H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 1728900

Опубликовано: 23.04.1992

Авторы: Абрамов, Гурова, Макеев

МПК: H01L 21/26

Метки: концентрации, кремниевых, легирующей, примеси, профиля, структурах, эпитаксиальных

...график распределения концентрации носителей заряда+для структур типа и - и - и, иллюстрирующий предлагаемый способ,П р и м е р. Измерение профиля концентрации мышьяка осуществляют на электрохимическом профилометре в кремниевыхструктурах и - и - и, изготовленных методом газофазной эпитаксии. Травление и измерение емкости проводят в стандартнойячейке, состоящей из резервуара для электролита и прижимного устройства, создающего контакт к обратной стороне образца.В качестве электролита используют 2-З ный водный раствор НЕ:НМОз:Н 202=1:1:1,В процессе травления к барьеру Шотткиприкладывают напряжение смещения 1-2В, измеряемая плотность тока травления1-3 мА/см . Измеряют емкость барьераШоттки полупроводник-электролит при напряжении...

Номер патента: 1728901

Опубликовано: 23.04.1992

Авторы: Дехтяр, Сагалович

МПК: H01L 21/66

Метки: качества, кристалла, полупроводникового

...их становится больше, чем на уровнях вакансий, расположенных в запрещенной зоне, В этом случае ток из зоны проводимости, а не с уровней вакансий. В силу этого после достижения температуры Т ее поддерживают постоянной, и при этой температуре измеряют зависимость тока экзоэлектрон ной эмиссии от времени до тех пор, пока значение тока становится постоянным. Для того, чтобы отфильтровать вклад эмиссии электронов с глубоких локальных уровней разных дефектов (кроме вакансий), облучение ведут све 25 30 35 40 45 50 55 том с энергией фотона, необходимой для эмиссии электронов с вакансионных уровней.О концентрации вакансий судят по площади под кривой зависимости тока экзоэлектронной эмиссии от времени, ограниченной осями координат и...

Номер патента: 1728902

Опубликовано: 23.04.1992

Авторы: Винецкий, Тришенков

МПК: H01L 27/148

Метки: импульсного, регистрации, сигнала

...заряда к его отделяемой части (М) имеет тот же порядок, что и число опросов, производимых в течение эффективной длительности импульса сигнала.На фиг. 1-2 изображены электродная структура прибора с переносом заряда, реализующего предлагаемый способ (а) и распределение потенциала в ячейках в разных фазах цикла (б-е); на фиг. 3-5 - зависимости ОСШ при различных способах обработки,Генератор 1 представляет токи сигнала и шума, электроды 2 и 3 (последний из которых поддерживается под постоянным потенциалом) служат для ввода токового сигнала в накопительную ячейку под электродом 4 накопления и парциальным электродом 5, Для считывания части накопленного заряда накопительная ячейка разделена на две части разделительным электродом 6,...

Номер патента: 1728903

Опубликовано: 23.04.1992

Автор: Горбачук

МПК: H01L 43/00, H01L 43/08

Метки: магниторезистор, полупроводниковый

...1) содержит подложку 1, изготовленную из полуизолирующего арсенида галлия, магниточувствительную пленку 2, изготовленную из германия р-типа проводимости, контактные площадки 3, изготовленные из индия, и измерительные выводы 4, изготовленные из медной проволоки диаметром 0,1 мм, Размеры магниторезистора 0,03 х 1,0 х 4,0 мм. Величина электрического сопротивления магниторезистора, изготовленного из образца 1 (см. табл.) при Т=300 К равно 360,0 Ом.На фиг. 2 представлены магнитополевые зависимости сопротивления при Т.2 К для пленок толщиной 5 мкм, полученных при Тп = 713 К (кривые 1,2), Тп = 733 К (3,4) и Тп = 683 К (5,6). Концентрация дефектов в пленках, МС которых изображено кривыми 1-4, составляет 6 10 см, а в пленках 5 и 6 10 см . Кривые...

