H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 192262

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Всесоюзный, Грановский, Силин, Типикин, Филимонова, Шубин, Юрков

МПК: H01L 35/08

Метки: коммутационное, соединение

...термоэлементах между полупроводниковым материалом и комм)тир) ющей шиной применяется подслой из припоя с температурой плавления выше рабочей температуры контакта термоэлемента либо, с целью уменьшения электрического и теплового сопротивлений, жидкие контакты. Однако, при применении термоэлементов с жидкими контактами, происходит выдавливание припоя.Предложенное коммутационное соединение отличается тем, что в нем между полупроводниковым материалом и коммутационной шиной применен подслой из тонкодисперсной Коммутационное соединение, преимущественно для термоэлемента, на основе припоя, от,гичагоигееся тем, что, с целью обеспечения смеси легкоплавкого припоя и смачиваемого им наполпителя с температурой плавления выше рабочей температуры...

Номер патента: 192296

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Блинова, Ермолаев, Русакова, Сандеров

МПК: H01L 21/00

...сборкидиода на предложенном автомате.В корпусе 1 смонтированы штоки 2 и 3.Шток 2 имеет иглу 4 в блоках первого рабочего ротора и цангу в блоках второго, Иглы и 10 цангн поджаты пружлной б. Шток 3 несет поворотную серьгу б с центрирующихт штифтомн досылателем 3. В отверстие кронштейна 9 вставлено гнездо 10. В корпусе блока расположены нагреватели 11 и 12.15 В процессе вращения ротора, на которомукреплены блоки, штоки 2 и 3 под действием копиров 13 и 14 совершают возвратно-поступательное двикение. О На фнг, 2 а показано первое положение узлабаллона, который находится на игле 4 перед центровкой, Далее на фиг, 2, б и в нзобрмкен процесс центрирования узла баллона по внутреннему диаметру баллона штифтом 15 5 (фнг. 2, б) и по...

Номер патента: 192297

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Алымов, Баканов, Дроздов

МПК: H01L 21/40

Метки: заготовки, кристаллом, металлической, полупроводниковым, соединения

...МЕТАЛЛИЧЕСКОЙ ЗАГОТОВ С ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМ КРИСТАЛЛОМ2 тескои заготовки систаллом вплавлением нного способую заготовкЭто позволяруда путемций.об заключае а состоит в изготавлиет повысить сокращения ся в следу го металла вырубаю равна массе требуемогна кристалл, предвари кассету. Для отлипания Соединение металл лупроводниковым к известно. Новизна предложе том, что металлическ вают в форме диска. производительность т промежуточных опера Предлагаемый спос ющем. Из фольги заданно диск, масса которого шарика. Диск кладут тельно вложенный вдиска от пуансона кристалл предварительно смачивают канифолью со спиртом,При последующем вплавлении диск, расплавившись, под воздействием сил поверхностного натяжения превращается в шар, При более...

Номер патента: 192959

Опубликовано: 01.01.1967

МПК: H01L 33/00

Метки: 192959

...38 лл-. 1. Оптический индикатор настройки, отци гоиийся тем, что, с целью сццжсния рабо его напряжения ц уменьшения габаритов, о Для настройки радиосхем применялись оптические индикаторы настройки типа бЕ 1 П, Этц вакуумные приборы требуют высокого питающего цапряжеция, имеют большое потрсблеиие и габариты. В связи с этим они не пригодцы для использования при настройке транзисторных схем.Предложен полупроводниковый шдикатор настройки, позволяющий производить настройку при рабочем Напряжении 3 - 5 в, Он вьшолнец из цолупроводцика с цирокой запрещеццой зоной с р-г-переходох с тремя (цги более) выводамц, два или более из которых служат для пропускацця тока электролюминесценции, а третий (или остальные) - для управления площадью...

