H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 213213

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Зотов, Катыс

МПК: B64G 3/00, H01L 31/16

Метки: источником, световогоизлучения, слежения

...сигнал-шум.Кроме того, датчики, используемые при этом, плохо работают при наличии светового фона.Предлокенный способ слежения за источником светового излучения основан на использовании продольного м агнитоконцентрационного эффекта в полупроводнике (эффект фокусировки) и позволяет избавиться от перечисленных недостатков.Чертеж поясняет описываемый способ, 1-1 а плоской пластине из германия установлены две пары коллекторов 1, 2 и 3 и 4, Переменное магнитное поле, образующееся между полосами электромагнита, действует на инъектированные носители в направлении коллекторов 1 и 2. Согласно теории магнитокоицентрационного эффекта, включение магнитного поля приводит к образоваишо эллипсов равных концентраций, большая ось которых направлена...

Номер патента: 218214

Опубликовано: 01.01.1968

Автор: Корнилов

МПК: H01L 21/18

Метки: видикона, фотомишень

...центьзлот удельм слт. тодом рем- отоасшрить ов, попектра и упнов. Предмет из етен и в пиная из ся тем, увствиальной инком, в слт - з е 0,1% работающего ра, выполнен от тича 1 ощая пороговой ч едела спектр легирован ц е меньше 101 орого не вышмпенсация Изобретение относится к области инфракрасной техники и может найти применение в промышленном телевцдении и других областяхИзвестные фотомишени из различных мате- науки и техники,риалов и их комбинаций имеют ограниченный спектральный интервал в инфракрасной области спектра.Для увеличения пороговой чувствительности фотомишеней и расширения предела спектральной чувствительности предложено изготавливать фотомишени из монокристаллического кремния, легированного цинком, концентрация которого...

Номер патента: 218267

Опубликовано: 01.01.1968

МПК: H01L 41/187

Метки: 218267

Номер патента: 218322

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Валентикои, Горлов, Зубарев, Лимонов

МПК: H01L 21/00

Метки: полуавтомат, температурного, циклирования

...теплопотерь и колебаний температуры в камерах в момент входа и выхода из камер кассет предусмотрены шлюзы, закрываемые крышками 8, Крышки 8 персме. щаются такяе на угол 1/11 окружности рсверсивно и приводятся в движение каруселью 9 и механизмом 10.Внутри камеры холода смонтирован испаритель 11, в который подается жидкий азот; при испарении его поддерживается температура - 60 С. В качестве рсзервуара для храпения жидкого азота применен ТРУККМ емкостью 320 л вместо сосудов Дьюара емкостью 15 л. Конструкция ТРЖК делает возможной систему регулирования температуры, состоящую из датчика (термометр сопротивления), электронного регулирующего прибора РПИК-С, позволяющего осуществить пропорционально-интегральное регулирование, клапана 12...

Номер патента: 219567

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Зубков, Мадо

МПК: H01L 29/88

Метки: высокочастотный, днод, туннельный

...содержащего держащего 5 - 15 с льшей стабильнос также большим ч индия ью тун стотныход тунв монолия олотению р - и-перех здан вплавлением ческий арсенид га т 5 до 15% инди едм ст изобретения Известны туннельные диоды на основе моноили поликристаллического арсенида галлия, легированного цинком, с вплавным р - ппереходом, созданным вплавлением олова.Недостаток известных туннельных диодов при работе в таком режиме, когда рабочая точка периодически или длительное время находится на диффузионной ветви вольтамперной характеристики, заключается в том, что величина максимального туннельного тока диода непрерывно уменьшается, что приводит к невозможности создания высокочастотных приборов.Предлагаемый туннельный диод на основе арсенида...