Номер патента: 1589957

Опубликовано: 23.04.1992

Авторы: Белоус, Коннов, Сахаров, Силин

МПК: H01L 27/10

Метки: интегральная, схема

...его исток соединен с общей.14 пф-типа вместе с электродами зат- шиной 19, сток соединен со стокомворов 15 и и-областей 17 истоков и р-канального ИОП-транзистора, исток35стоков покрыта пассивирующим диэлект- которого соединен с шиной питания 26.риком 18, на котором вдоль удлиненной . Разделение вторыми охранными облаобласти 7 р-типа размещена общая шина стями 14 и 23 р+- и и+-типов позволя"19 покрывающая вторую охранную об-ет использовать по одной шине питания940пасть 14 р-типа и края электродов зат- .26 и общей шине 19 для каждой парыворов 15 Под шиной 19 в пассивирую- ИОП-транзисторов, размещенных в облащем диэлектрике 18 сФормированы кон- стях 12 и 21, и тем самым уменьшитьтактные окна 20 к второй областп 14их количество в 2 раза,...

Номер патента: 1729764

Опубликовано: 30.04.1992

Авторы: Запорожский, Петасюк

МПК: B28D 1/00, H01L 21/461

Метки: пластины, полупроводниковых, поперечной, резки

...пластины или частично. Во втором случае подача возобновляется после вывода слитка в исходное положение и.последующего его поворота вокруг продольной оси О. При схеме с вращающимся слитком резка, а следовательнои радиальная подача, заканчивается по достижении режущей кромкой круга продольной оси слитка. В соответствии с требованиями технологического процесса резки отрезными кругами с внутренней режущей кромкой при любой ее схеме в зону контакта инструмента с разрезаемым слитком подается СОЖ. Для реализации предлагаемого технического решения СОЖ следует подавать предварительно подогретой, благодаря чему будет происходить нагрев режущей кромки и создаваться тем самым требуемый перепад температур между ней и периферией круга. Подогрев СОЖ,...

Номер патента: 1730687

Опубликовано: 30.04.1992

Авторы: Каган, Карпенко, Катилюс, Якобсон

МПК: H01L 21/66

Метки: длины, кадмия, пробега, свободного, сульфиде, электрона

...излучения экситонной люминесценции при Т = 1,8 К для различных образцов при различных напряжениях электрического поля; на1 фиг. 2 - график зависимости 1 п от1 о 1 Е/Ео, где Ео - напряженность поля в начальный момент времени, из которого потангенсу угла наклона асимптоты определена константа Ео 1,Кривые 1-6 для образца Т(в спектре люминесценции которого достаточно интенсивна линия излучения свободного экситона и наблюдается две линии экситонпримесного комплекса), отнесенного к предельно чистым кристаллам, при различных напряженностях электрического поля Е, В/см; 0; 300; 350; 450; 650; 800 соответственноо.Кривая 7 - для образца Т(в спектре люминесценции которого линии экситонпримесных комплексов обладают наибольшей интенсивностью и имеют...

Номер патента: 1250106

Опубликовано: 07.05.1992

Авторы: Воробьев, Кузнецов, Погребняк, Ракитин

МПК: H01L 21/66

Метки: диэлектриков, механической, полупроводников, прочности

...регистрации электромагнитного излучения (ЭМИ), усилитель 2 сигнала, лавер.измеритель 4 энергии лазерного излучения, фокусирующую линзу 5,заноминающий осциллограф 6, образец7 (исследуемый материал); генератор8 задержанных импульсов. При измерениях прочности материалов использовали рубиновый лазер, работающий в.режиме модулированной добротности,В этом режиме излучался импульс длительности=30 нс. Лазерное излучение фокусировали на поверхностьисследуемых материалов фокусирующейлинзой 5 с фокусным расстоянием.Р - 1 О ом. В процессе облучения измеряли энергию каждого импульса изме-рйтелем 4 лазерной энергии ИКТН,Все измерения проводили на воздухепри комнатной температуре. Канал регистрации электромагнитных импульсовсостоял иэ емкостного...

Номер патента: 1732397

Опубликовано: 07.05.1992

Авторы: Комина, Свиноренко

МПК: H01L 21/68, H05K 13/02

Метки: интегральных, кассетная, контейнер, преимущественно, схем, транспортирования

...стоек, сводя их к стопе кассет 1.Высота стоек 3 - б такова, что при сведении их одна к другой стопка кассет не приподнимается, а из-за разницы в ширине ( и Ь поперечных пазов 12 и выступов 26 кассет 1 последние располагаются в пазах 12 с зазорами Ь 1 и Ь 2 Затем плиту 2 подают вперед до упора кассет 1 в буртики 22 стоек 5 и б. После чего опускают переднюю дверку 15 аналогично задней по выступам 13 стоек 3 и 4. Сборка контейнера закончена, При подъеме контейнера (вручную или автоматически) его нижняя кассета опирается выступами 26 на базовые поверхности опорных площадок 11 и удерживает всю стопу кассет 1.При использовании контейнера на ручных операциях дверки-шторки 15 и 16 служат и как фиксаторы стоек, и как ограничители от выпадания...

