H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 513415

Опубликовано: 05.05.1976

Авторы: Завистанавичюте, Репшас

МПК: H01L 35/02

Метки: дифферинциальной, объемной, термоэдс

...прибор, подключенные к образцу из исследуемого материла, выполненного в форме гантеля с массивными ц приконтактными блоками, находящихся при различных температурах. Однако точность измерения объемной термо-э.д,с. снижаетсяза счет возникновения на переходах перешеек-блок гантеля эффекте. Пельте и измене 1 ния вследствие этого сопротивления гантеля вблизи упомянутых переходов, а также из-за необходимости компенсации эффектаЗеебека на контактах блоков.Цель изобретения - повышение точности 20 измерении объемной дифференциальной те мо-э.д,с, исследуемого материала, Это доотигается тем, что контакты для подключения источника питания находятся на свободных концах разомкнутого образца и термо статированы вместе с контактами для...

Номер патента: 517086

Опубликовано: 05.06.1976

Авторы: Пасынков, Скрижалин, Таиров, Тонкий

МПК: H01L 21/47

Метки: нанесения, покрытий, центрифуга

...клеем наклеивается полупроводниковый диск 3 толщиной 2-3 мм с удельным объемным электрическим сопротивлением 10 - 10 Ом м, наз акоторый свободно накладывается полимерная пленка 4 толщиной 10-20 мкм с удельным объемным электрическим сопротивлением5 710 -10 Ом м. Полупроводниковая пластинка 5 помещается на эту пленку.Описанная конструкция представляет собой конденсаторную систему, которая заряжается от источника высокого напряжения, собранного на базе схемы умножения. Рабочее напряжение составляет 1500-1800 в, а потребляемые токи - несколько десятков микроампер. Полимерная пленка служит для накопления зарядов и для того, чтобы закрепление объектов было надежным в течение всего времени вращения столика центрифуги./ ед 16 о Тираж...

Номер патента: 517087

Опубликовано: 05.06.1976

Автор: Щукин

МПК: H01L 23/00

Метки: выдачи, кристаллов, ориентированных, полупроводниковых, приборов, производстве, укладки

...кассеты. Кристялдь 17 рвовмецены в ячейках кассет: выполнень:х по концентрическим Окружностям.Устройство работает следуошим образам,Операция укладки кристаллов.Кассету с пустыми ячейкахи, с надотОЙ И ЗафикСРОВЯННОй, НЯПРИМЕР, С ПОМОШЬЮ штифта 1;р 1 нкг" у.танявливают ня вертикальный вад с попс, ком, при этом упогы 8 заходят в б ко, ие нязы крышки и удерживают ее от дад.нейке о перемещения вниз вместе с 1 ассето, . .се.:а,няя Опускяе.ся ниже и д:.Нряется вс ;,д нгц вала, Штифт Вьходит из паза крышкиО .и П,.Зедохрянения уклядыВяе 35 мых кристаллов От Выпадения из ячеек и наоуш ния их рис .тяции зазор между крышкой и кассетой должен бьть установлен менеетод.,дины кристалла,КО 1 лстялл сор 1-нтРоеины 11 ня предмет 1"сЪСТт;НО М СТОЛИК Е...

Номер патента: 517279

Опубликовано: 05.06.1976

Авторы: Ичизо, Сигеру, Томисабуро

МПК: H01L 21/306

Метки: полупроводникового, прибора

...продолжать травить, поэтому развивается процесс бокового вытравливания пленки 31 0Р 0 между пленкой фото 2 2 5резиста и пленкой 310 . Известным способом невозможно получить окна с конфигурацией в слоях, нанесенных ложку.Цель изобретения - достижение размеров окон, формируемых в слоя лов, наносимых на полупроводников ложку. Поставленная цель достигается тем,что в нанесенном на подложку первом слос меньшей скоростью растворения, напри-.мер ЯьО, вытравливают окно, наносят2второй слой с большей растворимостью, например 8.0Р О, после чего егостравливают, используя фотолитографию,над окнами в первом слое.На фиг, 1 показана полупроводниковаяподложка 1 с нанесенным на нее слоем 2с малой растворимостью. В слое сформировано окно,На фиг, 2...

