Ждан

Номер патента: 1499637

Опубликовано: 27.12.1999

Авторы: Антоненко, Ждан, Сульженко, Сумарока

МПК: H01L 21/66

Метки: границе, мдп-структур, параметров, пограничных, полупроводник-диэлектрик, состояний

Способ определения параметров пограничных состояний на границе полупроводник - диэлектрик МДП-структур, включающий последовательную подачу на исследуемую структуру, находящуюся при температуре Tо, напряжения, обеспечивающего предельное заполнение пограничных состояний полупроводника основными носителями заряда, и обедняющего напряжения, нагрев структуры по окончании релаксации тока с постоянной скоростью при поддержании постоянства высокочастотной емкости структуры и снятие температурной зависимости вытекающего неравновесного тока jн(Т), отличающийся тем, что, с целью повышения точности определения...

Номер патента: 1584666

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Веденеев, Ждан, Рыльков, Шафран

МПК: H01L 21/66

Метки: параметров, полупроводнике, примеси

Способ определения параметров примеси в полупроводнике, включающий измерение в криостате ЭДС Холла в образце Uн и эталоне Uн, и соответствующих токов I и I1, в условиях фоновой подсветки при температуре Tв из области вымораживания примесей, отличающийся тем, что, с целью повышения точности способа и обеспечения возможности определения концентрации основной легирующей примеси, в криостат дополнительно помещают второй этап с другим уровнем легирования и измеряют ЭДС Холла и ток I2 при тех же условиях, устанавливают температуру Tи из области истощения основной...

Номер патента: 1632293

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Гольдман, Ждан, Пономарев

МПК: H01L 21/66

Метки: заряда, локализованного, мдп-структуре, характеристик

Способ определения характеристик локализованного заряда в МДП-структуре, включающий подачу изменяемого напряжения смещения Vg на МДП-структуру, одновременное измерение зависимостей низкочастотной Cнч и высокочастотный Cвч емкостей от напряжения смещения Vg, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности определения координаты центроида локализованного заряда Zс.лок, по измеренной зависимости Cвч от Vg определяют первую производную высокочастотной емкости по напряжению смещения при различных напряжениях смещения , устанавливают скорость...

Номер патента: 1241946

Опубликовано: 15.10.1993

Авторы: Бугаев, Веденеев, Ждан

МПК: H01L 21/66

Метки: компенсации, полупроводниках, примесей, степени

...б, измеритель 7 тока исследуемо-О образца.УстгОЙстВО работает следиУци 4 Обрд" ЗОМ,Отношение коэфф 4 циентов усиления усилителей задаот равным отношенио толц 4 Н исследуемОГО 2 и зталоннОГО 1 ООэазцсв соответственно, ОперационньЙ усилитель 6 вырабатывает выходноЙ сигнал таким образом, чтобы обеспечить равенство выходного напряжения усилителя ЭДС Холла 4 исслРДуемОГО Образца и выхОДного напряжения усилителя ЗДС Холл" 3 ЭталонОГ,1 оразцд 1, ри Этот; Обеспа 114- Дается Оав 1 с.;О1 де,".з, "- .Озффицие ты усил 81 ия усгл 178 ПЕт;.-,",С Холла .1 и 4,ц 1 И н . ЗДС ХО;тЯ ЗтаЛОННОГО; :,.Л 6 ДУ 6 МОГО ООРЯЗ 1 ОВ,ГоскоьуЪ1 г 1 - 1 э;, ,.1 1ГД 8 Оэт И СТОЛЦИНЫ ЭТЯЛОННОГО ИССЛ 8 ДУ 6- мого обгазцов соответственно.тоОэт В,.э.С Ь, Ц 1По ОтнгцениО...

Номер патента: 1835567

Опубликовано: 23.08.1993

Авторы: Веденеев, Ждан, Рыльков, Шафран

МПК: H01L 21/66

Метки: заряда, инверсии, каналах, концентрации, мдп-транзисторов, носителей, свободных

...О, Ок ОПрЕдЕЛяЕтСя ВЕрХНЕИ - Ъ границей интересующего нас диапазона из- ОС менения напряжений на затворе. Подают на затвор периодические сигналы (твч) с фронтом нарастания т, удовлетворяющим усло- уи (Ок) = ), С 1 вч (О), (Ц - О - 1),1 СЯ 1- С,ч Огде Снч - С 1 нч+ Сгнч, Свч = С 1 вч + С 2 вч. Со - 5 емкость диэлектрика;3 - площадь диэлектрика;р - элементный заряд.П р и м е р реализации, Объектом является и-канальный МОП-транзистор с площадью затвора я -21,9 10 з см 2, Величины С 1 нч, С 2 нч определялись по емкостному току при подаче на затвор медленно меняющегося напряжения, представляющего собой синусоидальный сигнал с частотой 1 Гц, Для ОПРЕДЕЛЕНИЯ С 1 вч, С 2 вч На ЗатВОр ТРаНЗИСТО- ра подавалось на фоне постоянного смещения быстро...

