H01L 27/04 — с подложкой из полупроводника

Номер патента: 373795

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Гаврилкин

МПК: H01L 27/04

Метки: подложка, полупроводниковая

...из множества идентичных элементарных поверхностей, сохраняется постоянным положение их общей фотометрической оси при нанесении на них фоторезиста. Это обусловлено тем, что при фотоэлектрической регистрации таких знаков происходит интегрирование светового потока со множества идентичных элементарных поверхностей растра, оптические характеристики которых в одинаковой степени изменены при заполнении их профиля фоторезистом, т, е. здесь в каждой элементарной поверхности растра происходит изменение положения ее фотоэлектрической оси, но у всех элементов растра эти изменения происходят одинаково, и поэтому общая фотометрическая ось всего реперного знака остается неизменной. Такие растровые реперные знаки обладают значительным контрастом как в...

Номер патента: 638289

Опубликовано: 15.12.1978

Авторы: Есиюки, Такеси, Теруаки, Хисаеси, Хисао

МПК: H01L 27/04

Метки: полупроводниковое

...клапаны в аппарат для выращшгапия испарением 18, в котором находится полупроводниковая подложка 19. Газообразный М который поступает из резервуара 20 и служит газом- носителем, пропускается через аппарат с постоянным расходом 25 л,мин, а моносилан 51 Н 4 подается в аппарат с постоянным расходом 30 см/мин. Расход КО изменяется как О, 10, 20, 30, 150, 300 и 1200 смз/мин.Полупроводниковая подлокка нагревается до температур от 600 до 750 С. Так как температура выращивания относительно низкая, то существует лишь небольшая возможность того, что примеси, содержащиеся в полупроводниковой структуре, диффузировать будут в слой 9 поликристаллического кремния.При температуре ниже 600 С скорость выращивания слишком низка для практического...

Номер патента: 529701

Опубликовано: 30.01.1979

Авторы: Ержанов, Кокин, Кремлев, Любимов, Манжа

МПК: H01L 27/04

Метки: интегральный, транзистор

...2 часток .э может оыть открыт или за529701 г з перт расширившимся слоем объемного заряда р - и-перехода подложка 1 - коллекторная область 2.Интегральный транзистор в качестве инвертирующего работает следующим об разом.Подложку 1 и эмиттерную область 4 заземляют; коллекторную область 2 через нагрузочный резистор подключают к источнику питания. При высоком положи тельном напряжении на коллекторной области транзистора соединительный участок Б заперт слоем объемного заряда р - п-перехода подложка 1 - коллекторная область 2. Базовая область 3 не соединяет ся с подложкой 1 транзистора; весь ток является его базовым током.Предлагаемый интегральный транзистор работает так же, как и его аналоги.При понижении напряжения на коллек О торной...

Номер патента: 633395

Опубликовано: 25.05.1979

Авторы: Кокин, Кремлев, Лубашевский, Назарьян

МПК: H01L 27/04

Метки: интегральная, логическая, схема

...биполярного транзистора в виде р-и-иструктуры, а нагрузочного униполярного тран.зистора п.канальным. Данный вариант интеграль.ной схемы имеет повышенное быстродействиеблагодаря использованию неинжектирующего перехода в качестве коллектора переключательноготранзистора. Другим важным преимуществом дан.ного варианта является возможность формироващя в базовой области р-типа переключательноготранзистора диодов Шоттки (или иных выпрям 46ляющих диОдОВ), Вьполннощих роль входьхэлектродов.Интегральная схема работает следующим образом. Электроды 1 и 2 подсоединяются к поло 4жительному и "земляному" электродам источника питания, Если, по крайней мере, на одномиз входов 9, 9 или 9" имеет место высокийпотенциал - "1", величиной, больше...

