Патенты с меткой «кремниевых»

Номер патента: 129259

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Петров, Смолянский, Лубашевский, Лукасевич, Маннов, Бедов

МПК: H01L 21/447

Метки: пробивного, плоскостных, повышения, кремниевых, диодов

...упрощения технологцц оминий вводят около 10 о золота, из полученного Ольгу толщпной 0,05 - 1 л 1 л 1, зажимают ее меж 1,; и р-типа, помещают заготовку в вакуум и прои:- тиц при температуре порядка 900 - 1200. щения и чаю в ал 1 ют ф ция и е плас Известные способы повышсния пробивного напряжения плоскостных диодОВ ОсноВаны на создании многоступенчатых полупрОВОдцикОВых структур. Эти способы достаточно сложнь 1 по своей технологии и не обеспечивают высокого пробивного напряжения.Предлагаемый способ упрощает технологию изготовления полупроводниковых диодов и позволяет повысить пробивное напряжение их. Это достигается тем, что в диоде применен р - г - г переход, для получен:1 я которого использована диффузия золота в кремний.Способ...

Номер патента: 133492

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Лямичев, Першин

МПК: G01R 31/26

Метки: диодов, сопротивления, обратного, кремниевых, изменения, обратимого

...напряжения Сl - меняется яркость свечения электролюминесцентного элемента.Заведенная информация сохраняется до тех пор, пока импульсный сигнал стирания через диод Д 2 не разрядит конденсатор С дАналогичным образом проходит запись и стирание информации в запоминающем устройстве на конденсаторах с диодами.При применении предлагаемого способа в указанных схемах (и аналогичных им) для введения разнополярных импульсных сигналов достаточно иметь один диод с изменяемым обратным сопротивлением. В качестве диодов могут быть использованы кремниевые диоды типа Д- ;Д, которые в импульсном режиме обеспечивают восстановимое изменение обратного сопротивления.М 133492 Экспериментальным исследованием было установлено, что режим восстановимого изменения...

Номер патента: 136476

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Варданян, Тодорова, Шкуропат, Соловьева, Лукашева, Зеликман, Дробышев

МПК: H01L 21/225

Метки: перехода, диодов, кремниевых

...упрощения технологии и исключения необходимости применения кремния двух типов проводимости предлагается перед испарением в вакууме нагревать пластинку из кремния до 700 - 800".Для получения р-п перехода при применении предлагаемого способа предварительно протравленная кремниевая пластинка толщиной 0,35 - 0,45 ям покрывается с одной стороны слоем никеля и помещается в вакуумную печь, где нагревается до температуры 700 - 800. Затем, не прекращая нагрева, на пластинку наносят испарением в вакууме слой алюминия толщиной 1 - 3 мк и пластинка охлаждается до комнатной температуры, после чего на нее наносится тем же методом второй слой алюминия толщиной 5 - 7 лк. Пластинка вновь нагревается до температуры 700 - 800, выдерживается при этой...

Номер патента: 138062

Опубликовано: 01.01.1961

Автор: Иноземцева

МПК: C30B 31/08, C30B 29/06

Метки: кремниевых, заготовок

...Из предварительно легированного добавками йодидов тетрахлорида кремния путем термического разложения получают кремниевую заготовку, легированную одной или несколькими примесями.Описываемый способ позволяет проводить легирование кремния в более чистых условиях и дает возможность получить при вытягивании легированной кремниевой заготовки монокристалл с хорошими свойствами с первого вытягивания.В качестве легирующих добавок использовались йодиды бора, фосфора, мышьяка и сурьмы, которые добавлялись к очищенному фракционной дистилляцией тетрайодиду кремния, и полученная смесь под. вергалась термическому разложению в аппаратуре трубчатого типа.В полученных трубчатых заготовках кремния определялись концентрации введенного элемента по...

Номер патента: 140499

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Фронк, Ратенберг, Недобейко, Сущик, Брук

МПК: H01L 21/329

Метки: кремниевых, диффузионных, диодов

...14.Высушенные пластины помещают в печь, где в течение нескольких часов при высокой температуре порядка 1300" производится окисление поверхности пластин кремния. После охлаждения пластин на их по. верхность наносятся соединения, содержащие необходимые легирующие элементы, которые при высокой температуре образуют совместно с двуокисью кремния стекловидные слои, Для создания выпрямляющих переходов на кремнии р-типа используется водный раствор ортофосфорной кислоты, а на кремнии г-типа - водный раствор буры.Пластины с нанесенными на окисную пленку составами вносятся для проведения диффузии в печь, температура которой должна быть не ниже точки образования жидкого стекловидного слоя на поверхности кремния.Во время этого процесса на пластинах...