Номер патента: 1785050

Опубликовано: 30.12.1992

Авторы: Ждан, Рыльков, Фомин, Шафран

МПК: H01L 21/66

Метки: излучения, однородности, приемников, фоточувствительности

...лазерным лучом, Модулируют диаметр лазерного луча в процессе сканирования, Регистрируют переменную составляющую фотосигнала, 1 ил. Для осуществления способа используют устройство, изображенное на чертеже, и содержащее. СО-лазер 1 с пьезокорректором, делитель 2 лазерного пучка, модулятор 3 пространственного положения луча, систему 4 автоматической подстройки частоты (АПЧ) СО-лазера, фотоприемник 5 системы АП 1, пропускающую линзу 6 на фотоприемник системы АПЧ, поворотное зеркало 7, усилитель 8 мощности, звуковой генератор 9, усилитель 10 мощности, поворотное зеркало 11, прерыватель 12, устройство 13 фокусирующее и перемещающее лазерный пучок по поверхности образца с контролем пространственного положения, модулятор 14 диаметра...

Номер патента: 1712987

Опубликовано: 15.02.1992

Авторы: Веденеев, Дмитриев, Ждан, Рыльков, Шагимуратов, Шафран

МПК: H01L 21/66

Метки: методом, параметров, полупроводников, холла, эффекта

...образец 1, токовые контакты 2 и 3, потенциальные зонды 4,5 и 6, дополнительный зонд 7, размещенныйна нижней поверхности образца, источник 8напряжения, измеритель 9 силы тока, измеритель 10 ЭДС Холла Чн, измеритель 11 па 45 дения напряжения между потенциальнымизондами Чизмеритель 12 разности потенциалов между дополнительным зондом и токовым контактом (стрелками указанынаправления ориентацйи магнитных полейВ и В, волнистые стрелки указывают на правление падающего на образец излучения).Способ реализуется следующим образом.Снабжают образец 1 двумя токовымиконтактами 2 и 3 и тремя потенциальнымизондами 4, 5 и 6, расположенными на противоположных токовых и боковых гранях образца, перпендикулярных его поверхности,соответственно. Снабжают...

Номер патента: 1394736

Опубликовано: 23.01.1992

Авторы: Диамант, Ждан, Свешникова, Сидорин

МПК: C23C 14/00

Метки: металлических, нанесения, покрытий

...Пластин-. ка пьезоэлектрика осуществляет механическое инициирование реакции раз" ложения рабочего. вещества, легко разлагающегося под действием давления, трения, удара, например, аэидов алюминия или золота.Изобретение осуществляется следующим образом, .Рабочее вещество в дисперсной форме поступает при атмосферном давлении в тепловую зону, созданную на" гревателем. Температура зоны равна температуре инициирования взрыва рабочего вещества, Происходит его , взрывное разложение и осуществляется быстрый массоперенос во взрывной волне металла, содержащегося в раэла-эОгаемом яеществе. Металлическая компонента соединения азха металла (при условии . к м е , где К - расстояние от на" гревателя до подложки; о - линейный размер подложки)...

Номер патента: 1429848

Опубликовано: 15.12.1991

Авторы: Веденеев, Гольдман, Ждан, Кузнецов

МПК: H01L 21/66

Метки: границе, диэлектрик, параметров, пограничных, раздела, состояний, —полупроводник

...при котором заполнение ПСстановится сильно неравновесным. Обед"30няющий изгиб зон , где о - зарядзэлектрона;- потенциал, соответствующий обедняющему изгибу зон, устанавливают (меняя полевое, напряжение)примерно равным половине запрещеннойЗБзоны полупроводника Е. Точное значение о д можно найти, например, из измерений вйсокочастотной емкости цепизатвор - подложка. Ее величина С (наединицу площади структуры) связана с дошириной слоя пространственного зарядаЧ соотношением 45 65С С - переменные интегрирования;С - решение уравнения47%и Ъеет + иС Сгде 2 - относительная диэлектрическая проницаемость полупроводника;Со - емкость единицы площади диэлектрика.При этом(р =гиц И Чгде Б - концентрация легирующей приРмеси (ее значение...