Номер патента: 819860

Опубликовано: 07.04.1981

Авторы: Аникин, Борщенко, Бурмистров, Воробьев, Дшхунян, Науменков, Немеровский, Поветин, Тесля, Чичерин, Шкарапут

МПК: H01L 27/04

Метки: двунаправлен-ный, интегральный, линий, связи, твердотельный, усилитель

...а на другой - высокого или наоборот, на выходе входного элемента (ИЛИ в ), на вход управления которого подан высокий потенциал, устанавливается низкий потенциал, запирающий выходной инвертируюший вентиль и передача информации в этом направлении будет запрещена. Передача информации будет разрешена только через входной элемент (ИЛИ - НЕ), на вход управления которого подан низкий потенциал. Такая комбинация пОтенциалов на входах управления 9 и 10 соответствует синхронному режиму работы, При подключении обоих входов управления к шине с низким потенциалом, например к шине земли, передача информации будет разрешена в обоих направлениях и осуществляется в том направлении, которое имеет приоритет во времени. Такая комбинация потенциалов на...

Номер патента: 1037363

Опубликовано: 23.08.1983

Автор: Фурсин

МПК: H01L 27/04

Метки: интегральная, схема

...контактов Шоттки в 25 первой и второй р-областях,п -области которых соединены с контактом Шоттки третьей р-области,п -область которой соединена с п+-областью пятой р-области, и первым выходом интегральной схемы, второй выход интегральной схемы соединен с и -областью четвертой р-области23.Недостатком известного технического решения являются малые функциональные возможности.Целью изобретения является расширение функциональных возможностей интегральной схемы.Поставленная цель достигается тем, что интегральная схема, включающая 40 общую область п-типа, расположенные в ней первую, вторую, третью и четвертую р-области, в каждо 9 из которых расположено по одной п 1-области и контакту Шоттки, и пятую р-область 45 с расположенными в ней...

Номер патента: 591091

Опубликовано: 23.02.1985

Авторы: Выгловский, Еремин, Стоянов, Ходош, Яншин

МПК: H01L 27/04

Метки: биполярных, логических, мдп, сопряжения, устройств

...цель достигается тем, что переключательный МДП-транзистор имеет встроенный канал, затвор этого транзистора соединен с положительным полюсом источника питания, а к,его истоку подключен сток дополнительного МДП-транзистора со встроенным каналом, исток и затвор которого соединен с положительным полюсом источника питания. Этот дополнительный МДП-транзистор служит нелинейной нагрузкой для выходного каскада биполярного устройства, поэтому его подключение способствует, увеличению управляющего перепада напряжения до величины, близкой к величине напряжения пита-ния биполярной ИС. На чертеже изображена принципиальная электрическая схема предлагае- мого устройства сопряжения,Исток переключательного МДП-транзистора 1 устройства сопряжения соединен...

Номер патента: 820546

Опубликовано: 23.03.1985

Авторы: Дубинин, Кружанов, Овчинников, Сафронов

МПК: H01L 27/04

Метки: интегральная, полупроводниковая, схема

...содержащей полупроводниковую подложку первого типа55 проводимости, в которой образованы участки противоположного типа проводимости, расположенные на границе с эпитаксиальным слоем, того же, что и подложка,типа проводимости н совмещенные с локальными областями, того же типа проводимости, глубина которых равна толщине эпитаксиального слоя, образуя при этом области, по крайней мере в одной из которых созданы приповерхностные области противоположного типа проводимости, в эпитаксиальном слое созданы дополнительные области противоположного типа проводимости на глубину, равную толщине эпитаксиального слоя, по крайней мере в,одной из которых, образованы.приповерхностные области пер-. вого типа проводимости, концентрация примесей в которых не...

Номер патента: 830987

Опубликовано: 30.06.1985

Автор: Свердлов

МПК: H01L 27/04

Метки: защиты

...образованном в полупроводниковой подложке первого типа проводимости и содержащем две высоколегированные области второго типа проводимости, одна из которых соединена с контактной площадкой через резистивную шину, реэистивная шина состоит из отдельных параллель" но соединенных участков, а одна иэ высоколегированных областей состоит из локальных участков, каждый из которых соединен с соответствующим участком резистивной шины, причем расстояние между высоколегированными областями обеспечивает возникновение вторичного пробоя.Изобретение поясняется чертежом, где полупроводниковая подложка 1, например р-типа проводимости, контактная площадка 2, резистивная шина 3, высоколегированные области 4,5, например О -типа проводимости.Устройство...