Номер патента: 151509

Опубликовано: 01.01.1962

Автор: Беляков

МПК: H03K 3/033

Метки: диодах, одновибратор, переключающих, кремниевых

...диод Д находится в выключенном состоянии, а переключающий диод Д 2 во включенном состоянии. Это определяется напряжением включения переключающих диодов: у диода Д, напряжение включения обязательно должно быть больше, а у диода Д 2 напряжение включения обязательно должно быть меньше напряжения питания, При подаче запускающего импульса через конденсатор С включается ческая схема предложенного уст- б151509 диод Д 1 и напряжение на нем падает до значения близкого к нулю, Напряжение на диоде Д 2 за счет напряжения на емкости С, изменится скачком до - Е (Е - напряжение 1 источника питания), и диод Д 2 выключится. Конденсатор С, начинает перезаряжаться через зарядное сопротивление Й 2 от напряжения - Едо +Е, таким же образом...

Номер патента: 184980

Опубликовано: 01.01.1966

МПК: H01L 21/66

Метки: лития, кремниевых, п-детекторах, глубины, индикатор, дрейфа, ядерных, излучений

...т, е. определение глубины дрейфа лития сводится к определению глубины залегания р п-перехода.Известен способ определения глубины залегания р - г-перехода в кремний с помощью электрофотографических проявителей, например, по электрохимическому отложению меди.Предлагаемый способ определения глубины дрейфа лития в кремний отличается от известного тем, что р - и-переход проявляют сухими электр офотографичсскими проявителями (ПСи БСТ) .Хорошие границы перехода получаются как на травленой поверхности, так на шлифованной и механически полированной.Большое влияние на четкость картины оказывает прикладываемое к детектору напряженйе, с его ростом четкость увеличиваетсй,При напряжении ниже 40 в частицы электрофотографических порошков садятся...

Номер патента: 185100

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Гампер, Федоров

МПК: G01B 7/16

Метки: тензодатчиков, кремниевых

...с чередующимися высокой плотности черными полосами и просветами, Ширина просвета должна быть равна двум длинам контакта плюс толщина реза, а ширина полос 10 равна длине рабочей части датчика. При экспонировании направление полос должно быть перпендикулярно оптимальному направлению тензоэффекта. 15 После экспонирования пленку проявляют втеплой (70 С) дистиллированной воде. При этом пленка спирта с неосвещенных участков растворяется. Оставшуюся пленку закрепляют по 5 лгин в хромовом ангидриде и в термо стате при 200 С. С участков, оставшихся незащищенными, никель стравливают в концентрированной азотной кислоте. После тщательной промывки пластину погружают на 3 мин в кипящую соляную кислоту для снятия слоя 25 фоторезиста.Потом пластины...

Номер патента: 240852

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Пресс, Ржанов, Носиков, Берников, Никонов

МПК: H01L 21/322

Метки: усиления, р—р-л-транзисторов, повышения, кремниевых, диффузионных, коэффициента, току

...а время и температура геттерирования малы, образующийся наразитный слой и-типа обычно уничтожается при вжигании контактов. Перед нанесением контактов слой Р.О; удаляют травлением в составе, содержащем 15 ч. НЕ (490/О), 10 ч. Н 1 ЧОз (700/) и 300 ч. Н О, в течение 2 мия.На чертеже приведен, пример реализации заявляемого способа в технологическом процессе изготовления,кремниевого планарного р - и - р эпитаксиально-диффузионного транзистора. Исходным материалом для производства подобных транзисторов служит очень низкоомная эпитаксиальная структура: на подложку 1 р-типа наращивают более высокоомную эпитаксиальную пленку 2 и-типа толщиной, порядка 10 мк. Далее проводят изолирующую диффузию бора 3, в результате которой эпитаксиальная пленка...