Номер патента: 993774

Опубликовано: 07.11.1991

Авторы: Александров, Веденеев, Ждан, Маркин, Никитин, Тестов

МПК: H01L 21/66

Метки: варианты, его, света, электроотражения, электропоглощения

...избирательныа узкополосные усилители, настроенные на разностную частоту Ы=г:.и - иа де гэ; - частота импульсов света на выходе модулятора света; гт:2 - частота импульсов на выходе лтормирователя импульсов модулирующего напряжения. 2, Устройство по и, 1, содержащее источник свеа, источник модулирующего напряжения, последовательно соединенные блоки измерения и регистрации прошедшего и отраженного ст образца света, о т л ич а ю щ е е с я тем, чо. с целью повышения чувств. тельности, дополнительно содержит второй источник света, формирователь импульсов модулирующего напряжения, включенный между источн ком модулирующего чапряжения и образцом, состоящий из последовательно соединенных фотоэлемента, делителя частоты и усилителя,...

Номер патента: 1468325

Опубликовано: 15.10.1991

Авторы: Байрамов, Веденеев, Ждан, Клочкова, Свешникова

МПК: H01L 21/66

Метки: зондовых, измерений, образец, проводимости, удельной, холла, эдс

...геометрические размеры которого з = 2 мм, а = 10 мм, Ь = 2 мм, с = 2 мм, Затем образец отмывают в трихлорэтилене, его поверхность освежают под равливанием в смеси 3:1 азотной и плавиковой кислот. Контакты наносят азидным способом, т.е. берут навеску 2 мг азида серебра и импульсом. электрической энергии иницлируют взрывное направленное разложение навески.Если потенциальные контакты расположены на боковых поверхностях выступов (см, чертеж), то плоскость каждого из потенциальных контактов 1 - 4 практически перпендикулярна электрическому полю в образце и. следовательно, шунтирование-а" Составитель И,ПетровичГехред М,Мсргентал Редактор узнецова ректор С,Черни Тираж Подписное царственного комите 1 а по изобоетениям и открытия 113035,...

Номер патента: 1678792

Опубликовано: 23.09.1991

Авторы: Ждан, Калашников, Коробов, Литвинов, Носков

МПК: C04B 5/02

Метки: кускового, расплава, фракционированного

...его быстрому застыванию. Механическая смесь шаров с застывающим шлаком увлекается вращающимся приводным колесом вверх к месту выгрузки. Относительно приводного колеса механическая смесь находится, практически, в неподвижном состоянии, этому способствуют перегородки внутри приводного колеса, удерживающие смесь от возможного сползания ее вниз. За время подъема смеси к месту выгрузки шлак окончательно затвердевает. Время затвердевания шлака является основным параметром для определения частоты вращения колеса, а следовательно, производительности установки. По мере вращения колеса, под действием силы тяжести, происходит отделение смеси от поверхностей рабочего колеса и ее выпадание на наклонную колосниковую решетку 7. В зоне выгрузки на...

Номер патента: 1289317

Опубликовано: 07.08.1991

Авторы: Ждан, Мухин, Никитин, Синкевич

МПК: H01L 21/66

Метки: заряда, носителей, подвижности, твердых, телах

...на примере определения подвижности электронов в инверсном слое кремниевого МДП-транзистора, изготовленного на подложке/20 Ом см. Толщина окисла составляет0,1 мкм, площадь структуры3 РсмИзмерение производной магнитосопротивления ЙВ/йЧ (фиг. 2) при фиксированном напряжении на затворе Ч15 В проводится по модуляционнойметодике в процессе изменения индукции магнитного поля В от 1 до 3 Тл,Установленное значение температурыудовлетворяет условию реализации551 РТшспособа - - в -9во всем ин 2 Л Ь еВ.тервале значений магнитной индукции, Таким образом, значения индукции магнитного поля, приложенного перпендикулярно поверхности Б, при измерении зависимости ЛН/ЙЧ удовлетворяют23 1 сТщровсво всем7 Ъеисследуемом интервале. На фиг. 3 определяют...