Номер патента: 1032948

Опубликовано: 07.03.1986

Авторы: Вето, Винецкий, Скрылев, Тришенков, Эскин

МПК: H01L 27/04

Метки: ввода, зарядовой, прибор, связью, сигнала, электрического

...поданаемый на разрешающий электрод в момент времени С импульс напряжения прекращает слив и изолирует зарядв истоке на время Ь й; если за этовремя сигнал изменяется от 75 ( С)до Чз ( Й + 4), то из ямы истока+ 6 С) - 75 (С), который после снятияимпульса на разрешающем электродевытекает из истока и образуетинформативный заряд, Этим достигается режим, когда роли "опорного" и "сигнального" напряжений играют два значения напряжения сигнала, последовательно взятые с интервалом Ьй. При малых д г.)- ( 1) 1(с,)йЬ,с 1 епричем последнее равенство тем точнее, чем меньше аи чем ниже верхняя граничная частота спектрасигнала 7 (1С(1),поэтому при5укаэанных условиях входное устройство ПЗС приобретает передаточную характеристику дифференцирующего...

Номер патента: 673086

Опубликовано: 15.08.1987

Авторы: Лаупмаа, Тийкмаа

МПК: H01L 27/04

Метки: генератора, интегральная, стабильного, схема

...металлизации 10;4 дорожки металлизации 11, 12, 13,14, 1 б, 17, 18, 19 полупроводниковыхэлементов;цорожка металлизации 15 начального источника к отрицательной шиненапряжения питания,На фиг.2 представлен полупроводниковый элемент генератора стабильного тока, где изображены:изолирующий окисел 20,и подконтактная область 21 к базе латерального транзистора (нижнийзатвор полевого тетрода);изолирующий окисел "карман" 22;пф скрытый слой 8;30 35 40 45 50 55 монокристалл полупроводника и-типа, база латерального транзистора 23;и+ верхний затвор полевого тетрода 3;р - канал полевого тетрода 24; р+(р) сток полевого тетрода 5; р+(р) исток полевого тетрода и коллектор латерального транзистора 2,р+(р) эмиттер 7 р-и-р латерального...

Номер патента: 740077

Опубликовано: 23.04.1988

Авторы: Власов, Остаповский, Портнягин, Ротман

МПК: H01L 27/04

Метки: интегральная, структура

...содержит полупроводниковую подложку 1 р-типа с образованными на ней эпитаксиальными слоями 2 и 3 противоположного типа проводимости, В верхнем эпитаксиальном слое 2 выполнены области/р-и-р-транзистора: эмиттер 4, база 5, коллектор 6 (часть коллектора расположена в эпитаксиапьном слое 3).В эпитаксиальной базе транзистора выполнена дополнительная область 7 того же типа проводимости с поверхностной концентрацией донорной примеси М 1 = 6 10 см . Указанная концент 17 -3рация примеси дополнительной области превышает концентрацию примеси в остальной области базы, которая составляет М р = 5 10 см ; Область 8, выполненнаяна границе эпитаксиального слоя 3 и подложки 1 предотвращает смыкание области коллектора с подложкой. Для получения омических...