Номер патента: 193586

Опубликовано: 01.01.1967

МПК: H01L 35/08

Метки: 193586

...Ы на полупроводник, Однако при 300-С М начинает диффундировать в полупроводниковый материал, что приводит к снижению термоэлектрических характеристик последнего, поэтому гальванический способ коммутации термоэлемегптов, работающих при 600=С, пе находил применения.Предложенное коммутационное соединение термоэлемента отличается тем, что на беТе гальваническим путем нанесен сплав кобальт - вольфрам состава 40 з/о И и 60% Со.Это соединение обеспечивает низкое переходное сопротивление в диапазоне температур от комнатной до 600"С и исключает диффузию нанесенного металла в полупроводник.Толщина осажденного сплава кобальт - вольфрам составляет примерно 10 лк. Величина удельного сопротивления коммутационного соединения, измеренная сразу...

Номер патента: 194900

Опубликовано: 01.01.1967

Автор: Сушков

МПК: G05D 23/30, H01L 35/30

Метки: объектов, термостабилизацйи

...охлаждаемым объектом и гермобатареей, отводящей тепло, расположена жидкость с низкой температурой замерзания, например керосин, что позволяет уменьшить паразитный перепад температур.На чертеже изображено предлагаемое устройство, разрез.На термобатарее 1 герметически укреплена крышка 2. Камера, образуемая термобатареей и крышкой, заполнена жидкостью. Внутри камеры на крышке расположен охлаждаемый объект 3. Трубопровод 4 служит для подвода и отвода жидкости, а трубопровод 5 - для контроля ее уровня. жидкость обеспечидаеТ тепл лоднПр вом вают такт, отоирая его ребрам хота с подогреи устанавлиизобретени редм ермостабилизации объекронных приборов, до темкои, чем температура окру гичаюигееся тем, что, с паразитного температурмостате между...

Номер патента: 194901

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Воронин, Кодюков, Кудасов, Рагозинский, Фрадкин, Шиндеров

МПК: G21H 1/00, H01L 35/32

Метки: генератор, изотопный, термоэлектрический

...изоляции осуществляется припомощи гибкого троса 5, наматываемого на профильный вал б, который через редуктор 5 соединен с валом часового механизма. Предлагаемый генератор позволяет сить стабильность выходных параметр образователя путем регулирования тепла от поверхности теплового блока ветствии со скоростью изменения теп ления радиоактивного изотопа. Дл между корпусом генерагора и теплов ком расположена подвижная тепловая ция, связанная с приводом.Изоляция представляет собой ряд стенных колпачковых экранов, а при стоит из гибкой связи и профильного редуктором, приводимого в движение механизмом. тонковод совала с часовым 1. Изогопный термоэлектрический гО тор, содержащий тепловой блок с радионым изотопом, термоэлектрическую баи...

Номер патента: 196143

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Басин, Сабо

МПК: H01L 21/66

Метки: параметров, полупроводниковых, термоэлектрических

...из омического падения напряжения и термо-э.д,с. за счет эффекта Пельтье. Известен способ измерения этих напряжений, основанный на инерционности тепловых процессов. Однако такой способ измерения не предусматривает непрерывной записи температурной зависимости термоэлектрических параметров.По предложенному способу через образец пропускают периодически прерывающийся ток одного направления, составляющие зондового напряжения разделяются с помощью фильтрующих цепей, после чего из усиленной постоянной составляющей, являющейся суммой двух напряжений, вычитается усиленная переменная составляющая, представляющая собой омическое падение напряжения. Благодаря этому обеспечивается возможность проведения одновременных измерени го падения напряжения и...

Номер патента: 196176

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Хомутоиск, Шкаредных

МПК: H01L 21/00

Метки: 196176

...в обоих направленияхбез применения клеевого носителя.Для этого механизм продольной ломки выполнен в виде призмы с прижимным ц ломающим рычагами и двух роликов, причем орцен.тация секции кристаллов относительно ломающих роликов производится Ч-образцымцгубками, установленными перед механизмомпродольной ломки.На фиг. 1 изображен общий вид предла.гаемого автомата; на фнг. 2 - кинематиче.ская схема; ца фиг. 3 - схема устройства дляломки.На столе 1 расположена базовая плита 2,на которой укреплен скафандр 3, оптическаяголовка 4, привод б и механизмы продольнойи поперечцой ломки. Внутри стола располо.жено электрооборудование и система отсосапыли,Скафандназначен д р 3 из органического стекла пред ля защиты полупроводниковой пла МьЮЯ 9/о3и...

