H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 1362371

Опубликовано: 30.06.1988

Автор: Дорошенко

МПК: H01L 39/22

Метки: датчик, постоянного, сверхпроводящий

...прорезями 7; преобразующую обмотку 8, индуктивцо связанную со скнидом 9; управляющие обмотки 1 О. Датчик работает следующим образом.Стабилизируемый ток 1, проходит по передающей обмотке 1. Магнитное поле, создаваемое током 1 , замыкается через отверстия 2 сверхпреводниконых стаканов 4 и 5, Стенки стаканов 4 и 5 и сверхпронодниковые перемычки 6 создают четное число М витков приемной обмотки 3, соединенных параллельно, Площадь контура каждого витка соответствует площади отверстия 2. Прорези 7 у двух соседних отверстйй находятся с разных сторон, т.е. каждые дна соседних витка включены градиентометрически, Передающая обмотк состоит цэ нцтков провода,продетых через отверстия 2 в стаканах 4 и 5 так, что в нечетных отверстиях провод входит...

Номер патента: 1362372

Опубликовано: 30.06.1988

Авторы: Дорошенко, Тункин

МПК: H01L 39/22

Метки: датчик, постоянного, сверхпроводящий

...через отверстия 3приемной обмотки 4 сверхпроводящеготрансформатора потока, выполненногоиз наружного. 5 и внутреннего 6 стаканов, края которых связаны сверхпроводниковыми перемычками 7 между прорезями 8; преобразующую обмотку 9,индуктивно связанную со сквидом 10.Датчик работает следующим образом.Сравниваемые токи пропускаются попередающей обмотке 1 и по обмоткесравнения 2, Создаваемые ими магнитные поля замыкаются через отверстия 3сверхпроводниковых стаканов 5 и 6Стенки стаканов и сверхпроводниковыеперемычки 7 создаютчетное числовитков приемной обмотки 4, соединенных параллельно. Площадь контура каж.дого витка соответствует площади отверстия 3. Прорези 8 у двух соседних отверстий находятся с разных сторон,т,е. каждые два соседних витка...

Номер патента: 1408474

Опубликовано: 07.07.1988

Авторы: Орешкин, Рожков

МПК: H01L 21/66

Метки: глубоких, ионизации, полупроводниках, уровней, энергии

...концентрацией поверхностных центров возникают интенсивные колебания напряжения и тока. Для оп 35 ределения характера распределения поверхностных центров (непрерывное или пик плотности состояний) далее проводят изиерение зависимости периода воз-. никающих колебаний 1 С от температу,Кры Т, наблюдая период колебаний на экране осциллографа, Температуру структуры изменяют в пределах 200- 400 К,Пику плотности состояний, определяемому наличием на поверхности примесных глубоких центров либо структурных дефектов, соответствует экспоненциальное уменьшение периода возникающих колебаний при увеличении 50 температуры. При этом энергию ионизации определяют по ФормулеКВЕ = 2 МТ 1 п - 4 Ы55дЕ - энергия ионизации;постоянная Больцмана,"Т -...

Номер патента: 673089

Опубликовано: 15.07.1988

Автор: Авдейчиков

МПК: G01T 1/24, H01L 31/02

Метки: детектор, излучения, ионизирующего, кремниевый

...инверсную проэодимьстьс-Стороныимно-перпендикулярных направлениях. 3 и-р-перехода и является йеменбктиНа фиг.1 представлена схема пред рующимконтактом соСторойь 1 (1) облагаемого детектора с позиционной . ратного контакта. ПоверхностноЕ Сопчувствительностью вдольоси Х со сторотивление пленки германий дляпере-роны обратного контакта 1 кремниевой менной составляющей тока10. кОм,пластины 2, Кремний имеет проводи- ,. :. : что почти в 10 раз больше соЩоФивмость р-типа. Со стороны переднеголенияпленки"висмута", поэтому вкладконтакта 3 на травленную химический плейкигермания в эффекти 9 йбе сопрообразом поверхность нанесена пленка.25 тивление контактаменьше 0,1 Й,германия 4 и на чуть меньшую площадьВ предлагаемом детекторе обе,.по-поверх...

