H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 659018

Опубликовано: 10.02.1996

Авторы: Казаков, Лизин, Преображенский

МПК: H01L 21/66

Метки: микродефектов, пленках, прозрачных

СПОСОБ КОНТРОЛЯ МИКРОДЕФЕКТОВ В ПРОЗРАЧНЫХ ПЛЕНКАХ, основанный на ионно-плазменном распылении, включающий создание плазмы, бомбардировку пленки положительными ионами плазмы и наблюдение микродефектов, отличающийся тем, что, с целью повышения достоверности контроля, в постоянном электрическом поле ведут ионно-плазменное распыление диэлектрика, а о наличии микродефектов судят по появлению вокруг них цветовых ореолов.

Номер патента: 1538827

Опубликовано: 10.02.1996

Авторы: Божевольнов, Яфясов

МПК: H01L 21/66

Метки: границы, межфазовой, параметров, электролит, электрофизических, —полупроводник

1. СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ МЕЖФАЗОВОЙ ГРАНИЦЫ ЭЛЕКТРОЛИТ - ПОЛУПРОВОДНИК, включающий пропускание через границу основного импульса тока, измерение приращения напряжения на границе, пропускание дополнительного импульса тока противоположной полярности, длительность и амплитуду которого выбирают из условия обеспечения равенства нулю суммарного заряда, вносимого основным и дополнительным импульсами тока, и определение искомых величин электрофизических параметров по калибровочным зависимостям, отличающийся тем, что, с целью повышения точности, измерение приращения напряжения на межфазовой границе производят в интервале между началом основного и концом дополнительного импульсов, определяют величину интеграла приращения...

Номер патента: 1823722

Опубликовано: 20.02.1996

Автор: Мищенко

МПК: H01L 31/0248

Метки: двухцветный, диапазонов, переключением, фотоприемник, электронным

...предлагаемого фотоприемника на основе прибора зарядовой связи, Фиг 2 (а, б) соответствует случаю расположения регистрирующих электродов в самом ПЗС, поэтому показан разрез фотоприемника вдоль линейки электродов, На фиг.2 а - приведена ситуация. когда электроды 3 на 182372251015 20 25 30 35 40 45 50 55 копления и передачи заряда не прозрачны, а на фиг.2 б они защищены от попадания света непрозрачным экраном б, имеющим окна над регистрирующими электродами 5. Экран б лежит на дополнительном слое диэлектрика 7, который обеспечивает электрическую развязку экрана 6 с электродами 5 и 3, Остальные детали фотоприемника также как на фиг.1 они обозначены теми же цифрами, На фиг.2 опущены не имеющие принципиального значения антиотражающие...

Номер патента: 1828717

Опубликовано: 20.02.1996

Авторы: Елисеев, Кузнецов, Старостин

МПК: H01L 21/265

Метки: группового, ионного, легирования, пластин, полупроводниковых

УСТАНОВКА ГРУППОВОГО ИОННОГО ЛЕГИРОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН, содержащая систему вертикального электростатического сканирования ионного пучка, барабан для размещения полупроводниковых пластин на его боковой поверхности, установленной с возможностью вращения вокруг своей оси и маску с окном, расположенную между системой вертикального сканирования и боковой поверхностью барабана, отличающаяся тем, что, с целью расширения области применения, окно в маске выполнено в виде щели, имеющей переменную в вертикальном направлении ширину.

Номер патента: 1835967

Опубликовано: 20.02.1996

Авторы: Антонюк, Виноградов, Дьяченко, Ильичев

МПК: H01L 21/66

Метки: параметров, полупроводниковых

...раствор соляной кислоты или поваренной соли. С целью повышения точности локальных измерений за счет уменьшения размеров области приложения обедняющего постоянного и переменного напряжений в качестве электролита 2 целесообразно использовать вещество, электрол итическая диссоциация в котором наступает при оптическом облучении, например, лейкоцианиды трифенилметановых красителей. Проводящий канал к исследуемому участку образца создается при облучении вещества в ограниченной области, размеры которой определяются размерами сечения возбуждающего луча, временем жизни неравновесных ионов и их подвижностью в исходном веществе,Предлагаемый способ состоит в следующем: к исследуемому участку образца подводят зондирующее излучение миллиметрового,...

