H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 515419

Опубликовано: 25.11.1976

Авторы: Афанасьев, Иваш, Ходыкин

МПК: H01L 21/78

Метки: выводами, интегральных, консольными, модулей, носителя, отделения, пленочного, схем

...режущие кромки 13, разделенные канавкой 14 от контактной площад ки 15, покрытой слоем износостойкого низкоомического покрытия.Устройство работает следующим образом.Модуль интегральной схемы с консольными,выводами на лечте-носителе ориентирует- О ся относительно режущих кромок (фиг. 2 и 3)и контактных площадок 15 пластин 4 пуансона. При перемещении верхней подвижной плиты 7 вниз прижим-съемник прилегает к консольным выводам модуля интегральной схемы и прижимает их к режущим кромкам 13 и контактным площадкам 15 пластины 4, сжимая пружину 11. При дальнейшем перемещении плиты 7 матрица 9 касается консольных выводов модуля и отделяет их от ленты-носителя.Перемещение плиты 7 происходит до тех пор, пока матрица 9 не выйдет из контакта с...

Номер патента: 516321

Опубликовано: 25.11.1976

Авторы: Борщевский, Лебедев, Мальцева, Овезов, Руд, Ундалов

МПК: H01L 31/08

Метки: фотоприемник

...Благодаря особенностям зонной структуры оптически анизотропного кристалла, имеющего одну оптическую ось (или две) и, следовательно, так называемое кри. сталлическое расщепление валентной зоны,и в соответствии с правилами отбора оптических переходов, величина возникающей на контактах фото. Э,д.с. соответствует углу р между электрическим вектором Е электромагнитной волны (излучения) и на516321 О Составитель Ю. МухортовТехред Н. Андрейчук Корректор Т. Чаброва Редактор Н. Коляда Заказ 5577/299 Тираж 963 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная,4 правлением оптической оси С кристалла,...

Номер патента: 536578

Опубликовано: 25.11.1976

Авторы: Васильев, Климавичюс

МПК: H01L 41/09, H02N 2/12

Метки: вибродвигатель

...пьезокерамическом вибраторе, подключенном к выходу формирователя переменного напряжения. Этот вибродвигатель обеспечивает достаточно стабильное вращение его ротора. Однако в нем на вращение ротора затрачивается значительное количество энергии,Цель изобретения - уменьшение расхода энергии,Для этого в предлагаемый вибродвигатель введен датчик колебаний, сопряженный с многоступенчатым цилиндрическим преобразователем продольных колебаний и подключенный к входу формирователя переменного напряжения, выполненного в виде усилителя колебаний,На чертеже изображен одивариантов предлагаемого виВибродвигатель содержитвращения которого расположлярно к оси симметрии многолиндрического преобразоватеколебаний, подпружиненногоством пружины...

Номер патента: 489449

Опубликовано: 25.12.1976

Авторы: Коломиец, Любин, Шило

МПК: H01L 31/08

Метки: фоторезисты

...СССР по це:,аги изоорстсиии01 кпгвтий 113 О 35, Москва, Ж 35, Раугнскан нао., и. 4/5Фи 1 гиа:г 1 ПП "П тсггг". г Ужгооо., и . Пооектнав,4 ным) имеют различную скорость растворения облу. ченных и необлученных участков в специальных растворителях, изготовленных на основе аминов и других органических веществ, в) обладают весьма высокой разрешающей способностью записанных оптических изображений (до г. - 8 тьгслинггмм), могут быть удалены с подложки путем промывки в концентрированном щелочном растворе, д) обладают хорошими диэлектрическими свойствами (удельное сопротивление 1 -- О - 10 Ом см), е) имеют малую толщину (0,1 - ",0 мкм) .Пленки халькогенидных стеклообразных полупроводников могут быть и:готовлены многиьпг способами путем...