Номер патента: 1306404

Опубликовано: 07.08.1991

Авторы: Антоненко, Байрамов, Веденеев, Ждан, Сульженко

МПК: H01L 21/66

Метки: параметров, полупроводников

...примеси Исстепени ее компенсации К и энергииактивации ЕНа фиг, 1 приведена рассчитаннаятемпературная производная уровня Ферми Р в полупроводнике; на фиг.2зависимость вспомогательной функцииИ от температуры Т.Измерения проводят в гелиевом кри"остате с электронным терморегуляторомв диапазоне температур 20-300 К,В режиме стабилизации емкости сигнал с измерителя добротности ВМ 560после интегрирования смещает МДП-структуру в направлении, компенсирующем возмущение ее ВЧ-емкости. Ста"билизация ВЧ-емкости осуществляетсяна уровне 10 , чувствительность кизменению емкости1 фФ на частоте1 МГц при амплитудном значении тестового ВЧ-сигнала 5 мВ.Определяют параметры легированиякремния в МДП-структуре АЕ-Б 1г2площадью 5 10 м " и толщиной...

Номер патента: 1384120

Опубликовано: 07.07.1991

Авторы: Ждан, Омельченко, Рыльков, Шафран

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: заряда, инверсии, каналах, мдп, носителей, свободных, транзистор

...нс с амплитудой 11 В и частотой следования455 кГц от генератора на фоне постоян-ного смещения напряжения. Ток между.истоком и стоком регистрируют с по .мощью осциллографа со стробоскопическим блоком. Время нарастания пере-. 50ходной характеристики определяютвизуально по сигналу на экраие ос-,циллографа, которое составляет 40 нс,Максимальную амплитуду У периодических импульсов определяют поформуле2 1. 1 - ЕсЬУ.ии+макс-18%Ь фйа8 биагде- требуемая точность равнаяв примере 0,45,Г - уровень Ферми;Е - энергия края зоны основсных носителей;- элементарный заряд;. - толщина диэлектрика,1 а ; концентрация легирующейпримеси в подложке;.ЕА - диэлектрические проницаемости полупроводника идиэлектрика соответственно, .При этом параметры...

Номер патента: 1659871

Опубликовано: 30.06.1991

Автор: Ждан

МПК: G01P 15/04

Метки: индикатор, перегрузки

...значение перегрузки независимо от ее направления как минимум одна из инерционных масс 3 оторвется от постоянного магнита 2. открывая отверстие 4, через которое вещество 5 попадает на покрытие 8. Вещество 5 и покрытие 8 прореагируют. 1 з.п, ф-лы, 1 ил. 4 в корпусе 1. При действии превышающей допустимое значение перегрузки, независимо от ее направления как минимум одна из инерционных масс 3 отрывается от постоянного магнита 2 и открывает. отверстие 4 в корпусе 1, через которое вещество 5, запол- а няющее корпус 1, попадает на покрытие 8. Вещество 5 и покрытие 8 реагируют, Изменение цвета покрытия 8, наблюдаемое а сквозь прозрачную крышку 7 кожуха 6, сви- О детельствует о воздействии на устройст- у во недопустимой перегрузки. Настойка...

Номер патента: 1419425

Опубликовано: 23.06.1991

Авторы: Веденеев, Ждан, Рыльков

МПК: H01L 21/66

Метки: параметров, полупроводниках, примесей

...мэВ). В продольном электричес- ком поле 1 В/см и поперечном магнитном полл с магнитной индукцией В 400,2 Тл измерены значения Чй/11,25 1 О Ом см и Ч й/1 2,9110 Омсм, где Чн - ЭДС Холла; 1 - сила тока; Й - толщина образца, волнистой чер" той эдесь,и далее отмечены величины, относящиеся к эталонному образцу.Далее образцы экранируют от излучения и при первом значении температуры из области вымораживания основной примеси Т, =20 К измеряют величины Чс 1/1.1,52 10 Ом см и ЧЙ/1=с7.6710 Омсм. Устанавливают новое значение температуры иэ области вымораживания основной примеси Т=22,73 К и измеряют Ч Й/1706 Ом см и ЧЙ/1к 155 щ 2,96 1 ООм,см. Образцы нагревают до комнагной температуры, отвечающей условиюс:пшениц примеси, и измеряю ."д/1 1,5О" Ом см...