Номер патента: 403362

Опубликовано: 05.06.1976

Авторы: Антонов, Голото, Казаков, Молдованов

МПК: H01L 21/22

Метки: полупроводниковых, приборов, сборки

...усилии, не превышаю - шем величину предела упругости полупроводникового кристалла.Детали и злементы полупроводникового прибора, контактирующие поверхности которь 1 х имеют шлифовальные или полированные обезжиренные поверхности, помешают в вакуумную камеру (например, с остаточным вакуумом 110 3-110 7 мм рт, ст.), нагревают до температурь., не превышаюшей 0,4 температуры плавления легкоплавкого материала соединяемых деталей, прижимают их друг к другу с удельным усилием, не превышгкицим величину предела упругости голупроводникового кристалла, выдерживают при температуре сварки в те -403362 Составитель М Яенешкинатехред Е Петрова Корректор Е РЕ. Рожкова Редактор И Ш б Изд, М Я Заказ 6310 ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров...

Номер патента: 517863

Опубликовано: 15.06.1976

Авторы: Двинских, Маслов, Парусов, Сергеев

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: легирующей, полупроводниковых, примеси, профиля, структурах

...смещения; 5 в селективный вольтметр первой гармоники; 6 - селективный вольтметр второй гармоники; 7 - фильтр, выделяющий первую гармонику.Устройство для измерения профиля представляет собой генератор 1 строго гармонических колебаний, соединенный с измерительной цепью, состоящий из последовательно соединенных испытуемого образца 2 и параллельного колебательного контура 3, настроенного на удвоенную частоту генератора. К выходу генератора 1 присоединен селективный вольтметр 5 первой гармоники. С колебательного контура 3 напряжение второй гармоники подается на селективный вольтметр 6 второй гармоники, а напряжение первой гармоники через фильтр 7 первой гармоники уппавляет выходным напряжением генератора 1,517863 3Параллельно...

Номер патента: 518823

Опубликовано: 25.06.1976

Авторы: Друнк, Савинков

МПК: H01L 21/02

Метки: манипуляторное

...в процессе перегрузки,В состав привода входит ряд трущихсяузлов и деталей, что снижает надежностьвсего устройства, 1Цель изобретения - упростить устройство и повысить его надежность,Это достигается тем, что держательвакуумных присосок выполнен в виде рычага, жестко закрепленного на штоке, и гибкого элемента с размещенными на нем вакуумными присосками, один конец которогожестко закреплен в свободном конце рычага, а другой жестко эакреплеь в точке, размешенной вне центра вращения рычага.И(088 Я)исаи и я,20,07,76 На держателе 5 с помощью кронштейна 10 и скобы 11 закреплены вакуумные присоски 6,в зависимости от размеров деталей 13 и их расположении в вибробункере 12 и кассете 1,4При повороте р 71 чага 7 против часовой стрелки 1 ибкпй...

Номер патента: 518824

Опубликовано: 25.06.1976

Авторы: Качнова, Напримерова, Шнырев

МПК: H01L 41/22

Метки: поляризации, пьезоэлементов

...электрод.аток, известного способа состоитнизкой повторяемости заданногоолиризащ.и, что нежелательно припроизводстве.изобретения - повысить1 ность получения. поляризации пьетов по заданному закону степени ронагревйте нем ей точки Кюри,го с элеквыше верхи более звесъ вы- нзаизуется 30% по сия ому за Недоств крайнезакона псерийномЦель надеж 20 зоэлемен поляриЭто остигается тем, что нагревают пьезоэлемента путем непосредстае. еного контакта едо температурыНовый способ характервысоким (до 95% вместоному) выходом готовой прсокой надежностью получции пьезоэлементов по задстепени поляризации. формула изобретенияСпособ поляризации пьезоэлемеь гон, состоящий в предварительной равномерной поляризации их по всему объему и последующей...

Номер патента: 519794

Опубликовано: 30.06.1976

Авторы: Никулин, Смирнов

МПК: H01L 21/48

Метки: комплект, перегрузки, полупроводниковых, приборов

...жестко укрепленной на ней направлчющей, а основания цанговых зажимов снабжены выступами и свободно установлены на направляющей, при этом комплект снабжен набором ограничителей в виде 5 прямоугольных рамок с отверстиями по формевыступов, соединяющих смежные цанги.На фиг. 1 изображен общий вид комплекта; на фиг. 2 - вид сверху.Комплект включает в себя кассету, содер жащую прямоугольную скобу 1 с направляющей 2, и набор ограничителей 3. В скобе выполнен паз 4, в который входят выступы 5 оснований 6 цанг 7, Основания цанг свободно установлены на направляющей 2, жестко 25 соединенной со скобой 1 через планку 8, Одно из крайних оснований жестко закреплено на направляющей, Диаметр оснований равен величине шага расположения приборов в емких...