Номер патента: 196177

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Гореленок, Царенков

МПК: H01L 21/368

Метки: переходов

...образом, На пластинку арсенида галлия, смоченную галлием, наносят дополнительное количество галлия, необходимое для растворения слоя пластинки арсенида галлия заданной толщины, Пластинку помещают в кварцевую ампулу. В ампулу закладывают также мышьяк, чтобы не было диссоциации арсенида галлия, и легирующую примесь: донорную (Те, Яе и п.т.) либо акцепторную Хп, Сс 1 и т. п.), в таком количестве, чтобы в ампуле было насыщенное давление паров примеси в течение всего процесса. Ампулу откачивают до 10-д - 10 6 мм рт. ст, и запаивают, чтобы процесс создания эпитаксиального р - и-перехода происходил в замкнутом объеме. Затем ампулу помещают в печь.При этом пластина арсенида галлия, покрытая галлием, находится при температуре 800 - 850 С,...

Номер патента: 196945

Опубликовано: 01.01.1967

Автор: Юдейкин

МПК: H01L 31/18

Метки: автоматических, классификаторов, усилитель, фотосопротивлений

...постоянной составходного сигнала, контакт реле подмежду сеткой лампы второго каскаедовательной КС-цепочкой, включену анодом лампы первого каскада и шиной. Усилите торов фот ламповых личпющии 5 времени и плитуды п сигнала п ляющей в соединен 0 да и посл ной межд землянойИзвестные усилители, используемые в автоматических классификаторах фотосопротивлений для измерения сигналов низкой частоты с входным сигналом, коммутируемым непосредствешю перед началом измерения, обладают значительным временем переходного процесса установки амплитуды переменной составляющей выходного сигнала.С целью уменьшения времени переходного процесса установки амплитуды переменной составляющей выходного сигнала при коммутации постоянной составляющей входного...

Номер патента: 197018

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Абб, Электроники

МПК: H01L 29/78

Метки: полевой, триод

...КС-цепь. Постоянная со ставляющая тока, протекая через эту цепь, образует падение напряжения, которое действует между затвором и истоком триода, Чем больше ток, тем больше отрицательное напряжение на затворе по отношению к истоку, и наобо рот, Таким образом, выполнение истока в видепленки, имеющей большое омическое сопротивление, приводит к стабилизации тока, протекающего через триод. Изменения постоянной составляющей тока, вызванные различны ми процессами (медленными нестационарнымиявлениями, старанием, температурным уходом и т. д.), в предлагаемом активном элементе будут меньше, чем в элементах с общим электродом с высокой проводимостью примерно в 20 1+5 Рраз (5 - крутизна характеристикитриода, Л - сопротивление истока)....

Номер патента: 197030

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Бузова, Герцик, Далецкий, Климов, Ландсман, Набиуллин, Сиротенко, Сладкое

МПК: H01L 31/18

Метки: батарей, монтажа, солнечных

...преобразователей за специальные ушки требует больших затрат труда и не обеспечивает достаточ. но большого коэффициента заполнения панелей.Предложенный способ отличается тем, что концы проводников, соединяющие преобразователи и расположенные с тыльной стороны последних, делают с припуском, изгибают под прямым углом к панели, пропускают через сетку панели и соединяют попарно путем пайки или скрутки с обратной стороны сетки.Это снижает трудоемкость крепления и повышает коэффициент заполнения панелей. На чертеже представлег панели с закрепленными собом преобразователями. Предмет изооретенияСпособ монтажа солнечных батарей на несущих панелях с тканевой нли сеточной основой, отличающийся тем, что, с целью снижения трудоемкости крепления...