Номер патента: 1650748

Опубликовано: 23.05.1991

Авторы: Быков, Ждан, Кузнецов, Найдек, Онопченко, Осипов, Рубцов, Соколов, Сорокин, Ширяев

МПК: B22F 9/08, C22C 33/04

Метки: выплавки, лигатуры, ферроникелевой

...О0 7,О 7,О 7,О 7,О 7,О г,о г 3 4 5 ав 1,О С 5 1,0 0,5 1,0 0,5 1,0 0,5 1,0 0,5 0,9 0 0,10,054,24,81,7О Прототип. содержание кремния недостаточно для нейтрализации вредного влияния хрома молибдена и вольфрама и размер гранул становится менее 2 мм, что значительно усложняет технологию использования5 лигатуры. При отношениях Кремния к хрому, молибдену и вольфраму более Ов 45 поверхностное натяжение расплава настолько падает, что струя металла начнет интенсивно дробиться на очень мелкие капли, что снова приведет к получению гранул со средним размером менее 2 мм.П р и м е р, Проводят серию плавок 1. в сталеплавильнои печи. Получают ферр оникелевую лигатуру, содержащую хром, молибден,и вольфрам. На плавках используют никельсодержащие...

Номер патента: 1507138

Опубликовано: 30.04.1991

Авторы: Байрамов, Веденеев, Ждан

МПК: H01L 21/66

Метки: ганице, диэлектрик, каналов, проводящих, раздела, характеристик, электрофизических, —полупроводник

...Б- падение напряжения между потенциальными 45контактами к каналу и ЭДС Холла Н.По измеренным величинам рассчитываюткоэФфициент Холла К и электропроводИность проводящего канала МДП-транэистора .1 С- 6= - , - (1)н 1 Вф = Н Ьгде 4 - электролроводность каналаьВ - величина магнитной индукциис 55- отношение расстояния с межЬду потенциальными контактами к ширине Ь проводящегоканала.электрическая емкость единичной площади диэлектрика;заряд электрона. где С,Используемая при измерениях экспериментальная установка обеспечивает воэможности автоматического измерения Ки программного изменения 0 , что необходимо для реализации условия КсопзС. Неравновесное заполнение ЭС создают следующим образом,На затвор подают напряжение +30 В,отвечающее...

Номер патента: 1629217

Опубликовано: 23.02.1991

Авторы: Ждан, Ковалев, Морозов, Тырин, Чинский

МПК: B65G 53/48

Метки: винтовой, питатель, пневмотранспортной, сыпучих, транспортирования, установки

...расположенной под ним камерой 12 для сбора крупной фракции материала. Над окном 11 один из витков шнека 5 имеет сегментный срез 13 для перемещения крупной фракции материала в камеру 12. Снизу камера закрыта заслонкой 14, удерживаемой в закрытом положении пружинами 15.Питатель работает следующим образом.Сыпучий материал поступает в приемную камеру 2, где захватывается заборными витками шнека 5, приводимого во вращение электродвигателем 6,и подается в цилиндрический корпус 4, а затем в смеси- тельную камеру 3, где материал смешивается с воздухом, поступающим через штуцер 10, и под воздействием избыточного давления транспортируется по трубопроводу к месту потребления, В гильзе 8 с винтовой канавкой 9 при перемещении материала образуется...

Номер патента: 1527263

Опубликовано: 07.12.1989

Авторы: Ждан, Заяц

МПК: C13D 1/10

Метки: аппарат, ошпаривания, свекловичной, стружки

...рез выгрузочный турникет 13 направляют в наклонную емкость аппаратагде шнеками 7 перемещают к устройству 1 8 для отжатия сока иэ струж 5 ки. Через патрубок 15 подают нагретый диффузионный сок, который движется в противотоке сь стружкой и вместе с отжатыи соком через торцо" вое сито 14 и патрубок 19 отводится иэ аппарата. Отжатую от сока стружку подают в камеру для выгрузки стружки и выводят иэ аппаратаДля обеспечения прогрева всего объема стружки цо температуры дена турации белков необходимо увеличить поверхность контакта пара со стружкой. В аппарате зто достигается путем подвода пара внутрь слоя стружки через перфорацию в полых лопастях 7, 20 что обеспечивает равномерный прогрев стружки по всей высоте слоя.Сокращению времени...

