H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 618811

Опубликовано: 05.08.1978

Авторы: Бойченко, Карташев, Лавриненко

МПК: H01F 30/00, H01L 41/00

Метки: пьезотрансформатор

...Для устранения влияния опоры 1 на работу пьезотрансформа тора параллельно ему в опоре 1 укреплен пассивный, например, металлический четвертьволновый элемент 4К пьезоэлементу 2 (см. Фиг2) присоединена пассивная , например, метал 10 лическая накладка 3, образующая с пье-, зоэлементом четвертьволновый резонатор.В опоре 1 (см. Фиг. 3) выполнена двухслойная изгибная конструкция пьезотрансформатора на пьезоэлементе 2 продольно-продольного типа, позволяющая повысить напряжение питания пьезотрансформатора. Причем, с целью повышения коэффициента трансформации, входная секция пьезотрансформатора 29(возбудитель) занимает четверть объема пьезоэлемента 2, а выМодная секция(генератор) три четверти объема. Направления векторов поляризации...

Номер патента: 618872

Опубликовано: 05.08.1978

Авторы: Арешкин, Афанасьев

МПК: G01R 1/067, H01L 21/66

Метки: изготовлении, микросхем, резисторных, сопротивления, удельного

...нЕ позволяет сделать данную микроголовку с межзондовым расстоянием менее 200 МКМ.йоНаиболее близко к предлагаемому устройство для измерения, содержащее основание с окном и держатели.с расположенными в них зондами. 25 ень 29 (53) УДК 621,396,63лены кронштейны 4. На нем с помощью кронштейна 2 шарнирно и упруго установлен держатель 5 из электроизоляционного материала. На координатных столиках 3 с помощью кронштейнов 4 шарнирно и упруго установлены держатели 6. В каждый из держателей 5 и 6 впрессована металлическая втулка 7 с внутренней резьбой, по которой перемешается регулировочный винт 8 с головкой и гайкой 9 для подсоединения наконечников проводов измерительной схемы. На концах винтов, обращенных внутрь окна основания 1, установлены...

Номер патента: 519045

Опубликовано: 05.08.1978

Авторы: Коробов, Маслов, Хлебников

МПК: H01L 21/20

Метки: газовой, многомлойных, наращивания, однослойных, полупроводниковых, селективного, структур, фазы, эпитаксильных

...друга изготов ляют один или несколько источников полупроводникового вещества, поверхность которых доступна действию химического 10 транспортного реагента лишь на локальных участках, расположенных зеркально-симметрично но отношению к предлагаемому расположению эпитаксиальных остр овков на поверхности подложки. , 15Л окализацию взаимодействия химического транспортного агенства с ограниченными по форме и размеру участками источника осуществляют путем маскирования всей поверхности источника с последую щим фотолитографическим вытравливанием окон заданного размера и конфигурации, которые обнажают соответствующие участки на поверхности источника, Далее подготовленный источник сближают с очищенной 25 поверхностью подпожки и пои достаточно...

Номер патента: 466816

Опубликовано: 05.08.1978

Авторы: Горина, Калюжная, Кузнецов, Максимовский, Никифоров

МПК: H01L 21/36

Метки: выращивания, пленок

...в замкнутом объеме с независимо контродируемыми источниками паров компонентов иди примесей.2На чертеже изображена принциниадь ная схема установки, работающей по предлагаемому способу.П р и м е р . Изгоговдение р=,Ф м, +аэО р - р- Ь- у 1 а переходов в , соединении СОТеВ кварцевую обезгаженную ампулу 1 помещают 3-5 Г чистого иди дегированного теддурида кадмия, на щдаждаелую подэз ставку 2 кладут механически подированную подложку 3 размером 1 х 1 см и годшиной 1,5 мм, а в боковой отросток 4 амйуды вводят летучий компонент Сд иди Те . После этого ампулу вакуумируют, оф 40 заполняют чистым водородом, герметизируют и помещают в печь 5 сопротивления, На боковой отросток ампулы надевают печь 6 соцротивдения. Кроме того, в ампуду...