Номер патента: 219646

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Воррнин, Либин, Специальное, Шиндеров

МПК: H01L 35/34

Метки: блочной, прессовки, термоэлементов

...труда и не поддается автоматизации.Предложенный способ отличается от изве. 10 стного тем, что для упрощения технологии коммутации и возможности автоматизации процесса сборки термобатарей блок прессуют пакетом, который собирают из трех предварительно сбрикетированных в холодной пресс форме пластин (одной сурьмяноцинковой и двух сурьмяных) и константановых скоб (по числу элементов в блоке и+1), полки которых вставлены между пластинами.Кроме того, для получения скоммутирован. 20 ного блока из последовательно соединенных элементов производят и - 1 резов на толщину Хп ЬЬ,На чертеже представлен готовый блок тер. 25 моэлементов,Он содержит брикеты 1 из Хп ЯЬ и брикеты 2 из ЪЬ и константановые скобы 3. Способ имеет следующую последовательность...

Номер патента: 219648

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Абдуллаев, Кочкарев, Кулиев, Наки, Насиров, Эпштейн

МПК: H01L 35/16, H01L 35/18

Метки: ветви, материал, положительной, термоэлемента

...8,9 и теллура 56,1.Кварцевую ампулу откачивают до вакуума10-а, заполняют сплавом и запаивают.Синтез ведут методом сплавления компонентов сплава. Для этого печь разогревают до1200 С и в нее вставляют ампулу. Осуществляют синтез в течение 2 час с периодическимвзбалтыванием сплава,После синтеза слиток дробят в ступке сфарфоровым пестиком до крупинок размером0,25 лм и прессуют в разъемной прессформес подогревом в брикеты. Температура прессования 200 С, давление 7 т/сл-, время выдержки под давлением 5 мин, Размер полученныхбрикетов ЗОХ 10 Х 10 мл.После прессовки брикеты подвергают 40 часовому отжигу в вакууме при температуре300 С.Полученные по указанной технологии термоэлементы имеют следующие термоэлектрические параметры:при комнатной...

Номер патента: 219702

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Адо, Зубков

МПК: H01L 29/88

Метки: диод, туннельный

...в каче- а, образующего служит, наприльные диодь пегированног димости, в к о материал оводи мости, с индием,тунн льно прово одног ипа п лова ширина чем у аТаки ся шир разующ значите метров которого меныд ря этому уменьшает оны материала, об а проволимости, стабильность пара Известные туннельные диоды имеют недостатсчно стабильные параметры, при рабо 1 е на диффузионном участке вольтамперной характеристики они быстро меняют характеристики.Предложенный туннельный диод, выполненный на основе арсенила галлия р-типа проводимости, легирова.нного цинком, отличается от известных тем, что зона гг-типа проводимости его образована соединением типа бар, 1 п, Лз,Прелмет изобретения 10 Туннельный лиол на основе арсенила лия р-тица проводимости,...

Номер патента: 220374

Опубликовано: 01.01.1968

Автор: Павленко

МПК: H01L 21/50

Метки: полупроводниковыхприборов, производства

...4 получают вращение валы б и б, на которых расположены кулачки 7, 8 и 9.Ориентированные ножки из вибробункера попадают в загрузочную дорожку и по ней - на исходную позицию.С помощью кулачка 10 захват 11 подходит к исходной позиции, захватывает ножку, подает ее к месту приварки и, опускаясь вниз, дает возможность фиксировать ее двумя стержнями 12. Шток 13 механизма фиксации и развода выводов, который работает от кулачка 8 через рычаги 14 и 15, стержнями 12,укрепленными на нем, фиксирует ножку, со. храняя свободное состояние и двигаясь дальше, рычагами 1 б разводит выводы ножки. Кулачок 7 подает ловитель 17 с электродом 18 к ножке. При попадании выводов ножки в пазы ловителя шток 13 отводит рычаги, давая возможность пройти электроду и...

