H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 588855

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Вето, Крымко, Левин, Мордкович, Пресс, Рубинштейн, Федотов

МПК: H01L 27/148

Метки: зарядовой, прибор, связью

Прибор с зарядовой связью, содержащий полупроводниковую подложку, на лицевой стороне которой сформированы сдвиговые регистры и выходное устройство, а на тыльной размещены светочувствительные элементы, отличающийся тем, что, с целью повышения светочувствительности и разрешающей способности, светочувствительные элементы выполнены в виде структуры прозрачный металл - диэлектрик полупроводник и разделены сеткой диффузионных областей того же типа проводимости, что и подложка.

Номер патента: 1782139

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Крымко, Манагаров, Марков

МПК: H01L 21/265

Метки: виртуальной, заряда, областью, переносом, прибора, фазы

Способ изготовления прибора с переносом заряда с областью виртуальной фазы, включающий операции окисления и ионного легирования для создания ступенчатого профиля легирования подложки, нанесения проводящих слоев, фотолитографии, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных за счет улучшения воспроизводимости процессов легирования, после нанесения первого проводящего слоя ионное легирование примесью противоположного подложке типа проводимости осуществляют в три стадии, последовательно вскрывая в проводящем слое окна, равные размеру каждой ступеньки профиля легирования в виртуальной области, начиная с максимального легирования, после чего наносят второй проводящий слой, контактирующий с первым, вскрывают его над областью виртуальной...

Номер патента: 1582921

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Колмакова, Пащенко, Сарманов

МПК: H01L 21/306

Метки: арсенида, галлия, консервации, межоперационной, пластин

Способ межоперационной консервации пластин арсенида галлия, включающий очистку поверхности пластин от углеродосодержащих загрязнений, обработку в концентрированной перекиси водорода, отмывку в деионизованной воде, сушку в потоке инертного газа, отличающийся тем, что, с целью увеличения времени консервации уровня углеродосодержащих загрязнений, обработку в концентрированной перекиси водорода проводят в течение не менее 5 мин, а после сушки в потоке инертного газа половину пластин дополнительно обрабатывают в концентрированном растворе водного аммиака в течение не менее 3 мин, сушат в потоке инертного газа и не более чем через 12 мин приводят в контакт попарно рабочие поверхности пластин, обработанных только в концентрированной перекиси...

Номер патента: 1586466

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Абраров, Кондратьев, Лисин, Поздняков, Рассохин, Хохлов

МПК: H01L 21/58, H01L 21/68

Метки: закрепления, механической, обработке, пластин, поверхности, полупроводниковых, преимущественно

Способ закрепления полупроводниковых пластин преимущественно при механической обработке их поверхности, включающий размещение полупроводниковых пластин на подложке с электродами, покрытой полимерной пленкой, осуществление прижима пластины к подложке путем подачи напряжения на электроды, расположенные попарно коаксиально один относительно другого, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности закрепления путем увеличения равномерности прижима пластины к подложке, при размещении полупроводниковых пластин на подложке каждую пластину устанавливают соосно с электродами таким образом, чтобы контур пластины находился на поверхности, ограниченной внешним диаметром наружного электрода.

Номер патента: 1119523

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Ильичев, Маслобоев, Полторацкий, Родионов, Слепнев

МПК: H01L 21/205

Метки: изолирующих, покрытий

Способ получения изолирующих покрытий по авт. св. N 940601,отличающийся тем, что, с целью увеличения времени хранения заряда в диэлектрических слоях при формировании диэлектрических слоев из газовой фазы, в нее дополнительно вводят триметилгаллий при мольном отношении к триметилалюминию (0,3 oC 10) 1 и моногерман при мольном отношении к триметилгаллию и триметилалюминию (10-4 10-6) 1.

Номер патента: 1294240

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Крымко, Марков, Перфилов, Хатунцев

МПК: H01L 27/14

Метки: зарядовой, матричная, микросхема, связью, фоточувствительная

Матричная фоточувствительная микросхема с зарядовой связью с планарным размещением выводом, выполненная на полупроводниковой подложке и содержащая активную область и пассивные области с высоколегированными слоями на рабочей и тыльной поверхностях подложки, отличающаяся тем, что, с целью повышения частотного предела работы фоточувствительной матрицы, площадь высоколегированного слоя на рабочей поверхности равна площади активной области.