Номер патента: 521802

Опубликовано: 05.08.1978

Авторы: Шеркувене, Янушонис

МПК: H01L 21/473

Метки: базы, изготовлении, источника, селективного, структур, транзисторных, формирования

...областью контактных окон базы и эмиттера, источник базы, у которого легируюший и экранируюший слои имели бы одинаковые размеры, а ширина маскирующего слоя была бы меньше; их нв двойную ширину эмиттера, формируют с помощью травктеля, растворяющего маскирующий и легируюший спои со скоростью большей, чем экрвнируюший. Концентрированная фтористоводородная кислотаЛедянв уксусная кислотаОднопроцентный растворщавелевой кислоты Концентрированная ортофосфорнвя кислотаКонцентрированная фтористоводородная кислота с помощью травителя, растворяющего маокирующий и легируюший слой со скоростьюбольшей, чем экранируюший слой. 1 равление. производят травителем К, включаюшим О-травитель, в состав которого входит, об, ч:5Концентрированная...

Номер патента: 472601

Опубликовано: 05.08.1978

Авторы: Вул, Добрякова, Сайдашев, Шик, Шмарцев

МПК: H01L 29/20

Метки: оптоэлектронная, пара

...связан с необходимостью преодоления энергетическогобарьера высотой 9, и, следовательно,Оиреяеияеося иосооиииой времеви Й сир(ф8 сиду этого проводимость образца,определяемая концентрацией электроновв массе образца, ниэкоомной даже приЗЛщациокарной подсветке, будет медпенно(в случае У О КТ) репаксировагь с характерным временем Г . Величине Сопределяегся только параметрами ИО -перехода и может быть сделана поэтому достаточно большой в соответствии с величиной т.е. выбором концентрации,Чктипом пегирующей примеси ипи гемпературой.Для попучения эпеменга, реагирующего на действие света неограниченноечисло раэ, использовано излучение с глубиной проникновения больше толщины обраэца и с достагочн малой экспозициЕйе 50Для создания образца...

Номер патента: 526221

Опубликовано: 05.08.1978

Авторы: Банюлис, Шеркувене, Янушонис

МПК: H01L 21/00

Метки: структур, транзисторных

...пластины сструктурой для создания эмиттерв и контакта базы.Нв поверхности кремниевой пластины1 методом объемной фотолитографии формируют структуру 2 из неоднород;ого 4 Опримесного стекла, содержащего легируюший слой 3 с базовыми примесями, например боросиликатное стекло, нанесенное центрифугированием из легирующихкомпозиций, слой 4, экрвнируюший про- ,4тив окислительной,атмосферы при термическом окислении, например влюмосиликатное стекло, нанесенное реактивнымраспылением, и маскирующий слой 5, например слой двуокиси кремния, нанесенный высокочастотным распылением. Приформировании структуры всегда образуется клин 6 травления, который обусловливается изотропным травлением и зависитот соотношений скоростей травления слоев, 65от...

Номер патента: 439252

Опубликовано: 05.08.1978

Авторы: Бабий, Каменский, Коломоец, Маркман, Мацков, Проценко, Симановский, Спорышев

МПК: H01L 35/02

Метки: генератор, термоэлектрический

...В нижней частигорячего теплопровода установлена горелка 6, питаемая топливом из бака 7.К верхней части рубашки охлаждения подсоединена геплоиэолированная трубка 8, соединенная с грубкой 9, подключенной к входным шгуцерам радиаторов 10. Нижняя часть рубашки охлаждения трубкой 11.подключена к выходным шгуцерам радирторов. Система охлаждения снабжена расширительным бачком, Электрическая нагрузка подключена к электро 1 О выводам 12 термоэлектрического. модуля.Описываемая конструкция обеспечивает турбулентное течение жидковти в зазоре между чехлом 3 и рубашкой 4. засчет образования парожидкостной смеси в трубке 8 и высокого гидравлического сопротивления в зазоре между рубашкой охлаждения и модулем. Гидравлическое сопротивление зазора между...

