H01L 21/312 — из органических веществ, например слоев фоторезиста

Номер патента: 153975

Опубликовано: 01.01.1963

МПК: C09D 183/04, H01L 21/027, H01L 21/312

Метки: 153975

...вплавления,Светочувствительное покрытие (вязкость порядка 15 сек) наносят на поверхность пластины кремния с помощью центрифуги(150 - 200 об)мин) и высушивают под инфракрасной лампой, Далее пластина экспонируется в течение 15 лин под ультрафиолетовой лампой, расположенной на расстоянии 12 слт, через стеклянный шаблон с повторяющимся рисунком требуемой конфигурации и проявляется в толуоле 10 иин, После сушки в течение 30 мин под инфракрасной лампой пластину помещают в напы. лительную камеру и нагревают до нужной температуры (400 - 700), после чего производят напыление.После напыления и вплавления пленки металла заданной толщины пластину опускают на 10 мин в плавиковую кислоту для снятия фото- слоя. Оставшиеся участки металла имеют...

Номер патента: 421548

Опубликовано: 30.03.1974

Авторы: Андреев, Бобров, Валиев, Динабург, Кашаева, Лубашевска, Макаров, Никольский, Фирсов, Хорина

МПК: H01L 21/312

Метки: позитивный, фоторезист

...введение в состав позитив ного фоторезиста сенсибилизатора приводит к изменению его интегральной и спектральной светочувствительности одновременно с улучшением разрешающей способности фотослоя. Иц. тегральная светочувствительцость сенсцбили зированпого фоторезиста втрое выше чувствительности известных позитивных фоторсзистов. Спектральная чувствительность его имеет второй максимум, лежащий в более длинноволновой области спектра (450 - 500 нм). 30 Таким ооразом, повышение интегральной и спектральной фоточувствцтельцости позитивного фоторезцста, це исключая прежней сферы применения, даст возможность использовать его в проекционной фотолитографии в качестве фотослоя прц изготовлешш фотошаблонов с применением обычной оптики и...

Номер патента: 664245

Опубликовано: 25.05.1979

Авторы: Зигхард, Мартин, Михаэль, Ульф

МПК: H01L 21/312

Метки: воздействия, компенсации, освещения, покрытых, субстратов, теплового, устройствах, фотолаком

...т)одпожку 2 субстрата. На верхней стороне фотошаблона, концентрично к его центру находится сопло 4 для обдува фотошаблона 3 термостатированным потоком 14 газа, который направлен на поверхность фотошаблона снаружи внутрь. Субстрат и фотошаблон могут находиться параллельно друг другу на некотором расстоянии или непосредбб 4245 ЦИФИИТир аж каз 3010(5 Подписное Филиал ЛПППаг.ужгород,ул.Пр нт 1 ектна3стванно контактировать. Термостатирование подложки 2 субстрата производится термостатом 5, который через систему 12 циркуляции жидкости находится во взаимодействии с подложкой 2 субстрата. к соплу 4 подключена система 10 подачи газа, в которой применяется 5 полная система автоматического регулирования, состоящая из...

Номер патента: 783891

Опубликовано: 30.11.1980

Авторы: Кутьина, Максимова

МПК: H01L 21/312

Метки: состав, удаления, фоторезиста

...растворителей, содержащих группы, в который атомы водорода связаны с электроотрицательными атомами. Благодаря атомам водорода они являются донорами водорода при образовании водсродных связей. Поскольку их диэлектрическая проницаемость больше 15, э раствор необходимо добавить хлористый калий в качестве электропроводящей добавки. Ионы К взаимодействуют с пленкОй Фоторезиста, при этом происходит послойное вымывание резистивных Сло ев15Разница во времени удаления фоторезиста для граничных пределов укаэанного э формуле соотношения составляет не более 20. Преимущественным является соотношение, веса: фЭтанол 49,5Хлористыйкалий 1,0Вода " 49,5Необходимая плотность тока при электролитической обработке,от 0,3 до 1 мА/см. при плотности тока...