Номер патента: 1795829

Опубликовано: 20.02.1996

Авторы: Кастрицкий, Козлов, Корешков, Красницкий, Турцевич, Химко

МПК: H01L 21/316

Метки: осаждения, плазмохимического, пленок, стекла, фосфоросиликатного

...более 2 ат. о, возрастает в 5 и более раз, что обуславливает улучшение пассивирующей способности пленки за счет повышения ее влагостойкости и повышение стойкости стекла к диффузии ионов металлов.Выбор отношения ингредиентов закись азота-аммиак при осаждении пленки ФСС сделан на основе экспериментальных результатов.При соотношении ингредиентов закись азота-аммиак менее 5 ухудшаются условия для введения фосфора в пленку, что обуславливает ухудшение качества ФСС из-за увеличения дефектности,При соотношении ингредиентов закись азота-аммиак более 25 ухудшается пассивирующая способность пленки из-за уменьшения количества азота в ней, что наряду с увеличением привносимой дефектности обуславливает ухудшение качества пленок ФСС.Возможность...

Номер патента: 1542332

Опубликовано: 20.02.1996

Авторы: Авдеев, Колмакова, Матвеев, Мкртчан

МПК: H01L 21/306

Метки: арсенида, галлия, поверхности, полупроводниковых, структур

СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ, включающий обработку в травителе на основе перекиси водорода и удаление кислородсодержащих примесей с поверхности химической обработкой, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества полупроводниковых структур арсенида галлия за счет снижения уровня загрязнения поверхности углеродом и сохранения геометрических размеров структур, в качестве травителя на основе перекиси водорода используют концентрированный водный раствор перекиси водорода и обработку в нем проводят в течение 5 - 10 мин, затем промывают структуры деионизованной водой в течение 10 - 15 мин, а кислородсодержащие примеси удаляют химической обработкой в концентрированном водном растворе аммиака в...

Номер патента: 1491271

Опубликовано: 27.02.1996

Авторы: Гладыщук, Грибковский, Парашук, Яблонский

МПК: H01L 21/66

Метки: кристаллов, кристаллографической, неоднородности, полупроводниковых

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКОЙ НЕОДНОРОДНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛОВ, основанный на погружении кристалла в диэлектрическую жидкость, возбуждения в кристалле стримерных разрядов одиночными импульсами напряжения с помощью электродов, один из которых выполнен игольчатым, а другой плоским, и регистрации траекторий стримерных разрядов в кристалле со стороны одной из плоскостей кристалла при перемещении игольчатого электрода над его поверхностью, отличающийся тем, что, с целью повышения информативности путем определения блочной структуры кристалла, перед возбуждением стримерных разрядов ориентируют поверхности кристалла относительно его кристаллографических плоскостей, одновременно с регистрацией стримерных разрядов со стороны...

Номер патента: 1715152

Опубликовано: 27.02.1996

Авторы: Кукуев, Попов, Харламов

МПК: H01L 39/22, H01L 39/24

Метки: пленок, сверхпроводящих

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СВЕРХПРОВОДЯЩИХ ПЛЕНОК, заключающийся в плазменном напылении в инертной газовой среде порошкового материала YBa2Cu3O7 на разогретую подложку с последующей ее термообработкой в кислорде и охлаждением, отличающийся тем, что, с целью повышения качества пленок путем уменьшения количества пор, величину гранул порошкового материала выбирают в пределах 80 - 150 мкм, напыление производят до толщины пленки 10 - 1000 мкм, при этом в зону образования пленки подают кислород, после чего в течение 2 ч производят нагревание пленки до 945 - 955oС с постоянной скоростью, выдерживают при этой температуре в течение 2,5 - 3,0 ч, а затем постепенно охлаждают в течение 4 ч.

Номер патента: 1508867

Опубликовано: 27.02.1996

Автор: Пухов

МПК: H01L 21/18

Метки: полупроводниковых, приборов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ, включающий получение сквозных проводящих каналов в полупроводниковой подложке путем выполнения углублений на одной поверхности подложки, заполнение углублений алюминием, создание градиента температуры в направлении противоположной поверхности, а также формирование функциональных элементов, отличающийся тем, что, с целью повышения степени интеграции и процента выхода годных приборов путем уменьшения неоднородности градиентов температуры, до заполнения углублений алюминием в углублениях по их центрам выполняют дополнительные углубления, при этом отношение объема дополнительного углубления к объему основного углубления находится в диапазоне от 1 : 4 до 1 : 1000, а ширина дополнительных...