Номер патента: 619468

Опубликовано: 15.08.1978

Авторы: Гринева, Данцигер, Золотарев, Разумовская, Резниченко, Фесенко

МПК: C04B 35/495, H01L 41/187

Метки: керамический, материал, пьезоэлектрический

...препятствует основы пьезо)ельюизобретения является повышеие механической добротности и отношеия толщинного коэффициента электромеханической связи к плоскостному. Укаанная цель достигается за счет того, то пьезоэлектрический керамический материал, содержащий йаМЬО и )18 ЬО, ополнительно включает 00 при следующем соотношении компонентов мол. 7 о: Из изве;тнь ческих материа близким к. данн трический керам жащий йа М 00 материал имеетх пьеэоов по с му явля ическийи сегнетокерами оставу наиболее ется пьеэоэлекматериал содер ща а . Эотдиэлектрическую 25 йсн ЙЬИИЬОО,Спекание к Оз 87 ф 25-87 е 47ОЗ, 1 2,46-1 2,500,03-0,29ерамических образцов какую 72) Авторы Е, Г, фесенко, О. Н изобретении Л, А. Резниченко, Л6 125), но иедос кую механическую...

Номер патента: 619876

Опубликовано: 15.08.1978

Авторы: Галанов, Костров, Потихонов, Шешин

МПК: H01L 21/66

Метки: концентрации, носителей, полупроводниках

...9, генератор 10 (112,5 Гц)Устройство для. измерения концентрации носителей тока в полупроводниках работает следующим образом,Источник оптического излучения(степень поляризации не хуже 99,99) .Плоскость поляризации этого излучения, пройдя через магнитооптичес,кий кристалл, помещенный в обмотку 10электромагнита, поворачивается на,угол, пропорциональный магнитооптическому эффектуПодобный поворотплоскости поляризации имеет место припрохождении излучения через измерительный электромагнит с исследуемымобразцом. Магнитные поля в укаэанныхэлектромагнитах имеют противоположноенаправление и меняются с одинаковойчастотой 1 .Величину магнитного поля электро"магнита 5 можно плавно регулировать(в пределах от 0 до 100 Э),Благодаря этому...

Номер патента: 619986

Опубликовано: 15.08.1978

Авторы: Вискупайтис, Паташене, Рагульскис

МПК: H01L 41/09, H02N 2/12

Метки: вибродвигатель

...однофазного электрического напряжения на электроды пьезоэлементов пьезоэлементы совершают сложные колебания, изменяясь в размерах и изгибаясь по профилю, как показано на фиг. 3. Наряду с колебаниями по вертикали Х 1 точка А совершает также колебания Х в перпендикулярном к плоскости направлении. По всей длине пьезоэлемента (см. развертку составной поверхности пьезоэлемента на фиг. З,б) имеются 3 - 7 стояний полуволны изгиба Х, В целом на биморфном кольце при резонансной частоте наилучшего вращения бывает восемь полуволн изгиба, так что диаметрально противоположные точки на таком кольце колеблются в одной фазе. Следовательно, чтобы получить максимальную амплитуду поперечных колебаний при рабочей частоте, достаточно взять меньшую часть...

Номер патента: 620003

Опубликовано: 15.08.1978

Авторы: Акелис, Вискупайтис, Курыло, Рагульскис

МПК: H01L 41/09, H02N 2/08

Метки: вибродвигатель, синхронный

...подшипник 9, в который входит острие стержня 7, Ось 10 ротора 8 закреплена на подшипниках 11, жестко соединенных со ста20003 О формула изобре 1:ения Фф,мр 9 1 НИИПК .Заказ 4521/4 Тираж 892 Подписное 3 б тором (на чертеже не показан), Пьезоэлементы 1 основаниями жестко закреплены на крепежной раме 2 и при.жаты через мягкую прокладку 12 навкнчивающимся на раму 2 кольцом 4,. Вершины пьезоэлементов 1 заделаны, например заклеены эпоксидной смолой, между дисками 5 и б и зажаты винтом 13. Стержень 7 выполнен иэ твердых тугоплавких сплавов, а подшипники 9 и 11 выполнены, например, из твердых кристаллов в виде пластинок с конус ными отверстиями. Электродь пьезоэлементов 1 соединены по схеме для питания многофазным переменным током по...

