H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 498665

Опубликовано: 05.01.1976

Авторы: Глауберман, Дроздов, Потапенко

МПК: H01L 49/02

Метки: диэлектрических, слоев

...образцов начиняот с термического напыления в вакууме - 10 -торр поликристаллцческой плсцкц МЯС 1 толщиной 0,1 - 3 тк с размерами отдельных зерен-кристаллитов 0,05 - 0,07 к. (указаный размер крцсталлитов можно реализовать, варьируя параметрь 1 напыления цле 1 кц либо подсирая нужный материал подложки). Плен ки такого типа получают напылением .слорцстого цатрия цз кварцевого тигля, нагретого до 950 С, ца обезжиренную стеклянную подложку при температуре 200 С со скоростью 1 яращцвацця плеки - 0,02 к.1,лин, Далее пленку подвергают кятодцо-плазменной обработке при температуре 180 С в яргоцо-кцслорздной атмосфере (смесь в пропорции 12: 1/2, р= 10- торр) с использованием кадмиевого катода, расположенного на расстоянии 5 сх от пленки...

Номер патента: 498919

Опубликовано: 05.01.1976

Автор: Ричард

МПК: H01L 41/08

Метки: двухтактный, электростатический

...не выполняется, это приводит кнеобходимости увеличить натяжение фольгипримерно в два раза.Вся фольга обладает ненулевой плотностьюзаряда, равной заряду на одной стороне обычной двухтактной конструкции такой же геометрии, причем весь заряд находится на диафрагме со стороны электрета.Если на две внешние пластины (электроды)подать переменное напряжение, на диафрагмубудет действовать сила, которая не зависит отположения диафрагмы между этими пластинами. Таким образом, условия двухтактной работы соблюдается, несмотря на то, что устройство асимметричное.На фиг. 2 показан модифицированный двухтактный электростатический преобразователь.На противоположные стороны гибкой диэлектрической фольги 1 нанесены электропроводные полосы 4...

Номер патента: 499613

Опубликовано: 15.01.1976

Автор: Васильев

МПК: H01L 21/02

Метки: ленты, перфорированной, подачи

...одного отверстия ленты.Формула изобретенияУстройство для подачи перфорированной ленты в автоматах сборки транзисторов, содержащее направляющую, фиксатор, подпружиненный крючок, шарнирно-закрепленный на рычаге привода, отличающееся тем, что, с целью упрощения конструкции, фиксатор и подпружиненный крючок кинематически связаны посредством двуплечего рычага, шарнирно-закрепленного на направляющей, причем один его конец касается фиксатора, а другой соединен тягой с рычагом привода,ля подачи перфори тах сборки транзи вляющую, фиксатор к, шарнирно-закреп 22) Заявлено 24.09,73 (21 та опубликования описани Изобретение относится автоматической подачи лент, применяемых в разл мышленности,Известно устройство д рованной ленты в автом сторов,...

Номер патента: 499847

Опубликовано: 15.01.1976

Авторы: Антони, Ян

МПК: H01L 39/24

Метки: сверхпроводника

...точка плавления жидкой зоны увеличивается до тех пор, пока не превысит температуру теплообработки. Матрица затем становится твердой и кроме того происходит гомогенизация благодаря диффузии твердого состояния.Чтобы свести до минимума трудности, которые могут встретиться с зоной расплавлен. ной бронзы, предпочтительнее выполнять первоначальную часть каждой гомогенизационной термообработки при низкой температуре, например 600 С, а когда концентрация олова уменьшится диффузией, поднять температуру термообработки, например, до 800 С, Продолжительность расплавленного состояния можно затем свести до минимума, и последующая диффузия твердого состояния должна происходить при максимальной температуре.Когда получена бронза матрицы с требуемым...

Номер патента: 500555

Опубликовано: 25.01.1976

Авторы: Завадская, Кузнецов, Парфенова, Приходько

МПК: H01L 21/00

Метки: выявления, кремния, нарушений, пластине, структурных

...что растворение нарушенных областей 20кристалла происходит намного легче, чемна остальной поверхности, потому что энергия активации процесса растворения уменьшается в этом случае на величину, равнуюэнергии деформации, приходящейся на один 25 атом, в результате точечные нарушения или нарушенные области выявляются в виде отдельных треугольных "ямок" травленияМ Юили ряда треугольных ямок травления, отражающих симметрию граней.Методом контроля в травителе Сиртля широко распространен в исследовательной и заводской практике, однако травитель Сиртля может быть применен для выявления как слиточных нарушений, так и нарушений, внесенных обработкой только кристаллов, вырашенных в плоскости 111;Скорость травления в травителе Сиртля велика, т, е....