Номер патента: 1044203

Опубликовано: 23.04.1988

Автор: Трегубов

МПК: H01L 27/04

Метки: интегральной, микроструктура, полупроводниковая, схемы, тестовая

...слоев. При просмотре в направлении стрелки этого участка в растровом электронном микроскопе можно одновременно визуализировать (сфотографировать) и возможное место разрыва слоя алюминия накраях диэлектрических слоев, а клинтравления этих слоев, который обычно непостоянен по высоте,Неудовлетворительная форма краевэлементов (козырьки, подтравы и т.д.)создающих ступеньки для алюминиевого слоя, является одной из главныхпричин возможных разрывов последнегои отсутствия контакта с подложкойТаким образом, структура, приведенная на фиг,1, позволяет выяснить технологические причины брака в слоях, прикрытых на рабочем участке интегральной схемы другими слоями, а также может использоваться для отработки технологии, межоперационного и 55(другая...

Номер патента: 921387

Опубликовано: 23.04.1988

Авторы: Верходанов, Власов, Гаштольд, Калиников, Кольдяев

МПК: H01L 27/04, H01L 29/78

Метки: полупроводниковое

...затвора в области канала,На чертеже изображено сечение полупроводникового устройства, состоящее из полупроводниковой подложки 1, например, р-типа проводимости, эпитаксиального слоя 2 противоположного типа проводимости, областей 3, 4 верхнего, нижнего. затворов, областей 5 каналов, областей б истока (стока), легированной области 7 канала.Как видно из чертежа, канал состоит из двух областей: неравномерно легированной и нелегированной.В эпитаксиальной области 5 канала легирующая примесь распределена однородно и соответствует уровню легирования исходной эпитаксиального слоя М, тогда как в области 7, которую создают с помощью операций диффузии или ионного легирования, концентрация примеси не постоянна, а уменьшается от значения, соответст"...

Номер патента: 847841

Опубликовано: 15.02.1992

Авторы: Крюков, Маковий, Ус, Федоров

МПК: H01L 27/04

Метки: инжекционная, полупроводниковая, структура

...переклюцающего транзистора, базовый контакт расположен симметричнр относительно любой пары коллекторных областей, при этом продольная осевая линия инжекторной области параллельна линейному расположению коллекторных областей.На Фиг, 1 представлена инжекционная полупроводниковая структура, продольнй разрез; на фиг, 2 - эквивалентная электрицеская схема, реализуемая на инжекционной структуре.На подложке и+-типа 1 с контактом 2 в эпитаксиальном слое и-типа 3 20 сформирована базовая область 1, в пределах которой выполнены три линейно расположенные коллекторные области и -типа 5.+Поверхность структуры покрыта ди электрической пленкой 6, в которой созданы окна для контактной металлизации 7 к крайним коллекторным областям 5 и для контактной...

Номер патента: 1744738

Опубликовано: 30.06.1992

Авторы: Петросянц, Трубочкина

МПК: H01L 27/04

Метки: инжекционный, элемент

...совмещены база переключательного и - р - и-транзистора 23 иколлектор дополнительного второго инжектирующего р - и - р-транзистора 22. Областьр эа содержит, во-первых, диффузионнуюобласть из 13, к которой подключен выходной электрод 14, во-вгорых, диффузионнуюподконтактную область р 2 17. К области р 2+ +17 подключен металл изи рован н ый проводник 15, соединяющий базу переключательного и - р - и-транзистора 23 и коллектормногоэмиттерного и-р-и-транзистора 20,Для отделения областей р эп 1 6 и р эп 2 12 отразделяющей диффузионной области р 11+(7 сквозь эпитаксиальную пленку р эп прово+дится диффузия и с концентрацией 5 10см, формирующая боковые коллекторные+эмиттерную область и 12 19 переключательного и -р - и-транзистора 23, Области и 12...

Номер патента: 1755338

Опубликовано: 15.08.1992

Авторы: Белоус, Силин, Стадник

МПК: H01L 27/04

Метки: интегральная, схема

...металлизированные шинц 8 питания и общие шины 9, В интегральной схемеполупроводниковые области 12-14 с р-канальным МОП-транзистором 4, первым и -30 р-и-транзистором 5 и резистором 7сформированы над общим скрытым слоемвторого(п+) типа проводимости 19, выведенном на планарную поверхность интегральной схемы посредством дополнительной35 полупроеоднйковой области 21 второго (и)типа проводимости, выполненной под шиной 8 питания и соединенной с ней, Полупроводниковые области 15 и 16 си-канальными транзисторами 2 и 3 сформи 40 рованы над общим скрытым слоем 18 первого(р+) типа проводимости, выведенном напланарную поверхность интегральной схемы посредством дополнительной полупроводниковой области 22 первого (р+) типа45 проводимости,...