Номер патента: 519795

Опубликовано: 30.06.1976

Авторы: Осинский, Полякова, Тарасевич, Чечера

МПК: H01L 21/66

Метки: глубины, залегания, микродефектов, микрослоев

...сечение образца путем окола по плоскости епа 11 ности, среза,или изготовления перпендикулярного или наклонного шлифа. Метод получения поперечного сечения определяется видом материала (хрупкий, пластичный) и целью, проводимого исследования (глубина залегания, характер разрушения и т, д,). На 1 пример, для исследования глубины нарушенного слоя пластин кремния делают скол по плоскости спайности. Если есть необходимость исследования микронеоднородностей и других дефектов, на плоскости поперечного сечения выявляюг микрорельеф.Далее наносят реплики одновременно на поперечное сечение и боковые стороны образца таким образом, чтобы она покрывала поперечное сечение и часть боковых сторон. Затем отделяют реплики от образца с последующим...

Номер патента: 519796

Опубликовано: 30.06.1976

Автор: Бородулин

МПК: H01L 23/32

Метки: объекта, соединения, электрического

...контактные элементы, по крайней мере один из которых снабжен прижимным приспособлением. Такое устройство также вносит существенные погрешности 25 при измерении параметроз пьезоэлементов.Цель изобретения - повышение точности измерения.Для достижения указанной цели контактные элементы предлагаемого устройства вы полнены в виде натянутых на рамки струн. На фиг. 1 изображено предлагаемое устройство, вид сбоку; на фиг. 2 - то же, вид сверху; па фиг. 3 - неподвижный и подвижный контактные элементы; на фиг. 4 - подвижный контактный элемент.Устройство для соединения и удержания объекта измерения содержит основание 1, на котором через изоляционную прокладку 2 укреплеп неподвижный контактный элемент, состоящий пз рамки 3 и натянутых на ней...

Номер патента: 520060

Опубликовано: 30.06.1976

Автор: Альфред

МПК: H01L 31/18

Метки: кремниевого, электронного, эмиттера

...иной способноэффективности а предложеноводить при по С в течение ующие прогретуре,щения эмисси повышенияости эмиттеркремния прои атуре 1100 в рой и послед изкой темпер С целью павысти вследствиеочистки поверхнпервый прогреввышенной темпер3 - 30 сек, а втовы - ,при более н фотоэле- обладаюродством, ных опе- миттером Изобретение относится к электроннои нике, в частности к способам изготовл электронных эмиттеров.Известны способы изготовления электронных эмиттеров с отрицательным электронным сродством на основе монокристаллического кремния, включающие мнотократное повторение циклов нагрева и сенсибилизации при одновременной очистке его поверхности ионной боибардировкой, Однако известные способы очистки поверхности кремниевого...

Номер патента: 520647

Опубликовано: 05.07.1976

Автор: Староверов

МПК: H01L 21/46

Метки: ориентации, полупроводниковых, приборов

...установленной впереди фиксирующей и перекрывающей ее скошенную часть.520647 у л иг. 1 Составитель Н, Семенов Орлэвская Техред М. 1 икэвич Корректор Сижа едактор Подписноета Совета Министрний и открытийшская наб д. 4/5 каз 3144/209 ЦНИИПИ ГэсТираж 97 7 арственногэ комит пэ делам изэбрете эсква, Л(-35, Рау СССР 13035 П "Патент", г, Уя, ул. Проектная, 4 На фиг. 1 показано предложенное устройство, вид сбоку, разрез; на фиг. 2 - вид сверху.Устройство состоит из механизма перемещения полупроводниковых приборов, выполненного в виде ротора 1, фрикционной планки 2, закрепленной неподвижно на стойке 3 и служащей для поворота прибора вокруг оси, и двух планок 4, 5, имеющих скосы для их отвода выводами несориентированного прибора при перемещении...