Номер патента: 620918

Опубликовано: 25.08.1978

Авторы: Ашмонтас, Субачюс

МПК: H01L 21/66

Метки: диффузии, заряда, коэффициента, носителей, переход, полупроводниках, содержащих

...в сильных электрических СВЧ полях.Цель изобретения - повышение точности измерений.Это достигается тем, что на исследуемый полупроводник воздействуют однородным СВЧ полем, определяют отношение тангенсов угла наклона вольтамперной характеристики образца в электрическом поле и без него, а коэффициент диффузии носителей заряда определяют по формуле620918 Е) =(1 - е 11О, 1 х.,Составитель Т. ДозоровТехред О. Луговая. Корректор А. Власенко Тираж 1112 Подписное Редактор Л. ГребенниковаЗаказ 4649/42 ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж.35, Раушская наб., д, 4/5 филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 411 - термоЭДС горячих носителей заряда;Х - отношение тангенсов...

Номер патента: 588851

Опубликовано: 25.08.1978

Авторы: Геворкян, Голубев, Каряев, Шмарцев

МПК: H01L 21/368

Метки: полупроводниковых, структур

...подложка пропускают импульсы пост оян ного электрического тока, имеющего такое направление, что на границе разде 20 ла источник - растворасплав выделяет", ся тэйло Пельтьеу а цю. 1"анице раствор расплав - подложка поглощается такое же количество тепла. Под .действием теп- ла Пельтье происходит растворение слоя 25 источника, толщина которого определяется количествам выделившегося тепла, т. е. величиной и длительностью импульса тока, В то же время на другой границе раздела температура понижается и раст- ЗО вор расплав оказывается нересьпценным относительно компонент, насыщавших жидкую фазу (компоненты твердого раствора А 6, бо, ЬЬ .). На подложке начинаетси, кристаллизация слоя твердого рствора, ЗЮ причем концентрация...

Номер патента: 622168

Опубликовано: 30.08.1978

Автор: Каспирович

МПК: G11C 7/00, G11C 8/02, H01L 27/10 ...

Метки: блоков, выборки, информации, магнитных, памяти, сердечников

...увеличения отношения сигнал/помеха на выходе устройства.дополнительный ключ считывания с входной шиной,На чертеже представлена принципиальная схема устройства для выборки информации,Она содержит информационные разрядные шины 1 с ферритовыми сердечниками 2, компенсационную разрядную шину 3 с сердечниками 4, диоды 5 - 8, включенные одинаково для всех информационных разрядных шин, диоды 9 - 12, включенные в противоположом направлении относительно остальных диодов, шины записи 13, 14 и считывания 15, 16, резисторы 17 - 20, сигнальный трансформатор 21 с одинаковыми входными обмотками 22, 23 со средней точкой и выходной обмоткой 24, ключ 25 считывания, дополнительный ключ 26 считывания и ключ 27 записи. Диоды 5 - 8 и 9, 11 предназначены как...

Номер патента: 286774

Опубликовано: 30.08.1978

Авторы: Авилов, Белоцерковский, Бенедиктов, Долгова, Ежов, Плаченов, Фогель

МПК: H01L 21/00

Метки: влагопглатитель

...баллонамн с влагопогло286774 Форлгу,га изобретения 25 35 Составитель М. СорокинаТехрел, О. Луговая Корректор А. ВласенкоТираж 960 Подписное11 НИИПИ Государственного кочитета Совета Министров СС .СССпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж.35. Раушская наб. л. 45Филиал ППГ 1 Патент, г. Ужгород, ул. Проекгная, 4 тгггслем, последнии поглоц 1 ает незначительное количество влаги и практицески полностью сохраняет свою первоначальную адсорбционную емкость.Возможность управления кинетикой адсорбции внутри прибора изменением соотношения компонентов позволяет использовать влагопоглотитель в приборах различного типа и размеров. В виде пленки влагопоглотитель занимает сравнительно с таблетками или консистентными смесями весьма малый...

