H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 753319

Опубликовано: 07.09.1981

Авторы: Ермаков, Сорокин

МПК: H01L 39/24

Метки: изучения, перехода, фазового

...(Н,Т) повторяют измеренияи таким образом изучают фазовый переход во всей области метастабильныхсостояний от кривой равновесия до границ устойчивости фаз.На фиг. 1 приведены гистограммыопытов по определению средних временжизни метастабильных фаэ в ртути притемпературе З,б Е:1 а.- нереохлаждение: Н= 30 Э,и с 255, Р = 6,7 с.551 б, - перегрев: Н= 20 Э, и202,т= 0,1 с,На фиг. 2 дана зависимость среднего времени жизни метастабильныхфаэ от напряженности магнитного поляпри температуре З,б К: 602 а - переохлаждение, 2 б - перегрев,Исследуемый цилиндрический образецрасполагают по оси магнитной системы,состоящей иэ сверхпроводящего соленоида, задающего внешнее магнитное 65 поле, вспомогательного соленоида и системы катушек, позволяющих...

Номер патента: 784643

Опубликовано: 07.09.1981

Авторы: Гольдман, Гуляев, Ждан, Приходько, Филиппов

МПК: H01L 21/66

Метки: границе, параметров, пограничных, раздела, состояний, твердых, тел

...от концентрации заполненныхпограничных состояний, В результатев области напряжений, н которой происходит интенсивное доэаполнение пограничных состояний высота барьерадля прямого тока Ф, фиг, 16) слабозависит от напряжения, а поэтому наВАХ контакта будет наблюдаться область кназинасьщения обусловленнаядозаполнением пограничных состояний.Если при некотором напряжении О + пограничные состояния из данного энергетического интервала будут полностью заполнены, то при 0 7 ОфВАХ изменит свой характер на экспоненциалный, и ток 1 будет пропорционаленЕсли при дальнейшем росте напряжения уровень Ферми попадает н область пограничных состояний из другой, более мелкой энергетической группы, то на ВАХ может возникнуть аналогичная область...

Номер патента: 864193

Опубликовано: 15.09.1981

Автор: Курихин

МПК: H01L 21/66

Метки: полупроводниковых, фотослоев

...работа протекает автоматически по сигналам синхронизатора 5, при этом контролирующая р. , р и у, причем на схемы И из синхронизатора 5 подаются управляющие сигналы обеспечивающие запоминание сигналов О 1., О , О в, соответственно, первой, второй и третьей ячейках памяти запоминающего устройства 12. Сигналы О, О, О появляются на выходе масштабйого устройства 9,если фотослой находится, соответственно, в темноте, при освещенности Е или при освещенности Е,1. После этого осуществляется контроль бср следующим образом. Сигналы из синхронизатора 5 воздействуют на электроуправляемый Фото- затвор 2, засвечивая фотослой, на привод 4, устанавливая освещейность Е 1, на масштабное устройство 9, устанавливая требуемый коэффициент усиления, на...

Номер патента: 864380

Опубликовано: 15.09.1981

Авторы: Григорьев, Нишанов

МПК: H01L 21/00

Метки: полупроводниковых, приборов, прижимное, силовых, таблеточного, типа

...для подвода ра8643804происходит самоустанавливание их, благодаря гибкости мембраны 2. При этом контроль усилия прижатия в процессе эксплуатации устройства производится по показаниям манометра гидросистемы. Замена поврежденной таблетки осуществляет- а ся снятием давления в гидросистеме, посиз ле чего мембрана 2 возвращается в исходное состояние и усилие прижатия снимается. бочей среды размещен по центру мембраНа фиг. 1 изображено устройство, общий вищ на фиг. 2 - фрагмент корпусаустройства с мембраной.Предложенное устройство содержитстальной корпус 1, в который завальцовна мембрана 2, выполненная, например,пружинной ленточной стали толщиной0,25-0,40 мм. Корпус 1 узла имеет кони ческую расточку (см. фиг. 1) для того,чтобы придать...