Номер патента: 438364

Опубликовано: 05.07.1976

Автор: Павличенко

МПК: H01L 33/00

Метки: диодный, источник, карбтде, кремния, света

...раза выше по сравнению с новыми приборами.Значительный эффект наблюдается у карбидокремниевых светодиодов на эпитаксиальных пленках по величине прямого падения напряжения. При комнатной температуре и при токе в 10 ма оно составляет минимально возможную для карбида кремния величину 2,25 - 2,5 в (весьма близкую к контактной разности потенциалов), причем у основной части приборов (85%) оно равно 2,25 - 2,35 в, Таким образом, у преобладающего большинства приборов разброс значений прямого падения напряжения не превышает 5 О/о (в отношении к его минимальному значению), что по крайней мере в 10 - 15 раз ниже по сравнению с приборами на кристаллах ПМХЗ и ОХМЗ. Значения прямого падения напряжения при этом очень незначительно уменьшаются (до 2,2 -...

Номер патента: 521620

Опубликовано: 15.07.1976

Авторы: Козлова, Ольховикова, Приходько, Хашимов

МПК: H01L 21/306

Метки: антимонида, индия, полирующий, раствор

...обра521620Ф 4 Формула изобретения Составитель В, МальцевТехред Е. Подурушина Редактор И. Шубина Корректор А. Дзесова Заказ 1793/1 О Изд.1551 Тираж 963 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, 5 К, Раушская наб., д, 4/5Типография, пр, Сапунова, 2 зом, пригодны для исследования методом трансмиссионной электронной микроскопии.Предлагаемым методом возможно исследование микроструктуры материала, в частности дефектов кристаллического строения. Особое значение метод трансмиссионной электронной микроскопии преобретает при исследовании структурного совершенства тонких эпитаксильных слоев.П р и м е р 1. Подготовку образцов к утоньшпию производят следующим...

Номер патента: 521621

Опубликовано: 15.07.1976

Автор: Штейн

МПК: H01L 21/50

Метки: гнезде, групповой, загрузки, кассет, плоских, трафарета

...действием вибрациипредварительно совкентнрованные детали устремляются по поверх-Ности трафарета справа налево, западая вГнезда, оставшиеся пустыми после первогопропуска, и незапавшие детали беспрепят- ,ственно сбрасываются в бункер подачи 5 ла- годаря ступеньке образованной между егооснованием и плоскостью загрузки трафарета. 3"вид в плане; на фиг. Э - установка пустыхкассет и засыпка партии деталей в бункерподачи; на фиг. 4 - наклон узла загрузкисидля первого пропуска деталей и подъем бункера подачи с деталями на фиг. 6 - на-,клон узла загрузки для обратного пропускадеталей и опускание бункера подачи,Устройство состоит иэ узла загрузки(бункера), дном которого служит трафарет,(за ним) в одной плоскости, ограниченныхс трех сторон...

Номер патента: 521622

Опубликовано: 15.07.1976

Автор: Семенюк

МПК: H01L 35/04

Метки: мост, телплопроводящий

...контакта. 2Для уменьщення передаваемых механических напряжений между теплопроводными элементамн в предлагаемом теплопроводящем мосте теплопроводные элементы выполнены в форме плит с ребрами, причем ребра од- И костью, а положение плит друг относитетьно друга фиксировано упругими элементами. На чертеже изображен общий внд предгаем ого теплопроводяшего моста. Мост содержит две пластины 1 и 2 нз теплопроводного материала, например алюминия, снабженные ребрамн 3 н 4, обращенными внутрь промежутка между пластинамн. Между ребрами имеются зазоры 5, заполненные теплопроводной невысыхающей жИдкостью, например техническим вазелином илн солидолом. Теплопроводящий мост вместе с термобатареей 6 размещен ь промежутке между теплоотводяшнми и тепло-...

Номер патента: 336702

Опубликовано: 25.07.1976

Авторы: Гультяева, Злогодух, Лавриненко, Некрасов

МПК: H01F 30/00, H01L 41/00

Метки: пьезотрансформатор

...генератор и возбудитель с электродами, расположенными в поперечном направлении относительно поляризации,Подобные пьезотрансформаторы характеризуются невысоким коэффициентом трансформации, равным 100.Цель изобретения - увеличение коэффициента трансформации предельно допустимоймощности и улучшение условий теппоотдачи.Цель достигается выполнением в возбудителе щелей, перпендикулярных направлению 15поляризации, на поверхности которых нанесены электроды, и соединением секций возбудителя между собой параллельно,Конструкция пьезотрансформатора приведена на чертеже, 20Пьезотрансформатор состоит из генератора 1 и возбудителя 2,:на котором имеютсящели 3, перпендикулярные направлению поляПьезотрансформатор, содержащий генератор и возбудитель с...