Номер патента: 1575850

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Агрич, Сульжиц

МПК: H01L 27/04

Метки: дифференциальный, интегральный, к-моп, усилитель

...входных синфазных сигналов, зисторов и режима работы ДУ, при этом использование изобретения позволяет 0 и 0 д - напряжения положительного повысить коэффициент усиления ДУ за сси отрицательного питания; С- ем счет повьппенной концентрации примеси кость затворного диэлектрика МОП- , в подложке входных транзисторов, и транзисторов, Б- пороговое напря- следовательно, повышение дифферен" жение нагрузочных МОП-транзисторов; циального сопротивления сток-исток 1 - постоянный ток генератора тока входных транзисторов, особенно еслио 23дифференциального усилителя; К , Кп, они имеют короткие каналы. В отличие К - удельная крутизна МОП-транзисто- от известных ДУ при таком повьппенниЙров генератора тока, входных и нагру- концентрации примеси в...

Номер патента: 1804666

Опубликовано: 23.03.1993

Автор: Гарнык

МПК: H01L 27/04

Метки: триггер

...К 2 ток через пласти ну К уменьшается, ее температура снижается и уровень сигнала на выходе 1 уменьшается, а на выходе 2 увеличивается, С оставаясь высоким и после выключения на- ДЬ гревателя К 2. Такое состояние триггера со- О храняется до включения нагревателя К и Ос, т.д. Все системь, реализованные на тригге- О, рах предлагаемой конструкции, способны сохранить работоспособность при больших дозах облучения.П р и м е р. Для изготовления переклю- Од чающих элементов в логических узлах триггеров предлагаемой конструкции может быть использован монокристаллическийкремний марки БКЭ 500 с удельным сопротивлением. свыше 1000 Ом см. Из слитка требуется вырезать бруски размером 1 х 1 х х 10 мм. Эти бруски следует поместить в1804666...

Номер патента: 1806420

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Ефименко, Леоненко, Прибыльский

МПК: H01L 27/04

Метки: интегральная, схема

...фиг.З иллюстрируется повышейиекоэффициента усиления В изобретения по сравнению с прототипом. 40Работает интегральная схема следующим образом,Пусть и-р-и-транзистор находится в активном режиме работы. Коллекторный ток слоя 6 с п-р-п-транзистором, базой является область эпитаксиального слоя 6 и-типа проводимости, а коллектором - подложка 5 р-типа проводимости, Когда падение напряжения на последовательном сопротивлении коллектора достигает 0,7 В, открывается рп-р-транзистор, который увеличивает суммарный коэффициент усиления, 3 ил,создает падение напряжения на последовательном сопротивлении коллектора 3, При достаточно большом токе, когда.напряжение на резисторе достигает 0,7 В. р-и-ртранзистор 11 открывается. Его ток эмиттера складывается...

Номер патента: 1825433

Опубликовано: 30.06.1993

Авторы: Баринов, Горбунов, Гусев, Рудовол

МПК: H01L 27/04

Метки: индуктивности, катушка

...монокристаллического кремния с кристаллографической ориентацией (100) можно сделать вывод, что при монтаже пластины 8 в соответствующее отверстие 2 боковые грани последней выполняют функции направляющих, позволяющих значительно автоматизировать процесс монтажа пластин, так как площадь отверстия всегда больше площади нижнего основания пластины 8,На горизонтальных участках слоев 10 и 11 ферромагнитного материала образующих замкнутый сердечник соленоида катушки индуктивности, сформированы слои 12(3) 1 вит.гп о=2 бо.О.ЗМ и О раб диэлектрического материала в качестве материала использованы слои высокомолекулярного органического соединения, например, полиимида толе;иной 2,5 - 5,0 мкм. Таким образом, вертикальные цилиндрические области 3...