Номер патента: 541221

Опубликовано: 30.12.1976

Авторы: Айнбунд, Дунаевская

МПК: H01L 21/00

Метки: динод, жалюзийный

...в жйлюзийных динодах жалюзи должны быть геометрически непрозрачными, то есть необходимо, чтобы проекция лопасти на основание была не меньше расстояния между лопастями по основанию. Это достигается различными способами, в частности образованием динода из других геометрически прозрачных жалюзи. При этом для устранения пролета электронов лопасти одних жалюзи размещают между лопастями других так, что расстояние между ними по основанию не превышает проекции лопасти на основание.Такая конструкция непролетного, то есть геометрически непрозрачного динода осуществима лишь для жалюзи с уменьшенной длиной лопасти, так как при использовании обычных пролетных, то есть геометрически прозрачных жалюзи, в которых ширина лопасти равна расстоянию...

Номер патента: 541223

Опубликовано: 30.12.1976

Авторы: Байков, Герасимов, Лузе

МПК: H01L 39/22

Метки: джозефсона, контакт, типа, точечного

...контакта Джозефсона являются низкие точность и скорость регулирования туннельного тока из-за наличия зазоров в кинематическом звене и существа механизма передачи движения на макроскопичсском уровне.Целью изобретения является повышение точности и скорости регулирования туннельного тока,Поставленная цель достигаетсяпривод выполняют в виде жестко щего электроды элемента, например, в форме втулки из материала, обладающего пьезоэлектрическим эффектом и снабженного электродами управления.5 На чертеже изображен контакт Джозефсона точечного типа. Он содержит сверхпроводяций электрод 1 с острием 2, контактирующим с поверхностью 3 другого сверхпроводящего электрода 4, элемент 5, выполненный из 0 материала, обладающего...

Номер патента: 541224

Опубликовано: 30.12.1976

Автор: Николаев

МПК: H01L 41/00

Метки: датчик, пьезоэлектрический

...изобретения является повышениеразрешающей способности датчика с емкостным съемом сигнала. 20Поставленная цель достигается тем, что вдатчике установлен пьезотрансформатор,электрод генераторной секции которого является одной пз обкладок воздушного конденса-тора и включен вместе с другой обкладкой, 25источником питания, резистором и возбудительной секцией пьезотрансформатора в общую электрическую цепь,На чертеже представлен в т схемыпьезоэлектрического датчика дикацией ЗЭ изменения тока на эталонном сопротивлении 1 в возбудительной части пьезотрансформатора 2 прп изменении диэлектрической проницаемости кодирующего элемента 3 на участке электрод генераторной части 4 - обкладки воздушного конденсатора 5,Прн возбуждении...

Номер патента: 541305

Опубликовано: 30.12.1976

Авторы: Крючков, Петров

МПК: H01L 21/77, H05K 3/00

Метки: изготовлении, микросхем, ориентации, подложек

...рамки, упоров 8 и 9 и упругих элементов 10 - 21.При подаче электрического напряжения на 10 пьезоэлектрический элемент 1 происходит егорастяжение (сжатие), и так как он соединен с упором 8 и наружной рамкой 7, то последняя смещается по координате Х за счет деформации упругих элементов 18 - 21, и одно временно смещается плита 5 ивнутренняя рамка 6 в том же направлении. При подаче электрического напряжения на пьезоэлектрический элемент 2 происходит смещение рамки б ,по координате У за счет деформации упругих О элементов 10 - 13, и одновременно смещаетсяплита 5 в том же направлении, а рамка 7 выполняет функции упора для рамки 6, При подаче электрического напряжения на пьезоэлектрические элементы 3 и 4 создается вра щающийся момент, и плита 5...

Номер патента: 455685

Опубликовано: 05.01.1977

Авторы: Алферов, Корольков, Никитин

МПК: H01L 29/74

Метки: тиристор

...состава,Указанный ход ширинь запрещенной зоны может быть получен в материалах на основе полупроводников с различной шириной запрещенных зон, образующих непрерывный ряд твердых растворов. При приложении к эмиттерным областям пропускного напряжения и подаче включающего импульса включенное состояние начинает распространяться от электрода управления по всей ппошадт структуры, В зависимости от используемого материала управляющей базы существует несколько причин, приводяших к ускорению распространения включенного состояния.В том случае, когда в качестве базовой области используются полупроводники, например, с прямой зонной структурой (дЕ Сад, йРДь, 1 пЦаИ, где доля излучательной рекомбинации велика, инжектированные носители вблизи элекЗаказ...