Номер патента: 244515

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Герцик, Егоров, Сладков, Родионов, Набиуллин

МПК: H01L 21/306

Метки: травления, фотоэлектрических, преобразователей, кремниевых

...шатуна укреплены изолированные захваты 9, контактные иглы 10 которых подключаются к преобразователям (на чертеже,не показаны), Открытие захватов 9,производится клином 11. Рычаги 7 и 8 укреплены на шестернях 12 и 13, находящихся в зацеплении с зубчатыми секторами 14 и 15, укрепленными на валу 16, на котором укреплен также трехплечий рычаг 17. Плечо 18 рычага 17 снабже но роликом 19, опирающимся на копир 20,управляющий, шатуном б. Плечо 21 рычага 17 соединено с возвратной пружиной 22 и масляным демпфером 23, обеспечивающим плавное перемещение шатуна б. Плечо 24 рычага 1 17 в крайнем левом положении нажимает намикровыключатель 25, выключающий блок контроля. В процессе работы копир 20 опускает плечо 18 вниз, вал 1 б,поворачивает шестерни...

Номер патента: 252409

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Каневский, Мараховский, Ленинградское, Гитович

МПК: H02M 7/155, G05F 1/569

Метки: кремниевых, стабилизирующий, выпрямитель, управляемых, диодах

...17 изменяется почти линейно за счет заряда конденсатора 18 коллекторным током транзистора 16, и транзистор 17 закрыт. Затем послед ний начинает открываться, и через управляющие электроды управляемых диодов протекает его коллектор ный токКогда управляемьш диод 1 приоткрываетсяи через сопротивление 10 начинает протекать 25 дополнительный ток, падение напряжения насопротивлении 10 увеличивается, а напряжение на базе транзистора 17 по аосолютной величине уменьшается. Если ток через транзистор 17 увеличивается, диод 1 открываегся в ЗО большей степени, и процесс развивается до252409 203(11 Тираж 480 ПИ Комитета по делам изоб при Совете Министров Москва Ж, Раушская н., д. 4/5 Зак ЦН Типография, пр. Сапунов полного открывания диода 1,...

Номер патента: 291340

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Юрченко, Марченко

МПК: H03K 17/0424, H03K 17/72

Метки: кремниевых, поляризованное, реле, вентилях, электронное, управляемых

...20 и диод 2 б. На обмотке 7 трансформагора 20 наводится косицусоидальный импульс, смещающий КУВ 4 в обратном направлении.Одновременно через обмотку 8 трансформатора 18, КУВ 3 и диод 24 проходит ток нагрузки. На нагрузке 9 устанавливается положительное напряжение.После запирания КУВ 4 конденсатор 13 заряжается через обмотку 8 трансформатора 18, открытый КУВ 3, диоды 24 и 21, обмотку 17 трансформатора 18, резистор 27 и обмотку 7 трансформатора 20 до напряжения Е,+Е= =2 Е.При поступлении нового информационного импульса переключающий импульс, возникающий на обмотке 15 трансформатора 1 б, переводит в проводящее состояние КУВ 4. Конденсатор 13 разряжается на обмотку 17 трансформатора 18 через диод 9, смещая КУВ 3 в обратном...

Номер патента: 445928

Опубликовано: 05.10.1974

Авторы: Вольфсон, Финкельштейн

МПК: G01R 31/26

Метки: разделения, поверхностную, составляющие, кремниевых, меза-диодов, обратного, диффузионных, объемную

...определения величиныобъемной и поверхностной составляющих обратного тока германиевых транзисторов.Этим способом невозможно измерить указанные параметры кремниевых диффузионныхмеза-диодов.Сущность предложенного способа заключается в следующем. Экспериментальноустановлено, что объемная составляющаяобратного тока кремниевых диффузионных меза-диодов зависит от индуктивности,; и проводимости при большом прямом токеи от барьерной емкости при нулевом смешении и может быть выражена следующейформулой;,Для осуществления способа измеряют полный обратный ток ьо, пропускаемый через испытуемый диод, затем при нулевом смешении измеряют фарьерную емкость С, пропускают через испытуемый- проводимость, где 15 Составитель Б.челнокова7 Орловская Гекред...