Номер патента: 1412020

Опубликовано: 23.07.1988

Авторы: Красиков, Кудрявцев

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: аппаратуры, блоков, охлаждения, радиоэлектронной, шкаф

...образованным боковыми поверхностями блоков, установленных на этажах 14, а часть воздуха поступает взазоры между поверхностями внутренних стенок 12 и боковыми поверхно"стями блоков, непосредственно примыкающими к стенкам 12,Пройдя через нагретую зону шкафа (зтажи 14), воздух, имеющий неко 12020 щей более высокую температуру (например, 60-70 С), через стенки 3, введено теплоизолирующее покрытие 25; одновременно уменьшаются на 5-8 дБ шумовые помехи от шкафа.40Проходные сечения воздуховодныхканалов 18 достаточно велики. Поэтому гидравлические сопротивления каналов 18 относительно малы (по сравнению с сопротивлениями воздушных ка налов обычных теплообменников) и составляют около 507 от суммарного гидравлического сопротивления всего...

Номер патента: 1413684

Опубликовано: 30.07.1988

Авторы: Галанов, Потихонов, Степкина

МПК: H01L 21/66

Метки: концентрации, локальных, полупроводниках, центров

...на дисплей 20.Отношение сигналов ЕП есть магнитный круговой дихроизм и определяется соотношением 4 ос 1 4 нк д(1,е+1,е )зхп 2 й 1где ьы. - приращение коэффициента поглощения для циркулярно поляризованного излучения,обусловленное магнитным полем;Ж о. - коэффициент поглощения электромагнитного излучения присовпадении направлений распространения излучения с направлением магнитного поляи при противоположной направленности распространенияизлучения и магнитного полясоответственно;й - толщина образца;1 - поток излучения, прошедшийчерез образец при напряженности магнитного поля Н=О,Величина 4 Р связана с концентраци ей локальных центров Б в полупроводнике следующим соотношении: 6 В Б = М-и ед,пл.где М=О, 310 - . -- калибровочныйсм...

Номер патента: 1413685

Опубликовано: 30.07.1988

Автор: Дорошенко

МПК: H01L 39/22

Метки: датчик, постоянного, сверхпроводниковый

...витки также включены градиентометрически, т,е, по отношению к полям имеющим криволинейную геометрию, лежащим в плоскости, перпендикулярной оси цилиндров (например, от проводника с током, проходящего параллельно оси цилиндров), такие витки будут включены градиентометрическими и наведенные этими полями токи в витках будут взаимно компенсироваться. Передающая обмотка состоит из двух одинаковых секций, образованных проводом, продетым через все витки датчика у одного торца и также через все нитки у другого торца, Обмотка входит и выходит через соседние витки и, следовательно, наводит в них суммирующиеся токи. Переход обмотки от одной секции к другой также осуществляется через соседние по образующей цилиндра витки, включенные...

Номер патента: 1132746

Опубликовано: 23.08.1988

Авторы: Берестенко, Боков, Бочканов, Носов, Сиедин, Федоров, Шевченко

МПК: G03F 7/26, H01L 21/312

Метки: маски, негативной

...и продолжительность прививки 1"10 ч.При давлении мономера менее 01 Торр при продолжительности прививкименее 1 ч толщина маски получается недостаточной, так что выход за эти пределы практически нецелесооб-. разен. Процесс пострадиационной графт-полимеризации практически завершается в течение 10 ч, поэтому увеличение продолжительности не дает существенного выигрьппа.В предложенном способе, в отличие от известных, применяемая полимерная пленка не содержит летучих компонентов, не требует обработки в жидких мономерах и проявления в жидкомрастворителе. На фиг, 1-4 показана схема получения негативной маски согласно изобретению.На фиг. 1 изображена первая стадия- формирование полимерной пленки, содержащей молекулы полимера (Р). Полимер...

Номер патента: 1420638

Опубликовано: 30.08.1988

Автор: Княжеченко

МПК: H01L 41/09, H02N 2/04

Метки: волоконных, позиционирования, световодов

...и величиной промежуточного 3 и несущего 4 элементов.Вариант устройства, приведенный на фиг. 5, представляет собой частный случай данного типа устройств, при котором биморфные элементы 1 и 2 являются частями единой биморфной пластины, а промежуточным элементом 3 является участок биморфной пластины, свободный от обкладок.Вариант устройства, приведенный на фиг. 6, представляет собой устройство с биморфными элементами 1 и 2 цилиндрической формы. Формула изобретения1. Устройство для позиционирования волоконных световодов, содержащее два биморфных пьезоэлемента, один из которых одним концом закреплен на основании, а другим через промежуточный элемент соединен с одним концом второго биморфного пьезоэлемента, к другому концу которого...