Номер патента: 221095

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Коломоец, Кондрашкова, Лидоренко, Нам, Соколова, Тартаковский, Ханин, Шуйска

МПК: H01L 35/12

Метки: термоэлемент

...таблицы Менделеева, которые с целью защиты от сублимации помещают в металлические или керамические чехлы, Однако металлическое зачехленис термоэлемен. тов создает тепловое шунтирование, а .рнмененне керамических чехлов затруднено из-за различия в температурных коэффициентах керамики н термоэлектрического материала.Предлокснный термоэлсмент отличается тем, что поверхность его покрыта пленкой материала, близкого но физико-химическим свойствам к материалу термоэлемента и обладающего низкой упругостью пара в рабочем режнме (напрнхер, теллурид олова, смесь кобальта с оловом).Предложенное покрытие обеспечивает плот;юе сцепление с материалом термоэлемснта и 5 надежную герметнзацио последнего, что гарантирует длительность его работы.Предмет...

Номер патента: 256875

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Козлов, Ловцов, Рюмшик

МПК: H01L 21/40

Метки: выпрямительного, элемента

...вольфрам - кремний, образуя 30 заплывы, шунтирующие р - гг-переход илиТекред Л. Я. Левина Редактор П, Г. Горшкова Заказ 727/1 Изд310 Тираж 473 ПодписноеЦИИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5 Типография, пр. Сапунова, 2 ухудшающие его характеристики.Прн охлмкде 1 ни по диаметру гнезда кассеты возникает значительный перепад температуры (до 40 - 80 С). По этой причине кристаллизация начинается в местах, располокенпых ближе к боковой поверхности кассеты. В диаметрально противоположных местах (ближе к центру кассеты) из-за явления усадки между вольфрамовым и кремниевым дисками возникает щель.Указанные выше недостатки снижают процент выхода годных приборов и процент...

Номер патента: 257628

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Захаров, Кон, Малин

МПК: H01L 21/00

Метки: манипулятор, переноса, пластин, полупроводниковых, тонких

...соединенный с пневмосопротивлением, Инертный газ повышенного давления от пневмосопротивления проходит по каналу 3 и, радиально рас О пределяясь, истекает с большой скоростью через зазор, между оптической плоскостью 4 головки и пластиной 1 (пластину с полированной поверхностью можно рассматривать как вторую оптическую плоскость). При больших скоростях движения газа образуется полость низкого давления (закон Бернулли), Атмосферное давление поднимает и удерживает пластину во взвешенном состоянии в зазоре относительно захвата, равном 0,05,ил. Истечение газа осуществляется через отверстия 5 и 6, выполненные по периферии головки, При этом отверстия 5 расположены выше зазора между. пластиной и оптической плоскостью головки, а отверстия 6...

Номер патента: 232387

Опубликовано: 01.01.1969

Автор: Вишневецкий

МПК: H01L 23/00

Метки: фотоэлектрический

...промышленной частоты. Фоторезнстор 3 нанесен на подложку, изготовленную из жесткого диэлектрического материала или запрессован между слоями прозрачного диэлектрика (стекла).В другой форме выполнения фоторезистор заполняет, например, стеклянную трубку того илн иного профиля, которая изогнута торо- образно так, что охватывает магнитопроводы 2 и 4, а ее концы соединены (склеены) один с другим.Магнитопроводы 2 и 4 выполнены многослойными в виде решетчатых наборов пластин из ферроМагнитного материала. Между пластннамн образованы зазоры, в которых их поверхностям придана направленная светорассенвающая способность, например, матовым хромнрованием илн путем окраски металлической суспензией (алюминиевым порошком в прозрачном лаке). В отверстия...

Номер патента: 232388

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Буганина, Дроздов, Зотов, Красилов, Ленин, Черн

МПК: H01L 23/48

Метки: 232388

...трещин в изоляторе, что нарушает герметичность. Кроме того, в зоне выхода из изолятора изгиб вывода производится около острой кромки, являющейся причиной его обрыва.Цель изобретения - устранить образование трещин в изоляторе и увеличить мехацическуо прочность вывода при неоднократных изгибах. Это достигается тем, что на внешней стороне вывода выполнено утолщение, вплотную примыкающее к поверхности стеклянного или керамического изолятора и спаянное с ним. 11 а чертеже изображси предложенный элекический вывод герметического устройства. Здесь 1 - изолятор, 2 - корпус, водс персходцыми диаметрами.Вывод 3 впаян в изолятор 1. Причем получаемый спай стекла с металлом образовался 5 не только по периметру меньшего диаметравывода, но и по...