Номер патента: 448133

Опубликовано: 30.10.1974

Авторы: Мелентьев, Белков

МПК: B28D 1/00

Метки: стержней, рубки, кремниевых

...рубки осущвствлявтся за счет рабочего органа 1, приводимого в движвнив алвктродвигатвлвм. Кривошипно-шатунный механизм 2 приводит в возвратно-доступатвльное движвнив нож 3.В кассету 4 закладываются в одинряд кремниевые ствржни 5, которывдод собственным ввсом одускаются5 в канал 6 и проталкиваются штоком 7 цилиндра 8 под нож 3. Отрублвнныв крвмни осыпаются в бункврЭ. Измвнвнив движвния штока 7 осущвствлявтся распрвдвлитвльным мв 1 о ханизмом 10, приводимым в движениеалвктромагнйтным рвлв 11. Рычажный переключатель 12 срабатываетот штифта 13 закрвплвнного наштоке. Устро 3 ство крвдится на стад нине 14,Воздух, давлвнивм 1,5-2 атм,чврвз распрвделитвльный мвханизмпоступавт по каналам в цилиндр 8и давит на доршвнь. Поршень, пврвмвщаясь пад...

Номер патента: 655553

Опубликовано: 05.04.1979

Авторы: Никитин, Артемов, Белков, Чаус, Мелентьев

МПК: B28D 1/00

Метки: рубки, кремниевых, стержней

...2, нож рубки 3; лоток 4 для кремниевых стержней 5, скатывающихся под собственным весом в канал 6, лоток имеет крышку 7 и окно для цозагрузки стержней; по станине смонтирован приводной ролик 8 и прижимной ролик 9,655553 15 формула изобретения ЦНИИ ПИ Заказ 1418/ Тираж 657 Подписное Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4установленный на планке 10, которая поворачивается вокруг оси электромагнитным реле 11, растягивая пружину 12, шток 13 с закрепленными на нем штифтами 14 и 15 перемещается в канале 6, поливая цз него стержень на рубку.Рычажный переключатель 16, срабатывающий от штифта 14, включает электромагнитное реле 11, которым отжимается ролик 9 и освободившийся шток тросом 17 под действием груза 18 выводится назад,...

Номер патента: 693491

Опубликовано: 25.10.1979

Авторы: Французов, Стенин, Пчеляков, Ковчавцев, Соколов

МПК: H01L 21/302

Метки: поверхности, кремниевых, пластин

...во время первого прогрева с поверхности кремния удаляются летучие компоненты, которые остались после стандартной химической обработки, в том числе и естественный окисел, Низкие парциальные давления кислорода и паров воды обеспечивают сохранение гладкой исходной поверхности при прогреве, Углеродсодержащие компоненты после испарения естественного окисла связываются в Кристаллы карбида кремния, Время прогрева 4 - 15 мин,Последующее окисление, производимое при 850 - ИООС, в течение 2 - 8 мин после запуска в камеру сухого кислорода до давления 0,1 - 10,0 торр обеспечивает как окис. ление карбида кремния, так и образование сплошной пленки двуокиси кремния толщиной 25 - 40 А. Пленки тоньше 25 А не обеспечивают полного окисления частиц карбида...

Номер патента: 722972

Опубликовано: 25.03.1980

Авторы: Ржавин, Водолажский, Вайсман, Брусаков

МПК: C22B 4/06

Метки: сплавов, кремниевых, алюминиево, приготовления, шихты

...содержашихся в ШихтЕ ОКИСЛОВ.Отклонения от заданной дозировки вос;- становителя, определенные в ходе исследо:-. ваний, составляют, абсЛ:Из-за неравномерного согВ г 7става Восстановителей, аВследствие погрешности рабаты дозаторов по паспортнымвданным (заводская гарантиями -;0-Из-за нарушений режима дозировки ввиду невозможностидостаточно. точной регулировки работы пяти одновремен.но действуюших дозаторов 1,79Суммарные отклонения 4,3 6Фактическая дозировка 95,0+4,11П р и м е р 2. Оборудование (вэс:.; вые дозаторы), заданный состав ила;ты заданное содержание нелетучего углерода те же, что и в примере 1. Шихта готовится предлагаемым способом, при котором дозирование производится В две стадии.На первой стадии дозируются каолин, глинозем, ДСК...