Номер патента: 1504687

Опубликовано: 30.08.1989

Авторы: Ждан, Маркин

МПК: H01J 1/13, H01J 9/42

Метки: выхода, коэффициента, работы, температурного

...П; осуд 8 Дьюра,с таящим льдом; приор 9, регистрирующий полезный сигнал 1 о35Способ реализуется следующим образом.Исследуемый образец (О) размеают с небольшим зазором напротив талонного образца (Э) рабочими по- щерхностями навстречу друг другу.существляют модуляцию температуры образца по периодическому закону с мплитудой йТ/Т ( 1, где Т - рабоая.температура образца, Одновремено по такому же закону производят одуляцию внешнего напряжения Б(й), сли работа выхода ц материала зао висит от температуры, то модуляция Т приводит к модуляции контактнойразности потенциалов Пмежду Э й О. Между ббкладками Э и О рассматриваемого конденсатора появится пе 1 еменное напряжение, обусловленное изменением 0И) и внешним напрязением 1(й), и возникнет...

Номер патента: 1493680

Опубликовано: 15.07.1989

Авторы: Дунаевский, Ждан, Журавлев, Коробов

МПК: C21B 3/08

Метки: жидкого, окускования, шлака

...когда каждый четвертый шар уложен в лунку, образованную тремя шарами на одной плоскости.14936 ВО формула изобретения Составитель О. ВеретенниковРедактор М. Товтин Техред М.Дидык Корректор О.Кравцова Заказ 4069/29 Тираж 530 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, Ул . Гагарина, 1( 1 При заполнении пространства шарви и ми одинакового диаметра поры занимаит 26 Х. В данном случае объе:1 пор составил 333, так квк уложенные в емкости шары частично лежат на плоском днище, квсаится плоских стенок, не могут заполнить углы этой емкости. Следовательно, общий обьем пор составит 52 х 0,3317 м. Зазоры...

Номер патента: 1457935

Опубликовано: 15.02.1989

Авторы: Будыко, Ждан, Иванченко, Коноваленко, Крохмаль, Куцов, Ласточкин

МПК: A61N 1/36

Метки: электроаналгезии

...Техред М,Дидык Корректор М.Демчик Заказ 282/6 Тираж 527 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб и, 45Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная,Изобретение относится к медицине,а именно к устройствам для электроанальгезии,Цель изобретения - снижение болевых ощущений при периодическом воздействии стимуляции.На чертеже дана схема данного устройства.Устройство содержит схему 1 запуска, генератор 2 импульсов, задатчик3 тока, стабилизатор 4 тока, электроды 5,6 и компаратор 7.Устройство работает следующим образом.В момент прикосновения электрода5 к зубу пациента замыкается электрическая цепь электрода 5, закрепленного на бормашине, и...

Номер патента: 1435914

Опубликовано: 07.11.1988

Авторы: Ждан, Кузнецов, Пилипчатин, Рубцов, Серенко

МПК: F27D 1/02

Метки: печи, плавильной, свод

...участок, ограниченный диаметром менее 0,25 от диаметра свода, приближается либо становится равным по площади участку, ограниченному диаметром распада электродов, и, соответственно, часть огнеупорной кладки, формирующей отверстия, будет выходить за пределы границ данного участка и должна будет выполняться без смещения изделий по толщине футеровки (т.е.по прототипу), что заметно ускорит разгар незащищенной кладки электродных отверстий и снизит стойкость центральной части футеровки свода.П р и м е р. Раствор для наборки свода приготавливают на месте кладки в растворомешалке любого типа. При этом порошок (отощитель), близкий по химическому составу к сводовым изделиям либо нейтрального состава (например, корундовый), должен содержат 55-б 57...

Номер патента: 1425239

Опубликовано: 23.09.1988

Авторы: Быков, Ефимов, Ждан, Кузнецов, Мошкевич, Найдек, Осипов, Рубцов, Сергиенко, Соколов, Шевченко

МПК: C22C 33/04

Метки: выплавки, лигатуры

...никель, аккумуляторный лом, обрезь, стружка) . Плавку ведут путем периодической загрузки в печь порций отходов весом 200 в 3 кг. Каждую следующую порцию загружают по мере подплавления предыдущей, но не на открытую ванну во избежание выбросов металла, При плавке 11 (табл. 1) по известной технологии для удаления водорода после полного расплавления шихты дается 30- минутная выдержка расплава. При этом потери вольфрама и молибдена составляют 80 Я. На остальных плавках выдержка полностью исключена. На плавке 3 аккумуляторные отходы с гидроксидами дают в нижнем слое каждой порции. При этом получают лигатуру с повышенным содержанием водорода. На плавках 2,2,4 - 10 аккумуляторные отходы дают в верхнем слое каждой порции. Установлено, что при...