Номер патента: 898905

Опубликовано: 27.02.1996

Авторы: Белая, Дудченко, Думаневич, Евсеев, Тетерьвова

МПК: H01L 31/111

Метки: фотосимистор

1. ФОТОСИМИСТОР на основе многослойной структуры, например, n-p-n-p-n типа, содержащий зашунтированные внешние n-эмиттерные слои, контакты основного токосъема, дополнительные n-эмиттерные области, частично металлизированные, участок базы, управляемый световым потоком, по крайней мере, с одной стороны структуры, отличающийся тем, что, с целью повышения стойкости прибора к высоким скоростям нарастания анодного напряжения в режиме коммутации и повышения чувствительности к оптическому сигналу управления, проекция внутреннего контура металлизации по крайней мере одной дополнительной n-эмиттерной области на поверхность структуры хотя бы частично совпадает с границей внешнего n-эмиттерного слоя.2. Фотосимистор по п.1, отличающийся тем, что,...

Номер патента: 1828339

Опубликовано: 27.02.1996

Автор: Мац

МПК: H01L 29/808

Метки: p-n-переходом, полевой, транзистор, управляющим

...которой формируются активные элементы транзистора. Одновременно с об.лас гью 3 формируются области 4, 9 первого типа проводимости. Стандартными методами в островной области формируют низкоомные области 5, 7 истока и стока. Завершают изготовление ПТУП формированием металлических контактов 8 к области истока, стока, затвора (изолирующей области и/или подложке). Рассмотрен режим работы ПТУП с элементом защиты промежутка затвор-исток. Аналогично работает и элемент защиты в виде области 9 расположенный под центральной частью стока. На фиг,3 представлена конструкция ПТУП с защитой как промежутка затвор-исток, так и затвор-сток,Пример конкретной реализации, ПТУП изготавливают на пластине монокристаллического кремния ориентации 100 ртипа...

Номер патента: 1739802

Опубликовано: 27.02.1996

Авторы: Красножон, Фролов, Хворов

МПК: H01L 21/306

Метки: алюминия, плазмохимического, пленок, травления

СПОСОБ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ ПЛЕНОК АЛЮМИНИЯ, включающий размещение подложек со сформированной фоторезистивной маской на заземленном электроде-подложкодержателе и обработку в хлорсодержащей ВЧ-плазме при температуре подложек ниже температуры деструкции фоторезиста, но выше температуры, вычисленной по формулегде Q - расход газа, см3/мин;P - рабочее давление, Па;F - площадь поверхности алюминия, м2;V - скорость травления алюминия, нм/с,отличающийся тем, что, с целью улучшения качества получаемых структур за счет снижения загрязнения этих структур и внутренних поверхностей реактора продуктами полимеризации, перед...

Номер патента: 1544111

Опубликовано: 27.02.1996

Авторы: Захаров, Колмакова, Матвеев, Тимир-Булатов

МПК: H01L 21/306

Метки: ga1-xalxas, гетероструктурах, многослойных, слоев, толщин

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТОЛЩИН СЛОЕВ GaAs И Ga1-xAlxAs В МНОГОСЛОЙНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ, включающий локальную обработку слоя GaAs в травителе на основе концентрированной перекиси водорода и концентрированного водного раствора аммиака при комнатной температуре и локальную обработку слоя Ga1-xAlxAs в концентрированном водном растворе галогеноводорода, замер толщины образовавшихся ступенек интерференционным методом, отличающийся тем, что, с целью повышения точности определения толщины в слоях GaAs и Ga1-xAlxAs, где x 0,1, локальную обработку слоя GaAs...

Номер патента: 1373248

Опубликовано: 10.03.1996

Авторы: Думаневич, Евсеев, Рачинский, Тетерьвова

МПК: H01L 29/747

Метки: симистор

1. СИМИСТОР, содержащий n-p-n-p-n-структуру с контактами к основным n- и p-эмиттерным слоям и к области управления, в котором проекции n-эмиттерных слоев на противоположных поверхностях структуры за пределами области управления не перекрываются, область p-типа управления, расположенная на верхней поверхности, охвачена частично областью n-типа управления, проекция которой попадает на n-эмиттерный слой, расположенный на нижней поверхности, отличающийся тем, что, с целью управления напряжением переключения в любом направлении током одного порядка, повышения динамических параметров и рабочей температуры, часть n-эмиттерного слоя, расположенная на нижней поверхности под областью управления, проекционно связана и повторяет форму области n-типа...

