Патенты с меткой «геттерирования»

Способ геттерирования атомов тяжелых металлов и дефектов в полупроводниках

Загрузка...

Номер патента: 1313254

Опубликовано: 15.03.1988

Авторы: Ахметов, Болотов, Гаврошевски, Рихтер, Смирнов, Шмальц, Эмексузян

МПК: H01L 21/263

Метки: атомов, геттерирования, дефектов, металлов, полупроводниках, тяжелых

...мкм, Облучение при 350 К в течение 300 с электронами с энергиейЕ = 3,5 МэВ, дозой Ф = 10 смБ - 2.поверхность окисляют травлением вСРс последуюцей выдержкой на воздухе в течение 70 ч.в -эБдц =7 10 см прий=2 2 мкм,Термообработка 570 К в течение1 ,8 -эБ= 7 10 см при Ь = 2,2 мкм.Облучение при 300 К электронами5 Яс энергией 3,5 МэВ дозой 510 эл/смс последующим отжигом при 570 К в течение 1 ч.БА 1,410 см при Й =- 2,2 мкм,Аналогичный результат получен ипри температуре облучения 280 К.П р и м е р 3. Материал и условия 40приготовления поверхности как и впредыдущих примерах.Б ц = (1,4-15) 1 О см при= 3,4 мкм,Термообработка 770 К в течение д1 ч,941 О см при й =: 394 мкмОблучение при 300 К электронамис энергией 3,5 МэВ дозой 5 10 смс последуюцим...

Способ геттерирования металлических примесей в пластине кремния

Номер патента: 1387798

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Ковешников, Редькин, Старков, Юнкин, Якимов, Ярыкин

МПК: H01L 21/322

Метки: геттерирования, кремния, металлических, пластине, примесей

Способ геттерирования металлических примесей в пластине кремния, включающий обработку нагретой пластины в электрическом разряде в газовой атмосфере, отличающийся тем, что, с целью расширения технологических возможностей процесса геттерирования путем снижения температуры геттерирования, обработку пластины проводят в разряде высокой частоты, в атмосфере смеси кислорода с фторсодержащим соединением при их объемном отношении (0,1-1) : 1 соответственно величине удельной мощности на единицу поверхности 0,4-1,3 Вт/см2 и рабочем давлении 6 10-3 - 6

Способ геттерирования примесей и дефектов в кремнии

Номер патента: 1762689

Опубликовано: 20.11.1999

Авторы: Герасименко, Мясников

МПК: H01L 21/268

Метки: геттерирования, дефектов, кремнии, примесей

Способ геттерирования примесей и дефектов в кремнии, включающий создание на нерабочей стороне подложки лазерных нарушений с шагом не более и последующий термический отжиг, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности за счет полного использования лазерных нарушений и производительности процесса геттерирования, лазерные нарушения создают с шагом не менеегде W - плотность энергии импульса, Дж/см2;ф - диаметр пятна лазера на поверхности подложки, см;R - ширина зоны, свободной от дефектов, мкм;d - толщина...