Номер патента: 502425

Опубликовано: 05.02.1976

Автор: Айнитдинов

МПК: H01L 21/00

Метки: джозефсоновский, контакт, точечный

...Составитель В, Долинин Техред М. Семенов Корректор В, Брыксина Редактор Т, Орловская Изд.232 а Тираж 977 Заказ 758/5 Подписное Типография, пр. Сапунова, 2 Целью изобретения является повышение стабильности и воспроизводимости параметров джозефсоновского точечного контакта в течение длительного времени после многократных циклов охлаждения - нагрева и исключение при эксплуатации внешних механических подрегулировок контакта.Поставленная цель достигается благодаря тому, что проволочный электрод изгибается в виде петли (концы которой закрепляются в электроде-держателе) и прижимается наиболее удаленной от держателя точкой к плоскому электроду, а оба электрода герметично соединены с торцовыми поверхностями изолирующей втулки,...

Номер патента: 502426

Опубликовано: 05.02.1976

Авторы: Василевский, Виноградов, Семенков

МПК: H01L 41/09, H02N 2/04

Метки: двигатель, линейный, ультразвуковой, шаговый

...работают в двух взаимно перпендикулярных направлениях. Пьезоэлемент 3 в совокупности с укрепленной нанем стальной пластиной 6, предохраняющейэлемент от износа, и втулкой 5 выполняет роль25 фиксатора,Второй блок содержит два аналогичныхпьезокерамических элемента 7 и 8, жестко соединенных между собой металлической фигурной втулкой 9 так, что они работают в двухЗО взаимно перпендикулярных направлениях, при502426 Составитель Е. Артамонова Техред М. Семенов Корректор О. Тюрина Редактор Н. Вирко Заказ 719/15 Изд.232 Тираж 977 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытийТипография, пр, Сапунова, 2 чем пьезоэлемент 8 в совокупности с укрепленной на нем пластиной 10 и втулкой 9 выполняет роль...

Номер патента: 503190

Опубликовано: 15.02.1976

Авторы: Еньшин, Окружнов, Федоров

МПК: H01L 21/66

Метки: травления, электролитического

...электролита с заготовкой 4, создает ток травления,В процессе травления статическое сопротивление заготовки нарастает, а разность напряжений (эталонного и заготовки) на входе усилителя-ограничителя убывает,Когда разность напряжений, умноженная на коэффициент усиления усилителя-ограничителя, достигнет величины порога ограничения, ток травления начнет убывать, Ток травления становится равным нулю, когда напряжение на заготовке сравнивается с эталонным, С этого момента электролитическое травление заготовки 4 прекращается, и если контролируемым параметром задано падение напряжения на503190 Формула изобретения 10 Составитспь 3. елноковаТекред А. Камышникова Корректор А. Степанова Редактор И. Шубина Заказ 843/17 Изд. М 1120 Тираж 1029...

Номер патента: 503319

Опубликовано: 15.02.1976

Автор: Сапожников

МПК: H01L 21/203

Метки: кассета, химическо

...1 кассеты и служит сснованием всего вибродвигателя 2. К корпусу 4 вибродвигателя вертикальных колебаний прикрепленакруглая катушка 5 посредством сердечника,ЗО ввинчивающегося резьбовым окончанием вкорпус 4, Якорь 6 вибродвигателя связан с сердечником упругим элементом 7, так что между якорем 6 и сердечником образуется зазор, Вибродвигатель 2 защищен от окружающей среды снизу сильфоном 8, который внутренней частью надет на якорь 6, а свободными концами герметично прикреплен к корпусу 1 кассеты.Вибродвигатели 3 горизонтальных колебаний расположены симметрично по окружности нижней части корпуса 1,кассеты и прикреплены корпусом 9 при помощи болта 10 к корпусу 1 кассеты. Катушка 11 прикреплена при помощи сердечника 12 к корпусу 9. Якорь 13...