Номер патента: 864381

Опубликовано: 15.09.1981

Авторы: Барышев, Лебедев, Мягков, Овечкин, Стекачев

МПК: H01L 21/00

Метки: держатель, пластин, полупроводниковых

...концом упругой пластины.На фиг. 1 .изображен держатель для полупроводниковых пластин, вид сверху; на фиг. 2 - разрез А-А на фиг. 1; на фнг. 3- варна ты исполнения; на иг. 4 - разрез Е Б на фиг. 1; на фнг.5 - варианты исполнения.На основании 1 закреплены прижимные элементы в виде упругих пластин 2; под ними в основании 1 выполнены отверстия, в которых расположены штыри Э и 4. Упругие пластины 2 жестко закреплены на основании одним концом.Загрузка держателя происходит следующим образом.Основание 1 располагают на плоскости поверхностью, свободной от прижимных элементов (при варианте исполнения Фиг, 3 необходим шаблон с выступами). При этом выступающие из основания 1 штыри 3 и 4 утапливаются и верхним концом поднимают упругие...

Номер патента: 864382

Опубликовано: 15.09.1981

Авторы: Азаров, Гасан

МПК: H01L 21/302

Метки: рисунков, формирования

...вещества.Использование легкоподвижного вещест- .ва, наприМер воа, для формирования рисуню86 43 82 Составитель А. Якименко Редакт Н. Минко Тех ед М,Рейвес К ектор Г. РешетникЗаказ 7807/76 Тираж 787 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, К, Раушская наб., д. 4/5филиал ППП "Патентф, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 кв позволяет жгко изменять размеры рисунка и геометрические соотношения его элементов измерением формы и частоты колебаний легкоподвщкного вещества, а использование режима синхронного эксеонирования позволяет улучшить четкость рисунка и изменять пропорции между его элементами.На чертеже схематически изображено устройство для реализации данного способа.П р и м е р . Для...

Номер патента: 864383

Опубликовано: 15.09.1981

Авторы: Вахтина, Русанов

МПК: H01L 21/312

Метки: рентгенолитографии, шаблон

...рент-,геновскими лучами и играет роль буфера в случае возникновения деформации. Затем методом вакуумного напыления на слой алюминия наносят слойзолота 3 толщиной 0,4 мкм, обеспечивающий хорошую контрастность засвеченного рисунка, После этого на слоезолота формируют рисунок топологии4 способом электронно-лучевой литографии с минимальным размером 0,1 мкм.40В теле кремниевой подложки вскрыва- .ют сквозные окна 5 путем травления втравителе:Этилендиамин 68 млВода 32 млПирокатехин 12 г45опри 115 С, после чего осуществляютдвухстороннее анодирование алюминияпри режимах получения износа устойчивых покрытий.Концентрация Н 180450Плотность токаНапряжениеТемператураэлектролита 15-20 СВремя процесса 30 минПосле получения сплошного слояокисла...

Номер патента: 864384

Опубликовано: 15.09.1981

Авторы: Боргаков, Гельперин

МПК: H01L 31/18

Метки: полупроводниковых, приборов

...нагревателем чувствительногоэлемента 24 и контактом при измерении толщины иммерсионного слоя между чувствительным элементом 24 и линзой 10. Величина вертикального давления стержня 16 на чувствительныйэлемент 24 при спекании его с линзойрегулируется грузом 25, который можно передвигать вдоль рычага 26, одинконец которого может поворачиватьсяна оси 27, а другой - опирается наверхнюю плоскость стержня 16, Нагревательная головка 4 установлена соосно с оптической осью микроскопа 3 и может перемещаться э вертикальном и горизонтальном направлениях. С этой целью поворотная ось 23 закреп-, лена в подшипниках на вертикальной каретке 28, а сидящая на нижнем конце оси 23 вилка 29 охватывает рычаг 30 и опирается на регулировочный,винт 31 на конце...

Номер патента: 864385

Опубликовано: 15.09.1981

Авторы: Андрущенко, Карлаш, Никитенко, Улитко

МПК: H01L 41/09, H02N 2/12

Метки: вибродвигатель, однофазный

...пъезокерамического цилиндра 1 и тонкостенного металлического цилиндра 4. Ротор выполнен в .виде стакана, надетого на резонатор. 4 ОВибродвигатель работает следующимобразом.При подаче на электроды переменного напряжения с частотой, равнойодной .иэ собственных резонансных частот пъезопреобразователя, н последнем возбуждают продольно-крутильныеколебания, Верхний торец пъезокерамического цилиндра при этом ударяет вротор 3, который поднимаясь, одновременно проворачивается вокруг оси на 50некоторый угол. Поскольку частотасобственных колебаний обычно больше10 кГц,то инерционный ротор 3, прижатый (с усилием Р). или свободнолежащий на торце пъезокерамического 55цилиндра, под действием направленного виброударного воздействия совершает...