Номер патента: 1422267

Опубликовано: 07.09.1988

Авторы: Узарс, Феоктистов, Храмцов, Чаусов, Якубсон

МПК: H01L 25/00

Метки: полупроводниковый

...по кругу вокруг цилиндрического каркаса 2, причем между модулями имеются клиновидные прокладки3, выполненные из электроизоляцион"ного материала (пластмассы). Каждаяпрокладка 3 имеет запресованный в 20нее при изготовлении винт 4 фиг.1,показаны только оси винтов). Конецвинта 4 пропущен в отверстие в кар"касе 2 и с внутренней стороны нанего надета гайка 5 (фиг,2), 25Когда все гайки 5 затянуты, модули 1 вместе с прокладками 3 образуютмонолитную систему, удерживаемую засчет сил арочного распора. Если момент затяжки гайки 5 на винте 4 выбран так, что винт 4 натянут с усилием Б, то каждый модуль 1 зажат с боков прокладками 3 силамиГГ /зп,где Ы- угол клина прокладки 3,35причем360теюэщс Мгде Ы " количество модулей 1 в...

Номер патента: 1294226

Опубликовано: 15.09.1988

Авторы: Бархатов, Грязнова, Малышев, Плеханова, Поляков, Семирунний, Семко

МПК: H01L 21/66

Метки: корундовых, подложек, поликристаллических, свч-устройств, сортировки

...для подложек толщиной 10 и 1,010 м соответст венно в различныхмасштабах интервала25 дискретизации выборочных данных на отрезках одинаковой длины, Интервалыразбиения при построении гистограммвыбирались кратными удвоенной абсолютной ошибке измерения коэффициента светопропускания, равной 0,005с вероятностью 0,99.Полученные линейчатые гистограммы распрецеления выборочных данных-эУбо 1,0 1 О м (фиг,4,6); исходя изЗ 5 экспериментально обнаруженных интервалов смещения резонансных частотмикрополосковых фильтров, разбивались на три практически равные зо".ны изменения коэффициента пропуска 40 ния, аналогичные подложкам групп А,Б и В на фиг 1. Для подложек толщиной 0,5 1 О мсоответствующий интервал А охватывает значения коэффициентов...

Номер патента: 1424072

Опубликовано: 15.09.1988

Авторы: Быков, Колесник, Сотников, Сотникова

МПК: H01L 21/306

Метки: кремния, поверхности

...и подают окислитель - озонкислородную смесь через устройство, выполненное иэ фто" ропласта с размером отверстий 0,1" 0,5 мм, с количеством отверстий не менее 500, со скоростью 6-8 л/мин в течение 5-10 мин. При этом значение рН раствора поддерживается близким к 10,5, а концентрация озона в окислительной смеси 6 Х. Затем пластины отмывают в деионизованной воде барботируемой озонкислородной смесью при параметрах технологического процесса.П р и м е р 2. В ванну наливают деионизованную воду и нагревают до 45 о55 С. Помещают пластины кремния в воду и начинают процесс перемешивания посредством барботиронания аммиак- азотной смеси со скоростью 3-5 л/мин (рН раствора 11,0) и окислительной озонкислородной смеси со скоростью 1-9 л/мин с...

Номер патента: 1427436

Опубликовано: 30.09.1988

Авторы: Андрюшин, Лисейкин, Смолин, Таубкин, Тришенков

МПК: H01L 31/06

Метки: фотоприемное

...шума предусилителя, приведенное к входу, 20В Гцвг;С - удельная емкость фотодиодаопри единичном удельном сопротивлении подложки,Ф см Омсмог; 25граничная частота предусиолителя, Гц;а г, - шумовая полоса предусилителя при входном белом шуме,Гц; ЗОЬГ - шумовая полоса предусилителя при высокочастотном шумевида Г, Гц;А - геометрическая площадь Фотодиода, см ,г.,35заряд электрона, Кл;1 - удельная плотность темновоого тока фотодиода при еди=ничном удельном сопротивле нии подложки А см, Ом см 40П р и м е р, Для наиболее распространенных предусилителей соотношение шумовых полос и одинаково, 61 г//Ь 1, =4 Я, С учетом численных значеу 2ний С 1 о оптимальное удельное сопротивлениеопт=2,5 10+о 1 вА,(1)Для ФПУ с высокой...