Номер патента: 603284

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Верников, Горячев, Крымко, Кузнецов, Мордкович, Пресс, Федотов

МПК: H01L 27/142

Метки: фотоэлектрический

Фотоэлектрический преобразователь, выполненный на полупроводниковой подложке, содержащий считывающий регистр на приборах с зарядовой связью и средство для фотоинжекции носителей заряда под электроды переноса, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона спектральной чувствительности, средство для фотоинжекции выполнено из двух легированных областей, тип проводимости которых противоположен типу проводимости подложки, а промежуток между ними выполнен из компенсированного материала.

Номер патента: 1593513

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Башевская, Колмакова, Пащенко, Тюнькова

МПК: H01L 21/306

Метки: арсенида, галлия, пластин, предэпитаксиальной

Способ предэпитаксиальной очистки пластин арсенида галлия, включающий обработку в травителе, содержащем перекись водорода и воду, промывку в деионизованной воде, промывку в концентрированном водном аммиаке, повторную промывку в деионизованной воде и сушку, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества поверхности пластин за счет снижения уровня загрязнения углеродом, обработку проводят в травителе, дополнительно содержащем хлористый натрий и водный аммиак, при следующем количественном соотношении ингредиентов, мас.ч.Водный аммиак (25%) 1Перекись водорода (30%) 1,5 2,18Вода 1,09 5,45Соль щелочного металла 0,0218 0,0981при этом обработку проводят в течение 15 20 мин.

Номер патента: 1538830

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Лукасевич, Манжа, Соловьева, Шевченко

МПК: H01L 21/82

Метки: биполярных, транзисторах

Способ изготовления ИС на биполярных транзисторах, включающий формирование в кремниевой подложке первого типа проводимости высоколегированных областей второго типа проводимости под скрытый слой, наращивание эпитаксиального слоя второго типа проводимости, создание охранных областей первого типа проводимости под области изоляции, формирование областей изоляции и глубокого коллектора, осаждение на поверхность эпитаксиального слоя первой пленки поликремния, ее локальное прокисление вне базовых областей транзисторов, ее легирование примесью первого типа, формирование первой диэлектрической пленки, вскрытие в ней окон под эмиттерные области транзисторов, вытравливание во вскрытых окнах первой пленки поликремния, формирование пристеночных...

Номер патента: 1032936

Опубликовано: 10.01.1997

Авторы: Жилин, Косогов, Русаков, Телепина, Типаева

МПК: H01L 21/225

Метки: свч-биполярных, транзисторов

Способ изготовления СВЧ-биполярных транзисторов, включающий создание на полупроводниковой подложке коллекторного и эмиттерного переходов и сильнолегированных областей пассивной базы путем селективной диффузии базовой примеси в подложку, отличающийся тем, что, с целью уменьшения емкости коллекторного p n-перехода и КПД коллекторной цепи путем уменьшения горизонтальных размеров областей пассивной базы, диффузию примеси проводят в интервале температур 900 950oС в течение 7 20 мин.

Номер патента: 940605

Опубликовано: 10.01.1997

Авторы: Диковский, Каусова, Копицын, Назаревская

МПК: H01L 21/283

Метки: кремниевых, резисторами, тонкопленочными, транзисторов

Способ изготовления кремниевых транзисторов с тонкопленочными резисторами, включающий формирование активных областей, последовательное нанесение двух диэлектрических слоев, формирование в них контактных окон к активным областям, осаждение и фотогравировку нихрома для резисторов и создание контактно-металлизационной системы, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных транзисторов при улучшении их параметров, после формирования контактных окон в диэлектрических слоях в эти окна дополнительно наносят пленку SiO2 толщиной 10 40 нм, локально формируют дополнительный слой металла со слабой адгезией к SiO2, растворяющийся в травителе, не взаимодействующем с нихромом, а после осаждения нихрома удаляют...