Номер патента: 864386

Опубликовано: 15.09.1981

Авторы: Алексеенко, Бансевичюс, Жекас, Рагульскис

МПК: H01L 41/09, H02N 2/04

Метки: позиционирования, прецизионного

...прецизионного поэици Оониронания состоит из крышки 1 столика с прижимной планкой 2, крепящейся на столике 3, в теле котороговыполнены попарно-перпендикулярно -расположенные выемки 4-7 (фиг.2).В каждой выемке смонтирована в держателе 8 и разжата пружиной 9 парапъеэокерамических стержней 10 и 11,12 и 13,14 и 15,16 и 17 соответствен-но, причем каждый стержень одним концом упирается на пружину 9, а другимв стенку выемки столика 3 (фиг,1 и 2),Электроды каждого из стержней 10-17через коммутирующее устройство 18подсоединены к генератору 19 высокочастотных колебаний. Столик 3 располагается на основании 20.Устройство работает следующимобразом.При подаче напряжения с генератора 19 через коммутирующее устройство 4018 на электроды...

Номер патента: 864387

Опубликовано: 15.09.1981

Авторы: Курыло, Маркаускайте, Рагульскис

МПК: H01L 41/09, H02N 2/12

Метки: вибродвигатель, волновой

...ленты.На чертеже изображена схема вибродвигателя.В корпусе 1 помещены ротор 2; 5установленный на подшипниках, кольцевые пъезокерамические преобразователи 3 с разделенными на сектораэлектродами, подключенными к источнику многофазного напряжения (на чертеже не показаны), и закрепленные наподвижных опорах 4 вращающиесясателлиты 5, расположенные вокругротора на одинаковом расстоянии отего оси и Установленные между преобразователями и деформируемый элемент 156, выполненный н виде замкнутой, упруго-эластичной ленты, расположенноймежду преобразователями, сателлитами и ротором петлеобразно, с натягомогибающей сателлиты и фрикционно 20сопряженной с преобразователями,которые при помощи пружин 7 упругоприжаты к деформируемому элементу ба тем...

Номер патента: 868890

Опубликовано: 30.09.1981

Авторы: Погадаева, Потапов, Смирнов

МПК: H01L 21/00

Метки: герметизации, кассета, лазера, лучом, полупроводниковых, преимущественно, приборов

...является кассета для герметизации полупроводниковых приборов, .содержащая корпус с гнездом для полупроводникового прибора, съемную крышку-прижим в виде пластины и фиксатор 2.Однако при герметизации в этом устройстве происходит разогрев по всей поверхности прибора, что влияет на качество его параметров. агаемая каспластину жимну 4, толка тор с полупроводн р бо-кой 7.В исходном положении Фиксатор 6 вернут на 90 о относительно полония, показанного на чертеже,толтель 5 с пружиной 4 при этом отвены пластиной 2 вниз, упор крьхакаижим снята. Крышку-прижим 3 иэго868890 Формула изобретения 2 О Составитель Л. ГришковаТехред А.Ач Корректор Г. Решетни Редактор Н. Безродная Подписнокомитета СССРи открытийкая наб., д. 4 Тираж 787 ВНИИПИ...

Номер патента: 868891

Опубликовано: 30.09.1981

Авторы: Гетманов, Сулюкин, Сучкова, Фартукова

МПК: H01L 21/312

Метки: фотошаблонов

...актиничногоизлучения и прозрачное в видимойобласти спектра, что значительносокращает время, затрачиваемое наоперацию совмещения рисунка фото 10 шаблона с рисунком на подложке.Нанесение окиси железа можно осуществлять методом вакуумного напыле-,ния либо пиролиза,Полученное покрытие является практически бездефектным, а имеющиесямнкронные дефекты (проколы ) пленкиокиси железа, возникающие при напылении, не передаются на подложку впроцессе эксплуатации фотошаблонаблагодаря бездефектности лежащегопод ним слоя диффузионной меди. Причиной этого является дифракция намикронных отверстиях.П р и м,е р. Стеклянную подложкуокрашивают на специальной установкес помощью устройств имеющих медносвинцовую лигатуру (1-27. меди).Окраску лриповерхностного...