Номер патента: 1407641

Опубликовано: 07.07.1988

Авторы: Бойко, Ждан, Закревский, Звонков, Симонов, Тиманюк

МПК: B21J 13/02

Метки: безоблойной, штамп, штамповки

...После загрузки заготовки в рабочую полость плиты 2 (заготовка устанавливается непосредственно на пуансон) при ходе ползу 1)а пресса вниз движется верхняя плита, 1, плиты 1 и 2 соприкасаются, замыкая заготовку в полости полуматриц, после чего происходит ее деформирование рабочей частью 6 пуансона, которая во время работы смазывается и охлаждается жидкостью из резервуара 9, подводимой через клапаны 7 и 8. В предлагаемом штампе все боковые поперечные нагрузки и поперечные изгибающие моменты примет на себя толка- тель 5, при любых перекосах плит и не- параллельности направления перемещения плиты 2 относительно оси рабочей части 6 пуансона или, что то же самое, относительно оси полости в плите 2 (оси нижней полуматрицы). На рабочую часть 6...

Номер патента: 1349849

Опубликовано: 07.11.1987

Авторы: Ачкасов, Ждан, Носов, Суворин

МПК: B21D 43/00, B30B 15/30

Метки: заготовок, загрузчик, зону, пресса, рабочую

...с рычагом 14, силовой цилиндр 18, имеющий поршень 19 со штоком 20, шарнирно связанным с тягой 17. Силовой цилиндр 18 при помощи оси 2 шарнирно закреплен на основании 5, На рычаге 16 жестко закреп лен захватный орган для заготовок, выполненный в виде стакана 22. На основании 5 смонтирован датчик 23 контроля наличия заготовок в стакане 22. Упор 10 смонтирован на рычаге 8 с возможностью регулировочного перемещения вдоль него, для чего 35 в рычаге 8 выполнены пазы а, по которым перемещаются винты 24, ввернутые в упор 10. Лоток 6 снабжен ограничительной планкой 25, расположенной параллельно лотку 6 и с возможностью регулировочного перемещения в направлении, перпендикулярном направлению перемещения, и перемещения в направлении,...

Номер патента: 1303618

Опубликовано: 15.04.1987

Авторы: Гичев, Деревянко, Ждан, Коркодола, Кулагин, Перевязко, Розенгарт, Сулима

МПК: C21C 5/38

Метки: газоотводящий, конвертера, тракт

...утилизации тепла конвертерный гаэ отводится через участок гаэохода 14 на газоочистку, после которой под действием нагнетателя он выбрасывается в атмосферу через дымовую свечу или трубу,В межпродувочный период при работающем нагнетателе просос воздуха через бункера с нагретой шихтой исключается путем сообщения участка гав 35 зохода 14 с атмосферой через отверстие 15. Это обеспечивает просос воз - духа через газоотводящий тракт, минуя бункера 5 и исключая охлаждение нагретых во время продувки размещен ных в них компонентов шихты. Загрузка и выгрузка шихты из.бункера 5 производится по ходу плавки как во время продувки так и в межпродувочный период в зависимости от требова ния технологии.Основным режимом работы предлагаемого...

Номер патента: 1239109

Опубликовано: 23.06.1986

Авторы: Гичев, Деревянко, Ждан, Кабак, Коркодола, Кулагин, Перевязко, Розенгарт, Сулима

МПК: C04B 2/10

Метки: извести, производства

...степень обжига готового продукта су щественно снижается.Способ осуществляют следующим образом.В экспериментальную шахтную печь реакционным объемом 0,0375 м за гружают 53 кг известняка с размером кусков 20 - 80 мм. Обжиг производят предварительно полученными в выносной топочной камере продуктами сгорания природного газа, которые подают в слой известняка с температурой 1260 С. Расход природного гаоза 4,5 м ч.В качестве источников пылевидных окислов железа, подаваемых в зону35 горения топлива, используют конвертерную пыль, суммарное количество окислов железа РеО + Ге, О, в которой составляет 843. Варьирование суммарным количеством окислов железа в пыли, подаваемой в зону горения, достигается путем смешивания конвертерной пыли с...