Номер патента: 460826

Опубликовано: 05.01.1977

Авторы: Андреев, Жиляев, Ларионов, Никитин

МПК: H01L 21/36

Метки: жидкостной, методом, многослойных, полупроводниковых, структур, эпитаксии

...приведения подложки в контакт с расплавамНедостатком этих устройств является то, что при перемещении подложки может происходить либо перетаскивание одного рас плава в другой и их перемешивание, либо частичное сдергивание расплава и механическое повреждение вырашенного слоя стенками контейнера, что ухудшает условия смачивания для следующего расплава и приводит к возникновению дефектов в многослойных полупроводниковых структурах,С целью уменьшения дефектов изготовляемых структур предлагаемое устройство снабжено дополнительной соединенной с контейнером камерой с поршнем, в которую помещены держатели подложек, образующие ка нал, соединяющий камеру с резервуаром для отработанных расплавов. крывается соединительный каналЗаказ 893/79 Тираж...

Номер патента: 463394

Опубликовано: 05.01.1977

Авторы: Андреев, Егоров, Ермакова, Ларионов, Шелованова

МПК: H01L 21/20

Метки: полупроводниковых, структур

...заключается в в ращивании поверх последнеи последующем химическодополнительного слоя материала, скорость травления которого бопее,чем на порядок превосходит скорость трввпения материапа последнего рабочего слоя.Дпя выращивания в конце крции последнего рабочего сЛоя врасплав, из которого производится ее о кристаллизация, вводится веществ е463394 Составитель Н, ОстровскаяРедактор Т, Орловская Техред О, Луговая Корректор В. Куприянов Заказ 893/79 Тираж 976 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская набд. 4 Юфилиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 чивакцее кристаллизацию дополнительного слоя, После окончания эпитаксии этот слой...

Номер патента: 542151

Опубликовано: 05.01.1977

Авторы: Голомедов, Домнин, Пиорунский, Удовик, Федоров

МПК: G01R 31/28, H01L 21/66

Метки: интегральных, качества, монолитных, схем

...крис ным условием является выполне нентов на кристалле такими, ч совершенно одинаковую конфигур зательным требованием является н542151 20 30 35 Составитель В. Немцев Тсхред М. Левицкая Редактор Г. Орловская КоРРектоР А Лакида Заказ 5968/29 Тираж 1032 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 лансирования транзисторов дифференциальной тестовой пары.Тестовые структуры могут содержать, кроме транзисторов дифференциальной пары, также другие компоненты - транзисторы, резисторы, диоды.Измерение относительных приращений тока через транзисторы и относительных приращений коэффициента усиления...

Номер патента: 542267

Опубликовано: 05.01.1977

Авторы: Виноградов, Нейштадт, Яхимович

МПК: H01L 21/68

Метки: деталями, загрузки, кассет

...включают привод, например вибрационный, и детали начинаютперемещаться к противоположному концу ориентатора, Дойдя до стенки 8 паза 6, детали меняютнаправление движения и скользят вдоль этой стенки, прижимаясь к ней. При этом детали проходят полинии расположения гнезд 7, западают в них ификсируются. Гнезда выполнены таким образом,чтобы детали, находящиеся в них, не мешали движению других деталей, проходящих над ними. 20Избыток деталей сходит с группового ориентатораи попадает в технологическую тару, которая устанавливается у его правого конца (не показана).Далее перегружатель 3 деталей опускается на групповой ориентатор 2, захватывает из гнезд ориенти- брованные детали (например, вакуумным присосом),переносит их и укладывает в гнезда...