Номер патента: 855792

Опубликовано: 15.08.1981

Авторы: Костиков, Суздальцев, Шувайников

МПК: H01L 21/312

Метки: изображений, формирования, фотолитографии

...область при и-кратном совмещении и экспонировании наблюдаетсятолько один разДефект на темномполе проэкспонирован также один раз, 20что приводит,к разрыву 1/(п) связей, однако оставшаяся неразрушеннаяпленка фоторезиста служит надежнойзащитой при травлении. Число полимеризованных связей в этом случае равно и/(и). С повышением количествасовмещений и экспонирований увеличивается защитная способность оставшейся пленки фоторезиста. Посколькуучасток Фоторезиста под дефектом насветлом поле экспонируется (и) Разто для удаления разрушенного слояфоторезиста время травления выбирают как для (и)-кратного экспонирования.На фиг.1-9 показаны основные этапы осуществления данного способа напримере четырехкратного совмещения иэкспонирования,Элемент 1...

Номер патента: 864383

Опубликовано: 15.09.1981

Авторы: Вахтина, Русанов

МПК: H01L 21/312

Метки: рентгенолитографии, шаблон

...рент-,геновскими лучами и играет роль буфера в случае возникновения деформации. Затем методом вакуумного напыления на слой алюминия наносят слойзолота 3 толщиной 0,4 мкм, обеспечивающий хорошую контрастность засвеченного рисунка, После этого на слоезолота формируют рисунок топологии4 способом электронно-лучевой литографии с минимальным размером 0,1 мкм.40В теле кремниевой подложки вскрыва- .ют сквозные окна 5 путем травления втравителе:Этилендиамин 68 млВода 32 млПирокатехин 12 г45опри 115 С, после чего осуществляютдвухстороннее анодирование алюминияпри режимах получения износа устойчивых покрытий.Концентрация Н 180450Плотность токаНапряжениеТемператураэлектролита 15-20 СВремя процесса 30 минПосле получения сплошного слояокисла...

Номер патента: 868891

Опубликовано: 30.09.1981

Авторы: Гетманов, Сулюкин, Сучкова, Фартукова

МПК: H01L 21/312

Метки: фотошаблонов

...актиничногоизлучения и прозрачное в видимойобласти спектра, что значительносокращает время, затрачиваемое наоперацию совмещения рисунка фото 10 шаблона с рисунком на подложке.Нанесение окиси железа можно осуществлять методом вакуумного напыле-,ния либо пиролиза,Полученное покрытие является практически бездефектным, а имеющиесямнкронные дефекты (проколы ) пленкиокиси железа, возникающие при напылении, не передаются на подложку впроцессе эксплуатации фотошаблонаблагодаря бездефектности лежащегопод ним слоя диффузионной меди. Причиной этого является дифракция намикронных отверстиях.П р и м,е р. Стеклянную подложкуокрашивают на специальной установкес помощью устройств имеющих медносвинцовую лигатуру (1-27. меди).Окраску лриповерхностного...

Номер патента: 938339

Опубликовано: 23.06.1982

Автор: Марголин

МПК: H01L 21/312

Метки: электронолитографии

...сложность подведения потенциала Р случае изготовления больших интегральных схем БИС) и необходимость работы только с проводящей подложкой. 0Цель изобретения - повышение разрешающей способности и производительности процесса.Поставленная цель достигается тем, что в способе электронолитографии, включающем нанесение на подложку слоя негативного электронорезиста, его сушку, экспонирование, проявление и задубливание, задубливание проводят путем облучения электронорезиста пучком электронов или рентгеновским излучением дозой энергии О=О- С 4, где С - доза энергии, обеспечивающая полную полимеризациюэлектронорезиста;С- доза энергии, которои провом 35дят экспонирование электронорезиста.При использовании данного способа появляется возможность...

Номер патента: 1003201

Опубликовано: 07.03.1983

Авторы: Мешковский, Суслов, Фролкова, Фролов

МПК: H01L 21/312

Метки: фотошаблон

...неоднородности не более100 3, е непрозрачные участки выполнены в виде обЛастей пористой структуЗОры, заполненных материалом, поглошающим ультрефиопетовЬе излучение,В способе изготовления фотошаблона,включающем формирование нв рабочей помверхности стеклянной пластины защитноймаски иэ фоторезиств, химическую обреботку незащищенных участков пластиныполучение непрозрачных дпя ультрафиопетового изпучения участков, удаление защитной маски, химическую обработку проводят путем вьпцепачивения стекпа не глубину 10-20 мкм, в попучение непрозрачных участков - путем пропитки полученных областей пористой структуры материалом, поглощающим ультрафиолетовоеизлучение.Процесс выщелачивания отличается отпроцесса травления тем, что дпя выщелачивания...