Номер патента: 1376839

Опубликовано: 10.03.1996

Авторы: Лизин, Тояков

МПК: H01L 21/02

Метки: микросхем, полупроводниковых

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МИКРОСХЕМ, включающий создание элементов микросхем, сборку ее в корпус, термоэлектротренировку путем нагрева микросхемы и воздействия на нее внешним электрическим полем, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности и процента выхода микросхем, проводят термоэлектротренировку до сборки микросхем в корпус.

Номер патента: 1814451

Опубликовано: 10.03.1996

Авторы: Неустроев, Родионова

МПК: H01L 21/467

Метки: локального, олова, подложек, растворов, свинца-теллурида, твердых, теллурида, травления

...из компонентов смеси - метана в смеси с водородом для травления полупроводниковых соединений. В заявляемом изобретении используется смесь другого состава.В отличие от процесса по прототипу, где для травления ОаААз используют образующий плазму газ, содержащий треххлористый бор и хлор, в описываемом способе травления щелей твердого раствора теллурид свинца-теллурид олова проводят продуктами распада смеси метана и аргона, позволяющем увеличить скорость травления, понизить температуру нагрева, повысить разрешающую способность, устранить использование высокотоксичных веществ.Как показывают экспериментальные данные, наилучшими условиями плазмохимического травления щелей в подложках твердых растворов теллурид свинца-теллурид олова...

Номер патента: 1779198

Опубликовано: 10.03.1996

Автор: Зайдман

МПК: H01L 21/00, H05K 3/00

Метки: металлодиэлектрических, подложек, покрытий, стеклокристаллических, термообработки

УСТРОЙСТВО ТЕРМООБРАБОТКИ СТЕКЛОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПОКРЫТИЙ МЕТАЛЛОДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОДЛОЖЕК, содержащее камеру нагрева с размещенным внутри нее конвейером, средство изменения скорости перемещения подложки, отличающееся тем, что, с целью повышения качества покрытия, оно снабжено подложкодержателем, выполненным в виде двух профилированных стрержней из жаростойкой стали с упорами на их концах, скрепленных между собой в центре тяжести каждого стержня, и теплопроводящей пластины с упорами, жестко соединенной со стержнями одним своим концом, причем упоры пластины выполнены из материала с большей теплопроводностью и с большим поперечным сечением, чем упоры стержня, средство изменения скорости перемещения подложки выполнено в виде лебедки, барабан...

Номер патента: 1496566

Опубликовано: 20.03.1996

Авторы: Лебедев, Одиноков, Пугин

МПК: B05C 1/06, H01L 21/50

Метки: клея, монтаже, нанесения, полупроводниковых, преимущественно, приборов

УСТРОЙСТВО ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ КЛЕЯ ПРЕИМУЩЕСТВЕННО ПРИ МОНТАЖЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ, содержащее планшайбу с приводом ее вращения, дозатор клея, установленной над планшайбой, ракель для выравнивания слоя клея на планшайбе и механизм переноса клея с планшайбы на изделие, отличающееся тем, что, с целью улучшения эксплуатационных возможнотей и повышения качества клеевого соединения, оно снабжено расположенным между дозатором и ракелем механизмом перемешивания клея на планшайбе, выполненным в виде соединенного с приводом вращения конического ролика, установленного с возможностью взаимодействия своей боковой поверхностью с рабочей поверхностью планшайбы, причем на конической поверхности ролика вполнены два участка с винтовыми канавками...

Номер патента: 1774794

Опубликовано: 20.03.1996

Автор: Бородин

МПК: H01L 29/74

Метки: моп-транзистор

МОП-ТРАНЗИСТОР, содержащий подложку первого типа проводимости, сформированные в ней области истока и стока второго типа проводимости, разделенные участком индуцированного канала и примыкающей к стоку слаболегированной областью второго типа проводимости, изолированный от подложки и расположенный над участком индуцированного канала электрод затвора, перекрывающий по всей ширине канала область истока и слаболегированную область стока, изолированный от подложки, электрода затвора и стока, расположенный над слаболегированной областью дополнительный электрод, перекрывающий по всей ширине канала электрод затвора и область стока, отличающийся тем, что, с целью обеспечения работоспособности транзистора при криогенных температурах, введена...