Номер патента: 503563

Опубликовано: 15.02.1976

Авторы: Нилс, Тибор

МПК: H01L 23/36

Метки: полупроводниковое

...сплавами золота и сурьмы и алюминия, или при диффузии легирующих присадок, например мышьяка и галлия.На фиг. 1 представлено предлагаемое полупроводниковое устройство, охлаждаемое только с одной стороны, разрез; на фиг. 2 и 3 - то же, разрез, охлаждение с обеих сторон.В полупроводниковом устройстве, показанном на фиг, 1, круглая кремниевая пластинка 1 типа Р-М-М + со слоем алюминиевого припоя (не показан) на нижней поверхности припаяна к опорной пластине 2, изготовленной из молибдена или другого материала, имеющего примерно такой же коэффициент теплового расширения, как у кремния, На ее верхней поверхности образован контакт в виде слоя 3 из сплава золота и сурьмы. Полупроводниковый элемент, состоящий из элементов 1, 2, 3,...

Номер патента: 504516

Опубликовано: 25.02.1976

Автор: Джон

МПК: G01R 31/00, H01L 21/66

Метки: 504516

...первой гармоники или основноенапряжение снимается через фильтр 12 ипосылается на самописец в прямоугольныхкоординатах 1.3, Амплитуда напряженияпервой гармоники с фильтра 12 пропорциональна глубине обдненного слоя и используется поэтому для управления координатойсамопйсца в координатах )-ЦОтносительная фаза опорного синусоидального выходного сигнала определяется 3посредством подачи части сигнала с частотойна удвоитель частоты 14, генерирующий опорный сигнал с частотой 2который затем посылается на фазовый детектор 11. Фазовый детектор 11 генерирует выхсдное напряжение, пропорциональное разности фаз синусоидального тока сфильтра 10 и опорного синусоидального тека с удвоителя частоты 14, которая, всвою очередь, пропорциональна...

Номер патента: 504742

Опубликовано: 28.02.1976

Авторы: Дидковская, Климов, Савенкова

МПК: C04B 35/497, C04B 35/499, H01L 41/187 ...

Метки: материал, пьезокерамический

...изделия помещают в печь и спекают при 1100 - 1120 С в течение 1 - 2 час. Скорость подъема температуры и охлаждения 200 - 300 С/час, После шлифовки на изделия наносят электроды путем вжигания серебряной пасты при 700 в 7 С в течение 15 - 30 мин. Поляризацию изделий осуществляют в полисилоксановой жидкости при 100 - 110 С в течение 1 час в постоянном электрическом поле с напряженностью 3 кв/мм.В таблице приведены свойства материалов различного состава.504742 Свойства Состав 1 з 1 10ед. С 08 Е РЬ(Яс зХЬ 2)0 з РЬ(1 пИЬ 2)0 з Тк, С РЬ (РеузЬ 1 Ьз)0 з 0,020 3300 5,7 0,50 19,1 90 4,7 16,2 60 34,3 0,025 1560 0,50 3,6 47,6 4,8 100 13,3 0,012 3,5 0,47 4600 4,8 131 95 6,7 6,7 85,0 фор мул а изобретения 15 Составитель Л. РепкинаТехред Е. Подурушина...

Номер патента: 505057

Опубликовано: 28.02.1976

Авторы: Медведев, Назаров, Салахутдинов, Соколов, Царьков, Шанов

МПК: H01L 25/10

Метки: кассета, кристаллов, полупроводниковых

...загрузка, так как поршень фиксируется в любом положении за счет магнитных сил притяжения,При поштучной выдаче деталей поршень также перемещается (например, под воздействием импульса сжатого газа) до упора, например до устройства поштучной выдачи, и при этом толщина детали не влияег на работу кассеты. Выполнение одной или нескольких стенок прозрачными позволяет визуально контролировать загрузку и выдачу деталей, а также состояние деталей при переносе кассеты с операции на операцию.На фиг. 1 схематически изображена предлагаемая кассета, общий вид; на фиг. 2 - разрез по А - Л на фиг, 1.Кассета состоит из магазинного накопителя 1 с внутренним отверстием 2 по форме детали, магнитного поршня 3, выполненного по форме внутреннего отверстия...