Номер патента: 1027792

Опубликовано: 07.07.1983

Авторы: Кострова, Максимова, Федоров

МПК: H01L 21/312

Метки: качества, позитивных, фоторезистов

...не изменяет растворимости в щелочных растворах пленки фоторезиста, ранее интенсивно облученной и прошедшей термообработку. Если фоторезист старыйи не пригоден. к работе, то в немв процессе хранения образуются "сшивки" подобные тем, которые образуютсяв фотореэисте, подвергнутом интенсивному облучению и термообработке.Наличие "сшивок" ухудшает растворимость фоторезиста в проявителе. Визуальным признаком старого фоторезиста является темно-коричневая окраска,обусловленная образованием дополнительных Т связей, й- й у сшитыхолигомеров фотореэиста.Старые фоторезисты, подвергаемыетолько дополнительному облучениюс интенсивностью ниже оптимальнойне уменьшат свою щелочестойкость,так как дополнительное облучениене окажет влияния на сшитые...

Номер патента: 1027793

Опубликовано: 07.07.1983

Авторы: Григорьев, Карпова, Соколова

МПК: H01L 21/312

Метки: рисунка

...разрешающей способности процесса.Поставленная цель достигается тем, что согласно способу получения рисунка, включающему нанесение на подлож ку слоя фоторезиста, Формирование в нем защитного рельефа методом фотолитографии, предварительное травление подложки, термообработку до размягчения защитного рельефа и окончательное травление подложки, термообработ"65 ку проводят в парах диметилформамида при 10-50 фС, причем после термообработки проводят дополнительную сушку защитного рельефа.Термообработка слоя Фоторезиста в парах диметилформамида,обеспечивает контролируемое размягчение пленки фоторезиста вдоль края отверстия и качественное смачивание поверх" ности подложки растекающейся пленкой.Край слоя фотореэиста подвергается воздействию...

Номер патента: 1027794

Опубликовано: 07.07.1983

Авторы: Усманов, Хамаев

МПК: H01L 21/312

Метки: отверстий, пленке, полиимидной

...взаимодействуют с материалом наносимого слоя, изменяют его свойства. В конечном итоге маскирующее 40 покрытие локально отслаивается и не выполняет своих защитных функций, что ухудшает во роиэводимость размеров получаемых отверстий, и снижает качество и надежность микро схем, в которых полиимидная пленка является изоляцией или подложкой.Цель изобретения - повышение воспроизводимости процессаПоставленная цель достигается 50 тем, что согласно способу получения отверстий в полиимицной пленке, включающему нанесение на поверхность пленки маскирующего слоя, формирования в нем рисунка методом фотолитографии и травление полиимидной пленки в кислородсодержащей плазме, перед нанесением маскирующего слоя и перед травлением полиимидной пленки...

Номер патента: 1045312

Опубликовано: 30.09.1983

Авторы: Васичев, Корчков, Мартынова, Почтарев

МПК: H01L 21/312

Метки: литографии

...вакуумного испарения, т.е, в условияхПреимущественной понерхностной миграции. Достичь такой ситуации ранномерным нагревом невозможно, так как всеточки поверхности будут иметь одинаковое значение энергии. Поэтому наличие направленного градиента температуры улучшает условия миграции испаряющихся молекул,Вопрос о направленности преимущественного градиента температуры решается исходя из условий качествапроявляемого изображения, Если градиент температуры будет направленот центра к перифериен подложки, томиграция модекул будет направленак центру, следовательно, будет происходить дополнительное загрязнениепроявленного иэображения за счет эфФектон термической полимеризации либо кластерообраэования в газовой Фазе. В случае градиента...