Номер патента: 1430991

Опубликовано: 15.10.1988

Авторы: Докучаев, Кузнецов, Пригожин

МПК: H01L 27/10, H04N 5/30

Метки: видеосигнала, матричный, формирователь

...кремния толщиной 0,12 мкм, на котором расположе ны затворы 5 матрицы из поликремния толщиной около 0,5 мкм. Затворы 5 фаз Ф, и Ф, выполненные в первом слое поликремния, изолированы от затворов 5 фаз ф и Ф, выполненных во втором слое поликремния, слоем двуокиси кремния толщиной 0,12 мкм.Устройство работает следующим образом.К затворам 5 прикладывают обычную четырехфазную последовательность импульсов. При этом наклонное расположение затворов 5 фаз секции 2 накопления по отношению к вертикальным стоп-каналам 1 приводит к тому, чтов каждых двух соседних столбцах последовательность фаз в вертикальныхрегистрах изменяется на противоположную (см. фиг.1, 2): в четных регистрах порядок фаэ Ф,Ф Ф, Ф 4 в нечетных ф 4, Фз ф, Ф, порядокотсчета...

Номер патента: 1431083

Опубликовано: 15.10.1988

Авторы: Петлин, Филипчук

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: охлаждения, радиатор, радиоэлементов

...5 с мембранами 6, заполненныетеплопоглощающим рабочим веществом 7.В радиаторе на Фиг. 3; 4 показанооребрение в виде пустотелой спирали12, выполненной, например, из медной тонкостенной трубки. На виткахспирали 12 выполнены пазы 13, вскрывающие полость спирали, Витки спирали12 припаяны или приварены к корпусу 1.В радиаторе на фиг. 5 вместо опорногосильфона 5 установлены малогабаритныесильфоны (штыри) 5 с мембраной б ирабочим веществом 7. В радиаторе наФиг, 6, 7 витки спирали 12 размещеныв пазах 14 корпусаНа фиг, 3, 5 элементы 8-11 условно не показаныУстройство работает следующимобразом.При включении радиоэлемента 3температура контактируемого с нимкорпуса 1 растет, а тепло отводится нокружающую среду через поверхностькорпуса 1 и его...

Номер патента: 858494

Опубликовано: 07.12.1988

Автор: Познанский

МПК: H01L 27/06

Метки: интегральная, схема

...канала конец этой области соединяется с положительным полюсом источника питания в случае р-канального транзистора,. При этом в качестведиода для отвода тока утечки затворатранзистора используется . р-и переход,образованный между подложкойи областью сопротивления. Входнойомический контакт выполняется на поверхности подложки.Устройство по изобретению может быть использовано, например в миниатюрном электретном микрофоне, для миниатюрного слухового аппарата, а также для усиления слабых электрических сигналов от высокоомных датчиков информации, в качестве высокоомного входа измерительных усилителей и преобразователей переменных электрических сигналов в постоянный ток, в сенсорных системах управления. Изобретение относится к...

Номер патента: 1443056

Опубликовано: 07.12.1988

Автор: Ескин

МПК: H01L 25/00

Метки: модуль, транзисторный

...4 при помощи диэлектрических пластин Ь или воздушных промежутков. В теплоотвод 1 ишины 3 и 4 запрессованы металлические штырьки-контакты 7-9 различнойдлины, на шину 4 устанавливаются изо ляторы с контактными штырьками 10,При сборке модуля контактныештырьки 7 и 8 проходят через отверстия в шинах 3 и 4 и диэлектрическихпластинах 6 таким образом, что свободные концы выводов 5 транзисторов2 и штырьков 7-10 располагаются наодном уровне над плоскостью теплоотвода 1. Указанное обстоятельство позволяет автоматизировать монтаж моду 5Радиоэлементы 11-13 монтируютсяна штырьках 8-10 пакета шин 3 и 4 иштырьках, запрессованных в теплоотвод 1.55Выводы 5 транзисторов 2 соединяются со штырьками 10 отрезками проволо-.ки 14 одинаковой длины для всех...