Номер патента: 1732398

Опубликовано: 07.05.1992

Авторы: Куркалов, Сика

МПК: H01L 21/68

Метки: контроле, пластин, подачи, позиционирования, полупроводниковых, свойств

...параллельные неправ- элементов 10 и имеет возможность вертиляющие с внутренними рабочими сторона кального перемещения с помощью электроми, держатель пластин, включающий магнита 11. На направляющих 2 надограничитель горизонтального перемеще- измерителем 5 установлен прижим 12,ния и поддерживающие опоры пластин,участок позиционирования и привод, ус- Поддерживающие опоры для пластин мотановленный на корпусе, причем направ гут быть выполнены в виде горизонтальнойляющие установлены на корпусе, полки направляющих 2, имеющих :образдополнительно содержит пару приводных ный профиль (фиг,1, 2),роликов, имеющих вертикальные оси вра- Устройство может содержать по крайщения и касающихся внутреннихсторон на- ней мере два дополнительных...

Номер патента: 1732399

Опубликовано: 07.05.1992

Авторы: Куркалов, Сика

МПК: H01L 21/68

Метки: автомат, пластин, полупроводниковых, разбраковки

...измерителем в контрольных точках фиг.7, представлены в таблице,Подача пластин.1 к измерителю 9 осу ществляется следующим образом.В исходном положении толкатели 3 и 4занимают положение по обе стороны от кассеты 5 подачи пластин, и после включения линейного шагового двигателя 23 связан ный с его плунжером 24 ролик 18 перемещает пластину 1 в зону контроля, После завершения цикла кОнтроля автомат в зависимости от результатов контроля сбрасывает пластину 1 в контейнер 11 брака или 55 перемещает ее в одну из кассет (позиция ана фиг,8).После того, как достигнуто симметричное расположение роликов 18 и 19 относительно выбранной кассеты, линейный шаговый двигатель 23 останавливается и путем поворота стопора 15 с помощью электромагнита 13 (фиг.3)...

Номер патента: 1732400

Опубликовано: 07.05.1992

Автор: Шеленшкевич

МПК: H01L 23/00

Метки: модуль, оптический

...8 мм, Диаметр углубления 7 в плате для установки дополнительного оптического окна 10 устанавливается 10.1 мм, Размер углубления 2 в плате для установки кристалла равен 11 х 11 мм. Размер углубления в крышке 9 составляет 12 х 12 мм. что превосходит размеры углубления 2.Соединение контактных площадок кристалла с толстопленочной серебропалладиевой металлизацией в виде проводников и контактных площадок осуществлялось с помощью алюминиевой проволоки ультразвуковой сваркой. Соединение модуля с внешними устройствами осуществлялось непосредственно припаиванием к контакт ным площадкам платы модуля соединительных проводников внешнего устройства,Крышка 9 соединяется с платой 1 низкотемпературным непроводящим клеем (ГИПК),Модуль может выполнять...

Номер патента: 1732401

Опубликовано: 07.05.1992

Автор: Угрюмов

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: монтажный, полупроводникового, преимущественно, прибора, силового, узел

...отверстия перфорации заполняют, а поверхности промазывают теплопроводной электроизоляцион ной средой 16, например пастой КПТ - 8, для заполнения технологических зазоров 17 вокруг прибора 1, обусловленных большим диапазоном отклонений размеров полупроводникового прибора 1.Узел работает следующим образом.При подаче питания на изделие полупроводниковый прибор 1 отдает выделяемое им тепло непосредственно через 5 10 15 20 25 30 35 40 ные стакан 9 и подложка 4 выполнены из электроизоляционного теплопроводного материала, Цель также достигается тем, что средства электрической изоляции прибора 1 выполнены в виде теплопроводной электро- изоляционной пасты, размещенной в перфорациях подложки и в технологических зазорах 17 вокруг прибора 1, 1 з.п....