Номер патента: 197708

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Анатычук, Лусте

МПК: H01L 35/18

Метки: abfr, thihlit, tiб-€, всесоюзная, лиотка, терл10, уул, •уукггlt

...генератор выполнен в виде цилиндра, разрезанного по винтовой линии ня ряд дисков. В цилиндре создаются вихревые токи за счет градиента температур. Градиент температур создан в плоскости поперечного сечения цилиндра. Диаметры цилиндра, по которым созданы максимумы и минимумы темнератур, расположены под углом 45 к кристаллографическим осям, Электрические контакты с внешней цепью образованы на плоскостях разреза цилиндра, вдоль одной из кристаллографических осей. Это позволяет увеличить получасмое напряжение.На чертеже изображен предлагаемый генератор, общий вид.Цилиндр из яппзотропного плп нсоднородного вещества 1 например, из СдЯЬ) разрезан по винтовой линии на ряд дисков 1. Нагреватели 2 и холодильники 3 создают градиент...

Номер патента: 197762

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Брунштейн, Веселова, Данько, Зайцев, Икьков, Локтаев, Сакосич, Свиридов, Тихонов

МПК: H01L 29/74, H02M 5/22

Метки: полупроводниковое

...схема устройства для управления током одного направления.Она содержит положительный полюс 1 источника тока, нагрузку 2, контакт 3 к структуре; четырехслойную 4 и двухслойную 5 структуры; отрицательный полюс б источника тока; контакт 7 к двухслойной структуре; контакт 8 к четырехслойной структуре; источник 9 э. д. с.; управляющий электрод 10.Положительный полюс 1 источника постоянного тока через нагрузку 2 подастся на контакт 8 сложной полупроводниковой структуры, включающей четырехслойнуто 4 и двухслойную 5 структуры. Внепний о-слой структуры 4 н и-слой струк уры 5 соединены контактом, г внешний л-слой структуры 4 и р-слой структуры 5 подводятся к минусовому полюсу б источника тока. Между контакгами 7 и 8, например, путем...

Номер патента: 197969

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Барон, Савицкий, Фролов

МПК: C22C 27/00, H01L 39/12

Метки: сверхпроводящий, сплав

...В, В. Баро. А. Фроло Инстит Академии наук СССР еталлургии им. А. А. Байко витель РХПРОВОДЯ 1 ИИЙ СПЛ 2 длинение - 3,8%. методом дуговой ки, обрабатываетокаткой и волочерхпро копий дящи мею сплавы довольноисте- ысоспла кони ава,в %;5 имичес ь О, бий оста ди способству сплава. При эт чностные свой именяется, напроленоидов. Пре изобретения иобия, м, что, химисплав на сй, отлича я сплава основе нисиссся тон имеет критическую хпроводящее имеет светемпе состо 20,05 -остал Известные с мы ниобий - ц кую стоимость Предложен цир мед цио Введение ме удешевлению водящие и проСплав рехода в 11,1 К.При содерж сплав имеет п ле 26,6 э - 5,4 ого сос 20 - 35 05 - 40, льное. т знач ом его тва не ительному сверхпро- снижаютатуру пение 93 -нии меди 0,5% и...

Номер патента: 199222

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Всесоюзный, Казаков, Кодюков, Кулначев, Рагозинский, Радиационной, Фрадкин

МПК: G21H 1/00, H01L 35/32

Метки: генератор, термоэлектрический

...термоэлементов и снижению к.п.д. установки.Предложенный терхсогенератор отличается от известных тем, что тепловой блок отделен от тормобатареи газовым зазором, а тепловой контакт блока с термобатареей осуществлен через крышку медного стакана, обхватывающего боковую поверхность блока. Такая конструкция обеспечивает компенсацию температурных расширений при сохранении нормального теплового потока от теплового блока на термобатареи. Несущие связи теплового блока обеспечивают осевое перемещение последнего.На чертеже изображен описываемый термоэлектрический генератор.Изотопный блок 1 помещен в тепловой блок 2. Он крепится в корпусе 3 с помощью двух верхних 4,и нижней 5 шпилек. Последняя перемещается по оси относительно корпуса, Боковую...