Номер патента: 1444975

Опубликовано: 15.12.1988

Авторы: Красуцкий, Рудюк, Свистунов

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: охлаждения, полупроводниковых, приборов, радиатор

...ности со скосами клинообразных сухариков 0. На внутренней поверхности дна 3 стакана основания 1 размещена установочная площадка 14 для приборов 15, 45 Радиатор для охлаждения полупроводниковых приборов работает следующим образом,Предварительно, исходя из требуемой мощности рассеивания тепловыхпотерь в полупроводниковом приборе15, набирают нужное количество гибких проволок 3. Они устанавливаютсямежду цилиндрами 4 и.5 со стороныпродольных клинообразных выступов 9,после чего устанавливают клинообразные сухарики 10, а затем распорнуюконическую гайку 12.: При закручивании гайки 12 сухарики 10 раздвигаются и прижимают проволоки .3 к внутренней поверхности 8 внешнего цилиндра 5, при этом выступы 9 способствуют лучшему уплотнению проволок 3,...

Номер патента: 1451786

Опубликовано: 15.01.1989

Авторы: Крюгер, Рисланд

МПК: H01L 21/68

Метки: сервопривод

...113. 1, соединенными с наклонными отверстиями 113.3, которые все направлены в одном направлении, проведены вплотную до поверхности поддона для полупроводниковых пластинок 113. Под воздействием подводимого сжатого воздуха ка шланговом патрубке 106 полупроводниковая пластинка (не показана) перемещается от поддона для пластинки 113 на воздушкой подушке в направлении перемещения,От шлангового патрубка 105 к отверстию 113,2 проведена вторая канальная система 117.По ходу отверстия 113.2 имеются несколько клапанов 118. Клапаны 118 при помощи винтов 119 возможно зафиксировать в двух положениях, которые в зависимости от положения освобождают дальнейшую подачу вакуума через отверстие 113,2 или коммуникацию с кольцевыми пазами 113.4 или...

Номер патента: 1455373

Опубликовано: 30.01.1989

Авторы: Карачевцева, Страхов, Яременко

МПК: H01L 33/00

Метки: светодиод, типа, торцового

...2Ь/Ь для световода с длиной во1=1,54 мкм, . 5=180 мкм, шириноИ=300 мкм, плотности тока 120 А/при Т=ЗОО К.Светодиод торцового типа содеподложку 1 с последовательно вырными на ней первым эмиттерным сл2, активным слоем 3 и вторым эминым слоем 4. На поверхность подл1 и противоположную поверхностьрого эмиттерного слоя 4 нанесеньтакты 5 и 6. Излучающий кристаллкреплен на держателе 7. Кристалл53734сплошные линии). Вклад излучения, выводимого за счет эффекта многопроходности на длинных диодах, существенно 5выше, чем на коротких, поскольку сростом длины излучающего кристаллауглы падения лучей на контакты, а следовательно, коэффициент отражениявозрастают. При больших значениях1/Ь заметно насыщение яркости и внешний квантовый . выход...

Номер патента: 1457018

Опубликовано: 07.02.1989

Авторы: Лаужа, Никифоров, Скольцов, Узарс, Феоктистов, Чаусов, Чуверин

МПК: H01L 23/34, H01L 25/00

Метки: модуль, полупроводниковый, силовой, установки, электропреобразовательной

...в пластмассовый кожух 11 прямоугольного сечения, продольная ось 12 кожуха образует острый угол ОС с осью вентильного комплекта. 30 С торцов кожух закрыт крышками 13 с воздуховодами 14, в крышках 13 предусмотрены "отверстия 15, в которые пропущены прижимные элементы 8.Модуль работает следующим образом. 35Вентили 1 сжаты вместе с охладителями 3 прижимным элементом 8 с усилием 8-18 кН. Вентили 1 включены в цепь силового тока 1 при помощи токо- отводов 9. Выделяющееся в вентилях тепло через диски 4 передается листам 5 и с их поверхностей - воздушному потоку.Продувкавоздуха через модуль осуществляется принудительно вентиля тором. Входящий воздушный поток 16 поступает через нижний воздуховод 14 и затем равномерно распределяется по...