Номер патента: 1810027

Опубликовано: 10.01.1997

Авторы: Балашов, Максимов, Мержанов, Перов

МПК: C01F 17/00, H01L 39/12

Метки: сверхпроводящего

Способ получения сверхпроводящего материала, включающий смешение соединений скандия, иттрия, редкоземельного металла, меди и щелочноземельный металл и инициирование процесса горения в присутствии окислителя, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа путем одностадийного получения целевого материала заданного гранулометрического состава, в качестве соединения скандия, иттрия, и/или редкоземельного металла, меди, щелочноземельного металла используют их сульфиды, а в качестве окислителя перхлорат аммония, щелочного, щелочноземельного металла, пентоксид иода или их смесь и процесс горения проводят при давлении 0,005 0,5 МПа.

Номер патента: 758972

Опубликовано: 10.01.1997

Авторы: Диковский, Митин, Онуприенко, Поспелов, Сидоров, Шалимович

МПК: H01L 23/02

Метки: корпус, полупроводникового, прибора

Корпус полупроводникового прибора, содержащий керамическое основание с последовательно размещенными на нем слоями из тугоплавкого материала и молибдена, отличающийся тем, что, с целью снижения теплового сопротивления и повышения надежности, в качестве тугоплавкого материала используют твердый раствор молибдена в титане со следующим соотношением компонентов, мас.Mo 12,5 16,6Ti 83,4 87,5

Номер патента: 1824023

Опубликовано: 10.01.1997

Авторы: Балашов, Боровинская, Кидяшкин, Максимов, Мержанов, Нерсесян

МПК: H01L 39/12, H01L 39/24

Метки: горения, режиме, сверхпроводящего

Способ получения сверхпроводящего материала в режиме горения, включающий приготовление исходной смеси из порошков оксида иттрия или оксида редкоземельного металла, пероксида бария и меди и инициирования процесса, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса получения однородного по содержанию кислорода целевого материала, в смесь дополнительно вводят окислитель, в качестве которого используют перхлорат аммония щелочного или щелочноземельного металла, или пентаксид иода, или их смеси в количестве, обеспечивающем содержание кислорода в целевом продукте 7+ атомных единиц, при этом окислитель предварительно смешивают с оксидом иттрия или редкоземельного металла.

Номер патента: 1780463

Опубликовано: 10.01.1997

Авторы: Грудин, Ильин, Сурков

МПК: H01L 21/68, H05K 13/02

Метки: кассета-спутник, полупроводниковых, преимущественно, приборов

1. Кассета-спутник преимущественно для полупроводниковых приборов, содержащая основание с гнездом для корпуса полупроводникового прибора и средства фиксации выводов прибора, отличающаяся тем, что, с целью увеличения эксплуатационных возможностей, средства фиксации выводов полупроводникового прибора выполнены в виде спиральной пружины, закрепленной на дугообразной поверхности опоры, размещенной на основании.2. Кассета-спутник по п. 1, отличающаяся тем, что, с целью повышения надежности фиксации выводов, она снабжена плоской пружиной, закрепленной на дугообразной поверхности опоры с возможностью изменения ее прогиба, а спиральная пружина расположена на плоской пружине.3. Кассета-спутник по п. 2, отличающаяся тем, что она снабжена...

Номер патента: 1780476

Опубликовано: 10.01.1997

Авторы: Листратова, Назарова, Ткаченко, Хребтов

МПК: H01L 39/24

Метки: болометра

Способ изготовления болометра путем формирования на диэлектрической подложке приемной площадки из сверхпроводниковой пленки и укрепления диэлектрической подложки на объемном теплоотводящем основании, отличающийся тем, что, с целью увеличения чувствительности болометра в объемном основании, производят выборку материала, соединяют его с диэлектрической подложкой методом оптического контакта, а затем любым известным способом уменьшают толщину диэлектрической подложки, образуя над областью выборки материала мембрану для формирования приемной площадки.