Номер патента: 1046803

Опубликовано: 07.10.1983

Авторы: Былкина, Морозов, Розыев

МПК: H01L 21/312

Метки: пленки, формирования, фоторезиста

...сил, что повышает равномерность толщины пленки фоторезиста и ее .воспроизводимость. первичному слою, приводящее к появлению неравномерности толщин пленки фоторезиста и к снижению воспроизводимости толщины.Цель изобретения - повышение равномерности и воспроизводимости толщины наносимой ллвнки.Поставленная цель достигается тем, что согласно способу формирования пленки фоторезиста, включающему нанесение иэ доэатора дозы фоторезиста на вращающуюся подложку в центр вращениядозу фоторезиста наносят в виде капли при ее истечении из доза- тора под действием силы тяжести при расстоянии дозатор-подложка, равном, высоте капли, причем сечение капли задают сечением дозатора, определяе.мым по формуле5:к,4 к,( )- -ем рр где 5 у, -...

Номер патента: 1064352

Опубликовано: 30.12.1983

Авторы: Кривутенко, Папченко

МПК: H01L 21/312

Метки: шаблона

...следующем соотношении, об.ч.;Плавиковая кислота 90Фтористый аммоний , 300Вода дистиллированная 600Нанося на полученную заготовкузащитноепокрытие из фотореэиста,формируют широкое окно с обратнойстороны подложки путем травлениясапфира в травителе, в качестве ко"торого используется, подогретая до130 ОС, ортофосфорная кислота.Время травления около 60 мин,При этом сапфировая подложка протравливается до слоя монокремния.Полученный таким образом шаблон имЕет пленку мембрану ) из монокристаллического кремния С 100) толщиной0,7 мкм со сформированными в нейпоглощающими шинами иэ палладия толщиной 50 нм, Расстояние между шинами около 2 мкм,П р и м е р 3. На стекляннуюподложку, например, марки ЛКнаносят прозрачный проводящий слой 3 о...

Номер патента: 1112443

Опубликовано: 07.09.1984

Авторы: Бородин, Грищенко, Неелов

МПК: H01L 21/312

Метки: многослойной, печатной, платы, фотошаблон

...Выполнение реперного 43 2знака в виде кругов одинакового диаметра, частично перекрывающих друг друга с образованием крестообразной фигуры с острыми кромками, обеспечивает высокую точность совмещения отдельных слоев фотошаблона.На фиг. 1 приведен фотошаблон, общий вид, на фиг. 2 - то же, вид сбоку, на фиг, 3 - первый слой подложки фотошаблона с фрагментом рисунка на фиг. 4 - второй слой подложки фотошаблона с другим фрагментом рисунка, на фиг. 5 - поперечный разрез, общий вид.Фотошаблон (фиг,1 и 2) содержит подложку, состоящую из слоев 1 и 2, совмещенных друг с другом, На слое 1 нанесен один из фрагментов 3 рисунка фотошаблона и реперные знаки 4 (фиг,3). Фрагмент 3 может представлять постоянную часть рисунка для группы...

Номер патента: 1145847

Опубликовано: 07.01.1986

Авторы: Аристов, Бабин, Ерко

МПК: G03F 7/26, H01L 21/312

Метки: коррекции, литографии, экспозиции, электронно-лучевой

...и недоста точной точностью. Целью изобретения является увеличение точности и упрощение процесса.45 Цель достигается тем, что в известном способе коррекции экспозиции при электронно-лучевой литографии, включающем нанесение ревиста на подложку, экспонирование тестовой струк туры, проявление резиста,и определение доз экспонирования, экспонирование проводят с линейно нарастающей дозой до получения теса.овой структу.ры прямоугольной формы, после чего 55 экспонируют по прямоугольной структуре прямую линию с размером не более 0,1 мкм и с постоянной дозой,Недостатком этого метода является невысокая точность. 1 ос кольку в р езисте происходит сложение формы, то для экспонирования линии и клина экспозиции, образуемого при экспонировании тестовой...

Номер патента: 1352445

Опубликовано: 15.11.1987

Авторы: Тырроф, Шмидт

МПК: G03F 7/26, H01L 21/312

Метки: ионно-лучевых, маски, проекционных, свободной, систем, электронно-и

...литографии.Если требуется получить рисунок с более высоким разрешением, то при формировании вспомогательной маски из двуокиси крем. ния используется ионолитография, а в качестве ионорезиста - молибден.Пример 2, На подложку, например из кремния или алюминия, осаждается первый слой никеля толщиной примерно 5 мк, а затем при помощи шаблона типа ядерного фильтра литографически формируют контакт. ную маску, рисунок которой путем травления ионным лучом напряжением 1 кВ и плотностью тока 1 мА/смпереносится в никелевый слой. При этом плотность тока и напряжение должны выбираться таким образом, чтобы исключить усадку или разложение контактной маски и обеспечить соотношение скоростей травления никеля и маски 1. В данном случае достигается" 54...