Номер патента: 1514175

Опубликовано: 20.03.1996

Автор: Пухов

МПК: H01L 21/18

Метки: полупроводниковых, приборов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ, включающий получения сквозных проводящих каналов в полупроводниковой подложке путем выполнения углублений на одной ее поверхности, заполнение углубления алюминием, создания градиента температуры в направлении противоположной поверхности, а также формирование функциональных элементов, отличающийся тем, что, с целью повышения степени интеграции и процента выхода годных приборов путем уменьшения неоднородности градиентов температуры по подложке, до заполнения углублений на дно углублений по центру наносят пленку двуокиси кремния, при этом отношение площади пленки двуокиси кремния к площади дна углубления находится в диапазоне от 1 : 2 до 1 : 1000, толщина пленки двуокиси кремния составляет от...

Номер патента: 1823720

Опубликовано: 20.03.1996

Авторы: Галахова, Дравнина, Евстишенкова, Никольский, Розе

МПК: H01L 31/0203

Метки: варианты, его, охлаждаемый, фотоприемник

...(до 80 мкм), что при их коэффициентечерноты стекла -0.9 увеличивает теплопритоки к ФЧЭ. В заявляемой конструкции,благодаря подслоению стеклопокрытия 11,металлическая пленка 12 становится зеркальной и обладает незначительным коэффициентом черноты (0,03 - 0,05). Кроме тогона внутреннюю поверхность внешнего ба 1 лона 3 могут быть дополнительно нанесеныстеклопокрытие 1 Э и слой металла с низкимкоэффициентом черноты 14,Стеклопокрытие 13 повышает в,.;уумную плотность внешнего баллона, так эк вметалле баллона 3 обычно имеются м роканалы, ухудшающие вакуум в процессе эксплуатации фотоприемника, т.е. снижающиеего надежность. Кроме того, газоотделениестекла в вакуумный объем меньше, чем улюбого используемого при изготовлениикорпусов ФП...

Номер патента: 764557

Опубликовано: 20.03.1996

Авторы: Манжа, Одиноков, Сулимин, Чистяков

МПК: H01L 21/311

Метки: композициях, отверстий, пленочных

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ОТВЕРСТИЙ В ПЛЕНОЧНЫХ КОМПОЗИЦИЯХ, включающий формирование первого и второго маскирующих слоев, фотолитографию и травление, отличающийся тем, что, с целью получения узких отверстий, после формирования на первое максирующее покрытие наносят слой поликристаллического кремния, формируют на его поверхности вспомогательное маскирующее покрытие, устойчивое к травителю для поликристаллического кремния и первого маскирующего покрытия, методом фотолитографии, формируют островки из поликристаллического кремния и вспомогательного маскирующего покрытия в местах требуемого расположения узких отверстий, под защитой вспомогательного покрытия подтравливают поликристаллический кремний по периметру вышеупомянутых островков, затем формируют...

Номер патента: 1530013

Опубликовано: 20.03.1996

Авторы: Веселова, Гусев, Космодемьянская, Прокофьев, Слесарева

МПК: H01L 21/306

Метки: антимонида, индия, поверхности, состав

СОСТАВ ДЛЯ ОЧИСТКИ ПОВЕРХНОСТИ АНТИМОНИДА ИНДИЯ, содержащий поверхностно-активное вещество, гексаметафосфат натрия и воду, отличающийся тем, что, с целью повышения качества очистки поверхности, в качестве поверхностно-активного вещества используют оксиэтилированный моноалкилфенол формулы RO6H4O(CH2C2H4O)nH, где n = 9 - 12, при следующем соотношении компонентов, мас.%:Оксиэтилированный моноалкилфенол формулы RC6H4O(CH2C2H4O)nH - 0,18 - 0,22Гексаметафосфат натрия - 0,65-0,85Вода - До 100

Номер патента: 880167

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Волк, Волкова, Коваленко, Кокин, Лукасевич, Манжа, Одиноков, Патюков, Самсонов, Сулимин, Чистяков, Шевченко, Шепетильникова

МПК: H01L 21/82

Метки: боковой, диэлектрической, изоляцией, полупроводниковых, приборов, тонкослойных

...проводимости (рР= 10 Ом см локально формируют и -скрытые слои (Х,+ = 3-3,2 25 мкм, р, = 36 - 40 Ом/о ). Методом эпитаксиинаращивают пленку и-типа проводимости с удельным сопротивлением 0,8-1,2 Ом см, толщиной 1-1,2 мкм. Эпитаксиальную пленку маскируют двуслойным диэлектриком 30о5 Ю 2 и Рзй 4 толщиной 600 - 800 А и 1800о2000 Аз соответственно. Методом фотолитографии травят двуслойный диэлектрик и эпитаксиальную пленку на глубину 0,6-0,8 мкм. Формируют р -стопорный слой в вытравленных канавках диффузией бора, Параметры загонки р, = 85 - 90 Ом/а. Удаляют боросиликатноестекло и производят заполнение канавок окислом кремния при 1000 С в парах воды при повышенном давлении 1,5 атм в течение 2,5 ч. Толщина окисла кремния в канавках...