Номер патента: 303925

Опубликовано: 30.08.1978

Авторы: Авилов, Белоцерковский, Бенедиктов, Долгова, Ежов, Плаченов, Фогель

МПК: H01L 21/00

Метки: влагопоглотителя

...сЭТ 1 О/1 1 10 исг .1 СТс) 1;)"Ь. Ь,ро 1 С ТОГО, .с)ГГ",;Н 3)СМ Ыц СиКОб 3:Г)З 35Яс) )Э) ЭОВс 1 Гьс(г)/. 3, 1)1, 3( Ц . )15Г ), ) Л Г) Г 1 Г ,1 Я т 35 , , 3: 3 . 3 с, 1( К3 ц Е Г 1 К и53, о)бц 1 аров волы Влд :ПИ Ггцтелем .б ",ос Гг)51 з(тора Оцрсл "5";"3 его осцовЦ 1":".с) 55 ТРЬ Ц СР)0 СГс);1 ПРЦ г З 10 ОБ,);ЦЦЦ5333(,С ггг" 3)Э)3 г С и 3. с(.Иовнс)ОКОгГ) И 0.3;(с) С ТОК)И РгС гг ВПС 3;)г":0 3 рьце;3:ярсява)ЭИТЕГЬНОЙг)С 0 ")Ь 3:;СО. 5 К а 1 СРЯЗМГОцСО. РЕГСНЕРЯ аД3;)ЦОВ С НаЦЕСЕЦЦОЙ В ЦЦК КОЧЦО 1 3;СД 51 с 30.Э ГГ 01 И ТС. и и ВЛ Я ЕТС 51 3 Д 1(,10 гИ 30,3 и)й Г пер;)ццсй тс);нологицеского процес 3.0)СГСГ)5 СТПЗЗПСИ црцбО)Э(ЭВ. ВОЗ. ЖНОС Ь цо 101 )ЭС НЕ)с 1 ПИИ Оа,1,)НОЬ С В а)31 ОГ,(ГИ 3 Е.3 ПОЗРОЛЯЕТ ИЭ:Ст НСОО.О И)А : ( 3 г.(,ив 1 С...

Номер патента: 623240

Опубликовано: 05.09.1978

Авторы: Бондарев, Добровольский, Кислицын, Мусин, Павлюк, Россошинский

МПК: H01L 21/04

Метки: арматуре, кристаллов, металлической, пайки, полупроводниковых, приборов, стабилитронов

...стабилизации выше 50 В.Поставленная цель достигается тем, что р- - и переход предварительно нагревают ло температуры, обеспечивающей возрастание обратного тока р - и - перехода выше 0,5 А, а напряжение тока основного нагрева выбирают меньше напряжения стабилизации полу роволни кового кристалла стабилитрон а.Предварительный нагрев может бьть осуществлен током, протекаюпгим в прямом направлении относительно р- - и перехода.В этом случае обратный ток основного нагрева пропускают с задержкой после окончания тока предварительного нагрева. по величине равной или большей времени тепловой диффузии в кристалле. Технологический цикл по описываемому способу следующий. Полупроводниковый кристалл стабилцтроца укладывают между залужеццыми...

Номер патента: 623241

Опубликовано: 05.09.1978

Авторы: Васильев, Карманов, Климавичюс

МПК: H01L 41/00

Метки: вибродвигатель

...колебаний синхронизирующей накладкой, при этом пьезокерамнческне элементы размещены под участками широкой ступени, переходящими в наклонные стержни, и акустически развязаны посредством пазов, выполненных в широкой ступени между наклонными стержнями.623241 Формула изобретения ФФиг.2 иг Составитель Е.АртамоновТехред А. Алатырев Коррек Гарасиняк едактор 0 пова Заказ 4922/48 Тираж 960 П ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Иинистро по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д,4/5писноеСССР тентф г.ужгород, ул.Проектная,4 П На Фиг.1 схематически изображен вибродвигатель на Фиг.2 - развертка преобразователя колебаний, соединенного с пьезоэлементами и синх. рониэирующей накладкойВибродвигатель содержит ротор 1 и...