Номер патента: 868892

Опубликовано: 30.09.1981

Авторы: Гуревич, Семенов

МПК: H01L 21/77, H05K 13/00

Метки: демонтажа, интегральных, печатной, платы, схем

...сподпружиненным штоком.На фиг. 1 изрбражена кинематическаясхема предлагаемого устройства; нафиг.2 - узел 1 на фиг,1.Устройство для демонтажа инте-.гральной схемы с печатной платы содержит ванну 1,с расплавленным припоем, в которой размещены нагревательные элементы 2, механизм 3 подачиприпоя, Ванна окружена слоем теплоизоляции 4, Над ванной крепится стол5, окно 6 в котором соответствуетгеометрии мест паек ИС и сопла 7.Механизм удаления ИС 8 с выводами9, установленной на печатной плате10, состоит из захвата 11, жесткосвязанного с подпружиненным што.ом12, на котором укреплен якорь 13электровибратора 14 с частотой колебантлй 10-20 Гц, Над электровибратором14 закреплен микропереключатель 15.В верхней части штока установленавозвратная...

Номер патента: 869570

Опубликовано: 30.09.1981

Авторы: Арман, Мишель

МПК: H01L 41/08

Метки: возбуждения, генератор, колебаний, последовательной, цепью, электрический

...параметрберут расстояние между пластинами.Что касается упругих возвратныхсредств, то можно, например, применять объем газа, заключенного междупластинами, и герметичную упругуюоболочку, Однако значительно прощеприменять подвеску на упругих пластинах, такую, которая показана нафиг. 3 и 4.Неподвижная арматура 10 конденсатора емкости С приклеивается на изоляционную основу 11; продолжениемкоторой является плечо 12. Подвижнаяарматура 13, параллельная арматуре10, представляет собою пластину изупругого токопроводящего материала,например, из сплава никеля, продолжением которой служат две пластины14,.обладающие жесткостью )., которые нависают над плечом 12 и в которых выполнены продольные пазы 15.Шлифты 16 зажимают плечи 12 и поддерживают...

Номер патента: 871104

Опубликовано: 07.10.1981

Авторы: Букевич, Железняков, Молчанов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: отбраковки, полупроводниковых, приборов

...эффективности,Поставленная цель достигается тем,что по способу отбраковки полупроводниковых приборов, включающему измерение электрических параметров испытуемых приборов и разбраковку по ним при-.боров на годные и дефектные, передизмерением параметров пластину выдерживают в высокочастотном электромагнитном поле.Предлагаемый способ осуществляетсяследующим образом.Полупроводниковые пластины послеформирования на них структур полупро,водниковых приборов или интегральных схем до скрайбирования на кристап лы помещают в высокочастотное электромагнитное поле, создаваемое генератором. За счет воздействия вихревых токов, вазникающих в структуре проводящих элементов, приборов, создается повышенная температура. Кроме того,воздействие...

Номер патента: 871257

Опубликовано: 07.10.1981

Авторы: Баранов, Караев, Колядко, Масленков

МПК: H01L 21/00

Метки: крепления, узел

...по периметру эластичной пленки-носителя, а также использование адгезионного слоя для крепления полупроводниковой пластины и для фиксации пленки- носителя на базовом кольце позволяет избежать специальных механических зажимов и устранить тем самым причину образования гофр на пленке-носителе. Этим обеспечивается равномерность ее растягивания в различных направлениях, а следовательно, повышение точности расположения кристаллов, что делает возможным применение данного узла в устройствах для автоматизированной сборки полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.На чертеже изображен общий вид предложенного узла для крепления полупроводниковых пластин и кристаллов.Узел содержит базовое кольцо 1, эластичную пленку-носитель 2, по...