Номер патента: 1732402

Опубликовано: 07.05.1992

Авторы: Волков, Чуйко

МПК: H01L 33/00

Метки: светодиод, туннельный

...7 к подложке 1. В качествеподложки 1 может быть, например, использован сильнолегированный баЯЬ, ориентированный в направлении 11, толщиной 30мкм, на котором методом газофазной эпи 15 таксии выращена полупроводниковая пленка 2 п -ба ЯЬ с той же кристаллографическойориентацией, что и подложка, толщиной5 мкм и концентрацией примеси Кб == 10 см . Диэлектрическая пленка 5 мо 20 жет быть выполнена из пиролитически нанесенного окисла А 20 з толщиной 50 А,Поверх атой пленки нанесена пленка 3 изр толщиной 0,1 мкм, Металлический контакт 7 к подложке из 1 п, Диэлектрические25 области 6 из А 20 з служат для ограничениятока и уменьшения поверхностных эффектов. Область окна 4 для вывода излученияполучена локальным травлением пленки 3,Туннельный...

Номер патента: 1732822

Опубликовано: 07.05.1992

Автор: Ренс

МПК: G09F 9/33, H01L 33/00

Метки: диодов, сеть, электролюминесцентных

...электролюминесцентных диодов, на фиг,2- один из электролюминесцентных диодов полосы на элементе радиатора, соединения которого располагаются в соответствующий ему коллимационный оптический элемент,Сеть электролюминесцентных диодов состоит из множества полупроводниковых кристаллов 1, преимущественно кубической формы, расположеных с постоянным интервалом друг за другом между двумя металлическими накладками 2 и 3 с контактами 4,В каждом кристалле 1 создаются известным образом по крайней мере, две области с проводимостью противоположного типа, формирующие электролюминесцентное соединение.Каждая накладка получается из проводов, выполненных из материала с хорошей электропроводностью и очень хорошей теплоп роводностью; Этот провод...

Номер патента: 1625295

Опубликовано: 15.05.1992

Авторы: Богданов, Кунин, Малюгин, Подругина, Соколов

МПК: H01L 31/18

Метки: активации, пленок, свинца, сульфида, фоточувствительных

...участвовало неменее четырех штук пленок, результатыизмерения фотоэлектрических параметрон (ФЗП), которых усреднялись,Для измерения ФЭП на поверхностьактивированных пленок наносились тонкопленочные золотые электроды термическим испарением золотой проволочки в накууме. Золотые электродыобеспечиналп омические контакты сокисленной пленкой сульфида свинца.Одинаковые размеры фоточунстнительных площадок обеспечивались с помо- щью маски при нанесении золотых электродов,Проводилц измерения следующих ФЭП 1темновое сопротивление; среднеквадратичное напряжение шума Ц, напряженйесигнала ЕЕс, Измерения ФЗП пленок проводили при комнатной температуре науниверсальной измерительной установкеК 54.410 при следующих условиях; температура АЧТ 573 К,...

Номер патента: 1734134

Опубликовано: 15.05.1992

Автор: Ярыш

МПК: H01L 23/34

Метки: охлаждающее, полупроводниковое

...стойки 10 по диагонали между противолежащими окнами 9 панелей 7 и 8, причем теплоотводящие перегородки 11 смежных стоек 10 расположены зеркально одна относительно другой. Кроме того, устройство имеет трансформаторы 12, высоковольтные вводы 13, шины 14, соединяющие вводы, например, по встречно-параллельной схеме соединения полюсов блоков 5 и 6, управляющие связи 15, блоки управления 16 и радиаторы 17, которые осуществляют охлаждение устройства и способствуют конвекционному перемещению потоков 18 масла 2 в баке 19 со всех четырех сторон стенок его корпуса 1 устройства.Устройство работает следующим образом.Из блока управления 16 через световоды по управляющим связям 15 управляющие импульсы подаются на трансформаторы 12, откуда...

Номер патента: 1734135

Опубликовано: 15.05.1992

Авторы: Гуринович, Жукович, Самаль

МПК: H01L 21/31

Метки: вакуумного, столика

...нанесением на рабочую поверхность износостойкого покрытия,На фиг. 1 приведено основание с маской; на фиг.2 - устройство, выполненное предлагаемым способом, сечение; на фиг, 3 - опорный элемент с маскирующим покрытием; на фиг. 4 - устройство, общий вид,Суть способа заключается в следующем.Поверхность основания 1 (фиг. 1) из ситалла методами механической шлифовки и полировки доводят до требуемой неплоскостности, далее через маску в виде замкнутого контура 2 и круглых площадок 3 (фиг. 1) удаляют материал основания, причем на не- подвергающихся удалению участках формируют опорные элементы 4 в виде усеченных конусов и замкнутый ободок 5 (фиг. 2),В процессе удаления материала основания одновременно формируют замкнутый ободок, вакуумную камеру...