Номер патента: 2002342

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Дворников, Любый, Симоненко

МПК: H01L 27/04

Метки: интегральная, полупроводниковая, схема

...использовать первые в качестве "нырков"межсоедичений и упростить трассировкумежсоединений. Ориентация низкоомныхрезисторо параллельно сторонам ячейкипозволяет, кроме указанного, мини ллзировать про гяжен ность лежсоединений,Расположение низкосмного и-резисто-ра в р-кармане, к которому сформированоне менее двух омических контактов, позволяет упростить электрическую изоляцию и - 35низкоомного резистора, так какдопускается соединение с самым низкимпотенциалом схемы (группы резисторов)любого наиболее удобно расположенногоомического контакта к р-карману; использовать в качестве высокоомного резисторачасть р-кармана, частично ужатого областью низкоомного резистора.Расположение высокоомных резистооов на р-области и р-карманов низкоомных...

Номер патента: 993778

Опубликовано: 30.03.1994

Авторы: Золотарев, Хафизов

МПК: H01L 27/04

Метки: зарядовой, матричный, приборах, связью, фотоприемник

МАТРИЧНЫЙ ФОТОПРИЕМНИК НА ПРИБОРАХ С ЗАРЯДОВОЙ СВЯЗЬЮ с межстpочным считыванием, содеpжащий полупpоводниковую подложку, покpытую слоем диэлектpика с pасположенными на нем в каждой ячейке электpодами накопления и пеpеноса заpяда, а также сбpоса фонового заpяда, в котоpой имеются области с повышенной концентpацией основной пpимеси, где pасположены области пpотивоположного подложке типа пpоводимости, отличающийся тем, что, с целью увеличения pазpешающей способности, электpод сбpоса фонового заpяда в каждой ячейке объединен с одним из электpодов пеpеноса заpяда.

Номер патента: 1009249

Опубликовано: 30.03.1994

Автор: Фетисов

МПК: H01L 27/04

Метки: зарядовой, прибора, связью, считывающее

СЧИТЫВАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО ПРИБОРА С ЗАРЯДОВОЙ СВЯЗЬЮ , включающее полевой полупpоводниковый электpод, pасположенный над участком канала пеpеноса заpяда и полевой тpанзистоp, отличающееся тем, что, с целью упpощения констpукции и увеличения эффективности считывания, последний выполнен в полевом полупpоводниковом электpоде и оpиентиpован pабочей повеpхностью к участку канала пеpеноса заpяда.

Номер патента: 1311547

Опубликовано: 30.08.1994

Авторы: Вето, Крымко, Кузнецов, Марков, Шилин

МПК: H01L 27/04

Метки: зарядовой, основе, приборов, регистр, связью, сдвиговый

СДВИГОВЫЙ РЕГИСТР НА ОСНОВЕ ПРИБОРОВ С ЗАРЯДОВОЙ СВЯЗЬЮ, содержащий канал переноса, расположенный в плоскости полупроводниковой подложки, стоп-каналы противоположного типа проводимости каналу переноса и фазовые электроды, выполненные в виде диффузионных областей, отличающийся тем, что, с целью упрощения конструкции сдвигового регистра и упрощения управления им, фазовые электроды имеют тот же тип проводимости, что и канал переноса, расположены в одной плоскости с каналом переноса и электрически объединены между собой, при этом канал переноса отделен от фазовых электродов и от поверхности полупроводниковой подложки стоп-каналами, размер канала переноса в направлении, перпендикулярном направлению переноса заряда, является периодически...