Номер патента: 748580

Опубликовано: 15.07.1980

Авторы: Лапин, Жеребцов

МПК: H01L 21/00

Метки: кассет, кремниевых, транспортирующих, пластин, перегрузки

...сверху лодочки, снимается. За 1 Юной лодочки из однорядного устройства для груженную пластинами ло перегрузки; на фиг. 5 - планка, . в диффузионную печь для произведенияУстройство состоит из корпуса, состав-. диффузионных процессов. ленного из соединенных между собой эле- После окончанияон ания химических, литограментов (блоков) 1,-имеющих пазы 2 для фических, диффузионных операций произ- полупроводниковых пластин. Причем в бло- водится обратная пер р ках выполнены штифты 3 и отверстия 4 ц спортную двухрядную тару. Описанный продля соединенных блоков между собой, Сред- цесс перегрузки повторяют в обратном поства для изменения шага между пластинами рядке.выполнены в виде накладных планок 5 в, Транспортная и опера н набореотличающиеся...

Номер патента: 750400

Опубликовано: 23.07.1980

Авторы: Салман, Лавров, Долгих

МПК: G01R 31/25

Метки: кремниевых, вентилей, ударного, допустимого

...источника 1, блока 5 сигнализации, вход которого подключен к выходу блока 4,Выходом блока .4 является диагональ имерительного моста, два смежных плеча которого образованы вентилем 2 ишун том 3 Другие плечи моста образ ованы резисторами 6-8, Резистор 7 служит для балансировки моста. Напряжение на цепь резисторов 6-8 может подаваться через ограничители 9,10 напряжения и контакт 11 геркона,Блок 5 сигнализации содержит усилительный каскад 12, выходное реле13, катодный повторитель 14, динистор15 в цепи управляющего электрода маломощного тиристора 16, сигнальнойлампы 17, Контакт 18 реле 13 служитдля отключения сигналов управленияисточника 1, Для восстановления схе -ьи служит кнопка 19.Параллельно выводам источника 1может быть включен...

Номер патента: 774464

Опубликовано: 30.03.1982

Авторы: Грехов, Делимова

МПК: H01L 21/26

Метки: приборов, кремниевых, быстродействия, повышения, полупроводниковых, мощных

...бинапия .носителей заряда идут через различные радиационные центры: Е,. - 0,5 эВ и Е, - 0,17 эВ соответственко, Это обстоятельство делает возможным независимое влияние на такие ка)рактеристкии приборов, как генерационный ток и время жизни не,равновесных носителей заряда. В 1 процессе предлагаемой термической обработки РЦ с уровнем Е, - 0,5 1 эВ отжигаются, что проводит к уменьшению генерационных токов, а рекомбинационные РЦ с уровнем Е, - 0,17 эВ сохраняются.На фиг, 1 изображены,завидимости генерационного тока (иривая 1) и времени жизни неравновесных 1 носителей заряда (кривая 2) от температуры при изохронном отжиге длительностью 3 ч; на фиг, 2 - зависимости тех же параметров от длительности отжвга при изотермичесыом отжипе при 260 С....

Номер патента: 922169

Опубликовано: 23.04.1982

Авторы: Волхонцев, Мусохранов, Шильникова

МПК: C22C 1/06

Метки: сплавов, доэвтектических, эвтектических, алюминиево, модификатор, кремниевых

...вынести жидкого модификатора; струйнььь или капель- операцию, модифицирования алюминиево-кремным переливом жидкого модификатора через ниевых сплавов из многочисленных литейных толщч жидкого алюминиево кремниевого пэдразделений машиностроительных заводов на сплава;, ручьевым переливанием алюминиево- производящие силумин металлургические завокремниевого сплава по жидкому модификато ды, которые будут поставлять на машиностроиру; выдержкой жидкого модификатора внутри тельные заводы слитки модифицированного сирасплава алюминиево-кремниевого сплава лумина, являющегося основой приготовления и т.п. всех алюминиево-кремниевых сплавов, что улучВсе зти технологические приемы основаны шает санитарно-гигиенические условия фасоно. на более низкой...