Номер патента: 506086

Опубликовано: 05.03.1976

Авторы: Кого, Пелих, Саар, Третьяк, Шеховцов

МПК: H01L 21/66

Метки: кмера, тепла

...полукольца медных полосок 11. Задняя стенка камеры состоит из двух круглых медных, пластин 12, которые припаиваются с двух сторон к крайнему левому кольцу трубок 1. Полость 13 между пластинами 12 заполняется стекловатой, Загрузочное окно камеры состоит из двух металлических, например медных, плоских колец 14 и 15. Кольцо 14 припаивается к правой стороне второго с ле вого торца кольца трубок 1, а кольцо 15 - к левой стороне крайнего кольца трубок 1, К кольцам 14 - 15 припаивается коническое кольцо 16. Полость 17 заполняется стекловатой. Аналогично монтируется заслонка 18 за грузочного окна.После сборки камеры внутренняя полость трубок 1 и коллекторов 2 и 3 через штуцер 7 подключается к вакуумному насосу, и из нее выкачивают воздух до...

Номер патента: 460012

Опубликовано: 05.03.1976

Авторы: Баранов, Достанко, Мурашкин, Цуканов

МПК: H01L 21/00

Метки: мощный, свч, транзистор

...в кристалле транзистора, повышегоию коэффициента усиления по мощности и зь 1 ходной мощности прибора. Отсутствие непосрвдстввнного контакта с кремнием з обла) Состагитель Г, /Те:пед А, Еамь викина никова едактор Т. Орлсвск корректср 14. СнмкинаПодписное тров СССР Государственного комитет по делам изобретений Москва, Ж, Раушска Заказ 707/892ЦНИ Тираж 977 а Совета Мини и открытий н наб., д. 4/5П ип. Харьк. фил. пред. Патент стп эмиттера и маскирующими переход эмиттер - база участками пленки %0, такого металла,как А), для которого характерны процессь 1 электромиграции и интечсивного восстановления окисных соединений при повышенной температуре, положительно сказывается на проценте выхода годных приборов и их надежности. Если с эмиттером...

Номер патента: 507906

Опубликовано: 25.03.1976

Авторы: Волга, Демин, Котосонов, Никольская, Остронов, Положихин

МПК: H01L 43/00

Метки: активного, магниторезистора, материал, элемента

...АКТИВНОЮ ЭЛЕМЕНТА МАГНРГГОРЕЗИСТОРА уИЗОбРИеНБЭ МНОСИТСН К намерению Мд-д Целью изобретения является посвышщдо БИТВЫ полей. с ПОМОЩЬЮ мапиггорезисторов, рабочей температуры магнъггорэзвстороа; известны магниторезисторы, чувствя- . это достигдется применением грдфд-д тельный элемент которых изготовлен из эв- в качестве мат-ершика для изготовления ахтектического сплава антимонида индия пни-5 тиыюго элемента макинтошем-гора. хедд Е арсенида Индия И др д н Рабочая температура магнитореапстораИзвестные типы магняторезисторов об- повышаю при этом д 50 Скоэффициентом. Однако максимальная рабо- ю . Применение графита в качестве материичая температуре, этих магниторезиторов ге ела для изготовления активного элемента превышает 150 С; что...

Номер патента: 508760

Опубликовано: 30.03.1976

Авторы: Давыдов, Захаров

МПК: G01R 31/265, H01L 21/66

Метки: бесконтактный, вполупроводниках, заряда, измеренияконцентрации, носителей, свч4

...коэффициента отражения соответствует значению магнитного поля, при котором дейсдаительцая часть фогтовской диэлектрической проницаемости становится приблизительно равной диэлектрической проницаемости свободного пространства (фогтовская диэ геквричеокая проницаемость - диэлектрическая проницаемость в плоскости, перпендикулярной напраыенггю напряженности магнитного поля). Нижний предел измерения концентраций ограничивается условием первым (т. е, ырт" 3), а верхний - величиной магнитного поля и длиной СВЧ-волны.При использовании магнитных полей до 200 кэ и СВЧколебаний с длиной волны от 1 мм до 3 см значения измеряемых концентраций при температуре 77 К в материалах и-типа лежат в цгггврвале 1 О" - 5 1 О" см - " (для аггтггмоггида и...