Номер патента: 623533

Опубликовано: 05.09.1978

Авторы: Синсуке, Сиуузи, Тору

МПК: H01L 41/22

Метки: пленки, поляризации, смолы, термопластичной

...пленки, за исключением краевых участков 3 шириной 10 мм, которые идут вдоль обеих кромок пленки. На верхнюю поверхность напыляются ашоминиевые прямоугольники 4 шириной 60 мм и длиной 90 мм, которые образуют два ряда. Между прямоугольниками имеются иэопяционные промежутки 5 шириной 10 мм.Толщина напыленной-пленки составляет от 500 до 550 А,На поляризуемую пленку накладывают дополнительную пленку 6, например полиэфирную, с алюминиевым прикрытием 7 толщиной от 500 до 550 А, так, что покрытие прилегает к эпектродам в виде прямоугольников. Полученный слоистый материал длиной 10 м был намотан на изолированный сердечник диаметром 150 мм с тем, чтобы получить 100 пластиь-прямоугольников пьезоэлементов+ Фольга из олова толщиной 7 мкм, длиной 40...

Номер патента: 575934

Опубликовано: 05.09.1978

Авторы: Гаврилин, Григулис

МПК: G01R 31/303, H01L 21/66

Метки: бесконтактного, пленок, проводящих, сопротивления

...преобразователя и корпусом, а другой - между другим электродом преобразователя и измерительным блоком..На чертеже представлена схема предлагаемого устройства. Устройство содержит генератор 1 измерительный блок 2, например мост, измерительный емкостный преобразователь 3, опервый 4 и второй 5 измерительные электроды, третий электрод 6, индикатор 7,подложку 8, металлический нагреватель9, подстроечный конденсатор 10 и индуктивность 1 1 резонансного контура первого электрода 4, подстроечный конденсатор 12 и индуктивность 13 резонансногоконтура второго электрода 5, емкости 14и 15 зазоров,Устройство работает следующим образом,Устанавливая контур 11, 10 и 14 врезонанс по минимуму индикатора 7, добиваются минимального потенциала на пленке 8...

Номер патента: 624320

Опубликовано: 15.09.1978

Авторы: Вискупайтис, Паташене, Рагульскис

МПК: H01L 41/09, H02N 2/12

Метки: вибродвигатель, пьезоэлектрический

...Преобразователь закреплен на сгагоре 11. Электроды пьезоэлементов выполнены на плоскостях, 25 перпендикулярных к оси .кольца и соединены по схеме, представленной на фиг, 4, Одна из перемычек, например 3, должна получать противоположную по отношению к другой и кольцу фазу переменного тока.С целью получения заданного крутящего момента преобразователь может быть5 выполнен из любого числа одинаковых частей, как 1 или 2.Работает вибродвигатель следующим образом. При подаче на пьезоэлементы 1,1 чере менного напряжения наконечники 8,6 начинают колебаться в двух направлениях так, что на оси 8 в один полупериод действуют две пары сил Г - Г и, Г ф Гкак показано на фнгэ 3 р а в другой полупериод действуют те же самые силы, но только в...