Номер патента: 1734136

Опубликовано: 15.05.1992

Авторы: Лизин, Нардышев, Соколовский, Стучебников

МПК: H01L 21/98

Метки: датчика, держателем, полупроводникового, соединения, стеклянным, чувствительного, элемента

...осуществления процесса спекания (вместо процесса оплавления) и снижение на 50 - 120 С за счет уменьшения размера стеклочастиц, последнее определяют по отношению 4 Ь" М 1+273 - лг - где о- поверхностная энергия, эрг см;г, М - мол, масса, г; т - температура плавления вещества в макрообьеме, ОС; 0 - диаметр частиц, см; с 1 - плотность, г см з;- скрытая теплота плавления, кал мольПринимая, что все параметры, кроме О, сохраняют свои значения, запишем это соотношение для снижения на 50 - 120 ОС и для снижения на 10 С, а затем, разделив второе соотношение на первое, получаем 050-120 = (0-08 0,2) 010. Снижение на 10 С можно получить при дисперсности около 200 нм, Следовательно, дисперсность (16 40) нм обеспечит снижение на 50 - 120 С.Нижняя...

Номер патента: 1734137

Опубликовано: 15.05.1992

Авторы: Горохов, Русакович, Якунин

МПК: H01L 23/14

Метки: основание, полупроводникового, прибора

...2 в форме катушки, кото рый имеет одно основание 3 для размещения полупроводникового кристалла, и другое основание 4, которое размещено в кольцевой проточке 5. Кольцевая проточка 5 выполнена в отверстии фланца 30 1.При работе прибора выделяющееся тепло с использованием "катушки" отводится через большую площадь соприкосновения с фланцем, так как увеличен диаметр 35 рабочей части кристаллодержателя.Основание полупроводникового прибора выполнено из стального фланца 1 с ТКР 11,8 10 1/ОС (например, КПО 8), толщина которого Ьг =1,5 - 2 мм, а кристаллодержатель 40 2 изготовлен из меди с ТКР 19,7 10 1/ОС. Глубина кольцевой проточки Ь 1 = 0,25 - 0,3 мм. При этом получаем соотношение размеров 61/12 = 0,125 - 0,15, Диаметр кольцевой...

Номер патента: 1734138

Опубликовано: 15.05.1992

Автор: Чучукин

МПК: H01L 25/00

Метки: полупроводниковый

...и верхним изолирующим упором, позволяет обеспечить восприятие динамических усилий в продольном, поперечном и. вертикальном направлениях; удобство транспортировки, перемещения и установки в ограниченном пространстве, Система крепления выпрямительных блоков в преобразователе включает нижние изолирующие упоры, изолирующие направляющие с выполненными внутренними продольными вырезами и верхний изолирующий упор и обеспечивает изоляцию выпрямительных блоков друг от друга и от несущих конструкций.Выпрямительные блоки позволяют собирать однофазную мостовую, трехфазную мостовую и трехфазную с однофазными мостами на фазу схемы преобразования.Йа.фиг, 1 показан преобразователь, вид спереди; на фиг, 2 - то же, со снятой крышкой, вид сверху; на фиг. 3...

Номер патента: 1734250

Опубликовано: 15.05.1992

Автор: Тепман

МПК: H01L 23/34, H01L 23/46, H05K 7/20 ...

Метки: охлаждения, полупроводниковых, приборов, силовых

...45 50 55 конденсации 4 снабжен пустотелыми ребрами 5 с внутренними перегородками 6. Токоподводы 7 с испарителями 3 жестко закреплены с внутренней стороны тонкостенной оболочки с возможностью образования между испарителями 8 зазора для размещения полупроводникового прибора 9,Сборка устройства для охлаждения силовых полупроводниковых приборов осуществляется следующим образом,Из изоляционного материала методом прессования (литья) изготовляют две части тонкостенной оболочки с пустотелыми ребрами, вставив в оболочку токоподводы 7, затем при горизонтальном положении охладителя помещают в него полупроводниковые приборы 9 и заполняют полость изолирующей жидкостью 3, устанавливают вторую часть оболочки, Устройство помещают в закрытую камеру....