Номер патента: 199223

Опубликовано: 01.01.1967

Автор: Специальное

МПК: H01L 35/34

Метки: батарей, модульных, сборки, термоэлектрических

...отличается тем,что корпус для сборки термоэлементов выполнен в виде рамки с намотанной на нее крестнакрест нитью (например, капроновой жилкой), образующей двухслойную сетку с ячейками, Такая конструкция позволяет устанавливать термоэлементы в строго заданном положении и путем заливки поляризующимсяизоляционным материалом надежно фиксировать,На чертеже представлено предлокенноеустройство.На рамку 1 намотана капроновая нить 2.Для крепления концов нити и перевода намотки в перпендикулярное направление нарамке имеются штыри 3. Величина ячеек выбирается в зависимости от поперечного сечения элементов, а толщина нити - в зависимо.сти от заданных зазоров между ними. Термоэлементы вставляются в ячейки двухслойной сетки так, чтобы верхний слой...

Номер патента: 199269

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Новиков, Песков, Тюл

МПК: H01L 21/00

Метки: групповой, загрузки, кассеты, механизм, электродов

...вибратора б, который включается црц срабатывании микропереключателя 17 30 от кулачка 16. Предложенный механизм используется при групповой загрузке кассет электродами для сплавления р - гг-переходов. Он позволяет загружать элекгроды заподлицо с плоскостью кассеты.На чертеже изображен механизм групповой загрузки электродов в кассеты в общем виде,Механизм состоит из бункера 1 с герметичной крышкой 2, имеющей штуцер 3 для соединения с вакуумной систеъгой. Дно бункера 1 состоит из пластин 4 и 5 с отверстиями. Толщина пластины 4 равна длине загружаемого электрода, а пластины 5 - /;, длины электрода. Бункер крепится жестко ца вибраторе б, в верхней части которого имеется окно для помещения кассеты 7, гнезда которой соосны отверстиям пластин...

Номер патента: 199283

Опубликовано: 01.01.1967

МПК: H01L 31/0296

Метки: селеновый, фотоэлемент

...области спектра, и повышенной интегральной чувствительностью, Интегральная чувствительность его превышает чувствительность обычного селецового фотоэлемец га в 3 - 6 раз и достигает 3000 мка/лм, фото-э,д.с. 180 мв при 10 лк. Эти свойства селецового фотоэлемента достигают образованием резкого гетероперехода между слоями фотопроводников различного химического состава. Промежуточный слой гетеропереходз выполняют в виде твердого раствора двух или более селенидов тяжелых металлов.Кроме того, слой гетероперехода выполняютиз твердого раствора селенида индия и селе- нида серебра.Изменяя состав п-слоя, т, е. увеличивая илиуменьшая в твердом растворе содержание одного соединения по сравнению с другим, а также толщину этого слоя, можно в...

Номер патента: 199944

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Лавренченко, Наер, Одесский

МПК: H01L 37/00, H01L 43/00

Метки: гальваномагнитный, охладитель

...могут п5 бретенияадитель, испзена, содеисточникс целью поности и возммагнитногоюбой формыофилированн едмет из ользуюржащий питания, вышек ия ожности поля помагнит ыми наохл ла В существующих гальваномагнитных охладителях для обеспечения максимальной энергетической эффективности монокристалл должен иметь экспоненциальное сечение.Предложенный гальваномагнитный охлади тель отличается тем, что магнит снабжен подвижными профилированными наконечниками, это позволяет регулировать плотность магнитного поля по,высоте монокристалла любой формы и обеспечивать повышение энергети ческой эффективности охладителя. При этом значительно упрощается технология изготовления охладителя. Кроме того, предлагаемый охладитель позволяет осуществить оптимальное...