Номер патента: 542268

Опубликовано: 05.01.1977

Авторы: Клименко, Новиков

МПК: H01F 6/06, H01L 39/00

Метки: магнитного, переменного, поля, создания

...дискретнымвозрастанием амплитуды, во время которого вовнешних секциях ток подцерживают постоянным иуменьшают его на время, когда ток во внутреннихсекциях подцерживают постоянным.На чертеже изображены кривые, поясняющиеизменение тока в секциях сверхпроводящей обмот.ки, и суперпозиция магнитных полей в рабочейобласти.Внутренние секции питают током ) а внешниетоком 32. При этом суперпозиция полей в рабочемобьеме имеет временной характер изменения согласно кривой Н = 1 (ю 1 Е ),Один из возможных примеров осуществленияпредлагаемого способа может быть реализован, например, с помощью двухсекционного селеноида дляполучения магнитного поля, меняющегося в рабочей области по закону Н=Н /1+ьп оз (,где Н - текущее значение магнитного поля в...

Номер патента: 543042

Опубликовано: 15.01.1977

Автор: Васильев

МПК: H01L 21/68

Метки: групповой, кассета, ножек, полупроводниковых, приборов, собранных

...прикрепленный с зазором к пластине, меяду которыми зажимаются ножки полупроводниковых приборов,Недостатком этого устройства является низкая надеяность крепления ножек полупроводниковых приборов,С целью повышения надежности крепления ножек полупроводниковых приборов в кассете на цилиндрический стержень, прикрепленный с зазором к пластине, навита пружина, служащая для поджатия ножек к пластине.На фиг, 1 и 2 показана предлагаемая кассета для групповой обработки собранных ножек полупроводниковых приборов.Кассета состоит из пластины 1 с Л-образным хвостовцком 2 для крепления в техноло гическом оборудованцц, цилиндрического стержня 3, прикрепленного с зазором к пластине, и пружины 4, навцтой ца цилиндрический стержень 3. Выводы ножек 5...

Номер патента: 544019

Опубликовано: 25.01.1977

Авторы: Канчуковский, Мороз, Преснов, Шенкевич

МПК: H01L 21/306

Метки: полупроводниковых, травитель

...го на поверхностьбО наносят слой позитивного фоторезистора на основе нафтохинондиазида методом центрофугирования. Далее образцы подвергают сушке при комнатной температуре в течение 20 мин в сушильномошкафу при 85 С в течение 15 мин. Р эпэнироввние осуществляют при эсвешс .ности 6000 лк в течение 1,5 мин. Проявление проводят в 0,125% ном растворе МстОНв течение 30-40 сек. Процесс задубливания фоторезиста осуществляют при 70 С в течение 30 мин. с постепенным повышением температуры доо170 С и выдерживают при этой температуре в течение 35 мин, Вскрытие окон в 50 проводят в трввителе следующего состава;544019 Составитель Е. БычковаРедактор Т, Иванова ТехРед Н. АндРейчУк КоРРектоР Ж. КеслеР Заказ 836/67 Тираж 976 Подписное БНИИПИ...

Номер патента: 544020

Опубликовано: 25.01.1977

Автор: Новиков

МПК: H01L 43/08

Метки: магниторезистор

...СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5филиал ППП фПатентф, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 ная толщина подслоя лежит в пределах 103000 АУлучшение магниторезистивных свойствмагниторезисторов в поперечных магнитныхполях на основе пленок висмута, напыленныхна подложки с предварительно нанесеннымподслоем другого материала, обусловленовлиянием подслоя на структуру пленок висмута,Известно использование подслоя при напылении тонких пленок различных материа -лов в тонкопленочной технологии для улучшения адгезии пленки к подложке, но неизвестны сведения о влиянии материала подслоя на магниторезистивные свойства пленок и их структуру.При напылении висмута на подложку сподслоем кристаллиты подслоя служат...

Номер патента: 545017

Опубликовано: 30.01.1977

Авторы: Пинчук, Рюмшин

МПК: H01L 21/302

Метки: полупроводниковых, состав, структур, шлифования

...к технологии изготовления полупроводниковых приборов, преимущественно при получении контактных покрытий на многослойных полупроводниковых структурах со сложным рельефом.Известен травитель для обработки поверхности полупроводниковой структуры перед операцией нанесения контактов, содержащий насыщенный раствор бихромата калия в плавиковой кислоте и травитель, содержащий натриевую и калиевую щелочь.К недостаткам известного травителя относится следующее.Раствор бихромата калия в плавиковой кислоте воздействует на поверхность кремния и на разделительные окисные слои, он также полирует поверхность полупроводника, ограничивая предельную толщину осаждаемого покрытия,Обработка в смеси натриевой и калиевой щелочей (тактике как и предыдущий...