Номер патента: 232390

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Берников, Никонов, Носиков, Пресс, Ржанов

МПК: H01L 21/223

Метки: 232390

...исходной полупроводниковой пластины создается известными методами базовый слой, Затем на поверхности его создается пассивирующий слой, например окисла. Методами фотолитографии в пассивирующем слое открываются окна для выделения активной области. Затем выделяется область активной базы, и методами фотолитографии открываются эмиттерные окна.Эти операции сами по себе новизны не представляют, так как являются обычными, широко используемыми в диффузионнойтехнологии и применяемыми в той ке последовательности (меза-планарная технология). Далее идет операция одновременной диффузии примеси в эмиттер и обнаженные участки меза-столика базы, В результате такой диффузии получается планарная структура, так как на боковой поверхности меза-столика...

Номер патента: 232391

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Журавлев, Кольцов

МПК: H01L 21/3105

Метки: засветки, фоторезистов, экспозиции

...или азидов, свойственно сильное поглощение в области 2000 - 2500 сл-г, обусловленное валентными колебаниями СХз и СМз-групп. При облучении ультрафиолетовым или видимым светом, или обоими вместе эти материалы необратимо распадаются, давая продукты, не югегощие указанных функциональных групп в молекулах. В результате в этой же области спектра отсутствуст характерное для этих групп поглсцение. Определение времени исчезновения по.лосы поглощения в инфракрасном спектре в области 2000 - 2500 с,гг-г при облучении фо торезиста позволяет фиксировать экспозицигозасветки. Влагоприятным фактором являсгся прозрачность полупроводниковых материапов (германия, кремния и др.) в области поглощения С. и Слз-групп.10 П р и м ер. Определение экспозиции...

Номер патента: 232392

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Грехов, Линийчук, Челноков, Шуман

МПК: H01L 21/18

Метки: патеитнотехническая10киблиотека

...с целью получения хороших омическпх контактов;обслуживание припоем отникелированныхповерхностей пластинки и припайка токоотводящих электродов в виде молибденовых дисков, покрытых оловом;снятие фаски на специальном приспособлении для предотвращения возможного закорачивания электронно-дырочного перехода;травление в кипящей щелочи без каких-лио защитных покрытий с целью упрощенияочистки области электронно-дырочного перехода от загрязнений;сборка выпрямительного элемента в корпус. О Следует отметить, что такая технология неограничивает размеры получаемых выпрями- тельных элементов. Можно изготовлять выпрямительные элементы площадью от нескольких квадратных миллиметров до максимального 5 размера, ограниченного сечением монокристалла...

Номер патента: 233103

Опубликовано: 01.01.1969

Автор: Грибовский

МПК: H01L 27/12

Метки: 233103

...расплавом шлнкера (прн 60 - 110 С), представляющим собой смесь порошка диэлектрика (напрнмер, стекла, снталла, 30 керамики и т. п,) с органическим термопла2 ЗЗ 1 ОЗ 20 Предмет изобретения Составитель А. Б. КотТехред Л, К, Малова Корректор Л. В. Юшина Редактор Е, Семанова Заказ 488/4 Тираж 437 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Центр, пр. Серова, д. 4 Типография, пр, Сапунова, 2 стичным веществом (например, парафином, воском и т. п.),Шликер охлаждается в форме, отвердевае, и в нем оказываются заармированными все установленные радиоэлементы.Отливка с радиоэлементами, имеющая конфигурацию внутренней полости формы, извлекается из формы и подвергается термической обработке с целью...