Номер патента: 405154

Опубликовано: 25.07.1976

Авторы: Клочко, Лавриненко

МПК: H01F 38/26, H01L 41/08

Метки: пьезотрансформатор

...удалены одна от другой и акус ,тически связаны между собой наклеенными иа иих с обеих сторон пластинами из несег,иетоалектрического материала,На чертеже представлен предлагаемый пьезоэлектрический трансформатор.Ои содержит корпус 1 с размещеиными в ,нем секциями 2 и 3 возбудителя и генератора иапряжеиия соответственно, выполненными из отдельных брусков с металлически мн электродами 4-7, две пластины 8 и ди электрические проладки 9, крепепцие секции возбудителя и генератора напряжения к корпусу. Секции возбудители и мнератора напряженияудаленыодна от другой и акуо- тически связаны между собой наклеенными на них с обеих сторон пластинами 8 из не-, сегнетоэлектрического материала, например а, ндаПри подаче на элечтроды 4 и 5 секции 2...

Номер патента: 285705

Опубликовано: 25.07.1976

Авторы: Злогодух, Лавриненко, Манжело, Некрасов, Плахотный

МПК: H01F 30/00, H01L 41/00

Метки: пьезоэлектрический, трансформатор

...сост состоит из наборатин 1, снабженных пласти ами 2 и поляризо г электродами и пос присоединением заяв(45) Дата опубликован Изобретение относится к области рад техники, а именно к конструктивному вь нению пьезоэлектрического трансформатоИзвестны пьезоэлектрические трансфо торы, содержащие снабженные металличе ми электродами пьезоэлектрические плас образующие две генераторные секции, м ду которыми размещены несколько образ щих секцию возбуждения ньезоэлектриче пластин, также снабженных электродами поляризованных перпендикулярно этим эл родам, Однако подобные трансформаторы ют относительпо невысокийъвзффициент т формации,ванных перпендикулярно плоскостям этих электродов. С двух сторон секции возбуждения размещеньг пьезоэлектрические...

Номер патента: 475048

Опубликовано: 25.07.1976

Авторы: Злогодух, Карташев, Лавриненко, Плахотный

МПК: H01F 30/00, H01F 38/26, H01L 41/08 ...

Метки: пьехотрансформатор

...сразмещенными в нем секциями возбудителя и генераторов напряжении 2 и тока 3 с металлическими электродащ 4, С помощью ди электрической скобы 5 пьезотрансфор,ягор крепится в корпусе 6 из диэлектрика, при- О .,чем скоба 5 располагается в середине воз,будителя 1 и генератора напряжения 2. ХОР пус 6 состоит из двух идентичных половин (на чертеже верхняя половина ие доказана), закрепляемых при помощи клея. Электроды 4 5 при пОмОщи проволочкьтк выводов соединеныс соответствующими контактами 7. Секции возбудителя 1 и генераторов напрюкения 2 я тока 3 расположены под углом друг к другу 1 причем одни концы при помоши склейки сое- О динены акустически, а расстояние между дву,мя другими концами превышает пробойное ;при выходном рабочем напря;кении...

Номер патента: 523472

Опубликовано: 30.07.1976

Авторы: Вартанян, Саркисиан

МПК: H01L 21/66

Метки: перемещений, установочных

...упрощение конструкции, для чего каретка размещена между пластинами корпуса так, что винт поворота проходит сквозь ее окно, а пружина поджима установлена на этот винт между неподвижной пластиной и кареткой.На фиг, 1 схематически показано предлагаемое устройство, продольный разрез; на фиг.2 - то же, вид в плане.К неподвижной пластине 1 корпуса подвещена поворотная пластина 2 на плоскопружинном шарнире 3. Между пластинами размещена каретка 4, несущая иглу-зонд 5, Винт новорота 6 пластины 2 проходит сквозь ее 5 продольное направляющее окно, и на негомежду кареткой 4 и неподвижной пластиной 1 установлена пружина поджима 7. Для уг лового и продольного смещения каретки 4 служит рычаг 8, соединенный шаровой опо рой 9 с пластиной 1....

