Яссен

Номер патента: 1597032

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Милявский, Яссен

МПК: H01L 21/302

Метки: лазерно-стимулированного, полупроводников, травления

Способ лазерно-стимулированного травления полупроводников, включающий обработку полупроводникового образца в растворе травителя при облучении стравливаемых участков лазерным излучением перпендикулярно поверхности образца, отличающийся тем, что, с целью повышения скорости травления при снижении величины бокового подтравливания, образцы располагают горизонтально обрабатываемой поверхностью вниз.

Номер патента: 1715136

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Дикаев, Милявский, Яссен

МПК: H01L 21/306

Метки: индия, лазерно-стимулированного, травления, фосфида

Состав для лазерно-стимулированного травления фосфида индия, содержащий водный раствор плавиковой кислоты, отличающийся тем, что, с целью снижения мощности стимулирующего излучения при одновременном повышении скорости травления, состав дополнительно содержит бромат калия при следующем количественном содержании компонентов, моль/л:Плавиковая кислота - 0,045 - 18Бромат калия - 0,0008 - 0,32

Номер патента: 1127477

Опубликовано: 15.10.1986

Авторы: Герасимова, Луфт, Хусид, Яссен

МПК: H01L 21/306

Метки: галлия, монокристаллов, полирования, травитель, фосфида, химического

...концентрированФ55ных азотной и соляной кислот повсей вероятности, уксусная кислотавзаимодействует с активным хлором,образующимся в смесях концентрирован 477 3 ных НС 1 и НБО с образованием хлор 3уксусной кислоты, являющейся более сильной кислотой и лучшим комплексантом по отношению ко многим ионам металлов, .чем уксусная кислота. Это способствует лучшему отводу продуктовреакции окисления фосфида галлия в системе Низ -НС 1 - СН СООН, а следовательно; и повышению полирующей способности предлагаемых составов травителей (по сравнению с прототипом);лучшее по сравнению с прототипомкачество поверхности полированных пластин, особенно монокристаллических пластин, изготовленных из высоколегированных образцов Р - СаР;получение гладкой зеркальной...

Номер патента: 1135382

Опубликовано: 15.10.1986

Авторы: Лазарев, Луфт, Хусид, Яссен

МПК: H01L 21/306

Метки: антимонида, галия, монокристаллов, основе, полирования, прецизионного, растворов, твердых, травитель, химического

...и 457-ного ра 40створа плавиковой кислоты НР при соотношениях компонентов, указанных впримерах 1-5. Используются реактивы .марок ОСЧ или ХЧ (молочная кислота)и деионизованная вода марки АТравление поверхности монокристал 45лов СаЯЬ.Образец, например монокристаллическую пластину СаЯЬ ориентации100) или 111 В толщиной 400 -600 мкм, предварительно подвергнутую химико-механическому полированию (ХМП), очищают от поверхностныхзагрязнений, помещают во фторопластовую кассету и подвергают химико-динамическому полированию вначале в55 известном составе травителя (1) или(2) с большой скоростью травления35382 43 мин; обработка в концентрированной НГ - 5 мин, промывка в воде2-3 мин, сушка в центрифуге - 2 мин.Такая последовательная обработкапри...