Клименко, Курышев, Ли, Хрящев

МПК: H01L 27/14

Метки: матричный, фотоприемник

МАТРИЧНЫЙ ФОТОПРИЕМНИК, содержащий полупроводниковый кристалл матрицы фоточувствительных элементов, соединенный с кремниевым кристаллом схемы предварительной обработки сигнала металлическими столбиками, расположенными под каждым фоточувствительным элементом с шагом, равным шагу матрицы, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности сборки фотоприемной матрицы большого формата, схема выполнена на двух кремниевых кристаллах, соединенных тыльными сторонами, размеры которых меньше размеров кристалла матрицы на 10 40% шага матрицы, электрически кремниевые кристаллы соединены по периметру эластичными микрошлейфами, а размеры крайних фоточувствительных элементов в направлении края полупроводникового кристалла матрицы меньше, чем внутри...

Номер патента: 1575858

Опубликовано: 20.09.1995

Авторы: Белоусов, Гусельников, Снегирев, Тагер

МПК: H01L 39/22

Метки: диод, сверхпроводниковый, туннельный

СВЕРХПРОВОДНИКОВЫЙ ТУННЕЛЬНЫЙ ДИОД, содержащий два электрода, эмиттер и коллектор из сверхпроводника, разделенных полупроводниковой прослойкой, отличающийся тем, что, с целью повышения максимальной рабочей частоты и мощности, полупроводниковая прослойка выполнена в виде многослойной квантовой гетероструктуры, состоящей по крайней мере из двух полупроводниковых материалов, различающихся шириной запрещенной зоны, причем слой узкозонного материала расположен между слоями широкозонных материалов и образует потенциальную яму для основных носителей заряда, содержащую по крайней мере один квантовый уровень.

Номер патента: 1780458

Опубликовано: 20.09.1995

Автор: Кипарисов

МПК: H01L 21/28

Метки: интегральных, металлических, многослойных, осаждения, покрытий, селективного, схем

СПОСОБ СЕЛЕКТИВНОГО ОСАЖДЕНИЯ МНОГОСЛОЙНЫХ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ПОКРЫТИЙ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ на полупроводниковых пластинах из материалов группы AIII BIV, включающий химическую чистку и обработку пластин, нанесение на лицевую поверхность фоторезиста, формирование путем фотолитографии контактной маски, последовательное осаждение на вскрытый рисунок интегральных схем многослойной композиции металлов из водного раствора, содержащего палладий, и слоя золота, удаление маски, отличающийся тем, что с целью обеспечения качества металлизации рисунка с минимальными размерами элементов порядка микрона и увеличения толщины слоев, первый слой многослойной композиции выполнен из аморфного сплава...

Номер патента: 1797418

Опубликовано: 20.09.1995

Автор: Аверин

МПК: H01L 31/14

Метки: фотодетектор

...2 и образующие с ним контакты металл-полупроводник 3, фоточувствительная область 4. Фотодетектор работает следующим образом.При освещении оптическим излучением фоточувствительной области 4 образуется фототок, который является комбинацией электронов и дырок, фотогенерированных в обедненной области обратно смещенного контакта. Этот ток .еоез развязывающую емкость подводится к полезной нагрузке й, создавая на ней измеряемый сигнал, при этом быстродействие фотодетектора с шириной электродов менее 0,5 мкм увеличивается при сохранении его эффективности, если высота электродов не превышает его Формула изобретения ФОТОДЕТЕКТОР с встречно-штыревой системой электродов, размещенных в активном слое слоистой полупроводниковой структуры и...

Номер патента: 1752128

Опубликовано: 27.09.1995

Авторы: Бугров, Гитлин, Ивакин, Кадменский, Левин, Остроухов

МПК: H01L 21/268

Метки: бис, мдп

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП БИС, включающий формирование МДП-структур и подгонку порогового напряжения до требуемой величины путем облучения сформированной структуры рентгеновским излучением с последующим высокотемпературным отжигом, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных за счет расширения диапазона подгонки порогового напряжения, цикл облучение отжиг при подгонке проводят не менее двух раз.