Номер патента: 199945

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Всесоюзный, Голицин, Грудева, Зайцев, Золвтьрев, Пилюс, Просмушкин, Силин, Таллер, Томашевский, Чуданьв, Шубодеров

МПК: H01L 35/34

Метки: 199945

...целью повышения механической прочности, температурыэксплуатации и защиты от внутренней субли 15 мации, между колпачком и полупроводниковым материалом по периметру заливают поддавлением антисублимационное покрытие споследующей заливкой всей батареи послекоммутации термоэлементов.20 2, Способ по п. 1, отличающийся тем, чтоиспользуют анти сублимационные покрытия(например, из смеси порошков окислов металлов с борным ангидридом) с температурой размягчения ниже, чем температура горя 25 чего спая термоэлементов,СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕН Известен способ изготовления термобатарей, в котором со стороны горячих спаев к термоэлементам присоединяют металлические колпачки,Предложенный способ отличается тем, что между колпачком и полупроводниковым материалом...

Номер патента: 199946

Опубликовано: 01.01.1967

Автор: Драбкин

МПК: H01L 35/08, H01L 35/34

Метки: коммутации, термоэлементов

...отлиощения технон енин высокоутации, комт на поверх- элементов пурической дуге газа или возецием скоммуатмосфере воИзвестно несколько способов коммутации термоэлементов: путем пайки или совместного прессования, электролитического осаждения, вакуумного напыления или с помощью прижимного контакта.Предложенный способ коммутации отличается от известных тем, что коммутационный материал наносится на поверхность полупроводникового термоэлемента путем расплавления его в электрической дуге и напыления струей инертного газа или воздуха с последующим восстановлением скоммутированных термоэлементов в атмосфере водорода.Этот способ позволяет значительно упростить технологию производства термоэлементов при сохранении высокопрочной и низкоомной...

Номер патента: 199947

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Бург, Даво, Зайчиков, Кучинска, Фиалков

МПК: H01L 35/22

...технологической схеме из недорогого исходного сы рья, может применяться при температуре до 3000 С.Термоэлектроды из кордного волокна, предварительно сплетенные в заготовки необходимой длины, отмывают в подогретой дистиллированной воде до получения чистого отмывочного раствора и пропитывают 10%-ным раствором трехзамещенного фосфата аммония при комнатной температуре в течение 30 мин.Затем при помощи валков производят меха нический отжим и сушку на воздухе, а также термообработку в нейтральной среде, например в аргоне, до температуры 1100 С с последующим остыванием до 150 - 100 С, После этого часть заготовок, в дальнейшем исполь зуемых в качестве другого термоэлектрода, пропитывают в течение 30 мин 50 с-ным раствором борной кислоты. В...

Номер патента: 199948

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Конструкторское, Экспериментально

МПК: H01L 35/30

Метки: теплоперехода, электроизолированного

...СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОИЗОЛИРОВАННОГО ТЕПЛО ПЕРЕХОДАИзвестный способ изготовления электроизолирова нного тепл опер ехода, состоящего из металлических и электроизоляционных полос, заключается в том, что две металлические полосы с проложенной изоляцией загибаются в виде гармоники на специальном оборудовании.Предложенный способ изготовления тепло- перехода отличается от известных тем, что металлические и электроизоляционные полосы навивают последовательно на оправке со сдвигом металлических полос относительно электроизоляционных. Намотанная катушка спрессовывается и облуживается с рабочих торцов.Такое выполнение теплоперехода позволяет увеличить его теплопередающую поверхностьи упростить изготовление. Предмет изобретения5Способ...

Номер патента: 200007

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Новицкий, Рождественска, Троскопии, Якобсон

МПК: H01L 33/00, H05B 33/02

Метки: излучения, многослойный

...импед проводника и электроломи металлический диск со стор ватель излучения, еский диск с анис выравнивающей динка и нагрузочюциися тем, что, ансов слоев фото. офора, на стеклооны сетки нанесеИзобретение относится к олюминесцентных усилителей и р р лей.В известных электролюминесцентных преобразователях излучения трудно достичь хорошего согласования импедансов фотопроводящего и электролюминесцентного слоев, так как необходимо, чтобы темновое сопротивление фотопроводника было на несколько порядков больше сопротивления электролюминесцентного слоя.В прелложенном преобразователе согласование фотопроводникового и электролюминесцентного слоя легко достигается шунтированием скорости электролюминофора сопротивлением нагрузочного слоя.Для...