Номер патента: 233104

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Бабицкий, Зайдель, Фейгинов

МПК: H01L 21/304

Метки: пластин, полупроводниковых, проскрайбированных, разламывания

...а рычаг 14, поворачиваясь, возвращает диск б в исходное положение,Отклонение электродвигателя 10 производится нажатием рычага 26 на конечный выключатель 27.Механизм перемещения осуществляет перемещение ломочного ролика относительно обрабатываемой пластины. Механизм представляет собой стол с шариковыми направляющими, Движение от электродвигателя 28 передается через шестерни 29 - З 1 ходовому винту З 2 и с помощью гайки ЗЗ - салазкам З 4,Отклонение двигателя в крайних положениях салазок производится с помощью упоров З 5 и конечных выключателей Зб,Механизм нагружения предназначен для создания на ломочном ролике усилия, необходимого для разламывания пластин. Механизм состоит из корпуса З 7 и салазок З 8, перемещающихся в шариковых...

Номер патента: 234500

Опубликовано: 01.01.1969

МПК: H01L 35/30, H02K 44/02

Метки: насос, тромагнитный

...системой, выполненной, например, на постоянных магнитах, Использование постоянных магнитов (или электромагнитов) не позволяет насосу работать при температуре выше точки Кюри.В предлокенном термоэлектромагнитном насосе коммутационная шина установлена на рабочем участке канала параллельно потоку перекачиваемого теплоносителя. Это позволяет обеспечить циркуляцию теплоносителя без постоянного магнита при температуре окружающей среды выше точки Кюри.Насос изобр ажен н а чертеже. Термоэлектрические элементы 1 и 2, размещенные на поверхности канала 3, охвачены коммутационными шпнамн 4, расположенными параллельно потоку жидкометаллического теплоносителя.Предмет и зоб р е те н няТермоэлектромагнштный насос, содержащий элементы р- и...

Номер патента: 234525

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Жуков, Петракова, Федотова

МПК: H01L 21/48

Метки: изоляции, интегральных, системах, соединений, создания

...причем пленка оказывается с большим количеством проколов, 25Цель настоящего изобретения заключается в получении изоляционных слоев с улучшенными характеристиками и в упрощении технологии их изготовления. Достигается она тем, что используют пленку окиси алюминия 30(А 1,0), полученную электрохимическим анодированием пленки алюминия, причем нужные места с проводящими сбластями от анодирования защшцаются фоторезистом на основе 24 О/о-ного нафтохинондиазида.Предложенный спосоо заключается в следующем.На кремниевую пластинку с готовыми интегральными схемами няиыляют в вакууме пленку ал 1 охННН 51. На этой пленке при помощи фотолитографии выполняют конфигурацию соединений между интегральными схемами, причем пленка оголена от фоторезиста по...

Номер патента: 236586

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Белевцев, Ганин, Лебедев, Лидоренко, Раецкий, Симонов, Черкасский, Щеголев

МПК: H01L 35/34

Метки: коммутационной, шины

...шину изготавлиработки отдельно ра и затем сопря- ктроизоляццонцой дме Данное изобретение отн преобразования тепловой э ческую. Обычно коммутационную вают путем механической о от теплоносительного конту гают ик между собой эле прослойкой. Предложенный способ от стного тем, что ца металл цую трубку из стали Х 18 Н довательно электроизоляци стеклоэмаль, для ликвидац затем трубку, уложенную в сплавом меди и серебра в в температуре 800 С. 1 эасплав разует заготовку коммутациличается от изветческую сплющсц 9 Т наносят послсонное покрытие и ии сквознык пор;форму, заливают акуумной печи прц 1 э ленный металл Обоиной шины, котоая затем обрабатывается по плоскостямпряжсция с термоэлемснтамп. С.посоо изготовления коммутацпоннои шццы лля...