Номер патента: 973652

Опубликовано: 15.11.1982

Авторы: Строганова, Афанасьев, Коровин, Захаров

МПК: C22C 1/02

Метки: шихты, алюминиево, кремниевых, подготовки, приготовления, сплавов

...Государственного. комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5филиал ППП Патентфф, г. Укгород, ул. Проектная, 4 Из данных табл.1 и 2 видно, что механические свойства алюминиевокремниевых сплавов, приготовленных на шихтовом кремнии, обработанном предлагаемым способом, повьаааются как в литом, так и в термически обработанном состояниях по сравнению с приготовлением известным спосбом. Предел прочности увеличивается в 1,2 раза, относительноеудлинение в 1,5 раза, относительное суаение в 1,5 раза.Применение предлагаемого способа подготовки шихтового кремния позволяет увеличить долговечность изделий из алюминиево-кремниевых сплавов,Формула изобретения1. Способ подготовки шихты для приготовления...

Номер патента: 1023452

Опубликовано: 15.06.1983

Авторы: Шевченко, Фомин, Горелик, Юшков, Тузовский

МПК: H01L 21/00

Метки: механической, ориентированной, кремниевых

...обрабатываемую поверхность,П р и м е р . Согласно предлагаемому способу проводится шлифовка связанным абраэивом монокристаллическихкремниевых пластин с ориентацией поверхности 1100).Для кремния, имеющего кристаллическую. решетку типа алмаза, плоскостяминаилегчайшего скола (плоскостямиспайности )являются плоскости)Н) . Впластинах кремния с ориентацией 100)криоталлографическими направлениямиследов плоскостей спайности 1 Инаповерхности обрабатываемых пластинявляются направленияС 110 ф расположенные в двух взаимно перпендикулярных семействах.Поскольку в настоящее время навсех кремниевых пластинах обозначается направление следов плоскостейспайности в виде базового среза иливзаимно противоположных ориентационных меток для успешного...

Номер патента: 687654

Опубликовано: 23.03.1987

Авторы: Бевз, Епихин, Данилейко, Гашенко, Березенко, Тимошин, Фалькевич

МПК: C30B 29/06, C30B 15/34

Метки: кремниевых, полых, труб

...область диаметра 0,4-0,9 диаметра тигля в приповерхностных слоях расплава создается восходящим конвективным потоком в центре тигля и подогревом пе 5 10 15 риферийной части расплава непосредственно от нагревателя, Восходящие конвективные потоки создаются в расплаве при отношении удельных тепловыхпотоков, подводимых к боковой и донной частям тигля, равном 0,4-0,6.Кроме того, на столбик расплавав мениске действуют три силы: собственный вес, силаповерхностного натяжения и центробежная сила,Изменяя скорость вращения трубыможно изменять центробежную силуи тем самым регулировать Форму менискаСкорость вращения трубы должна быть оптимальной и рассчитывает 15 5 - 4 с 1ся по формуле иа с 1 где и - скорость вращения трубы,об/мин, Й - наружный...

Номер патента: 1303627

Опубликовано: 15.04.1987

Авторы: Шканов, Чистяков, Гольдфарб

МПК: C22C 1/06

Метки: алюминиево, литейных, сплавов, кремниевых, модифицирующий, деформируемых, флюс

...в кг рмообработанного по носительное удлинен рмообработанного по 2/мм деформированного спла ТЬ е в 7 деформированного сплавТб. иась в печи сопротивления по следующей технологии: флюс в количестве 2,5 Х от веса жидкого металла при различном содержании солей (табл. 3 наносили ровным слоем на поверхоность металла при 750 С. Металл выдерживали под флюсом 15 мин, после чего производили заливку металла в кокиль, проверку пластичности прио450 С и пластическую деформацию заготовки при этой же температуре со степенью деформации 457,ченных данны следующими со ов, вес.7.: 32-47 37-52 3,5-4,5 9,5-14,2-37. от вес5 Кадмии хлористыи Флюс в количеств мерным твоема при 730-75 после чего металла наносят равна поверхность металлвыдерживают 10-15...

Номер патента: 1392602

Опубликовано: 30.04.1988

Автор: Дргач

МПК: H01L 21/302

Метки: двухсторонней, тонких, кремниевых, других, механической, пластин, круглых

...самоочисткасегментов 8 путем взаимного трения,2 ил. конусным пазом, а третья - в видецилиндрического кольца с конусным пазом, установленного соосно с опорнымдиском, на котором также установленымоечные сегменты. Привод всего устройства обеспечивается одним двигателем.11 редлагаемое устройство позволяет производить одновременную очисткудвух сторон полупроводниковых пластинбез дополнительного проведения операции по перегрузке пластин, а такжеулучшить качество очистки преимущественно центральной поверхности пластин при низкой материалоемкости устройства и уменьшении расходов вспомогательных материалах.На фиг.1 изображен профиль устрой"ства; на фиг. 2 - устройство, плоскийразрез.Устройство содержит корпус 1,крышку 2, опорный диск 3,...