Номер патента: 1457019

Опубликовано: 07.02.1989

Авторы: Гришанина, Кривоногов

МПК: H01L 43/04

Метки: датчик, импульсов, разнополярных, электрических

...в виде стакана с вырезанными по образующей секторами иимеет возможность вращаться. На внутренней цилиндрической поверхностимагнита 1 расположено магнитоуправляеиое устройство 4 с неподвижныимагнитопроводои 5 в виде пластины,размеры которой соответствуют размерам магнитоуправляемого устройства 4.Постоянный магнит 1 может бытьвыполнен в виде части полого цилиндра.Иагнит может охватывать магнитопровод 2 с зубцами 3, а на наружнойцилиндрической. поверхности магнитарасположено магнитоуправляемое устройство 4 с неподвижным иагнитопроводом 5 в виде пластины.Иагниты изготавливают из магнитотвердого материала и намагничиваютполем 0,5 - 5 Нсв перпендикулярно образующей с числом пар полюсов,равным или больше единицы. Шириназубца магнитопровода...

Номер патента: 1471327

Опубликовано: 07.04.1989

Авторы: Котицын, Широков

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: блок, полупроводниковых, приборов, силовых

...вид.Блок силовых полупроводниковых приборов содержит теплоотвод 1 с прижатыми к нему с двух противополож ных сторон А и Б силовыми полупроводниковыми приборами 2 и 3 и уста-, новленными на них центрирующими механизмами 4 и 5, рессоры 6 и 7, передающие на силовые полупроводниковые 20 приборы. 2 и 3, соответственно, усилие затяжки шпилек Я гайками 9. Центрирующпе механизмы 4 и 5 обеспечивают совпадение осей усилия с осями силовых полупроводниковых приборов 25 2 и 3 и изоляцг ю их от рессор 6 и 7.Предлагаемый блок крепления позволяет создать необходимое для нормальной работы силовых полупроводниковых приборов 2 и 3 определенное 30 усилие, величину которого можно контролировать по прогибу рессор 6 и 7. При работе силовых полупроводниковых...

Номер патента: 695460

Опубликовано: 15.04.1989

Авторы: Бузукашвили, Киасашвили, Топчян, Уваров

МПК: H01L 39/14

Метки: криогенная, петля

...коммуникациями на штоке 4, проходящем в верхней части канала-криостата через сальниковое уплотнение 5, Шток 4 выполнен разборным, состоящим иэ 4-х секций, каждая из которых может быть присоединена (отсоединена) по мере перемещения образца в каналекриостате вниз,(вверх). Выводы проводов, служащих для электрофизических измерений и введения тока в образец, закреплены на верхнем конце нижней секции штока. При размещении образца в зоне исследования выводы проводов расположены за уплотнением 5 и подключены к соответствующим измерительным приборам и устройствам.Канал-криостат 2 окружен концентрически расположенными трубами 6-8, служащими для подвода и отвода потока крионосителя. Канал-криостат заглушен с нижнего торца и, тем самым,...

Номер патента: 1476395

Опубликовано: 30.04.1989

Авторы: Любчак, Старуш, Шнайдерман

МПК: G01R 19/03, H01L 35/00

Метки: термопреобразователь

...2 н 3 площади .сечения электрода 2 (С) и электрода 3 (Бз) выбраны так, чтобы Я/8 з - Лз/ Л г или Я г Л г зЛэ фПри выборе необходимого соотношения площадей сечения ширина термоэлектрода 3 (1 ) должна составлять не более 0,8 от ширины термоэлектропровода 2 (1), т.е. 1 з = (0,6 -0,8) что обеспечивает точное Определение 40 места спая 4 при сборке термопреобразователя.Предложенная конструкция позволяет улучшить точностные характеристики термопреобразователя за счет вырав нивания теплопередачи по длине электродов, а также за счет их правильного расположения на нагревателе.Электроды 2 и 3 свариваются внахлест, ширина сварки 4 не превышает 0,1 мм, что соизмеримо с диаметром нагревателя, при этом на нагреватель 1 укладывается термоэлектрод...

Номер патента: 1476555

Опубликовано: 30.04.1989

Авторы: Веселов, Дурново, Красильников

МПК: H01L 21/00, H05K 13/02

Метки: кассета, полупроводниковых, преимущественно, приборов, транспортирования

...пазами 4 корпуса 1. Крьппка 2 для удобства работы снабжена ручкой 10. Узел удержания изде 4 лий в кассете выполнен в виде двух упругих пластин 11 и 12, один конец которых закреплен на крьппке, а на втором конце выполнены Г-образные ототгибы (выступы) 13, перпендикуляр. ные к поверхности пластин, расположенные в сквозных пазах 7 и 8 крышки 2 и перекрывающие осевой канал 3 корпуса. Пластина 11 имеет два боковых симметричных. выступа 14,со скосами, перпендикулярных к ее поверхности, проходящих через пазы 9 крьппки и размещенных в полукруглых пазах 4 корпуса. Пластины 11, и 12 закреплены на крышке 2, Кассета , может быть использована в устройстве для монтажа или транспортирования с манипулятором 15 и упором 16.Для заполнения...