Номер патента: 545018

Опубликовано: 30.01.1977

Автор: Калнач

МПК: H01L 21/66

Метки: головка, измерительная, многозондовая

...точность измерений.Целью изобретения является уменьшение толщины измерительной головки,Эта цель достигается тем, что зонды подпружцнены фигурными гнутыми пружинамии расположены друг над другом, причем содной стороны онц размещены на перемещае 5 мой планке,На чертеже схематически показана предлагаемая головка. В основании головки 1 установлен изолятор 2 с отверстиями для зондов.Зонды 3, представляющие собой заостренные10 проволоки, подпружинены фигурными гнутыМи пружинами 4, которые электрически изолированы между собой ц от основания 1 изолирующими прокладками ц скреплены скобой 5. Правая часть головки подобна левой,15 за исключением того, что зонды с пружинамиустановлены на передвижной планке б, которую можно перемещать вдоль...

Номер патента: 545019

Опубликовано: 30.01.1977

Авторы: Пуховский, Староверов

МПК: H01L 21/68

Метки: контактное, подключения, полупроводниковых, приборов

...двух сторон на часть упругих пластин, и контактных площадок 14, закрепленных на слое диэлектрика. Контактные площадки имеют форму удлиненного прямоугольника, вытянутого вдоль траектории движения выводов, и выступают над слоем диэлектрика. Контактные пластины 8, 9, 10 крепятся к ножам 5, 6 и направляющей 3 сзади по ходу движения транспортирующего ротора 1, упругие пластины 11, 12, 13, изготовленные, например, из бериллиевой бронзы, помимо функций каркаса и пружинной подвески выполняют также функцию экранов, в значительной степени уменьша 1 ощих паразитную емкость контактного механизма. 11 ривод контактного механизма состоит из кулачка 15, рычага 16 с роликом 17, пружины 18, прижима 19, соединенного с рычагом 16 пружиной 20,...

Номер патента: 545020

Опубликовано: 30.01.1977

Авторы: Аверченко, Зобенс, Ковалевский, Харламова

МПК: H01L 21/78

Метки: кристаллы, пластины, полупроводниковой, разделения

...проводят скрайбирование, образуются на пластине путем проведения дополнительной операции: между разделяемыми кристаллами по всей их длине в двух взаимно перпендикулярных и 545020.Оставн 1 сл Н, ОстровскаТсхрсд А. К 11 мкниннкова лактор Е. Караулова ррсктор А. Николаева Пол 1 гнсноГССР Заказ 209,Изд 1 о 166 Тираж 1019 Гол дарственного комитета Совета .Л 1 иннстро по лелагв изобретений н открытий 13035, Москва, )К1 аушскан наб., л. 4 51 ИПИ 11 н 1 ографив, ир. Сапунов положенную между линией разделения, например, риской, наносимой инструментом при скрайбировании, и той частью кристалла, в которой создан полупроводниковый прибор. Такими локальными областями в приповерхностном слое являются границы различных фаз и места концентрации...

Номер патента: 545021

Опубликовано: 30.01.1977

Авторы: Бадинтер, Синьковская, Темненко, Шнайдерман

МПК: H01L 35/34

Метки: батареи, термопар

...каркас с намотаннойтермоэлектродной проволокой; на фиг. 2 - гальваническое покрытие в струе электролпта.В соответствии с предлагаемым сп б 15 изготовление батареи термопар пров следующей последовательности,Вдоль каркаса 1 укладывают дополнительный изолированный провод 2, например микропровод с диаметром по изоляции порядка 20 0,02 мм; на каркас 1 поверх провода 2 наматывают термоэлектродную проволоку 3, например константан диаметром порядка 0,01 мм. Каркас 1 с термоэлектродной проволокой 3 устанавливают так, чтобы провод 2 25 был под каркасом 1, а сам каркас 1 находился рядом с металлической пластинкой (например, медной), анодом 4, Анод 4 и термоэлектродную проволоку 3 подключают к источнику постоянного тока к плюсу и минусу 30...