Номер патента: 1132746

Опубликовано: 23.08.1988

Авторы: Берестенко, Боков, Бочканов, Носов, Сиедин, Федоров, Шевченко

МПК: G03F 7/26, H01L 21/312

Метки: маски, негативной

...и продолжительность прививки 1"10 ч.При давлении мономера менее 01 Торр при продолжительности прививкименее 1 ч толщина маски получается недостаточной, так что выход за эти пределы практически нецелесооб-. разен. Процесс пострадиационной графт-полимеризации практически завершается в течение 10 ч, поэтому увеличение продолжительности не дает существенного выигрьппа.В предложенном способе, в отличие от известных, применяемая полимерная пленка не содержит летучих компонентов, не требует обработки в жидких мономерах и проявления в жидкомрастворителе. На фиг, 1-4 показана схема получения негативной маски согласно изобретению.На фиг. 1 изображена первая стадия- формирование полимерной пленки, содержащей молекулы полимера (Р). Полимер...

Номер патента: 1329498

Опубликовано: 23.10.1990

Авторы: Базанова, Белоус, Мацкевич, Попова, Ярандин

МПК: H01L 21/312

Метки: покрытия, фоторезиста

...согласно известномуспособу (прототипу) ца установке нанесения фоторезиста линии "Лада (см,табл.1).Т а б л и ц а 1 Продолжение табл.2,гРастекание5350Сушка110 Толщина фоторезистивного покрытия ца пластинах составляла 1,2 мкм.Сформированные покрытия подвергадпсь контролю, в процессе которогоопределялись внешний вид фоторезистивного покрытия на пластине, просматриваемый прц косом подсвете отисточника с направленным световымпучком и локальная разнотолщинность(лучистость) покрытия при контролепод металлографическим микроскопомв режиме ицтерференццоцного фазовогоконтраста по Номарски.1Визуально наблюдаемая радиальная1 11лучевая разнотолщинность присущафоторезистивным покрытиям, Нанесение фотарезиста в соответствии с изобретением обеспечивает...

Номер патента: 1608757

Опубликовано: 23.11.1990

Авторы: Грибов, Исаев, Родионов, Романов, Селин, Шевырев

МПК: H01L 21/312, H05K 13/02

Метки: нанесения, пластины, покрытия

...вертикального перемещения. Центрифуга снабжена механизмом 18 фиксации держателя 3 относительно механизма загрузки пластин на держатель.Устройство работает следующим образом.Обрабатываемые пластины (стеклянные заготовки фотошаблонов) располагают в кассете 1 над позицией загрузки. Каретка 6 перемешается под кассету 1, после чего кассета 1 опускается на один шаг размещения пластин, укладывая нижнюю пластину в гнездо каретки 6 на наклонные грани 14 упоров 11. При обратном ходе каретки 6 пластина извлекается из кассеты 1 вертикальной гранью 13 упора 11 и перемещается на позицию перегрузки в каретку 8. При этом пластина размещается между упорами 11 каретки 8. Упоры 11 каретки 8 сближаются и пластина скользит по скосам на клонных...

Номер патента: 1552940

Опубликовано: 23.12.1990

Авторы: Баргий, Дзян, Мацкевич

МПК: G03F 9/00, H01L 21/312

Метки: знаков, подложке, полупроводниковой, совмещения, формирования

...позволяет получить поверхностьуглублений с раэвитыл рельеФом. Этоспособствует поглощению света, падающего на знаки совмещения, и повышает их контрастность. 3 ил. П р и м е р. Кремниевые подложки ,1 (см,. Фиг. 1) диаметром 100 мм ориентацией (100) и (111) оисляются до толщины окисла 500 А или 1000 А. На часть пластин наносится слой нитрида кремния толщиной 1500 А. Насу 2 для травления знаков совмещения получают методом проекционной Фотолитографии, Размер ячейки знака совмещения Зк 3 или 5 х 5 мкм. Обработку пластин водным раствором, содержащим 0,014)авитель В.Руед Идидыке иа е ю ю е ю а Со Те едактор Т.Иагова аа а Заказ 4333 ВНИИПИ Госу Тираж 461комитета поМосква Ж"3 Подписноезобретениям и открытияРаушская набе д 4/5 ГКНТ СС...