Номер патента: 1032959

Опубликовано: 15.05.1989

Авторы: Гершензон, Гольцман, Семенов

МПК: H01L 39/14

Метки: сверхпроводящий, фотоприемник

...чувствительные элементы, иконтактных площадок, совместно расположенных на одной из сторон диэлектрической подложки, чувствительные элементы изготовлены из полосок сверхпроводника ТТ рода толщиной порядка глубины скин-слоя и шириной порядка глубины проникновения перпендикулярного магнитного поля, ко - торые соединены последовательно-параллельно.С целью пространственной селекции или приема изображения приемнаяплощадка выполнена в многоэлементном виде. Кроме того, с целью анализа поляризации принимаемого излучения фо - топриемник выполнен с воэможностью кругового вращения.Приемная площадка помещается в магнитное поле БН (Н - верхнее критическое поле) перпендикулярное плоскости пленки. Через полоску пропускается транспортный ток Т. При...

Номер патента: 1074345

Опубликовано: 15.05.1989

Автор: Фурсин

МПК: H01L 27/10

Метки: интегральный, нейрон

...на возбуждающих входах 4 а (д=,М) и на тормозящих входах.5 Ь;(=,И) отрицательное напряжение относительно шины нулевого потенциала принимают лишь два значе- . ния - логического "0", либо логической "1", На выходах 2 и 3 си.налы определяются следующими фуйкциями::Е. (а, -Ь; ) с; Ц=1 10 О, если если где М и Г - число возбуждающих итормозящих входов 4 и 5 соответственно; А, В, С - пороги срабатываниявторого, третьего и первого суммато ров, определяемые сопротивлениямишунтирующих резисторов 30 (либо дополнительным управляющим током положительной или отрицательной полярности, подаваемым на базовые р-области 2 Б 8, 9, и 7 выходных транзисторов)Пороги срабатывания выбираются в пределах А 5 Му сВБ 1 СМ; 1 ЦМ. Сигналам С, С и Сз соответствует...

Номер патента: 1479973

Опубликовано: 15.05.1989

Автор: Павленко

МПК: H01L 21/225

Метки: бора, диффузии, источника, твердого

...пластификатора при 250- 300 С) являются подготовительными для этапа спекания слоя смеси с подложкой.Сушка в температурных и временных режимах, отличных от приведенных в формуле изобретения, не является эффективной: покрытие либо обсыпается на следующих стадиях термообработки, либо приобретает вид рыхлой рассыпчатой массы. Выжигание платификатора при температуре выше 300 С сопровождается воспламенением и приводит к отслоению смеси от подложки. За время 5-20 мин при 250 - 300 С происходит следующий процесс: сначала слой смеси на пластине-подложке чернеет, а затем постепенно приобретает белую окраску, Спекание в течение более 40 мин или (и) при температуре выше 1100 фС приводит к тому, что некоторые участки покрытия заворачиваются краями в...

Номер патента: 1481871

Опубликовано: 23.05.1989

Авторы: Вертинский, Зенкович, Мазаник, Садовский, Твердов, Шевцов

МПК: H01L 21/60

Метки: автомат, выводов, полупроводниковых, приборов, присоединения, проволочных

...посредством шины подключен к входу В второй схемы сравнения, выход которой: подключен к входу А второго формирователя, а вход А второй схемы сравнения подключен по шине к выходу второго счетчика К, вход второго счетчика подключен к выходу второго ждущего мультивибратора, а вход Т - к выходу элемента И,: второй вход которого подключен к выходу генератора и к входу Т первого счетчика, К-вход которого подключен к выходу первого ждущего мультивибратора, а выход его подключен посред,теля, объединенные вход управления вводом УВ формирователя и вход С де 5 10 15 30 25 30 35 40 45 50 55 ством шины к входу А первого формирователя,7, Автомат по п, 3, о т л и ч аю щ и й с я тем, что устройство управления присоединением выводов содержит...