Номер патента: 200012

Опубликовано: 01.01.1967

Автор: Вавилов

МПК: H01L 23/00

Метки: групповой, кассета, ножек, полупроводниковых, приборов, фиксации

...вынимают.10 едмет изобретен 1(ассета для груп явой фиксации ножек по.лупроводниковых приооров, состояГцая нз про фнлнрованных упругих пластин, нодпружинек но соединенных между собой с образованиемскваткины для ключа, отпираютцего кассету, отличаюшаяся тем, что, с целью точного базирозания и надежного закрепления ножек пу тем запиранпя каждой ножки за боковую поверхпосзь фланца, профилированные пластины имеют Гнезда с зубьями, загнутыми внутрь гнезда. Известны кассеты для групповой фиксации ножек полупроводниковых приборов, в которых зажим осуществляется путем запирания каждой ножки за боковую поверхность фланца,Предлагаемая кассета отличается тем, что, с целью более точного базирования и надежного закрепления точек, профилированные...

Номер патента: 200039

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Левицкий, Матов, Минстер, Хрнет, Штейн

МПК: H01L 51/00

Метки: литериала, металлических, обнаружения, потоке, предметов

...снимаемы тура 1.,С, импульс д й 2й ля устра пени ов схемы, во нешних усло и с колебател ажды дифферя влияния зникаюших вий работы ьного коненцируется. мет изобретени Спосоо метов в поИзвестны способы обнаружения металлических предметов в потоке материала, основанные на изменении частоты колебательного контура генератора при прохождении металлических предметов около катушки датчика.Для стабилизации рабочих параметров металлоискателя предлагается полезный сигнал, снимаемый с колебательного контура генератора, дважды дифференцировать, а напряжение, снимаемое с основного и дополнительного колебательных контуров, выпрямлять и интегрировать.На чертеже показана схема устройства для осуществления описываемого способа.Генератор 1 собран на...

Номер патента: 201548

Опубликовано: 01.01.1967

Автор: Матерный

МПК: H01L 21/00

Метки: комплект, полупроводниковых, приборов, приспособлений, р—п-переходов, сборки

...на установочные 15 штифты 2, Кристаллы из углубления 8 путем легкого покачивания шаблона перемещаются в кассету.Загрузка кассеты электродами производится с помощью шаблона 4 для загрузки электро дов, Шаблон имеет глухие отверстия б для распределения электродов. Кассета накладывается на шаблон и путем поворота сборки на 180 загружается электродами.Загрузка кассеты кристаллодержпроизводится в шаблоне 6, который яодновременно приставкой к вибробун Кассета устанавливается в углубление 7, накопитель 8 заполняется кристаллодержателями из вибробункера, Магнитный подъемник 9 своими штифтами 10 совмещается с отверстиями 11 в накопителе 8. Кристаллодержатели притягиваются к выступам 12, магнитный подъемник переносится в углубление 7 и...

Номер патента: 202331

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Маевска, Мартынов, Николаева, Скворцов

МПК: H01L 21/20

Метки: выращивания, полунроводниковых, слоев, эпи1аксиального

...сорбируюствора, содержание билизировать. Такоеоляет обеспечить покак легколетучих,так тов исходного испаолезном израсходовараствора. При испараствора изменение обы недо необходим количеств нты. Одно эти сп В первом случае вать очень малы гирующей компо аточно удобны. точно дозироподаваемой ле 3 Й современнои технике широкое распро странение получили методы эпитаксиального ,выращивания слоев полупроводников, состоящие в том, что пары (как правило хлориды) химических соединений т.1 е, 51 или другихэлементов (31 С 1 йеС 1 ЯНС 1 з и др.) восстанавливаются подходящим агентом, например водородом, на нагретой подложке.Для получения заданных электрофизических свойств в эпитаксиальные слои вводят легирующие примеси - атомы элементов 11 и Ч...