Номер патента: 1780478

Опубликовано: 10.01.1997

Авторы: Богомольный, Знаменский, Полянский

МПК: H01L 41/08, H01L 41/22

Метки: электромеханический

1. Электромеханический преобразователь, включающий по крайней мере два слоя пьезокерамического материала, разделенных между собой металлической прокладкой и заключенных между двумя металлическими деталями, соединенных в пакет болтом, отличающийся тем, что, с целью повышения качества преобразователя, слои пьезокерамического материала соединены с металлической прокладкой и металлическими деталями слоями припоя олово кадмий свинец, при этом одна из металлических деталей преобразователя выполнена заодно с болтом, а размеры элементов и напряжения сжатия пьезокерамики находятся между собой в следующем соотношении:где [

Номер патента: 965239

Опубликовано: 10.01.1997

Авторы: Больших, Диковский, Каусова

МПК: H01L 21/306

Метки: интегральных, кремниевых, полупроводниковых, приборов, схем

Способ изготовления кремниевых полупроводниковых приборов и интегральных схем, включающий создание контактных окон в диэлектрике с помощью фотогравировки, очистку поверхности сильнолегированного кремния в окнах травлением в травителях, содержащих плавиковую кислоту, и создание контактно-металлизационной системы, отличающийся тем, что, с целью улучшения воспроизводимости электрических параметров приборов и повышения выхода годных структур, перед очисткой поверхность кремния в окнах дополнительно окисляют в атмосфере увлажненного кислорода при температуре 873 973К в течение 10 30 мин и очистку травлением поверхности кремния в окнах проводят при освещенности 1 10 лк.

Номер патента: 1424656

Опубликовано: 10.01.1997

Авторы: Захаров, Левицкий, Левкович, Синкевич, Шелчков, Шибанов, Щиголь

МПК: H01L 29/73

Метки: высокочастотный, мощный, транзистор

Мощный высокочастотный транзистор, сформированный в корпусе с выводами эмиттера, базы и коллектора и содержащий ряд параллельно включенных транзисторных структур с электродами эмиттера, базы и коллектора и балластными резисторами в эмиттерной цепи, отличающийся тем, что, с целью улучшения энергетических параметров транзистора путем обеспечения равномерного распределения тока между отдельными структурами, в корпусе транзистора на его эмиттерном выводе напротив каждой транзисторной структуры установлены полупроводниковые кристаллы, на каждом из которых сформированы RC-цепочки, представляющие собой параллельно соединенные балластный резистор и конденсатор, при этом один конец каждой RC-цепочки соединен проводником с эмиттерным электродом, а...

Номер патента: 1694021

Опубликовано: 20.02.1997

Авторы: Ануфриев, Иовдальский, Молдованов

МПК: H01L 23/00

Метки: гибридная, интегральная, свч, схема

1. Гибридная интегральная схема СВЧ, содержащая металлизированную с двух сторон диэлектрическую плату с рисунком металлизации на лицевой поверхности и по крайней мере с одной монтажной площадкой, расположенной на электро- и теплопроводящих элементах, размещенных в отверстиях платы, теплоотводящее основание, скрепленное с металлизацией обратной стороны платы, и бескорпусные электронные приборы, закрепленные связующим веществом на монтажной площадке и соединенные с рисунком металлизации, отличающаяся тем, что, с целью улучшения условий теплоотвода, снижения массогабаритных характеристик и паразитных электрических параметров, монтажную площадку размещают в металлизированном углублении, при этом расстояние от монтажной площадки до лицевой...

Номер патента: 1127479

Опубликовано: 20.02.1997

Автор: Лапин

МПК: H01L 21/306

Метки: арсенида, галлия, равномерных, слоев, эпитаксиальных

Способ получения равномерных эпитаксиальных слоев арсенида галлия, включающий нанесение эпитаксиального слоя арсенида галлия на полуизолирующую подложку, анодное окисление эпитаксиального слоя вплоть до прекращения процесса окисления с последующим стравливанием анодного окисла, отличающийся тем, что, с целью получения равномерных эпитаксиальных слоев большей толщины, перед анодным окислением путем фотолитографии на поверхности эпитаксиального слоя вскрывают окна, через которые проводят локальное анодное окисление эпитаксиального слоя на глубину h W, где h конечная толщина эпитаксиального слоя, W глубина распространения области объемного заряда, возникающей на границе окисел полупроводник с последующим стравливанием анодного окисла.