Номер патента: 1306402

Опубликовано: 07.06.1991

Авторы: Грибов, Мазин, Родионов

МПК: G03F 1/00, H01L 21/312

Метки: заготовки, регенерации, фотошаблона

...и сушки. Контроль качества фоташаблона проводится с помощью Оптического микроскопа при увеличенич от 200 до 500 крат. П р и и е р 2. Пришедшие в негодность в результате эксплуатации фото".шаблоны (появление недопустимого количества проколов) с маскиру 1 ощим слоем хрома после операции снятия маскирующего слоя и выдержки в окислитель.:ной среде дополнительно выдерживаютв щелочной среде раствор едко:":с иатра ИаОН в воде с РН 11 и 11,5 ед. инебольшой добавкой поверхностно:активного вещества) в течение 4 м:при температуре раствора 50 и о 5"СсОответственно, Затем поДложки ИОДвергают финишной полировке и изготавливают фотошаблоны,П р и м е р 3. Забракованные .поневытравливаемым точкам фотошаблоцы и фатошаблонные заготовки, забракованные па...

Номер патента: 1662361

Опубликовано: 07.07.1991

Автор: Марица

МПК: G03F 7/26, H01L 21/312

Метки: рисунка, формирования

...плазме также позволяет избежать контакта сверхпроводящей пленки с органическими растворителями или другими жидкими реактивами, приводящего к ухудшению сверхпроводящих 45 свойств используемого материала. Реализация способа возможна с использованием как позитивного, так и негативного реэистов.П р и м е р 1, На подложку из ЯгТ 10 с площадью поверхности 5 см2 с помощью триодного распыления наносят слой 1 ВаСи 507 =-толщиной 0,3 мкм и подвергают его обработ-, ке в кислороде при температуре 850 С. Полученный слой является высокотем 55 пературным оксидным сверхпроводящим слоем с критической температурой л 93 К. Затем наносят слой оксида алюминия А 10 з толщиной 0,3 мкм методомвысокочастотного ионного распыпения.После этого методом...

Номер патента: 1611158

Опубликовано: 30.11.1991

Авторы: Генцелев, Самойлиди

МПК: G03F 7/20, H01L 21/312

Метки: маске, подложки, проводящего, рисунка, рисунком, совмещения

...поверхности другого совмещаемого обьекта ортогонально оси прецессии первого угол между плоскостями, а следовательно, и емкость конденсатора, будут постоянными по времени, цто позволяет использовать для измеоений мостиковую схему.Схема 9 узла контроля непараллельности рабочих поверхностей маски 1 и подложки 2 и микрозазора между ними постоянно следит за меняющейся емкостью конденсатора и совместно с блоком 3 обработки и управления вырабатывает и подает управляющие сигналы на двигатели б, добиваясь при этом такого положения подложки 2, когда величина электрической емкости конденсатора равна определенной наперед заданной велицине (эталонной емкости) и величина ее изменений отклонений от эталонной величины) за период прецессии ми...

Номер патента: 1572337

Опубликовано: 30.11.1991

Автор: Мягконосов

МПК: H01L 21/312

Метки: подложке, слоя, сушки, фоторезиста

...метод для измерения изменениядиэлектрической проницаемости материаласлоя. В этом случае определение временитермообработки, требуемого для воспроизводимого получения Высококачестгеных 35покрытий из фоторезиста, осуществляютизмерением времени изменения значенийдиэлектрической проницаемости материала слоя емкостным меодом,Сущность изобретения поясняется чертежом, где изображено устройство для реализации предложенного способа.Устройство содержит камеру 1 групповой обработки, состоящую из корпуса 2 суплотнением 3, и.крышки 4 и снабженную 45нагревателем 5, кассету бс подложками 7 сослоями 8 фоторезиста, размещеннуо В камере 1, блока контроля параметров слоя фоторезиста, состояЩего из датчика 9 снанесенным на него слоем Фоторезиста,...

Номер патента: 1385932

Опубликовано: 15.12.1991

Автор: Мягконосов

МПК: B05C 5/00, G03C 1/74, H01L 21/312 ...