Номер патента: 1195862

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Манжа, Патюков, Чистяков, Шурчков

МПК: H01L 21/82

Метки: интегральных, схем

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование n+ скрытых слоев, наращивание эпитаксиальной пленки, создание противоканальных p+-областей, диэлектрической изоляции, формирование активных областей структур в эпитаксиальной пленке, осаждение пленки поликристаллического кремния для изготовления резисторов, ее легирование, формирование резистивных областей, формирование диэлектрической пленки, вскрытие контактных окон, металлизацию, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости резисторов, степени интеграции и быстродействия интегральных схем, после легирования пленки поликристаллического кремния проводят ее термический отжиг и формирование участков пленки поликристаллического кремния над...

Номер патента: 1805802

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Григорашвили, Гурова, Дербенева, Пожарский, Цейтлин, Чаплыгин

МПК: H01L 39/24

Метки: bi-pb-sr-ca-cu-o, высокотемпературного, сверхпроводникового, системы

...заключается в повышении химической однородности. высокотемпературного сверхнроводника и упрощении процесса,Это достигается благодаря тому, что к смеси оксидов висмута и меди и нитратов стронция и кальция, а также оксида или нитрата свинца добавляется концентрированная азотная кислота в количестве, не достаточном для образования средних нитратов, но достаточном для получения шликера со сметанообраэной консистенцией, Благодаря тому, что шликер не расслаивается и не образуется жидкость, которая может проникать сквозь стенки огнеупорного тигля, операции смешения и приготовления шликера проводятся непосредственно в алундовом тигле и применение посуды из драгоценных металлов исключается.Роль азотной кислоты заключается в активации...

Номер патента: 745298

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Басов, Гладков, Конкин, Любимов, Манжа

МПК: H01L 21/331

Метки: структур, транзисторных

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР, включающий создание коллектора, базы, маскирование поверхности структуры пленкой диэлектрика, вытравливание в диэлектрике эмиттерного окна, осаждение легированной пленки кремния, вытравливание из этой пленки мезы внахлест маскирующей эмиттерное окно, формирование эмиттера и металлизацию, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия и плотности тока эмиттера на высоких частотах, после маскирования поверхности структуры пленкой диэлектрика на него наносят поликристаллический кремний толщиной 0,1 - 0,2 мкм, а в процессе осаждения легированной пленки кремния получают одновременно монокристаллический, поликристаллический кремний и эми

Номер патента: 865065

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Минеева, Миронов, Филипченко

МПК: H01L 21/28

Метки: контактов, омических, полупроводниковым, приборам

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ К ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМ ПРИБОРАМ на основе соединений AIIIBV, включающий химическую обработку, нагрев подложки, напыление металла и термообработку, отличающийся тем, что, с целью повышения качества приборов, после химической обработки на подложку дополнительно осаждают слой палладия толщиной 150 - 200 и проводят термообработку при температуре 450 - 500oС в течение 0,5 - 20 мин.

Номер патента: 760837

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Власов, Кокин, Манжа, Чистяков, Шварц

МПК: H01L 21/20

Метки: интегральных, полупроводниковых, схем

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование областей скрытого слоя противоположного типа проводимости подложке, маскирование подложки диэлектрической пленкой, вскрытие в ней окон, эпитаксиальное наращивание, диффузию примеси одного типа проводимости с подложкой для формирования базовых областей, диффузию примеси привоположного типа проводимости по отношению к подложке для формирования эмиттера, вскрытие контактных окон, металлизацию, отличающийся тем, что, с целью уменьшения размеров элементов, сокращения технологического цикла и повышения процента выхода годных, вскрытие окон в диэлектрической пленке проводят по периметру скрытого слоя и внутри его, а диффузию примеси для формирования базовых областей...