Номер патента: 1447909

Опубликовано: 30.12.1988

Авторы: Дирксен, Селезнев, Гусаров, Козлова, Боровицкая, Крюкова, Гайсинская

МПК: C22C 1/06

Метки: алюминиево, заэвтектических, флюс, кремниевых, сплавов, литейных

...флюса в том случае, когда обработка расплава производится притемпературе более 800 С, чтобы уменьшить летучесть флюса. Введение фтористого кальция до 3% достаточно дляполучения, необходимой, температурыплавления флюса 760-800 С.Для обработки заэвтектическихсплавов АК 21 М 2, 5 Н 2,5 иАК 18 былиприготовлены составы флюса, компонентыкоторого находятся в предлагаемыхпределах и за предлагаемыми пределами.Указанные составы приведены втаблице 1.Порошкообразную смесь компонентовфлюса переплавляли, разливали в изложницы, дробили.Раздробленный флюс в количестве0,7-1% от массы рафиннруемого метал 55ла помещали на дно ковша и в ковшзаливали металл. После выдержки в течение 7-10 мин с поверхности металла снимали всплывший шлак и производили...

Номер патента: 1606540

Опубликовано: 15.11.1990

Авторы: Маткова, Кицюк

МПК: C30B 13/22

Метки: пластин, рекристаллизации, кремниевых

...нижний блоки снабжены электроприводами, обеспечивающими их вращение в противоположных направлениях. Равномерность распределения температуры по пластине составляет 5 С. Количество ламп сокращено в 2 раза. 2 ил. Устройство работаетследующим образом, В механизм 3 загрузки и выгрузки закладывают пластину 4 и вводят в камеру 1, Температуру отжига пластины 4 доводят до температуры, установленной технологией, например 1100 С. В момент ввода пластины 4 в кварцевую камеру 1 начинают вращать навстречу друг к другу блоки 5 со скоростью, например, 10 об/мин, выравниваятемпературу нагрева, что и обеспечивает равномерный нагрев пластины 4, Для того, чтобы не перегревались блоки 5 и кварцевая камера 1 и для поддержания в камере 1 нужной температуры,...

Номер патента: 1624314

Опубликовано: 30.01.1991

Авторы: Изидинов, Разяпов

МПК: H01J 49/26, G01N 31/22

Метки: состава, пластин, загрязнений, поверхностных, кремниевых, структур

...а затем в режиме модулированной добротности.Введение добавки комплексообразователя обеспечивает, с одной стороны, повышение степени концентрирования и снижение потерь за счет образования устойчивых комплексов определяемых примесей в объеме фтористо-водородной кислотю, а с другой - визуализацию (возможность контроля) области локализации сухого остатка после испарения кислоты благодаря флуоресценции образовавшихся поверхностных комплексов при сканировании исследуемой поверхности излучением лазера в режиме свободной генерации с плотностью мощности, не превышающей значения, при котором происходит испарение вещества, Последующее воздействие лазером (предварительно оконтуренной области размещения анализируемой пробы) в режиме...

Номер патента: 743489

Опубликовано: 30.07.1991

Автор: Шаповалов

МПК: H01L 21/324, H01L 21/477

Метки: кремниевых, пластин, термообработки

...интегральной схемы, которые, в свою очередь, отрицательносказываются на электрических парамет) СПОСОБ ТЕРМООБРАБОТКИ КРЕМПЛАСТИН в процессе изготовлеегральных схем, включающий ихс дальнейшим охлаждением соью не более скорости, обуславй возникновение термическихний пластинах кремния,ч а ю щ и й с я тем, что,увеличения выхода годных,ы охлаждают со скоростью не0 С/мин.74 3489 Редактор Л. Письман Техред АКравчук Корректор Л, Патай Заказ 3129 Тираж 315 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина,101 Иелью изобретения является увеличение выхода годных эа счет траничения скорости охлаждения...