Номер патента: 392839

Опубликовано: 05.08.1976

Авторы: Нуров, Пиорунский, Федоров

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: вольтамперной, переходов, р-п, характеристики

...переСоставитель М. ФримщтейнРедактор Т, Рыбалова Техред Н, Анцрейчук Корректор Н. Бабурка Заказ 4912/424 Тираж 963 ПодписноеБНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5 филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул, Проектная, 4 392839 3 откуда, переходя к конечным приращениям, ЪОп=При поддержании постоянным отношения - во всем диапазоне рабочих токов через р- Ь -перехоц и при данной температуре (= СОибй) всегда имеет место прямая пропорциональность между Фй и ЬО. Формула изобретения ных приращений тока и измерения получаемых приращений напряжения ЬЯ на р-Ипереходе, о т л и ч а ю щ и й с я тем,что, с целью определения отклонения реальной характеристики р- й -перехода от...

Номер патента: 455702

Опубликовано: 05.08.1976

Авторы: Дашевский, Келлер, Коломоец, Сгибнев

МПК: H01L 21/02

Метки: термоэлемент

...коз 1 м 1 тационные шины, распоЛОЖЕННЫЕ ПО ВССй ДЛ 1 НЕ СТЫКОВ ТЕРвМОЗЛЕКТРИЧЕСКИХ ВЕтВЕй, ПОЗВОЛНЮТ до Мн 1 Мув 12 СНИЗИТЬ ЭЛЕКтрические и тепловые потери на кОлмутацию. Ширина ветви те.,мозлсмента Оольше его длины, чтоб позволяет умень 111 ТЬ его Внутреннее сопротивление 2 также повысить надежность В эксплуат 2.ции,На ч:ртеже схзь 12"иесин НЗООзажен предлагаЕМЫй ТЕР, ОЭДСМЕНТ в 1 вн СОДЕРЖт ИЗОЛЯЦИОННУО гибкую 1 ерфооирова:1 1 ю подложку 1 полупро 1Водниковые ветвии - тнпа полупроводниковые ВЕТВИ 3 р - ТИП 2 ПвЕрфорацИ 10 4. 32 ПОЛНЕнну 0 К "- М;таиИОННЬЫ 1 И 2 ТЕРИ="1 Овв ЗЛЕКтРИЧЕСКИЕ КОММУТ 2- ционные шины 5, гокосъемные шины 6.15 Работает тев моэлемент следующим образом.455702 10 Составитель С, ОстровскаяТехред Корректор Т....

Номер патента: 348128

Опубликовано: 05.08.1976

Авторы: Бронников, Веневцев, Дидковская, Климов, Савенкова

МПК: H01L 21/324

Метки: материал, пьезокерамический

...потерь всильных электрических полях,Материал получают следующим образом.После помола исхоцных веществ, взятыхв необходимых соотношениях, из полученнойшихты изготовляют брикеты. Их поцвергаютоотжигу при 800 С в течение 2 час.Затембрикеты тщательно измельчают в порошокс размером частиц 3 - 5 ц,после чего цо -бавляют раствор поливинилового спирта вкачестве связки и прессуют изцелия зацанной формы и величины,изделия помещают в печь 50 - 1100 С в течениеооподъема 200-300 С во00-200 С в час.ят вжиганием серебра ние 10-30 мин. Поляриуществляется в силиконоо0-160 С в течение 1348128 50,34-34,50 18,49 - 28,54 30,56 - 17,26 0,002 - 2,5 0,002 - 2,5 Окись свинцаОкись цирконияОкись титанаОкись висмутаОкись марганцаОкись одного из...

Номер патента: 524262

Опубликовано: 05.08.1976

Авторы: Ратнек, Чарный

МПК: H01L 21/00

Метки: загрузки, ориентированной

...служит для дальнейшей транспортировки сориентированной по полярности детали в узел штабелирования деталей 1. 26Работает устройство следующим образом.Детали загружаются навалом в узел загрузки и рихтовки 2, откуда они, пройдя операцию рихтовки выводов, поштучно подаются в блок контактов. Ролик 3 блока контактов 30 захватывает своими выступамц деталь и перемещает ее выводы по цилиндрической чаоти контактов 5, постоянно прижатых к захватывающему ролику пружинами 4. Верхняя часть контактов 5 обеспечивает плавный за ход детали на цилиндрические контактные поверхности, а нижняя часть контактов 5 максимально приближена к рабочим поверхностям сердечников 8 электромагнитов 7, что обеспечивает надежное и одновременное 40 попадание обоих выводов...