Номер патента: 1116913

Опубликовано: 15.05.1992

Авторы: Беккер, Кашкаров

МПК: B28D 7/00, H01L 21/304

Метки: микрокристаллов, шлифования

...в контакте с держателем микрокрцстазсзса оУстройство поясняется чертежом.УстроистВО Включает оправкУ. 1, микрокристалл 2, держатель 3 микрскрис" азсзса поворотную обойму с) фиксируюСссй всс 5 рсса6 стойкг сменные грузы 8, ось 9, микрометрический и 5 Дикатос 10. подсиНиик 11, ось 12, поворотно-рычажный мехацизм 13, электродвигатель 14 шлиоваль 11 ый инстр )мссцт 15, дссск 16, Вал 17, )содшипцик 18 стОЙку 19 ссриксзи 05 Ну систему 20, шкив 21 электродвигатель 22, кожух 23, стойку 24 и плц 25Устройство содержит оправку 1,предна.значецную дпя 51 ксацсш микро- кристалла 2, жестко закрепленную в нижнем торце держателя 3, перемещающегося вертикально з поворотной обойме 4. (с)иксирующссйс Винт 5 закрепзсяет держатезсь 3 в верхнем положении...

Номер патента: 1735319

Опубликовано: 23.05.1992

Авторы: Анели, Копылов, Поливанов, Рыжова, Скороходов

МПК: C08G 77/398, C08L 83/08, H01L 39/12 ...

Метки: качестве, композиции, композиция, магнитные, олигодиметилдифенилэлементосилоксан, основе, проявляющей, свойства, связующего

...в табл. 2 - ихтермоокислительная стабильность, в табл. 3- параметры микроструктуры олигоэлемен 15 тосилоксанов, в табл. 4 - параметры молекулярно-массового распределенияолигоэлементосилоксанов,Молекулярно-массовое распределениеопределяют на жидкостном хроматографе20 фирмы "Кнаур" (ФРГ) и ЭВМ для обработкиданных СР 2 АХ фирмы "Шимадзу" (Япония),Детектор - дифференциальный рефрактометр. Разделительные колонки - две стандартные колонки фирмы "Шоденс" Яп.А/Я и А/3. Спектры ЯМР Я, Н25 записывают на спектрометре "ВгМег" 360МГц, ИК-спектры записывают на спектрометре О Р.П р и м е р 1. В реакционную колбу,снабженную мешалкой, термометром, ка 30 пельной воронкой и обратным холодильником, загружают циклотрисилазан бб г...

Номер патента: 1735939

Опубликовано: 23.05.1992

Автор: Гандлер

МПК: H01L 25/00

Метки: выпрямительное

...квадрата, образующимиплощадки, взаимодействующие с диодами,а между ними и теплоотводом расположенаизоляционная прокладка,Такое техническое решение обеспечивает надежное прижатие каждого диода ктеплоотводу. Предлагаемое выпрщмительное устройство имеет минимально возможное количество крепежных деталей (весь10 15 20 25 30 50 55 35 40 45 выпрямитель крепится к теплоотводу одним винтом), исключает обьемный монтаж меж. ду диодами и имеет по сравнению с известным в два раза меньшие габариты. На фиг. 1 изображено выпрямительное устройство; на фиг. 2 - разрез А - А на фиг. 1;на фиг. 3 - разрез Б - Б на фиг. 1,Выпрямительное устройство содержит печатную плату 1. Выводы диодов 2, соединенных по мостовой схеме, впаяны в печатную плату 1, Сами...

Номер патента: 1735940

Опубликовано: 23.05.1992

Авторы: Еровиков, Партон, Пеньков, Филиппов

МПК: H01L 25/03

Метки: выпрямитель, полупроводниковый, трехфазный

...полупроводниковыхвыпрямительных диодов, которые соединяют шины с выводами диодов одной из полярностей.На фиг. 1 изображен трехфазный полупроводниковый выпрямитель; на фиг, 2 -сечение плеча выпрямителя,Трехфазный полупроводниковый выпрямитель содержит охлаждающие радиаторы 1 и 2 с размещенными на нихполупроводниковыми выпрямительнымидиодами 3 и 4.Охлаждающиеся радиаторы 1 и 2 изолированы друг от друга дистанционнымиизоляционными втулками 5. Шины 6 изолированы от радиатора 1 изоляционнымивтулками 7,Между шинами 6 и втулками 7 расположены шайбы-компенсаторы 8. Полупроводниковые диоды 4 имеюттермокомпенсирующие выводы 9 и 10,Охлаждающие радиаторы 1 и 2, шины 6,корпуса полупроводниковых выпрямитель- ных диодов 3 и 4, их...