Номер патента: 236655

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Курбатов, Рафаевич, Степных, Юдашкин

МПК: H01L 29/00

Метки: блок, выпрямительный

...блоком,Полупроводниковый выпрямительный блок собран из трех отдельных моноблоков, каждый из которых состоит из корпуса 1 с резьбовым выступом 2, радиаторами 3 и двумя гнездамии 5. В гнездах расположены р - и переходы 6 и 7 с гибкими выводами 8 и 9. Пеггеходгг электрггческгг соедггнецыпосредством припоя. При этом один р - и переход припаян со стороны р-зоны, а другой - со стороны и-зоны. Таким образом, р - и переходы вместе с корпусом электрически образуют двухплечевую выпрямительную цепочку со средней точкой. Корпусы крепятся к основанию из изоляционного материала 10 резьбовыми выступами, которые проходят через отверстия основания и закрепляются гайками 11.Гибкие выводы положительной полярности цодсоедгшены путем пайки к токоведущей...

Номер патента: 236657

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Ларионов, Ройзин

МПК: H01L 21/326

Метки: кристалла, легирования, области, полупроводника

...полосОВыс элстроды шириной полосы в пределах 0,1 - 100 к с мироцеодцородцлстыо по краю меньше 0,01 як., З С Г И 3 О 0 Р С Т С И И 5 Способ лсг лУпРОВОДПП 2 О алмаз пмтем Изобретение относится к технологии изготовления полупроводни )хов х приборов.Известные способы изготовления элетродо И ЛСГИРОВЯЦИЯ ИС ПОЗВОЛ 5 ПОТ ПОЛ 51)ИТЬ ПОЛ О- вой электрод в виде прямой приза) с р)Вцо - мерным распределением примесей.Предлагается для легирован)гя полупроводникового матервала перс мещать ряспля.сциый металл под действием тока, а тя 5 с создавать моцокристалличсскис электроды в Ви;е прямой многогранной призхы. Сущное) способа зя)сл)01 яетс 5 В том, )ТО В.01)яв сталлографичсскую ориентацию повсрхост: полупроводника и направление вектора плотности...

Номер патента: 237214

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Колтун, Кудр, Ляатвеев, Татаренкова

МПК: H01L 31/052

Метки: ночной, соль, энергии

...мни тал лек нечвенк, иа мноенка ниИзвестные преобразователи солнечной энергии в электрическую или тепловуо имеют приемник излучения из хорошо теплопроводнсго металла, на который нанесено многослойное селективное покрытие. Эти преобразователи имеют сравнительно низкий к. и. д.1 предложенном преобразователе солнечной энергии на поверхность приемника излу.еипя перед многослойным селскгцвным покрытием нанесена тонкая пленка из плохо проводящего металла (например, пикеля) толщиной 150250 Л.Это позволяет получить высокие значения интегрального коэффициента поглощения солнечного излучения, что приводит к увеличению температуры рабочей поверхности и к повышешпо к, п. д. преобразователя энергии. Матвеев и М. Д. Кудряшева Преобразователь...

Номер патента: 237217

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Анатычук, Лусте

МПК: H01L 35/02

Метки: анизотропный, термоэлемент

...полого цилиндра с разрезом по винтовой линии,Предложенный термоэлемент отличается от извсстпык тем, что оц представляет собой полый брусок, сечение которого имеет форму прямоугольцой рамки. Это позволяет получить мяксимальн)1 О Э.д.с. При мициыяльцы. рязм.- рак.На чсртсжс показан оощ;ного термоэлсмецта.Термоэлсмецт изготовлсн из моцокристялл с аиизотропцой термо-э.д.с. в виде прямоугольцого бруска, поперечное сечение которого представляет собой рамку с неравцьтми сторонами длиной / и тп. Две главн 1 с кристаллографическис оси Л и У, вдоль которым Наблюдается различная по величине термо-э.д.с., цакодятся в плоскости поперечного сечешгя стержня и составляют угол тс 45 с длинной стороной РЯМ 1 ИБ)сок р 13 рсзяк)т НЗ и втков 110...