Номер патента: 508824

Опубликовано: 30.03.1976

Авторы: Анохин, Бакун, Лапидус, Рябов

МПК: H01L 21/205

Метки: двуокисикремния, осаждения, слоев

...в камеру-реактор5 через время, равное или большее 60 сек, послеввода гомогенной смеси,Сущность способа осаждения слоев двуокисикремния для создания планарных полупроводниковых структур заключается в том что10 на поверхности полупроводника формируютлегированный фосфором слой при температурах ниже 500 С осаждением из газовой фазы,применяя гомогенну 1 о смесь моносилана, паров триметилфосфата, реагирующих с вводи 15 мымв определенном соотношениикислородом.На чертеже представлена схема устройствадля реализации предлагаемого способа.Перед процессом осаждения камеру-реактор 1 продувают аргоном для удаления воз 20 духа, затем нагревают полупроводниковыеподложки 2, расположенные на вращающемсяпъедестале 3 до температуры процесса (200 -500 С) и...

Номер патента: 508825

Опубликовано: 30.03.1976

Авторы: Преображенская, Фогель

МПК: H01L 21/465

Метки: двуо-киси, кремния, растворения, слоевсурьмяно-силикатного, стекла, травитель

...Н. Коляда Корректор Е. Хмелева Заказ 5192 Изд Лв Я 4 Тираж 963 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР но делам изобретений н открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5МОТ, Загорский филиал 3силикатного стекла и двуокиси кремния, содержащей воду и фтористоводородную кислоту, введен йодистый аммоний, а компоненты травителя взяты в следующем соотношении, моль/л:Фториотоводородная кислота 18,34 - 27,34 Вода (деионизованная) 0,06 - 11,11 Йодистый аммоний 0,03 - 9,00Травитель обеспечивает полное удаление слоев су 1 рьмяно-,силикатного, стекла и двуокиси к 1 ремния с поверхности кремния без возник 1 новения на последнем окрашенных пленок как при наличии обоих слоев, так ,и по отдельности,П р и м е р 1....

Номер патента: 508826

Опубликовано: 30.03.1976

Авторы: Белебашев, Голов, Журавлев, Зенцов, Крылов, Кук, Ловцов, Ревтов, Селезнев, Учайкин

МПК: H01L 29/12

Метки: контактов, омических, полупроводниковых, приборов, сило-вых, сплав

...с термокомпенсатором.Целью изобретения является снижение электросопротивления в контакте р - р+ и уменьшение инжекции при одновременном улучшении качества контакта.Поставленная цель достигается тем, что в известный сплав дополнительно вводится металлическая добавка, например, вольфрам или молибден,По предлагаемому способу для одновременного улучшения электрических характеристик омических контактов к кремнию р-типа проводимости и улучшения соединения с вольфрамовым (или молибденовым) термокомпенсатором алюминий или силумин легируют комплексной присадкой, содержащей бор и вольфрам (молибден) примерно в равных долях.Благодаря более высокой растворимости бора в кремнии (6.10" ат/см) по.сравнению с алюминием (1,5,10 е ат/см)...

Номер патента: 508827

Опубликовано: 30.03.1976

Авторы: Алиев, Мехтиев, Рустамов, Садыхова, Сафаров

МПК: H01L 31/00

Метки: материал, фоточувствительный

...фоторезисторов.Известны фоточувствительные материалы на основе селенида галлия, работающие при малых освещенностях.Однако такие материалы обладают низкой фоточувствительностью в видимой области спектра.С целью повышения фоточувствительности при малых освещенностях предложено материал на основе селенида галлия легировать Вт 25 е 3 причем оптимальный состав соответстэвует формуле (С 1 а 5 е)1 х(В 125 е 3)х, где х 0,003001.могут быть получены путем2 сплавления исходных селенидов в эвакуированных кварцевых ампулах (до 103 ммрт. ст.) при 980 С в течение трех часов с последующей выдержкой при 720 С в течение двух часов.фоточувствительный материал на осн-ове селенида галлия для работы при малых освещенностях, о тл и ч а ю щ и й с я тем, что,...

Номер патента: 508829

Опубликовано: 30.03.1976

Авторы: Дементьев, Малашенков

МПК: H01L 43/06

Метки: датчик, холла

...отнопроходяцей через точки контакэлектродов с магнитопроводом,Датчик Холвыполненный15 входньх токопотенциальныхрых соединенщийся темного сигнала,20 отверстие, рассительно оси,тов токовых Дополнительное к авт. свид-ву аявлено 05.05.74 (21) 2024310/26-9 Изобретение относится к вычислительной технике и автоматикеи можетиспользоваться для детектирования магнитных доменов.Известен датчик Холла, содержащий магнитопровод, выполненный из ферромагнитной пленки, два входных токовых электрода и два выходных потенциальных электрода, каждый из которых соединен с магнитопроводом.Однако известный датчик имеет недостаточно большой выходной сигнал.Цель изобретения - увеличение выходного сига,а.Для этого в предлагаемом датчике в магнитопроводе...