Номер патента: 624904

Опубликовано: 25.09.1978

Авторы: Дидковская, Климов, Люшенко, Савенкова

МПК: C04B 35/491, H01L 41/187

Метки: керамический, материал, пьезоэлектрический

...ЯГ, ВЦ ) в качестве добавок окислов цинка, марганца, лантана и вольфрама обеспечивает получение материала с высокой диэлектрической проница3 62 до 1400, коэффициентом электромехани- ческой связи Крдо 0,58, пьезоеектрическим модулем д до 133" 10 кк(н . при сохранении повйшенной механической добротности 8,500-1000 и низких диепектрических потерь Дд 4 0,007.для изготовления керамики исходные сырьевые материалы (окислы или угпекислые еоли) смешивают и измельчают. Затем после помола исходных веществ из полученной шихты изготовляют брикеты, Брикеты подвергают синтезу при температуре 820120 С в течение 2. час. Затемобрикеты тщательно измеиьчают в порошок с размером частиц с 3-5 мкм, после че 49044го добавпяют в качестве связки раствор...

Номер патента: 625273

Опубликовано: 25.09.1978

Автор: Буда

МПК: H01L 41/09, H02N 2/12

Метки: вибродвигатель

...дв яметаллическими упругими пластинамибиморфа,На фиг, 1 представлена схема бродвигателя; на фиг. 2 - схемы, по яюшие работу вибродвигателя,Пьеэокерамический преобразователь 1с продольной поляризацией жестко закрепленный между упругими металлическими пластинами 2 и 3, одним концом взаимодействует с двумя роторами 4 и 5,а другой его конец установлен в держателе 6, Генератор 7 переменного нанряжения подключен к обкладкам, етреобразоввтеля 1,бретения состоит в повышениичности и надежности работы273 4лупериода (см. фиг. 2, а) Это способствует повышению коэффициента полезногодействия вибродвигателя в два раза. Внбродвигатель, содержащий два ротора и сопряженный с ним пьезокерамический преобразователь, который подключен к источнику...

Номер патента: 626713

Опубликовано: 30.09.1978

Авторы: Тадахару, Хадзиме

МПК: H01L 29/70

Метки: полупроводниковый, прибор

...слоя Р-типа проводимости. Области 5, 16 и 22 созданы метолом диффузии..50В варианте, показацном,на фиг. 4, дополнительная область примыкает к области 7 ц области 8 базы. Базовый электрол может наноситься не только на области 7 базы, цо ц нд дополнительную область 30.В варианте по фиг. 5 нд цновсрхцосги сла оо легированного слоя 4 эмцттерд р зчещаетс 5 Л 011-срчктчр(мстг-Окцсг-цогъ и роцолцик .уцрвгяоццц ,скгр. 631, цпоц.снцый о алюминия, ц слой 32 двуокиси Г рсчцця вч(стс со слоем 4 эчиттерд Обр,.( к)т МОП-струит ру. Прц прГклалы );ниц здрднее выбранных значений ндпряж(цця к уцрсвл 5 оцс)у эгектролу 31 цод ц Г, роцьц) слоем 32 процсхолцт образовне барьер 3 . СЛОЙ 32 называется тдкм(е цц(рс,ым слосч, облдстькэ истовения цлц Г)Г.Г "Ь...

Номер патента: 405473

Опубликовано: 05.10.1978

Авторы: Беленков, Малицкий

МПК: H01L 23/00

Метки: переключающий, полупроводниковый, прибор

...базе 4, дополнительной области 8 Ь -типа и изолирующего покрытия 9.Геометрические размеры и электро" физические. характеристики. слоев выбирают из условий реализации необходи мых значений рабочих токов и напряжений. Глубину выемки выбирают в зависимости от требуемой величины поверхностной концентрации, соответствующей дну выемки и однозначно определяющейнапряжение пробоя-)1- ПЕРЕХОДа, ОбразованногО базой 4и областью 8.Принцип работы прибора заключается в следующем.При рабочем напряжении на электродах 2 и 6,меньшем величины напряжения пробояр--перехода, образованного базой 4 и областью 8, прибор находится в закрытом состоянии. Увеличение внешнего напряжения до значения напряжения пробоя р- й -перехода, образованного базой 4 и областью 8,...