Номер патента: 1735941

Опубликовано: 23.05.1992

Авторы: Горохов, Гридин, Дученко, Матанов, Потапчук, Фалин

МПК: H01L 25/16

Метки: модуль, полупроводниковый

...изоляторы 2 см, фиг, 3) напаивают нижние части силовых токосъемов 6, контактирующих с изогнутыми концами эмиттерной 13 или коллекторной 14 шин. На керамическую плату 3 напаяны две шины 13 эмиттеров и коллекторная шина 14.Эмиттерные и коллекторная шины расположены в одной плоскости. Эмиттерные шины, закорочены между собой дополнительной шиной 15, расположенной по отношению к ним в другой плоскости, Защитные диоды 11 и 12 цепи эмиттер - коллектор напаяны на эмиттерные шины, а две транзисторные структуры 10, имеющие несколько одинаковых эмиттеров, расположены на коллекторной шине 14. Такое расположение соединительной шины 15 и защитных диодов 11, 12 позволяет упростить конструкцию и уменьшить массогабариты модуля на 7 - 10/ так...

Номер патента: 1735960

Опубликовано: 23.05.1992

Авторы: Анисимов, Горнов, Крикунчик, Неруш

МПК: H01L 23/34, H01L 25/04

Метки: блок, преобразовательный

...системдения для полупроводниковых приКаталог, 05, 20,06 - 86, М.: Информэ1986, рис., 2.3,Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано в силовых блоках полупроводниковых преобразователей с использованием тиристоров таблеточного типа.Цель изобретения - улучшение условий охлаждения путем увеличения поверхности контактирования и степени прижатия поверхностей охладителя и тиристоров,На фиг. 1 показан преобразовательный блок; на фиг. 2 - конструктивное выполнение шины,Тиристоры 1, 2 таблеточного типа расположены в полости монолитного охладителя 3, выполненного в виде прямоугольного модуля из алюминиевого сплава, Между тиристорами проходят медные контактные шины 4, имеющие клиновидную форму, Для создания осевого усилия и...

Номер патента: 1623498

Опубликовано: 30.05.1992

Авторы: Журавлев, Микертумянц, Сазонов, Северцев

МПК: H01L 21/306

Метки: загрязнения, ионов, поверхности, полупроводниковых, структур, удаления

...предварительно заменив катионоселективные мембраны анионоселективными и осуществив переплюсовку, т. е. приложив к структуре отрицательный потенциал, а на электроды - положительный.В устройстве достигается значительная экономия воды эа счет того, что один и тот же объем деионизованной воды можно использовать многократно при сохранениивысокого качества очистки полупроводниковой структуры, так как ионы загрязнения в процессе очистки непрерывно выводятся из отмывочного раствора и его чистота в процессе очистки не ухудшается,Одновременно в устройстве обеспечивается и экономия электроэнергии, так как наличие мембраны между электродами позволяет приблизить их друг к другу. Воэможность уменьшить расстояние между электродами в устройстве...

Номер патента: 1737567

Опубликовано: 30.05.1992

Авторы: Альтман, Горлова, Кандов, Каплан, Лившиц, Митин

МПК: H01L 21/26

Метки: мощного, полупроводникового, прибора, сборки

...потоком электроновМэВ и дозой (2-20),10 ф 4 см ,устанавливают и закрепляют кольцо нторце основания, заливают в цилиндрдо верхнего торца кольца эпоксидныйкомпаунд и осуществляют термообработку, Использование способа позволяет изготавливать приборы без аномальных характеристик,него торца кольца эпоксидныи компаунд и осуществляют термообработку.Экспериментально установлено, цто при облучении кольца потоком электронов с энергией 4-6 МэВ и дозой (2-20)10 ф см снимается или значительно уменьшается электрострикционный эФФект.П р и м е рСпособ опробовали при сборке полупроводникового диода КД 213, представляющего собой мощную сковородку толщиной 1,0 мм и диаметром 14 мм, стенка которой имела толщину 1,8 мм и высоту 2,0 мм. В нее вставляли и...