Номер патента: 508973

Опубликовано: 30.03.1976

Авторы: Васильев, Гойденко, Дайнеко, Погоцкий

МПК: H01L 21/363, H05K 3/06

Метки: фотошаблон, эталонный

...шК-З 5, уи(с:,.5( ил . л. 4,. ПО исиоеССС Сл "(ио . Т(Л(Чф 5 1 ц"дъа должца бы) ь и,"Б( р:1 з,( Выше любОГО .1;1 кровыступа, цаход 1 цсгос 51 В зо;1 е (;)або 10) ф(1 Пи(1 б;10 иа, ч Г(н)ы искл(очить исиосрсдсВси. (ли жцтк Г жду рабОЯИ 1 И зц(1 м 5 ф 01(- шаблонов ири кот(1 к гной печати. Отс(ода И 1)сдъЯВл 5110 Гс 51 1 РСООВаии 51 и иод,Ожк 51 м, с"(еклОпластииа(1, примец 51 емьм при изГОтов,101 Пи фотошаблонов. Неровности подложки задаются, как ПЗВестцО, ее ГеплосОстиость 10 (Отк(10- цеиием От идеалы 101 11 лОскости 1,В результате, например, для изготовлсшя фотошаОлоцОВ с мииимальцьми размсрами элементов 5 - 8 мк Высоту опорных прсдохраиительцых плГщадок иеобходимО Выбрать О,б - 1,0 мк и использовать для изготовления фотошаблоцов...

Номер патента: 508974

Опубликовано: 30.03.1976

Авторы: Корнюшин, Оренман, Фандеев

МПК: H01L 21/363, H05K 3/06

Метки: фотошаблон

...спектра, в которой производят совмещение, и непрозрачного для экспонирующего излучения.На чертеже изображена схема фотошаблона с базовыми метками.На нерабочей стороне фотошаблона 1 на ния.Совмещение полупроводниковой пластины,покрытой фоторезистом, с фотошаблоном производят по базовым меткам. Возможность сов мещения обеспечивается прозрачностью защитного покрытия в видимой области спектра.Затем полупроводниковую пластину вводят в контакт с фотошаблоном и экспонируют.Участки пластины, на которых расположены 15 базовые метки, остаются неэкспонированнымиблагодаря защитному покрытию и поэтому при проявлении и травлении они остаются покрытыми фоторезистом, то есть пригодными для следующей фотолитографии.20 Таким образом, неограниченное...

Номер патента: 509917

Опубликовано: 05.04.1976

Авторы: Богданович, Жильцов, Жуков, Перельман, Химунин

МПК: H01L 41/053

Метки: держатель, пьезоэлемента

...материала, являющаяся одйим из электрических контактов пьезоэлемента и опорой для его прижима. Пьезоэлемент при жимается через токоподводяшую. подложку с помошью двух пружин (властинчатой и спв 1 ральной) и подвижного штока, находящихсявнутри корцуса, центровка пружин и токо- ,подводяшей подложки относительно корпусаобеспечивается прокладкой иэ электроизоляционного материала в форме стакана. Од нако такой держатель пьезоэлемента не обвспечивает высокой точности измерений при работе на высоких частотах в условиях рез ких перепадов давления в контролируемой-ФФее 24 р+," ф ффьчфф еф.цо-т -". СоставитеаьЕ. АртамоноваРедактор О Фц иппова Текред М.семенов корректор 3.Тарарсова Изд. М 0 Тираж 963Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета...

Номер патента: 509918

Опубликовано: 05.04.1976

Автор: Шпади

МПК: H01L 49/00

Метки: нейристор

...возбуждения форлшрует вокруг,себя дополнительное магнитное поле, которое слева от зоны возбуждения склвлнвв 5 ется с полем тока реверса, в спрвив - вы с;дрс 1 рчитается из него. Поэтому магнитная индукция в пленке "качкообраэно изменяетсятолько справа от эоны возбуждения.Како известно, такое изменение индукции , магнитного поля сопровождается возникноекцб вением электрического поля, которое в соответствии с законом электромагнитной индукции стремится вызвать электрический ток, направленный навстречу исходному.Но после исчезновения токопроводяшего 1 О канала в этой же точке ферритовой пленки восстанавливается первоначальное зна чение электромагнитной индукции и наводится электрическое поле противоположного направления. 15 1Если...