Номер патента: 524263

Опубликовано: 05.08.1976

Авторы: Арушанов, Пругло, Радауцан

МПК: H01L 27/16

Метки: датчика, интегрального, нернста-эттингсгаузен, потока, теплового, чувствительный, элемент

...ч ду большой прсарачност мия в инфракрасном диа но покрыть чернением л к-, способов, обеспечив диэл 25, вязку между кристаллом:монокристаллов и пленок Сйа Ава, эь,тектики 1 тт 5 Ь МАЗЬ.Во всех указанных материалах при неб ших магнитных полях наблюдается экстремум зависимости отношения коэффициента Нернста-Эттингсхауэена к теплопроводност от магнитного поля И, что определяет опт ;мальную величину магнитного поля, при к торой чувствительность датчика применением монокрибкадмия в качестве чувт., а датчика интегральностаЭатингстхаузена, евт представляет с елегированного монмия, вырезанную его выходного сигфического направле асть пластины, вви- и сурьмянистого ка пазоие, целеоообраэ 1- юбым иэ известныхектрическую рвз- .и чернью при...

Номер патента: 304864

Опубликовано: 05.08.1976

Авторы: Иванов, Нуров, Пиорунский, Федоров

МПК: H01L 21/66

Метки: переходов, полупроводниковых, приборов, характеристик

...на усилитель прямоугольного напряжения 12 с калиброванным коэффициентом усиления и измеритель напряжения 13, шкала которого проградуирована непоаред. ственгно в значения коэффициента отклонения 36 1 г 1. При коэффициенте усиления усилителя :К =40, отношении - =0,1 и температуреЬ 13окружающей среды 300 С К (37 =25 мв ; Ф показание измер.1 теля напряжения. 13 Ои) составляет: . бИ.=ц= т",т, е. можно получить прямой отсчет коаурй-. циента т 11., 1-.1 пиалкагоне Пря;,111рез о - т 1 перехэд От 3 0 наноа 1.,11, -, - ,;.-,погрешность измерения 11 оафф 171.и 81- тпревышает 3%,ПрИМСН 8111.8 ОЯИС.1 т:718 лго - ., 81серийном произьодстве 7 эволит о:-:; 1 де 7:;1надежность полупроводниковых ,р-, .эв идаст.возможность исследовать за:; --ф"= 14 1 й...

Номер патента: 307455

Опубликовано: 05.08.1976

Авторы: Колетвинов, Люскин, Николаев, Павленко

МПК: H01L 37/02

Метки: ветвей, основе, растворов, сплавов, твердых, термоэлементов

...при температуре 375 оС в течение 3 час, "1 "- типа при 360 оС в течение 2 час.Термоэлектрическая эффективность получаемых по описанному способу образцов "р" и "тт "- типов проводимости выше, чем у образцов, проходивших термообработку в вакууме по извест.ной технологии и на воздухе. ов из сплавов на осноез - ВЬгТез ("р" - тип), и является метод порошкоМетод заключается в том, что предварительно спрессованные из размельченных сплавов ветви "р" и " и " - типов проводимости проходят термообработку в защищенной от влияния кислорода среде. В качестве такой среды используют вакуум, инертньй газ или водород,В условиях серийного выпуска термоэлементов известньй метод изготовления ветвей "р" ии "-типов предполагает наличие вакуумных ус....

Номер патента: 434872

Опубликовано: 05.08.1976

Авторы: Бордина, Заддэ, Зайцева, Ландсман, Стребков, Стрельцова, Унишков

МПК: H01L 21/00

Метки: генератор, полупроводниковый, фотоэлектрический

...нулю и -;.Пгт, схглгаОгг-я ДО ЗНаЧЕНИя, ОПрЕдЕЛяЕМОГО СвгЭ 1 СдваН О-перехода, параллельного световому потоку (перпендикулярного к рабо-ой ювенхности), Уменьшить сопротвлеше Оас гека -иния легированных слоев, расположенн;ых параллельно рабочей поверхностн ге;оратора, удается путем увеличения:;убпн.; ,залегания дополнительных р - Р в нерехоЯ дОВ, Однако такой спОсоб снжеп сопротивления растекания сопровождаетсп ростом нефотоактивного поглощения излучения В толстом легированном слое, что в конечном итоге не приводит к заметному увелитт.чени 0 к,п,.д. генератоа. Еце одним недосгат.:гэл мат;эичнсй конструкции генератора яьяется увеличение обратных токов утечкн через р - д -переход при увеличении исда - . раней мкротфотопресбг. - с; -...