Номер патента: 871258

Опубликовано: 07.10.1981

Авторы: Кузнецов, Равин, Рогов

МПК: H01L 21/00

Метки: выводов, полупроводниковых, правки, приборов

...служащий в качестве опоры для их концов при обратном ходе зубьев после окончания формовки. С противоположной стороны выводов установлен дополнительный упор 12, выполненный с возможностью возвратно-поступательного перемещения в направляющих 13 посредством копира 14, профиль 15 которого, воздействующий на перемычку 16 упора, согласован по форме с заходным скосом 9 зубьев 8.Устройство работает следующим образом, о В начале движения вилки 7 вниз совместно с копиром 14 боковые направляющие выступы 10 с обеих сторон все более ограничивают и образовывают в непосредственной близости от корпуса прибора замкнутый контур вокруг боковых выводов 3, перемыкаемый снизу дополнительным упором 12. Далее два центральных зуба своими острыми концами входят...

Номер патента: 871259

Опубликовано: 07.10.1981

Авторы: Демихова, Кононов, Махаев, Миненков

МПК: H01L 21/77, H05K 13/00

Метки: крышек, микросхем, преимущественно, сборки, спутников-носителей, съема, установках

...с ведущим пневмоцилиндром 9 на шатуне (на чертеже условно не показан), входящим во вращательную пару с двуплечим рычагом 1. Шток 10 связан с толкателем 11 через рычаг 12. Ловитель 13, установленный на неподвижной оси 14, расположен над спутником-носителем 8 в зоне разборки, а толкатель 11 кинематически связан с рычагом 1 с помощью штока 10 и рычага 12,Устройство для съема крышек спутников- носителей работает следующим образом,Лоток 3 осуществляет шаговую подачу (механизм шаговой подачи не показан) спутников-носителей 8 с интегральными схемами на рабочую позицию. В исходном положении крючок 4 не касается крышки5. При ходе штока 10 пневмоцилиндра 9 двуплечий рычаг 1 начинает вращаться вокруг оси 2. Крючок 4 совершает вращательное...

Номер патента: 871260

Опубликовано: 07.10.1981

Автор: Суходольский

МПК: H01L 21/66, H01L 21/77

Метки: анодировании, ванне, микросхемы, подложки, преимущественно, электролитом

...линией. К танталовым пленкам 3 и 5 подключают блок питания 1. При этом переключатель 4 находится в левом положении, соединяя пленки. Напряжение на выходе блока питания растет от нуля до определенного значения, которое определяется требуемой удельной емкостью. По достижении требуемой величины рост напряжения прекращается, и пленки выдерживают в дальнейшем при этом значении напряжения. Рост напряжения в общепринятых технологических режимах длится несколько минут, причем именно за этот отрезок времени происходит основной рост диэлектрической пленки; удельная емкость пленки достигает 120% конечной,Время выдержки под постоянным напряжением составляет свыше одного часа; при этом диэлектрическая пленка растет очень медленно. Поэтому в...

Номер патента: 871358

Опубликовано: 07.10.1981

Авторы: Бубновский, Кириловский, Цуркан

МПК: H01L 21/77, H05K 13/02

Метки: ориентированной, подачи

...размещен вблизи центральной части вибробункера.На фиг. 1 изображен общий вид устройства; на фиг. 2 - механизм первичной ориентации; на фиг, 3 разрез по А-А на фиг.21 на фиг,4 разрез по Б-Б на фиг, 2 на фиг.5 вид по стрелке В на фиг.2 р на фиг. б - механизм вторичной ориентации; на фиг. 7 - четыре возможных положения, принимаемых спутниками- носителями на лотке.Устройство для ориентированной подачи деталей содержит вибробункер 1 с загрузочным лотком 2, механизм 3 первичной ориентации и рас. псложенный за ним механизм 4 вторичной ориентации.Механизм 3 первичной ориентации снабжен направляющей 5 с продольным пазом, форма которого повторяет форму боковых элементов спутников- . носителей в положениях (в) и (г), и клиновидной направляющей...

Номер патента: 873166

Опубликовано: 15.10.1981

Авторы: Рагаускас, Шлитерис

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: полупроводников, характеристик, электрофизических

...9, 1 д - граничная частота полевого гальваномагниторекомбинационного эффекта.При этом поверхностные электростатические потенциалы и скорость поверхностной рекомбинации на гранях исследуемого образца 2 под полевыми пластинами 3 изменяются по синусоидальному закону противофаэно и обеспечивается линейность функции 1(Ц 4)=сопвс О . Частота о связана с измеряемой величиной эффективного времени живинка носителей тока в образце 2 формулойГзф= 1/2 )Игде То - период. Причем частота Г определяется как частота выходного переменного напряжения исследуемого образца 2, при котором фаза этого напряжения отстает на )Г/4 относи" тельно фазы переменного напряжения с частотой Гс на полевых пластинах 3.Частота выходного напряжения исследуемого образца 2...