Номер патента: 1044204

Опубликовано: 19.06.1995

Авторы: Кляус, Ли, Черепов

МПК: H01L 27/04

Метки: зарядовой, многоканальное, приборах, связью, считывания

МНОГОКАНАЛЬНОЕ УСТРОЙСТВО СЧИТЫВАНИЯ НА ПРИБОРАХ С ЗАРЯДОВОЙ СВЯЗЬЮ, выполненное на полупроводниковой подложке, каждый канал которого содержит входную диффузионную область противоположного подложке типа проводимости, слой диэлектрика и расположенные на нем первый и второй входные затворы и затвор переноса, отличающееся тем, что, с целью увеличения чувствительности, в него введены коммутатор, а в каждом канале выходная диффузионная область противоположного подложке типа проводимости, зарядно-связанная с затвором переноса, при этом выходы коммутатора соединены с затворами переноса соответствующих каналов, а выходные диффузионные области электрически объединены.

Номер патента: 1676395

Опубликовано: 10.02.1996

Авторы: Астахов, Коноплев, Фомичев

МПК: H01L 27/04

Метки: интегральный, логический, элемент

ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ, содержащий четыре входные и две выходные шины, шину питания, общую шину и три шины опорных напряжений, три резистора, диод и десять биполярных n - p - n - транзисторов, причем входные шины соединены с базами первого, второго, пятого и шестого транзисторов, две выходные шины соединены с анодом и катодом диода, общая шина соединена с первым выводом первого резистора и коллекторами четвертого, восьмого и девятого транзисторов, шина питания соединена с первыми выводами второго и третьего резисторов, первая шина опорного напряжения соединена с базами третьего и десятого транзисторов, вторая шина опорного напряжения соединена с базой седьмого транзистора, третья шина опорного напряжения соединена с базами...

Номер патента: 1384129

Опубликовано: 10.05.1997

Авторы: Вето, Хотянов, Шилин

МПК: H01L 27/04

Метки: логический, элемент

Логический элемент НЕ, содержащий полупроводниковую подложку, в которой сформирован n-канальный МДП-транзистор, затвор которого является входом, а сток выходом элемента, и шину питания, подключенную к положительному полюсу источника питания, другим полюсом подключенного к подложке, отличающийся тем, что, с целью повышения плотности компоновки, с обратной стороны подложки создан дополнительный n+-слой, подключенный к шине питания, причем расстояние l1 между дополнительным n+-слоем и областью стока МДП-транзистора удовлетворяет соотношениюгде п-...

Номер патента: 1009250

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Канакин, Кляус, Ли, Черепов

МПК: H01L 27/04

Метки: ввода, зарядовой, приборах, связью, сигнала

Устройство ввода сигнала на приборах с зарядовой связью, содержащее подложку с входной областью, слой диэлектрика с расположенными на нем входным затвором, затвором накопления, затвором переноса, а также последовательно расположенные и связанные зарядовой связью первую стоковую область, первый затвор, вторую стоковую область, второй затвор, который электрически связан с входным затвором и второй стоковой областью, и шину опорного потенциала, отличающееся тем, что, с целью повышения чувствительности, устройство дополнительно содержит шину управления и МДП-транзистор, сток которого соединен с шиной опорного потенциала, затвор - с шиной управления, а исток - с входной областью, при этом второй...

Номер патента: 1655257

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Кляус, Новоселов, Ольшанецкая, Черепов

МПК: H01L 27/04

Метки: зарядовой, многоканальное, приборах, связью, считывания

Многоканальное устройство считывания на приборах с зарядовой связью, содержащее регистр, n фотоэлектрических преобразователей, каждый из которых состоит из последовательно соединенных фотоприемника и прибора с зарядовой связью, входы фотоприемников соединены с шиной смещения, первые и вторые входные затворы каждого прибора с зарядовой связью соединены соответственно с первой и второй шинами управления считыванием, выходы приборов с зарядовой связью соединены с выходом ключа сброса и входом усилителя, выход которого является выходом устройства, управляющий вход ключа сброса является входом СБРОС устройства, а коммутационный вход - с шиной питания, отличающееся тем, что, с целью повышения...