Номер патента: 237268

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Данилин, Кондратьев, Красилов, Филатов, Черн

МПК: H01L 21/02, H01L 21/04

Метки: о—п-переходов

...область 5 р-типа 3 имеет толщину менее 0,1 ттк,По предложенной технологии могут цзготовляться силовые и туннельные диоды, ВЧ- ц СВЧ-транзисторы. мет изобретения Способ цзг дом введения птпйгя тем чт 15 малой площа шоц глубине,температуре в ратуры эвтек иый материалполучен термокомИзобретение относится к области технологии полупроводниковых приборов,Известные способы создания р - и-переходов (сплавление, диффузия) ц выводов к ним(пайка, сварка, терхтокохтпрессия) не позволяют получать структуры малой площади смалой глубиной залегания перехода.По предложенному способу примеси одного типа проводимости вводят в поверхностный слой полупроводника противоположноготипа провсхдихтости давлением без образования жидкой фазы при температуре...

Номер патента: 238016

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Василенко, Думаневич, Евсеев, Тучкевич, Челноков

МПК: H01L 29/747

Метки: полярности, симметричный, тиристор, током

...пятислойной структуры позволяет получить симметричную относительно начала координат переключающую управляемую вольт-амперную характеристику с током управления при гиобой полярности источника в цепи управления сравнимой величины.У этой пятислойной структуры типа гг - р - гг - р - гг к верхнему 14 и нижнему 15 элект.родам выведены области р-типа, называемые в дальнейшем шунтами, Проекции шунтов на верхнюю или нижнюю плоскость основания пластины пересекаются только в области управляющего электрода и имеют общий отрезок прямой в остальной части, что позволяет рационально использовать пластины с целью получения приборов на большие токи,Особенность данной конструкции состоит в том, что на нихкней плоскости пластинки шунтировка выполнена...

Номер патента: 238017

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Думаневич, Евсеев

МПК: H01L 29/74

Метки: однополярным, симметричный, тиристор, управлением

...же типом проводимости.Основу тиристора составляет монокристаллическая пластина электронного типа проводимости с удельным сопротивлением порядка 40 оги сзг и,диффузионной длиной 0,3 л,и, в которой методом последовательной диффузии создана структура, сечение которой изображено иа фиг. 1; на фиг. 2 и 3 - то же, соответственно вид сверху и вид снизу; на фиг. 4 - вольт-амперная характеристика тиристора.На фиг. 1 обозначены: 1 - слой исходного кремния с электронным типом проводимости;2, 3 - слои кремния с дырочной проводимостью, полученные методом диффузии и образующие на глубине 70 - 80 як р - гг-переходы 4, 5; 6, 7, 8 - слои с электронным типом проводимости, полученные методом диффузии и образующие на глубине 10 - 12 лк р - гг-переходы гг,...

Номер патента: 239449

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Аболтинь, Берзин, Григулис

МПК: H01L 21/66

Метки: полупроводниковых, свойств, слоев

...тарировочного графика, построенного по эгалонным образцам5 или по аналитическим зависимостям, определяются удельное сопротивление и толщина полупроводннкового слоя.11 а фиг, 1 показана блок-схема устройства;на фпг. 2 - кинематичсская схема измерительО кого блока,От генератора сигналов 1 СВЧволна черезаттсн 1 оатор 2 и щелсвой излучатель т падает1 а образец 4. Параметры стоячей волны в волноводном тракте фиксируются прн помощи5 зонда 5. детектора 6, индикатора-микроампсрмстра 7 н передаточного механизма 8, связанного с,подвижной шкалой 9.Фаза коэффициента от 1 раження в градусахфиксируется подвижной шкалой 9, модуль коО эффнцнента отражения - индикатором и откладывается на подвижной шкале. Под поДаижНОй Н 1 наЛОй ПОМЕшаЮтСЯ...