Номер патента: 873271

Опубликовано: 15.10.1981

Авторы: Бансевичюс, Курыло, Рагульскис, Штацас

МПК: G11B 15/40, H01L 41/09, H02N 2/12 ...

Метки: вибродвигатель, лентопротяжного, механизма

...с воэможностью возбуждения каждого из указанных наклонныхстеРжней в отдельности.2. Вибродвигатель по и. 1, о т-,45л и ч а ю щ и й с я тем что с цеУ Элью уменьшения паразитного воздействия одного пьезокеоамического вибратора на другой, в основании концентратора между наклонными стержнямивыполнен продольный паз.Источники инфоомации.принятые во внимание при экспертизе1Авторское свидетельство СССРВ 68479 кл. Н 0141/О, Н 02 й11/00, 18.04.78.2. Авторское. свидетельство СССРУ 532947 кл. Н 02 й 1/00, 11.08.75прототип),нен из двух пьезокерамических вибраторов, закрепленных симметрично наторцевой поверхности концентратора свозможностью возбуждения каждого изуказанных наклонных стержней в отдель-,ности,Предпочтительным является выполне-.ние...

Номер патента: 873309

Опубликовано: 15.10.1981

Авторы: Артамошкин, Васильев, Жирков, Скороходов

МПК: H01L 21/00

Метки: модулей, сборки

...захватов забирает элементы кассет 21 и перемещается в крайнее правое положение, воздействуя при своем перемещении через рычаги 29 на ползуны 25 и раздвигая их вдоль направляющей 24. В крайнем правом положении ряд 19 вакуумным присосок с элементами оказывается под пазами ползунов 25, между стенками 26 которых и укладываются элементы. При движении каретки 18 справа налево она отпускает рычаги 29 и пружина 28 сдвигает ползуны 25, при этом стенки 26, перемещая элементы по лазам полэунов, формируют линейку элементов с зазораии между элементами не менее толщины стенки 26. Одновременно с разгрузкой кассет 21 рядом 9 вакуумным захватом, в крайнем левом положении каретки 18 ряд 20 вакуумных захватов оказавшийся под сформированной...

Номер патента: 873310

Опубликовано: 15.10.1981

Авторы: Иманов, Фомин

МПК: H01L 23/34

Метки: мощных, охлаждения, радиатор, транзисторов

...при этом геометрические параметры удовлетворяют указан- Я 1ным соотношениям. С целью уменьшенияперекоса температур корпусов охлаждаемых элементов с разными тепловыделениями при групповом их охлажде-.нии, охлаждаемые транзисторы размещают в шахматном порядке на единойс обеих сторон оребренной пластинеи расположены по ходу движения хлад 40 3 8733 ного сечения расположенными не менее чем в два ряда, ребра в каждом ряде расположены таким образом, что расстояние между осями разрядов не болЕе половины шага ребер, а ширина ребер не менее толщины пластины, при этом теплофиэические и геометрические параметры радиатора удовлетворяют следующему соотношениюсД Ь Д.,1-4,1 -ф 1 Ооя Г 0 4агента с учетом уменьшения тепловыделения. Выполнением...

Номер патента: 873311

Опубликовано: 15.10.1981

Авторы: Абагян, Бондарь, Галченков, Патрашин

МПК: H01L 33/00

Метки: источник, света

...Техред Ж.Кастелевич орректор В. Синицка Подписноекомитета СССРоткрытийская наб., д. 4/5 ираж 787Государственног делам изобретений Москва, Ж, Ра Филиал ПНП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная В этой конструкции широкозонные эмиттеры образуют р"и-гетеропереходы е активной областью и носители инжек- тируются и активную область каждым иэ эмиттеров. При этом плотность тока через р-й-переход при неизменной общей величине рабочего тока снижается практически вдвое, обеспечивая эффективное уменьшение деградации источника, а следовательно, и значи тельное увеличение срока службы.На чертеже изображен полупроводниковый источник света;Конкретным примером реализации ,предложенной конструкции является по лупреводниковый источник спонтанного излучения...