Номер патента: 490388

Опубликовано: 05.02.1977

Авторы: Аверкиева, Прочухан, Руд, Таштанова

МПК: H01L 21/205

Метки: авс, класса, кристаллов, свойствами, электрическими

...избыток элементов Ц или Г группы.Согласно предлагаемому способу берути Фкристаллы соединений класса А В Ср помещают в вакуумированную кварцевую ампулу совместно с чистым компонентом, избыток которого необходимо растворить в твердой фазе. Ампулу затем помещают в двухтемпературную электропечь и устанавливают темЗаказ 806/111 Тираж 1002 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета .Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, .Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 пературу кристалла, прн которой раствори -2 лмость взятого компонента в соециненииАВСдостаточна для наступления конверсии.Температуру источника установливают такой, чтобы обеспечить требу.емую величину д )ц . Время...

Номер патента: 546042

Опубликовано: 05.02.1977

Автор: Добкин

МПК: H01L 21/22

Метки: диффузионный, кремниевый, транзистор

...в прилегающей к базе области эмиттера, обеспечивающего высокое значение коэффициента усиления, связано с сушествованием связи диффузионной длины неосновных носителей тока и концентрацией примеси и приводит к уменьшению времени жизни и коэффициента диффузии, определяющих значение диффузионной длины. В случае если примеси имеют градиент концентрации выше оптимального, малы геометрические размеры активной области эмиттера. Если 0 значение градиента концентрации примесиниже оптимального, мала концентрация примеси в активной области эмиттера,Для случая распределения примеси в прилегающей к базе области эмиттера по закок 2б ну Я" оптимальное значение градиентаконцентрации определяется по формуле4 й Мгрви ЬРР ЗР н"р ах- концентрация...

Номер патента: 546043

Опубликовано: 05.02.1977

Авторы: Абдурагимов, Курбанов, Яценко

МПК: H01L 21/461

Метки: травитель

...были приготовлены травители следующего состава.Пр и м ер 1. 0,1 г РеС 1 з 1 при комнатнойтемпературе растворяют в 50 лтл деионизованной воды и добавляют 2,4 г Кз 1. е(СМ)з 1,10 затем добавляют 38,5 лл концентрированнойсоляной кислоты. Травят при комнатной температуре в течение 30 сек без перемешивания.В результате травления участки с различнойповерхностной концентрацией олова приобре 15 тают различные оттенки синего цвета. Большеи концентрации олова соответствуют участки более темной окраски.П р имер 2, 1 г РеС 1 з при комнатнойтемпературе растворяют в 28,5 лтл деионизо 20 ванной воды, добавляют 3,5 г КзРе(СИ) 63, азатем добавляют 58 лтл концентрированнойсоляной кислоты. Травят при комнатной температуре в течение 5 - 10 сек без...

Номер патента: 546044

Опубликовано: 05.02.1977

Авторы: Воробьевский, Гавриков, Осенков

МПК: H01L 21/68

Метки: кассета, полупроводниковых, приборов

...этой перемычки.На фиг. 1 показана предложенная кассета, поперечный разрез; на фиг. 2 - общий вид кассеты, загруженной приборами. Кассета содержит корпус 1, ориентирующиеребра 2, 3, соединенные перемычкой 4, направляющие пазы со стенками 5, 6, расположенные по обе стороны от перемычки 4 и перекрыва ющие друг друга. Выгрузку приборов 7 осуществляют при вертикальном расположении корпуса, загрузку - как в вертикальном, так и в горизонтальном положении. После выгрузки или загрузки одного ряда приборов кассе- О ту поворачивают на 180 вокруг своей оси иосуществляют выгрузку или загрузку ориентированных приборов смежного ряда. Кассета предложенной конструкции может быть выполнена двухрядной, четырехрядной и т. д.5 Использование кассеты в...