Метки: нанесения, подложки, слоя, фоторезиста

...в сосуд 1, Держатель .6 с подложками 7 закрепляют посредством кронштейна 8 на крьппке 2, которую уста иавливают на сосуд 1. Затем открывагот клапан 5 в трубопроводе 14; клапан 17 в трубопроводе 16 подачи сжатого газа и, создавая давление в реВерсивном баке(1,5-2,0) х 10 Па, подают в сосуд 1 жидкость 4,контролируя ее уровень по указателю 19 уровня. При подъеме уровня жидкости 4 в сосуде 1 нанна 9 с Фаторезистом 1 О также поднимается и при достижении заданного уровня жидкости 4 подложки 7 полностью погружаются в Фоторезист 10, После этого закрывагот клапаны 15 и 17, открывагот клапан 18, устаиавлггвая в реверсивном. баке 11 давление, равное атмосферному, и герметизируют сосуд 1 прижатием крьппки 2 к.уплотнению 3, Затеи открывают клапан...

Номер патента: 1556076

Опубликовано: 07.08.1992

Авторы: Агабеков, Алексеев, Гудименко, Игнашева, Лабунов, Солдатов

МПК: C07D 265/38, G03C 1/72, H01L 21/312 ...

Метки: 9-диэтиламино-3-метакрилоилокси-5н-бензо, дицианметилен, качестве, литографии, сухой, термонапыляемого, феноксазин-5, фоторезиста

...ФРтолщиной 1,1 мкм (пример 2) обрабатывают ионами аргона с Е = 30 кэВ, Р = 110 ион/ /см, 1 = 50-80 мкЛ/см и помещают в установку плаэмохимического травления 08-ПХ 0-100 Т, где обрабатывают плазмой "Хладон" (СР) при следующих условиях: давление в камере 1 мм рт.ст мощность 1,8 кВт, ток 0,7 А, время травления 3 мцн, В этих условиях скорость травления, рассчитанная по изменению толщины пленки за Ю время воздействия плазмы, Ч = 100 А/ /мин. Селективцость транлеция, определяемая отношением скорости травления9810/Чб = 1000 Л/миц к скорости траволения маски, Б = 10. 25П р и м е р 14. Пластину 80 на КДБ-О,З с пленкой ФРтолщиной ,1 мкм (пример 2) облучают излучением лампы ДРЦ 1-000 (доза 8-10 Дж/см ) и помещают в установку илазмохимцческого...

Номер патента: 1788532

Опубликовано: 15.01.1993

Авторы: Войтович, Калинов, Матюшков, Салтанов

МПК: H01L 21/312

Метки: шаблона

...волны света 250 нм, причем температура слоя при сканировании не должна превышать =100 С.В основе способа лежит явление создания центров окраски в кристаллах при действии высокоэнергетических излучений, в частности, потоков ускоренных электронов. Различные типы центров окраски имеют полос поглощения центров одного типа определяется свойствами кристалла. В методе литографии фотошаблоном называют изображение (топологический рисунок) структуры интегральной микросхемы, выполненное в виде чепрозрачных участков на прозрачной подложке, Изображение фотошаблона переносят с помощью светового потока на полупроводниковую пластину, в обьеме которой формируется физическая структура интегральной микросхемы. Минимальные размеры элементовсхем...

Номер патента: 1827691

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Комаров, Корчагин

МПК: H01L 21/312

Метки: нанесения, подложку, покрытия

...вмещается более 1000 мл материала покрытия, что составляет 1000 доз величиной 1 мл.Работа устройства происходит следующим образомЧерез штуцер 16 в дополнительную емкость 5 из технологических емкостей заливается материал покрытия - врассматриваемом примере фоторезист, Затем включается электропривод 15, сообщаащий возвратно-поступательное движение рабочему элементу - сильфону дозатора 1. При движении вниз сильфон растягивается, внутри него создается разрежение, и фоторезист через входной всасывающий) клапан дозатора 1, трубопровод 2, фильтр 3 и заборный патрубок 4 поступает из дополнительной емкости 5 внутрь дозатора 1 до тех пор, пока флажок 13 не дойдет до датчика 12, фиксирующего момент заполнения доза- торэ 1. Датчик 12 формирует...