Номер патента: 873312

Опубликовано: 15.10.1981

Авторы: Бойченко, Борисов, Куликов, Лавриненко

МПК: H01L 41/09, H02N 2/12

Метки: двигатель, пьезоэлектрический

...шлифов.кой до гладкой цилиндрической поверхности, Материалы зубчатого колеса ипокрытия выбираются с разными произведениями плотности на модуль Юнга,т.е. с различными удельными волновыми сопротивлениями, чта обеспечивает отражение на границе раздела двух сред акустической волны. Толщина по-крытия над зубом выбирается меньше глубины проникновения поверхности волн в роторе, что соответствует толщинам менее 0,5 мм.При подаче переменного напряжения от источника 7 через диодный мостик 5, емкость 6, выводы 4 и электроды 3 на вибратор 2 последний начинает продольнаколебаться. Эти колебания механически выпрямляются на контакте пьезоэлемента с ротором 1, при этом постоянная составляющая .механических усилий приводит к вращению ротора. Часть...

Номер патента: 873313

Опубликовано: 15.10.1981

Авторы: Бараускас, Рагульскис, Снитко, Штацас

МПК: H01L 41/09, H02N 2/12

Метки: вибродвигатель

...3, пьезокерамическое кольцо 4, прикрепленное черездержатель 5 и болт 6 к корпусу 1.Электроды пьезокерамическово кольца 4разделены на три части 7-9, длина одной иэ которых, например 7, не превышает /10 длины окружности пьезокерамнческого кольца 4, а к одной изостальных двух частей, например к части 8, подсоединен блок высокочастотного напряжения 10.Вибродвигатель работает следующимобразом,При включении блока высокочастотного напряжения 10 питающее напряжениеподается на электрод 8. Часть кольцапод электродом 8 деформируется, чтопри вь 1 соких частотах возбуждения 1050 кГц способствует появлению как радиальных, так и продольных волн, рас- З 5пространяющихся по этой части. Наэлектродах 9 также образуется напряжение, которое...

Номер патента: 875507

Опубликовано: 23.10.1981

Авторы: Бураго, Ермаков, Темкин, Цыпкин

МПК: H01L 21/00

Метки: жидкостной, кассета, пластин, полупроводниковых

...пластин; на фиг, 2 - разрез А-А нафиг. 1; на фиг, 3 - разрез Б-Б на фиг. 2,Кассета для жидкостной обработки полупроводниковых пластин содержит корпус 1, выпол.пенный в виде перфорированного полуцилиндра,внутри которого по образующей профрезерованы трапецеидального сечения пазы 2 переменной,высоты, наклоненные под углом 70 - 75" к образующей цилиндрической поверхности корпуса.К торцам корпуса винтами крепятся фланцы 3,в которые запрессованы держатели 4, Сверхуна направляющие фланцев 3 устанавливаетсяперфорированная крышка 5, повторяющая форму корпуса, которая от поворота вокруг осификсируется штифтом, Крышка удерживаетсясьемными фиксаторами 6, навинчивающимисяна держатели 4,После сборки кассета принимает форму перфорированного цилиндра,...

Номер патента: 879678

Опубликовано: 07.11.1981

Авторы: Вигдорович, Коровина, Струков, Урывский, Чуриков

МПК: H01L 21/00

Метки: локальной, пластины, полупроводниковой, электрохимической

...корпуса выполненосъемным,На чертеже показано предлагаемоеустройство.Оно содержит корпус 1, на основании 2 которого установлен жестко катод 3, выполненный в виде токопроводящей пластины с помощью винта 4Образец 5, в качестве которого берутполупроводниковую пластину,с пленкойб прижимается к катоду 3 с помощьюкольца 7 с резьбой через уплотнители 158. Кольцо 7 установлено на выступахкорпуса 1 и образует зону обработкипластины. В корпусе ванны выполненыкольцевые проточки 9 для удобствазагрузки пластин различного диаметра. 2 ОПрижимное усилие, создаваемое кольцом,выполненным из диэлектрика, регулируется так, чтобы электролит 10 непроникал в кольцевую проточку 9 и несоздавал замыкания электрическоготока через электролит, минуя пористуюокисную...