Номер патента: 546045

Опубликовано: 05.02.1977

Авторы: Зайцев, Зенкович, Иванушко, Огер

МПК: H01L 21/68

Метки: кассета, кристаллов, полупроводниковых

...кассета обеспечивает очисттку кристаллов, но ненадежна в работе, так как затрудняет операции ориентированной укладки, выборки и визуального осмотра кристаллов. Это объясняется тем, что при смыкании основной и накладной рамок и в лроцессе укладки и выборки кристаллов происходит;изменение;координат расположения ячеек относительно установочных баз вследНа фиг. 1 и 2 изображена предлагаемая кассета в двух проекциях; на фиг. 3 - узел 1 на фиг. 1; на фиг, 4 - разрез по А - А на фиг. 1.Кассета содержит основание 1, на рабочей поверхности которого, имеются ячейкиуглубления 2 для кристаллов, и крышку 3,представляющую собой,рамочку 4 с натянутыми проволоками б. Дно ячеек углубленийимеет,крестообразно расположенные угловыевыступы б, которые...

Номер патента: 546046

Опубликовано: 05.02.1977

Авторы: Морозов, Сонин

МПК: H01L 29/36

Метки: полупроводниковый, стабилитрон

...соответствующими омическими контактами 4 - 6.Конта,кты 4 и 6 присоединены соответственно к (положительному и отрицательному полюсам источника нестабилизиркхванного напряжения (на чертеже не показан). Стабилизированное налряжение снимается с контактов 4 и 5.Напряжение пробоя данной полупроводниковой структуры определяется напряжениемпробоя р - и перехода между областями 1 и 2.Когда входное напряжение, подаваемое между контактами 4 и 6, ниже напряжения про 20боя р - и перехода между областями 1 и 2, послою 3 протекает незначительный ток. Когдавходное напряжение превышает напряжениепробоя р - и перехода между областями 1 и 2,ток, протекающий по слою 3, резко возрас 25тает, что приводит,к повышению солропивления слоя, Возникающее...

Номер патента: 546047

Опубликовано: 05.02.1977

Авторы: Зуев, Осипов, Очковский

МПК: H01L 35/34

Метки: модуля, сборки, термоэлектрического

...на 20 правляющих пластин б имеется ограничительб (в данном случае общий для всех пластин,так что пластины вместе с ограничителем выполнены в виде гребенки).Корпус 1 снабжен каркасом 7 (в данном25 случае установлен по скользящей посадке вкаркасе 7). В каркасе со сторочы направляющих пластин, не имеющих ограничителя, подвижно установлены в наолравляющих пазах 8каркаса 7 струбцины 9. В струбцинах 9 заЗ 0 креплены при помощи накладок 10 и винтовИ овободные концы направляющих пластин б, На струбцинах имеются стопорные винты 12, и стопорение происходит при упоре винтов в боковую поверхность, корпуса и натяжении направляющих пластен 5.Сборка термоэлектрического, модуля при помощи данного приспособления происходит следующим образом....

Номер патента: 546048

Опубликовано: 05.02.1977

Авторы: Бубнов, Краинский, Щеголев

МПК: H01F 6/00, H01L 39/00

Метки: возбуждения, магните, магнитного, поля, сверхпроводящем

...его затухания увеличивается до суток.Целью изобретения является уменьшение начальной величины дрейфа магнитного ноля.Поставленная цель достигается тем, что ток через обмотку в сверхпроводящем магните увеличивают до,величины, при которой магнитное поле, превышает требуемое на 0,5 - 1%, после чего уменьшают ток до величины, соответствующей требуемому магнитному, полю. Б сверхпроводящем мапните индуктивностью обмотки 42 гнвыполненной из сверхпроводящего материала - сплава КЬ - Т 1 - Лг, магнитное поле у 1 величизают на 1% выше требуемого магнитного поля, равного 4,700188 тл, затем магнитчое поле уменьшают до требуемого магнитного поля и переводят сверхпрозодящий магнит в режим работы,с замороженным потоком.В сверхпроводящем магните с...