Номер патента: 481227

Опубликовано: 05.10.1978

Авторы: Беленков, Курносов, Малицкий

МПК: H01L 23/00

Метки: переключающий, полупроводниковый, прибор

...-типа, защитное покрытие 10.Прибор работает следующим образом.Рабочее напряжение подается междуэлектродами 2 и б полупроводникового фф переключателя и при его значении,меньшем напряжения переключения, прибор находится в закрытом состоянии.При превышении величины напряженияна электродах 2 и б, большей значения напряжения пробоя р-И-перехода,образованного базой 4 и областью 9по цепи 2-1-3-9-4-7-5-6 начинаетпротекать ток, являющийся токомуправления четырехслойной структурыпо узкой р-базе, под действием кото481227 Формула изобретения Составитель О.федюкинаахтар Е,Месропова Техред Н.Бабурка Корректор 3, Се 1 краж 960рственного комиелам изобретениМосква, Ж,Заказ 5463/1 ЦНИИПИ Гноеинистр Подпкста Совета Ми открытийушская наб.,.4/ атент,...

Номер патента: 380222

Опубликовано: 05.10.1978

Авторы: Беленков, Курносов, Малицкий

МПК: H01L 23/00

Метки: многослойный, переключающий, полупроводниковый, прибор

...-типа, контакт 8 и изолирующее покрытие 9. Размеры и элвктрофизические характеристики слоев выбирают из условий 10 реализации и необходимых значенийрабочих токов и,напряжений.Принцип работы прибора заключается в следующем. Для получения величины напряжения включения более 12 В йо управляющему электроду величину поверхностной концентрации Р -базы выбираютлф 10 см , благодаря чему реализуется достаточная эффективность й -эмиттера 5, а наличие выемки обеспечивает снижение концентрации в области дна выемки и тем самым увеличивает пробивное напряжениеР-и- перехода, образованного Р-базой 4 н слоем 7. Из" меняя глубину выемки можно в щиро" ком диапазоне значений менять величину управляющего напряжения.Для получения значений управляющего...

Номер патента: 599662

Опубликовано: 25.10.1978

Авторы: Веревкина, Кулешов, Суровцев, Сыноров

МПК: H01L 21/263

Метки: глубины, нарушенного, пластины, полупроводниковой, слоя

...в высокоЧастотном поле допоявления скин эффекта и выдерживаютв течение 2-5 с, после чего по среднеймаксимальной протяженности следов ориентированных каналов проплавления и ихформе определяют глубину нарушенногослоя и ориентацию монокристаллнческойпластины.На чертеже приведена зависимостьсредней максимальной плошади следовориентироваееееых каналов проплавленияна поверхности кремния ориентации(100) фот глубины нарушенного слояПри индукционном нагреве полупроводниковой пластины (с одновременной инициацией собственной проводимости в полупроводнике) на периферии последнего возникает скин-эффект Обнаруживаемый по появлению ярко светящегося ободка на пластине, Прн выдерживанпи пластины в указанных услоьиях в течение 2-5 с...

Номер патента: 630680

Опубликовано: 30.10.1978

Автор: Гудков

МПК: H01L 41/22

Метки: кварца, пьезоэлектрического, узлов

...иь- теисБиост:1, чем л сх Влявк 11.УказавВье дяпязоны антее соз:-Ости;1 тевператур созда:от оптмальные условия длч повышеВ 1 я ядгез 1 прпоя з поверх- НЮ тв ЛЬЕЗОКЗЯРЦЯ ЗЯ СЧЕТ Воэся 1 ИЮВЕЯ межаолекулярных связей, за счет проникнотеня частиц грпоя в м:,к 1 ссне 1 свно,:ти кварца, зя счет дффузионных процессов.111 ри этом для легколлавкх прпоев неооходимы не только меньшие температуры, но иннтен."ивн Ост 1. Ан ал Опчв О, исг.ользован 11 более высоких температурлых г.-.поев несбходмы си более высоке винтен си звю с-.1.Июпьтяня ня мехянчесасую прочность проводилсь путем юсределеИия предела прочности соединения на разрыв.Пьезоквярцевье образцы среза АТ, разхером 10 х 1 г 1 металлзровалсь прпоясми ПА и ПОС, сз.линялс. между собой, цр 1 кле...