Номер патента: 1823725

Опубликовано: 27.02.1997

Авторы: Ветохин, Залесский, Куликов, Леонова, Малышев, Пан

МПК: H01L 31/107

Метки: лавинный, фотодетектор

...напряженность поля наиболее высока. Область развития пробоя имеет при этом очень малую площадь, т.к. грани пирамиды и углы почти идеальны. Малая площадь развития лавин практически исключает возможность возникновения микроплазмы (вероятность появления микроплазмы пропорциональна площади лавинного умножения), что соответственно снижает уровень темнового шума, Однако размеры фоточувствительной площадки оказываются больше, чем площадь развития лавины, в результате диффузии фотоиндуцированных носителей от места образования к месту умножения, Эта зона ограничена диффузионной длиной 1. неосновных носителей тока, именно поэтому расстояние между выемками не должно превышать 21., в противном случае будут наблюдаться снижение квантовой...

Номер патента: 1574122

Опубликовано: 27.02.1997

Авторы: Асина, Бромберг, Васютинский, Иванов, Кузьмин, Сурма, Шмелев

МПК: H01L 29/74

Метки: быстродействующий, регенеративным, тиристор, управлением

Быстродействующий тиристор с регенеративным управлением, включающий многослойную полупроводниковую структуру с боковой фаской, содержащую области вспомогательной и основной n+- p n p+ -структур с шунтами, p-области управляющих электродов вспомогательной и основной n+- p n - p+ -структур, а также участки повышенной рекомбинации (УПР) носителей заряда в n-базе, отличающийся тем, что, с целью уменьшения падения напряжения в открытом состоянии и времени выключения при снижении энергии потерь и повышении стойкости к di/dt при включении, участки повышенной рекомбинации в n-базе расположены в области вспомогательной n+- p n - p+ -структуры, под p-областями...

Номер патента: 1582926

Опубликовано: 27.02.1997

Авторы: Верников, Левицкий

МПК: H01L 29/73

Метки: биполярный, транзистор

Биполярный транзистор, включающий эмиттерные области в виде параллельно расположенных полосков, нижний и верхний уровень металлизации с изолирующим слоем между ними, контактными окошками в изолирующем слое для электрического соединения нижнего и верхнего уровней металлизации, причем контактные окошки расположены вдоль эмиттерных областей, отличающийся тем, что, с целью увеличения надежности за счет снижения перегрева центральных областей транзистора, каждая эмиттерная область снабжена двумя эмиттерными контактными зонами, каждая из которых состоит по крайней мере из одного контактного окошка в изолирующем слое, а расстояние между контактными окошками, принадлежащими одной зоне, меньше промежутка между зонами, причем этот промежуток...

Номер патента: 1428116

Опубликовано: 10.03.1997

Авторы: Виноградов, Зеленова

МПК: H01L 21/265

Метки: коллекторных, областей, р-n-р-транзисторов, создания

Способ создания коллекторных областей p-n-p-транзисторов, создаваемых на одной подложке с n-p-транзисторами в составе интегральной схемы, включающий создание высоколегированной области коллектора p+-типа вертикального p-n-p-транзистора в подложке, формирование низколегированной области коллектора путем эпитаксиального наращивания пленки n-типа и одновременной диффузии из высоколегированной области коллектора p+-типа, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрических параметров интегральной схемы за счет повышения пробивного напряжения перехода коллектор-база p-n-p-транзистора и улучшения воспроизводимости параметров p-n-p-транзисторов, низколегированную область коллектора p-n-p-транзистора создают путем...