Номер патента: 511647

Опубликовано: 25.04.1976

Авторы: Василевский, Виноградов, Семенков

МПК: H01L 41/09, H02N 2/12

Метки: двигатель, ультразвуковой, шаговый

...свое движение только в мо- ,му основанию), затем на первую пару сектомент плотного зацепления пьезоэлементов 6 ров подается обратное напряжение и, секторас дисками 2 и 3), подается нв пьезоэлементы , возврашвютси в исходное положение, В это7 (выподняаипих роль подвижки) этих же сек- же самое время на вторую пару симметричныхторов. Пьезоэлементы 7 обоих секторов рас-, секторов подается прямое напряжение, и онвширяются и поворачивают диск 5, а вместе с поворачивает дальше на один швг диск 5 ииям ось 1 против часовой стрелки относитель-ось 1, После этого вторая пара возвращаетсяно дисков 2 и 3 нв один швг, равный амплитудв исходное положение, а первая продолжаетде колебании пьезоэлементов 7, Затем на вращать рабочий орган дальше вперед...

Номер патента: 512514

Опубликовано: 30.04.1976

Авторы: Круглов, Кузин, Павличенко, Рыжиков, Спасская

МПК: H01L 21/00

Метки: диапазона, источник, наносекундного, полупроводниковый, света

...промежуточньш слой толщиной от долей микрона до нескольких микрон того же типа проводимости, что и база, и включающий в себя одновременно донорную смесь, азот, в той же концентрации, что и в базе, н акцепторную примесь, алюминий в концентрации 10" - 10" см -На чертеже лен предлагаемый источник света в рЛлюминий из фв кристаллы 1 кршиной в 300 - По512514 Составитель М. ЛепешкинаТехред Е. Подурушина Корректор И. Позняковская актор В. ибобе Заказ 1575 Изд.1291 Тираж 1003Государственного комитета Совета Министрпо дедам изобретений и открытий13035, Москва, Ж.35, Раушская наб., д. 45 ПодписиСССР ИПИ инография, нр. Сапунов гельпо легируются азотом в процессе выращивания для создания приповерхностного слоя 2 кристалла, компенсированного...

Номер патента: 512515

Опубликовано: 30.04.1976

Авторы: Астахова, Балов, Маркин, Мишенькин

МПК: H01L 21/20

Метки: диодов, измерительному, контактное, мощных, подключения, прибору, стабилитронов

...подвижной кареткой, а другой конец опирается через ролик на внутреннюю поверхность кожуха измерительного прибора, а на основании устройства закрепленыэлектромагнит и микропереключатель.На фиг. 1 показано предлагаемое устройствов нерабочем положении; на фиг, 2 - то же, врабочем положении.Контактирующее устройство состоит из основания 1, жестко закрепленного на панелиприбора 2, каретки 3 с контактом - радиатором 4, пружин 5, скобы 6 из магнитомягкогоматериала, жестко соединенного с кареткой 3,переключателей 7, электромагнита 8, направляющих 9.На каретке 3 в стойке 10 из изоляционногоматериала на оси 11 закреплен рычаг 12, несущий подпружиненный контакт 13 и ролик14. Рычаг подпружинен пружиной 15. Снаружи к каретке 3 прикреплена крышка 16...

Номер патента: 513413

Опубликовано: 05.05.1976

Авторы: Ломакин, Парфенова, Приходько

МПК: H01L 21/46

Метки: полировальный, полупроводниковых, состав

...качестве абразееаа увеличивает удельный съем при обработке твердых материалов, однако такие составы более " жест. кне", не обеспечивают получения поверхности высокого класса чистоты. Кроме того, суспензнн иа основе такого абразивного материала нестабильны зо эременн (осаждение происходит в течение несколь.: кнх минут),2Цель изобретения - увеличение производительности процесса полирования, снижение теплового аффекта н обработка материалов с твердостью более 7.Поставленная цель. достигается тем, что в полировальную смесь на основе двуокиси кремнии, этилен Введение в состав полировальнои смеси двуокисиО алюминия увеличивает съем с поверхности и расим.ряет диапазон применения состава для обработки пслупроводциковых материалов. Воздействие...