Номер патента: 1533567

Опубликовано: 10.03.1997

Авторы: Маркин, Никулов, Рябов, Снегирев

МПК: H01L 21/223

Метки: контакта, омического

Способ получения омического контакта к полупроводниковой структуре, включающий эпитаксиальное наращивание приконтактного слоя из газовой фазы при пониженном давлении сильнолегированного бором слоя кремния и нанесения системы металлов, отличающийся тем, что, с целью повышения качества контакта путем снижения переходного сопротивления контакта, приконтактный слой формируют из газовой смеси, содержащей водород, диборан и кремнийсодержащий компонент при следующем соотношении реагентов, об.Кремнийсодержащий компонент (в пересчете на кремний) 0,05 1,0Диборан 0,0005 0,001Водород Остальноенаращивание проводят при 950 970oС, отключают нагрев и повышают давление водорода в реакторе до атмосферного не более, чем...

Номер патента: 1649956

Опубликовано: 10.03.1997

Авторы: Александров, Баранов, Дягилева, Лебедев, Цыганова

МПК: H01L 21/205

Метки: кадмия, оксида, пленок

Способ получения пленок оксида кадмия путем осаждения из парогазовой смеси, содержащей элементоорганическое соединение кадмия и окислитель на поверхность подложки, отличающийся тем, что, с целью повышения однородности пленок за счет снижения температуры осаждения, в качестве элементоорганического соединения используют диметилкадмий, а в качестве окислителя пары воды, при этом осаждение пленок проводят при атмосферном давлении, температуре подложки 20 40oС, давлении паров диметилкадмий 28 87 мм рт.ст. и давлении паров воды 12 20 мм рт.ст.

Номер патента: 1825236

Опубликовано: 20.03.1997

Авторы: Довнар, Козачонок, Малышев, Родин, Турцевич

МПК: H01L 21/28

Метки: межэлементные, соединения

...до более 0,15 мкм нецелесообразно, т, к. не приведет к дальнейшему снижению бугорков на поверхности нижележащего рисунка при увеличении удельного сопротивления нижнего уровня межэлементных соединений.Кроме того, верхний предел по толщине пленки для обоих классов материалов обусловлен увеличением коэффициента отражения для света с длинами волн А) - 574 нм (режим совмещения) 12 = 436 нм (режим экспонирования) и ухудшением вследствие этого антиотражающих свойств пленки.Конструкция межэлементных соединений поясняется чертежом, где 1 - полупроводниковая подложка с активными элементами; 2 - диэлектрический слой с созданными в нем контактными окнами; 3 - контактно-барьерный проводящий слой к активным элементам в полупроводниковой подложке; 4 -...

Номер патента: 1639335

Опубликовано: 20.03.1997

Авторы: Баранов, Волкова

МПК: H01L 21/02

Метки: полупроводникового, прибора

...корпусах,Целью изобретения является повьппение электрической прочности корпуса при повышенной влажности и выхода годных за счет снижения уровня тока утечки керамического материала.Изготавливают металлокерамический корпус, наносят на его металлические части антикоррозионное покрытие, осуществляют электрохимическую очистку корпуса в слабом растворе кислоты при приложении к его металлическим частям положительного потенциала, при этом в качестве слабого раствора кислоты используют раствор кислоты из ряда соляная, серна, фосфорная, а концентрацию раствора выбирают равной 0,05 - 1,5 М.При концентрации менее 0,05 м не создаются условия для электрохимического процесса, а при концентрации более 1,5 М 1, Способ изготовления полупроводникового...

Номер патента: 1119564

Опубликовано: 20.03.1997

Авторы: Новицкий, Садунов

МПК: H01L 41/113, H02N 2/00

Метки: взрывной, пъезогенератор

1. Взрывной пьезогенератор, содержащий генератор ударной волны и пьезоэлектрический преобразователь энергии ударной волны в электрическую энергию с электродами на двух противоположных гранях, параллельных направлению распространения ударной волны, отличающийся тем, что, с целью повышения удельного энергосъема, преобразователь выполнен в виде вписанного в цилиндрическую поверхность блока прямоугольных пластин, с векторами поляризации, перпендикулярными электродам, расположенным на больших гранях пластин, установленных вплотную одна к другой гранями с однополярными электродами и соединенных электрически параллельно, а грани пластин, обращенные к генератору ударной волны, выполненному плосковолновым, лежат в одной плоскости.2. Взрывной...